См. также р — « переход

См. также р — п-переход Ток насыш ения [c.446]

См. также р — п-переход Точечные группы см. Кристаллографические точечные группы Точечные дефекты П 234. См. также Дефекты в кристаллах Трехвалентные металлы 1300—304 Тригональная кристаллическая система 1126, 135 связь с гексагональной системой 1133 (с) [c.446]

См. также Колебания решетки Фононы Акцепторные примеси II 199. См. также р — п-переход Полупроводники Примеси в полупроводниках Аморфны е тверды е тела I 74 [c.392]

См. также р — п-переход Полупроводники [c.402]

См. также р — га-переход Ток насыщения ь р — л-переходе II 219—225 [c.412]

Возможно также осуществление балансных схем (рис. 4.18, 4.19), в которых подбором соответствующих элементов можно добиться практически полной компенсации э.д.с., наводимых на частоте накачки 2со в системы, и рассматривать последние как колебательные цепи с периодически изменяющимися параметрами. В первой схеме (см. рис. 4.18) происходит периодическое изменение индуктивности с частотой 2ш во второй (см. рис. 4.19) — периодическое изменение емкости, образованной двумя запертыми р — п-переходами в полупроводниковых диодах, также с частотой внешнего воздействия (накачки) 2(о. Предположим теперь, что условия параметрического возбуждения выполнены, и тогда амплитуда любого малого колебания с частотой, удовлетворяющей соот- [c.160]

Растворимость Ru в (pZr) при эвтектической температуре составляет 11 % (ат.) [1], растворимость Zr в (Ru) - 1,9 % (ат.) при температуре 1715 °С [1] (2,15 % (ат.) при -1520 °С [3]). Ru понижает температуру р-а перехода в сплавах на основе Zr [1, 2] (см. вставку на рис. 541). При закалке сплавов от 1000 и 800 С фаза pZr полностью сохраняется при содержании Ru 6 % (ат.) и более. При меньшем содержании Ru образуются также метастабильные фазы а и со. Наибольшее количество фазы со образуется в сплаве с 2 % (ат.) Ru [4]. [c.204]

В качестве конденсатора используют также смещенный в обратном направлении р-п переход. Диэлектриком в таком конденсаторе будет служить обедненная носителями область перехода. Для данного материала емкость будет являться функцией ширины обедненной зоны и площади перехода. При использовании кремния можно получить емкость р-п перехода до 100 ООО пф/см с пробивным напряжением в несколько десятков вольт Так как ширина обедненной зоны зависит от приложенного напряжения, то и емкость р-п перехода имеет нелинейную зависимость от напряжения. [c.700]

Если векторы Бюргерса пересекающихся дислокаций лгл и уу, относящихся к разным плоскостям Р и ( , равны, но противоположны по направлению и лежат вдоль линии P Q (рис. 149), то в точке встречи В дислокаций преимущественно краевой ориентации они легче образуют соединение А В С и В В Р, чем ВЕ (см. также рис. 148). Таким образом, если расстояние между такими дислокациями составляет величину, меньшую параметра решетки, то силы притяжения переходят в силы отталкивания. Следовательно, в этом случае пересечения не происходит, а возникшие соединения моментально сокращаются под действием линейного натяжения, скользят вдоль P Q и занимают положения А ВС и О ЕР, а затем А Р С и задерживаясь в точках А, [c.208]

Обедненный слой (область пространственного заряда) II 211 См. также р — га-переход Обмеп между делокализованными электронами II 296 Обменная энергия I 333—337 [c.402]

Инжекция неосновных носителей происходит при подаче прямого смещення на р — п-переход, гетеропереход или контакт металл — полупроводник вследствие уменьшения разности потенциалов на контакте. Инжектированные неосновные носители проникают в полупроводник на глубину, определяемую рекомбинацией она по порядку величины совпадает с диффузионной длиной в слабых внеш. нолях и с дрейфовой длиной (см. Дрейф носителей заряда) в сильных полях. Инжекция неосновных носителей лежит в основе действия полупроводникового диода, транзистора и др, полупроводниковых приборов. Изучение стационарных и переходных процессов И. н. з. позволяет исследовать подвижности носителей, а также определить концентрации, энергетич. положения и сечения захвата примесных центров в высокоомных полупроводниках и диэлектриках. Прохождение инжекционных токов является одним из механизмов переноса заряда в тонких диэлектрич. плёнках. [c.148]

К. р. п. основана работа важнейших элементов полупроводниковой электрояики р — и-переходов и контактов металл—полупроводник. Учёт К. р. и. важен при конструировании электровакуумных приборов. В электронных лампах К. р. п. влияет па вид вольт-аи-перных характеристик. При прямом преобразовании тепловой энергии в электрическую в термоэжиссионном преобразователе создаётся напряжение как раз порядка К. р. п. (см. также Полупроводники). [c.445]

С. включает в себя активный элемент из полупроводникового монокристалла, в основном в виде кубика ( чипа ), содержащего р — п-переход пли гетеропереход и омич, контакты. Типичные размеры чипа 0,3 X 0,3 X 0,25 мы. С. содержит также элементы конструкции, предназначенные для сбора излучения, повышения ввеш. оптич. эффективности и формирования необходимой диаграммы направленности излучения. С. может иметь два чипа с разл, цветами свечения или один чип с двумя р — 71-переходами, излучающими в двух спектральных полосах, В этом, случае возможно управление цветом свечения. С. может содержать также резистор или микросхему, позволяющие управлять питающим напряжением С. (см. Интегралънал схема, Микроэлектроника). С. могут иметь усложнённую кон- [c.465]

Неидеальные вырожденные газы. Исследование свойств таких газов при условии малости газового параметра т) представляет существ, интерес. В фер-миевском газе поправка к энергии оси. состояния оказывается т]7 . Спектр квазичастиц в случае газа с отталкиванием между частицами совпадает (с точностью до поправок т) ) со спектром свободных частиц, В спектре газа с притяжением между частицами возникает экспоненциально малая (по параметру т / ) щель, что связано со сверхтекучестью (см. также Сверхпроводимость), и появляется фононная ветвь. Энергия осн. состояния, равная нулю у идеального бозе-газа, составляет Ы1У)Чшх иПИ 1т для неидеаль-вого. Спектр квазичастиц при малых р является фононным, а при больших р переходит в спектр свободных частиц (см. также Квантовая жидкость). [c.671]

Фотоэлементы на р—п-переходах или гетеропереходах используются как высокочувствит. малоинерционные приёмники излучения, а также для прямого преобразования световой энергии в электрическую (см, Солнечная батарея). При регистрации излучения фотоэлемент непосредственно замыкается на внеш. нагрузку либо последовательно с нагрузкой включается внеш. источник, создающий на р—п-переходе значит, смещение в запорном направлении. Это даёт возможность существенно повысить чувствительность прибора. [c.342]

Сильное электрич. поле (внешнее и внутреннее) влияет на Ф. э. из полупроводников. Внеш. электрич. поле в соответствии с эффектом Шоттки снижает величину х и тем самым сдвигает порог Ф. э. в длинноволновую часть спектра и повышает величину квантового выхода Ф. э. вблизи порога. Внутр. электрич. поле вблизи поверхности полупроводника ускоряет фотоэлектроны к поверхности, также увеличивая квантовый выход Ф. э. Если электрич. поле достагочно сильное, выйти в вакуум смогут даже фотоэлектроны, находящиеся в объёме полупроводника вблизи дна зоны проводимости ниже уровня вакуума. Дополнит. энергию, необходимую для выхода в вакуум, фотоэлектроны приобретают в электрич. поле. При этом порог Ф. э. будет определяться шириной запрещенной зоны полупроводника (Avq k s), к-рая может быть значительно меньше, чем Ф. Для создания областей сильного электрич. поля обычно используют полупроводниковые структуры с р—л-переходами и контактами полупроводник—металл (см. Контактные явления в полупроводниках). На рис. 5 представлены спектральные характеристики Ф. э. из контакта полупроводник — металл -lnGaAs — Ag. Работа выхода плёнки Ag снижена адсорбцией цезия и кислорода до Ф 1,1 эВ. При обратном смещении на контакте [c.366]

Д )р,д Ау<, где = —полная вероятность спонтанного испускания с уровня ifj,, — Эйнштейна коэффициенты для спонтанного испускания, Уширение уровня может быть вызвано также спонтанными безызлучат. переходами, напр, для радиоакт. атомного ядра—альфа-распадом. Ширина атомного уровня очень мала по сравнению с энергией уровня. В др. случаях (напр,, для возбуждённых ядер, вероятность квантовых переходов к-рых обусловлена испусканием нейтронов и очень велика) Ш.у. может стать сравнимой с расстоянием между уровнями. Любые взаимодействия, увеличивающие вероятность перехода системы в др. состояния, приводят к дополнит, уширению уровней. Примером может служить уширение уровней атома (иона) в плазме в результате его столкновения с нонами и электронами (см. Излучение плазмы). В общем случае полная Ш. у. пропорц. сумме вероятностей всех возможных переходов с этого уровня—спонтанных и вызванных разл. взаимодействиями. [c.462]

Широкие кинематические возможности планетарной передачи являются одним из основных ее достоинств и позволяют использовать передачу как редуктор с постоянным передаточным отношением как коробку скоростей, передаточное отношение в которой изменяют путем поочередного торможения различных звеньев как дифференциальный механизм. Вторьш достоинством планетарной передачи является компактность, а также малая масса. Переход от простых передач к планетарным позволяет во многих случаях снизить массу в 2...4 раза и более. Это объясняется следующим мощность передается по нескольким потокам, число которых равно числу сателлитов. При этом нагрузка на зубья в каждом зацеплении уменьшается в несколько раз внутреннее зацепление (р я Ь) обладает повышенной нагрузочной способностью, так как у него больше приведенный радиус кривизны в зацеплении [см. знаки в формуле (8.9)] планетарный принцип позволяет получать большие передаточные отношения (до тысячи и больше) без применения многоступенчатых передач малая нагрузка на опоры, так как при симметричном расположении сателлитов силы в передаче взаимно уравновешиваются. Это снижает потери и упрощает конструкцию опор (кроме опор сателлитов). [c.193]

Пусть дано кольцо радиуса а. Пусть его меридиональное сечение имеет ось симметрии, параллельную оси симметрии кольца, так что ось симметрии меридионального сечения вместе с перпендикулярной к ней осью, проходящей через центр тяжести меридионального сечения, представляют главные оси поперечного сечення. Так как мы предполагаем, что размеры поперечного сечения в сравнении с диаметром 2а кольца малы, то к рассматриваемому кольцу можно применить формулы теорик изгиба бруса малой кривизны. Пусть нагрузка распределена равномерно вдоль круга радиуса а и направлена к центру этого круга. Пусть 1) все силы нагрузки будут направлены к этой неподвижной течке также и при бесконечно малом отклонении кольца от его круглой формы и пусть 2) на единицу длины окружности приходится нагрузка р кг см, так что центральному углу da соответствует нагрузка р айч. При очень большой нагрузке кольца образуется восьмерка , т. е. плоская форма равновесия переходит в искривленную. Так как в данном случае мы имеем задачу об устойчивости, то мы должны исходить из деформированного состояния кстльца, бесконечно близкого к состоянию равновесия, и выразить, что для этого близкого состояния также получается равновесие. Это дает нам условие, которому должна удовлетворять критическая нагрузка р , при переходе через которую начинается потеря устойчивости плоской формы равновесия. [c.378]

Впервые такие исследования с построением полных полюсных фигур были проведены на сплаве Zn—22 % А1 [119], который в исходном закаленном состоянии не имел текстуры. Было обнаружено, что после деформации в условиях СПД исходного бестекстурного образца в I и III скоростных интервалах в цинковой фазе образуются резко отличные друг от друга аксиальные текстуры (рис. 16). При малых 8 (область I) возникает максимум направлений оси растяжения, а в III скоростном интервале формируется текстура с максимумом в поперечном направлении. Переход от одной текстуры к другой в зависимости от е происходит постепенно за счет ослабления одного максимума, а затем возникновения и усиления другого. В некотором интервале (е) в области II заметной текстуры после растяжения в р-фазе не возникает. Интенсивность максимума полюсной плотности возрастает с увеличением степени деформации. Позднее было установлено, что существует тесная корреляция между наблюдаемыми особенностями текстуро-образования и изменениями механических свойств сплава в зависимости от размера зерен [120] и условий деформации. Эти экспериментальные результаты имеют принципиальное значение, поскольку дают прямое доказательство связи закономерностей СПД и текстурообразования в процессе деформации (см. также 2.4.1). [c.46]

Существенное повышение несущей способности передач с Р / О достигается переходом от малоотличающихся и невысоких значений Я т и Яа -т2 (например, Я> 340 НВ) к варианту с высоким перепадом твердостей (например, Яа д > 50 НКС, Н 2 = 270 ч- 320 НВ). При постановке исследования, связанного с этим вопросом, можно сравнить массу и габаритные размеры косозубых передач для следующих трех вариантов сочетания 1) Я , л 320 НВ, Я,,,, л 280 НВ 2) Я,, > 50 НКС, Н, 2 % 280 НВ 3) Я,кт1 = 50 НКС. При этом принимают значительную величину , (не менее 15—20 тыс. ч) и варьируют число замен подшипников качения, начиная с = 0. С уменьшением г,, снижается влияние размеров опорных узлов с подшипниками качения на габаритные размеры и массу редуктора в целом. Эти исследования выполняются с использованием метода расчета, приведенного в гл. 2, и уточненного метода по ГОСТ 21354-75 (см. также [42, 49]). [c.223]

Необходимо сразу же отметить, что это выражение получено для изотропной среды переходя к анализу разрушения анизотропных тел — кристаллов с резко выраженной спайностью, следует иметь в виду, что расколы по разным кристаллографическим плоскостям требуют существенно различных усилий вследствие различия значений а по этим плоскостям и анизотропии упругих свойств кристалла. Вместе с тем следует подчеркнуть, что полученная зависимость рс (с), строго говоря, имеет место лишь в случае совершенной хрупкости тела. Если тело пластично, то некоторая (а в ряде случаев и преобладающая) доля упругой энергии, освобождаемой при раскрытии трещины, может расходоваться не на создание новой свободной поверхности (поверхности стенок трещины), а на пластическое течение материала,—прежде всего, в местах, прилежащих к вершине трещины, где концентрации напряжений наиболее высоки. Если и при этих условиях сохранить величину р = а (Еа/с) в качестве критерия, определяющего опасное нормальное напряжение рс, то вместо обычных значений а 10 эрг1см придется оперировать с некоторыми условными величинами ст, достигающими 10 —10 дрг см , поскольку они включают энергию, затрачиваемую на создание пластических деформаций в районе растущей трещины [171—173]. Отсюда не следует, однако, что условие Гриффитса с обычными значениями (Т вообще неприложимо к кристаллам, обнаруживающим заметную пластичность перед разрывом по плоскости спайности. Действительно, для вьшолнения этого условия достаточно, чтобы лишь в одном сечении кристалла пластические сдвиги перед вершиной растущей трещины были затруднены присутствием тех или иных препятствий — именно здесь и разовьется при некотором уровне напряжений опасная трещина, тогда как во всех остальных частях кристалла при этом может идти пластическая деформация, достигая заметных величин — многих процентов или десятков процентов. Экспериментальные данные, непосредственно подтверждающие приложимость условия Гриффитса к анализу разрушения амальгамированных монокристаллов цинка, будут приведены ниже (см. также [106]). [c.171]

Большую группу ( . з. ч. составляют приборы, в к-рых используется газовый разряд, инициированный проходящей частицей между электродами различной конфигурации. В соответствии с характером разряда пользуются ионизационной камерой в импульсном режиме, основанной на собирании электронов первичной ионизации пропорциональным счетчиком, использующим эффект газового усиления при развитии электронных лавин счетчиками с самостоятельным газовым разрядом (см. Газовые счетчики). Наибольшее распространение получил Гейгера—Мюллера счетчик, где благодаря сильной неоднородности электрич. поля (цилиндр — нить, плоскость — острие) при прохождении ионизующей частицы развивается коронный разряд. В искровом счетчике проходящая частица инициирует искру между плоскопараллельными электродами. В импульсном режиме работают также кристаллические счетчики и полупроводниковые счетчики (см. Полупроводниковый детектор ядерных излучений), в к-рых импульс тока обусловлен электронно-дырочной проводимостью, возникающей в монокристалле или полупроводнике (точнее, в области р — п-перехода) нод действием ионизующей частицы. В сцинтилляционных счетчиках электрич. имиульс обра ется на аноде фотоэлектронного умножителя, преобразующего вспышку света, возникающую в сцинтиллирующем веществе (кристалле, жидкости, пластике или газе) нри высвечивании возбужденных ионизующей частицей атомов или молекул. В Черенкова счетчике вспышка света возникает при прохождении частицы через вещество со скоростью, превышающей фазовую скорость света [c.110]

При облучении р—п-перехода и прилегающих к нему областей полупроводника светом возникает эдс па этом основано действие фотоэлементов. Большую известность приобрели солнечные батареи — кремниевые фотоэлементы (применяющиеся па спутниках), преобразующие энергию солнечного излучения в электрическую с кпд 10%. Приборы с р—п-переходами применяются также для обнаружения и регистрации потоков излучения (см. Фотодиоды, Фототриоды), в том числе радиоактивных излучений (см. Полупроводниковый детектор ядерных излучений). [c.116]

РАБОТА (в термодинамике) — энергия, передаваемая термодинамич. системой окружающим телам при изменении ее внешних параметров, напр, положения в пространстве, объема, электрич. поля и т. д. Величина производимой Р. зависит от того, находится тело в состоянии равновесия термодинамического (см. также Обратимый процесс) или нет, и будет наибольшей в 1-м случае (принцип макс. Р.). Выражение для бескоиечно малой Р. имеет вид дифференциальной формы bW = yXjrfxj, где Х — внешние параметры системы, а Zj — соответствующие им обобщенные силы. В общем случае Р., совершаемая системой при переходе из состояния 1-го во 2-е, определяемых параметрами ж и темп-рой Т или энтропией S, AW = y Xjdxj, зависит не только от [c.260]

Ц и к л о т р о н н ы й и диамагнитный резона н с ы. В металлах, помещенных в магнитное ноле Яц, направленное строго параллельно поверхности металла, также может наблюдаться резонансное поглощение радиоволн, обусловленное переходами в системе орбитальных уровней, образованных взаимодействием электронов нроводимости с нолем Я . Резонансные частоты определяются соотношением со = пеНд1т с, где т — эффективная масса электрона, е — его заряд, п — целое число. Переходы между этими уровнями осуществляются под действием электрич. компоненты Е высокочастотного ноля. При этом электроны подвержены действию поля только в течение части периода высокочастотного ноля, когда они находятся в с к и н - с л о е (см. Скин-эффект), толщина к-рого меньше радиуса орбиты. Циклотронный резонанс дает сведения об энергетич. спектре электропов проводимости металлов и форме Ферми поверхности, определяющей связь между энергией и импульсом электропов (см. также Циклотронный резонанс в металлах). [c.305]

Фиг. 96. Спектрограммы параллельных полос СВз и СНз около- 2144 и 2160 А. Переход относится к типу — Ма. Помечены Л- и Р-ветви полосы СВз (см. также фиг. 97). Q-вeтвь образует кант при 2144,0 А. В спектре СНз видны только два диффузных максимума, которые представляют собой ветви Ли Р.

Структура полосы, согласующаяся с правилами отбора, такая же, как и у перпендикулярных полос в инфракрасной области (см. [23], стр. 457), за исключением того, что теперь значения В ш В" (а также Л ш А ") могут сильно различаться. На фиг. 36 уже приводилась схема энергетических уровней для такого перехода в молекуле симметрии 7>з/,. Наклонными стрелками обозначены переходы, разрешенные правилами отбора (11,66) и (П,73). Результирующие подполосы, каждая из которых состоит из P ,Q - и 7 -ветвей по /, образуют две ветви (г и р), как это схематично показано на фиг. 99 (см. также [22], фиг. 128, русский перевод фиг. 120). Используя выраженио (1,117) для вращательной энергии в верхнем состоянии и (1,102) в нижнем и принимая во внимание правило отбора для уровней (-г ) и (—I), получим [c.229]

Смотреть страницы где упоминается термин См. также р — « переход : [c.400] [c.409] [c.423] [c.423] [c.396] [c.412] [c.52] [c.243] [c.686] [c.694] [c.696] [c.43] [c.678] [c.415] [c.199] [c.215] [c.394] [c.178] [c.526] [c.206] [c.317] [c.20] [c.242]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...