Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Почта электронная

Согласно более ранней, имеющей почти полуторавековую историю, гетерогенной трактовке процессов электрохимической коррозии металлов (теории локальных элементов), участки анодной и катодной реакций пространственно разделены и для протекания коррозии необходим переток электронов в металле и ионов в электролите. Такое пространственное разделение анодной и катодной реакций энергетически более выгодно, так как они локализуются на тех участках, где их прохождение облегчено (энергия активации реакции меньше).  [c.186]


Идеальные кристаллы, не содержащие примесей, почти не встречаются. Примеси в кристаллах полупроводниковых материалов увеличивают количество электронов или дырок. Так, при введении одного атома 5Ь в 1 см Ое или 81 возникает один электрон, а одного атома В— одна дырка. Присутствие даже 10 примесей изменяет электрические характеристики Ое (р = 0,15).  [c.388]

Диаграммы энергетических уровней двух кристаллических тел до и после контакта показаны на фиг. 10.1. На каждой диаграмме энергия Ферми обозначается энергия, требуемая для отрыва электрона с самого высокого уровня самой высокой, почти заполненной орбиты, обозначается Vo, а энергия, выделяемая при захвате электрона, находящегося в покое вне кристалла, на самый низкий уровень самой низкой, почти пустой орбиты, обозначается Хо- Когда две поверхности приводятся в соприкосновение, достигается состояние равновесия, уровни Ферми и 2 становятся  [c.434]

Основное понятие термодинамики — понятие температуры, которая характеризует значение энергии и ее распределение между частицами вещества. В разреженной или в горячей плазме электронная Те й ионная Ti температуры не равны между собой (рис. 2.16), но с увеличением давления газа их значение и распределение по сечению столба дуги становятся почти одинаковыми (рис. 2.17). Ионная температура близка к температуре газа Ti T .  [c.49]

Измерения в переходных областях. Изучение явлений в катодной и анодной зонах, особенно в дугах высокого давления, к которым относятся почти все сварочные дуги, за исключением вакуумной, затруднено. Получение сведений о плотностях тока /з и на электродах, отношениях je/ji катода, значениях Ьк и и , напряженностях зон d , d , температурах электронов и давлениях газа вблизи них осложняется высокой температурой и малыми размерами зон.  [c.70]

Это заключение справедливо также для электронов в металле или полупроводнике, для нейтронов в графитовых замедлителях и вообще для всех объектов, в которых главную роль играют столкновения частиц не друг с другом, а с какими-то неподвижными или почти неподвижными центрами рассеяния.  [c.198]

Энергия, необходимая для разрыва связи пятого валентного электрона с атомом мышьяка в кристалле кремния, мала. Поэтому при комнатной температуре почти все атомы мышьяка  [c.155]

Согласно волновой теории механизм рассеяния рентгеновского излучения объясняется возникновением вторичных электромагнитных волн в результате вынужденных колебаний электронов в атомах вещества под действием переменного электрического поля первичного пучка. При этом частота рассеянного рентгеновского излучения должна почти точно совпадать с частотой первичного излучения. Наблюдаемое же различие частот первичного и рассеянного излучений волновая теория объяснить не могла.  [c.302]


Закон сохранения энергии (8.52) может быть применен к различным процессам, в которых участвуют фотоны. Так, например, можно рассмотреть задачу, обратную фотоэффекту энергия электрона передается фотону, образовавшемуся при этом элементарном акте. Такое явление наблюдается при торможении быстрых электронов в теле антикатода рентгеновской трубки. Здесь происходят сложные процессы, при которых часть энергии бомбардирующих антикатод электронов должна перейти в тепловую, а оставшаяся часть — в излучение. Этот процесс не квантован — электрон может потерять любую часть своей кинетической энергии, что и приводит к возникновению сплошного рентгеновского спектра. Но для вылетевших из антикатода фотонов максимальной частоты имеет место полный переход кинетической энергии электронов в световую и можно написать уравнение, которое будет почти аналогичным  [c.445]

В виде примера рассмотрим столкновение электрона высокой энергии с покоящимся протоном. Протон может, например, принадлежать молекуле водорода в мишени из жидкого водорода. В большинстве столкновений налетающий электрон и протон-мишень образуют почти изолированную систему, так что лишь очень малая часть импульса или энергии передается другим частицам. Обозначая символами без штрихов параметры частицы до столкновения и со штрихами — после, будем иметь  [c.432]

При электронно-протонных столкновениях, пока кинетическая энергия налетающего протона меньше 140 МэВ, почти все неупругие столкновения (Д ф 0) дают  [c.433]

Масса электронной оболочки незначительна по сравнению с массой ядра, поэтому масса ядра почти совпадает с массой атома.  [c.82]

Если взаимодействие между спином и орбитальным движением частиц (электронов в атоме или нуклонов в ядре) слабее, чем взаимодействие между спинами (т. е. отсутствует или почти отсутствует  [c.112]

Если движение нуклонов в ядре имеет хаотический характер и можно воспользоваться статистическим методом рассмотрения, то ядро можно уподобить разреженному ферми-газу, находящемуся в замкнутом объеме. В этом случае мы будем иметь газовую модель ядра. Наоборот, если нуклоны ядра совершают упорядоченные дни жения, то ядро уподобляется планетной системе или атомной си стеме с почти независимым орбитальным движением электронов По определенному закону нуклоны ядра группируются в оболочки В этом случае мы будем иметь дело с моделью ядерных оболочек  [c.178]

ЛИНИЙ (так называемая сверхтонкая структура спектральных линий) обусловлена влиянием момента ядра атома на его электронную оболочку. Наличие ядерного момента (спина) связано е четностью или нечетностью атомного веса. Однако природные атомы почти всегда представляют собой смесь изотопов, в связи с чем большинство спектральных линий является совокупностью тесно расположенных компонент.  [c.144]

Опытное исследование строения атома показало, однако, что указанная модель не верна и атом состоит из положительного заряда (ядра) очень малого диаметра (меньше 10" см), вне которого движется соответствующее число электронов. Сила, удерживающая каждый электрон, конечно, не будет иметь вид —Ьг и окажется гораздо сложнее. Вопрос о том, каким образом при таком расположении зарядов возможно почти монохроматическое излучение, мы оставляем пока в стороне. Причина лежит очень глубоко и заключается в том, что ни излучение атомов, ни поведение зарядов внутри атомной системы не подчиняются законам классической механики и электродинамики, установленным при изучении макроскопических объектов. Для правильного описания таких внутриатомных, микроскопических процессов надо обратиться к законам, установленным квантовой теорией, по отношению к которым макроскопические законы являются лишь первым приближением, достаточным  [c.550]

Для объяснения линейчатого спектра, испускаемого изолированным атомом, следовало предположить, что электрон в излучающем атоме совершает (почти) гармонические колебания, которые согласно классическим законам и обусловливают почти монохроматическое излучение. Поэтому на основании вида атомных спектров следовало предположить такое устройство атома, при котором электроны, входящие в его состав, способны совершать гармонические колебания, т. е. удерживаются около положения равновесия квазиупругой силой вида / = — кх, где к — постоянная, ах — отклонение электрона от положения равновесия.  [c.718]


Рассмотрим, как изменяется энергетический спектр в двух предельных случаях Р- 0 и P-VOO. Случай Р О соответствует условию Уо->0, т. е. почти свободному электрону (приближение слабой свя-15—221 225  [c.225]

Возвращаясь к рис. 7.11,в, отметим, что описывать движение электронов в кристалле, пользуясь понятием эффективной массы, можно только тогда, когда они находятся либо у дна, либо у потолка энергетической зоны. В центре зоны т теряет смысл. На практике почти всегда приходится иметь дело с электронами, располагающимися или у дна, или у потолка зоны. Поэтому использование эффективной массы в этих случаях вполне оправдано.  [c.235]

Ясно, что при взаимодействии света с электронами твердого тела должны выполняться законы сохранения энергии и импульса. Требование выполнения этих законов приводит к тому, что почти во всех механизмах поглощения света, связанных с различными электронными (или дырочными) переходами, принимают участие фононы. Это происходит потому, что значительное изменение импульса электронов в некоторых переходах не может быть обусловлено малыми импульсами фотонов, поглощенных при этих переходах. Это изменение импульса достигается за счет участия в процессе поглощения фононов, которые могут иметь достаточно большой импульс.  [c.307]

Во время слабого освещения фототок при внутреннем фотоэффекте почти пропорционален световому потоку. При больших освещенностях эта зависимость становится нелинейной. Нелинейность световой характеристики объясняется тем, что внутренний фотоэффект сопровождается рядом побочных явлений, среди которых основную роль играет рекомбинация, т. е. возвращение электронов в нормальное состояние. Световые характе-  [c.168]

Барионная асимметрия Вселенной. Говоря о том, что почти каждой частице соответствует своя античастица, необходимо остановиться на одном поразительном факте, имеющем для дальнейшего изложения очень важное значение. Астрофизические исследования показывают, что Вселенная состоит только из вещества, т. е. из образующих атомы протонов, нейтронов и электронов, а не из их 186  [c.186]

После эры космологического нуклеосинтеза Вселенная в течение почти 30 ООО лет тихо остывает. Ее температура снижается настолько, что электроны начинают соединяться с ядрами, образуя атомы. Энергии фотонов не хватает для их разрушения, с этого момента излучение отрывается от вещества. Дальнейшая эволюция излучения происходит в полном соответствии с законами теплового излучения. Теоретическое значение температуры этого реликтового излучения,,, дожившего до наших дней, прекрасно соответствует экспериментальным данным (см. с. 147). Таким образом, только около 25% всей материи — водород  [c.223]

При еще более низкой температуре (что соответствует изгибу С-кривой) дисперсность продуктов еш,е более возрастает, и дифференцировать под оптическим микроскопом отде.пьные составляющие феррито-цементитной смеси становится почти невозможно, но при наблгодеинн под электронным микроскопом пластинчатое строение обнаруживается вполне четко (рис. 189). Такая структура называется троститом .  [c.248]

Разбиение схем устройств на конструктивные элементы (узлы) при компоновке машин в основном однозначно определяется по функциональному признаку. Кроме того, в отличие от электронных устройств задача разбиения компоновки машин — малосвязная. Так, почти однозначно решается задача разработки унифицированных узлов машин (см. рис. 1.2). Наиболее близка к задаче разбиения на конструктивные элементы электронных схем задача модульного проектирования пневмо- и гидросистем.  [c.19]

Зонная структура твердого тела является результатом взаимодействия волновой функции электрона с рещеткой. Зонная структура позволяет найти частоты и направления, для которых волновая функция электрона может или не может проходить через решетку. Отражение электронной волны под углами Брэгга от кристаллографических плоскостей является идеально упругим и не вносит вклада в электрическое сопротивление. Для каждого кристалла и каждой электронной конфигурации условия Брэгга налагают определенные ограничения на направление волнового вектора и значения энергий, которые может принимать электронная волна. Эти ограничения в направлениях и значениях энергий приводят к появлению щелей в почти непрерывном спектре энергий и направлений. Именно эти щели (порядка 1 эВ для полупроводников и 5 эВ или больше для хороших диэлектриков) обусловливают сильнейшие различия между металлами, полупроводниками и диэлектриками (рис. 5.2). Для металлов характерно, что уровень Ферми оказывается внутри зоны, имеющей вакантные энергетические уровни. Полупроводники имеют полностью заполненную разрешенную зону. Ширина запрещенной зоны у них невелика, н поэтому ие большое число электронов при тепловом возбуждении может перейти в расположенную выше разрешенную зону. Диэлектрик отличается от полупроводника тем, что его запрещенная зона очень велика, и практически ни один возбужденный электрон не может ее преодолеть.  [c.190]

Прежде чем перейти к подробному обсуждению зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников от температуры, коснемся особенностей поведения концентрированных сплавов. Введение значительного количества примесных атомов в твердый раствор приводит к искажению кристаллической решетки. Вследствие этого появляется дополнительный вклад в рассеяние. Его величина почти не зависит от температуры и может во много раз превышать долю электрон-фонон-ного рассеяния в чистом металле. Изменение остаточного удельного сопротивления неупорядоченного сплава Си—Аи в зави-  [c.191]

Существует класс полупроводниковых приборов, выполненных на основе смешанных окислов переходных металлов, которые известны под общим названием термисторов. Термин термистор происходит от слов термочувствительный резистор . Толчком к разработке термисторов послужила необходимость компенсировать изменение параметров электронных схем под влиянием колебаний температуры. Первые термисторы изготавливались на основе двуокиси урана ПОг, но затем в начале 30-х годов стали использовать шпинель MgTiOз. Оказалось, что удельное сопротивление MgTiOз и его температурный коэффициент сопротивления (ТКС) легко варьируются путем контролируемого восстановления в водороде и путем изменений концентрации MgO по сравнению со стехиометрической. Использовалась также окись меди СиО. Современные термисторы [60, 61] почти всегда представляют собой нестехиометрические смеси окислов и изготавливаются путем спекания микронных частиц компонентов в контролируемой атмосфере. В зависимости от того, в какой атмосфере происходит спекание (окислительной или восстановительной), может получиться, например, полупроводник п-типа на поверхности зерна, переходящий в полупроводник р-типа в глубине зерна, со всеми вытекающими отсюда последствиями для процессов проводимости. Помимо характера проводимости в отдельном зерне, на проводимость материала оказывают существенное влияние также процессы на границах между спеченными зернами. Высокочастотная дисперсия у термисторов, например, возникает вследствие того, что они представляют собой сложную структуру, образованную зонами плохой проводимости на границах зерен и зонами относительно высокой проводимости внутри зерен.  [c.243]


Таким образом, при больших значениях квантовых чисел мы оказываемся в области Рэлея — Джинса, где плотность излучения пропорциональна 7 в соответствии с классической электромагнитной теорией. Излучение в этой области, однако, почти полностью связано с вынужденным испусканием. Таким образом, вынужденное излучение ведет себя как классический процесс и может быть вычислено в соответствии с классической механикой. Именно поэтому излучательная способность металлов в дальней инфракрасной области весьма близко подчиняется простым соотношениям Друде — Зенера. По этой же причине в электронной технике так успешно используются уравнения Максвелла.  [c.322]

Заполните предлагаемую анкету и укажите, книги на какие темы Вас интересуют. При полном заполнении анкеты Вы получаете возможность в течение 6 месяцев пользоваться 10% скидкой при приобретении компьютерной и радиотехнической литературы, имеющейся в нашем Internet-магазине, выпускаемой как ДМК Пресс , так и другими издательствами (всего 700 наименований). Для этого достаточно получить логин и пароль, которые Вы будете использовать при входе в Intemet-магазин на сайте www.dmk.ru. Узнать логин и пароль Вы можете, позвонив по тел. 369-33-60 или прислав письмо по электронной почте (info dmk.ru) после отправки анкеты по адресу 105023, Москва, пл. Журавлева, д. 2/8, оф. 400.  [c.587]

Кадмиевые покрытия получают почти исключительно электро-осаждением. Разница в потенциалах между кадмием и железом не столь велика, как между цинком и железом, следовательно степень катодной защиты стали покровным слоем кадмия с ростом размера дeфeкtoв в покрытии падает быстрее. Меньшая разность потенциалов обеспечивает важное преимущество кадмиевых покрытий применительно к защите высокопрочных сталей (твердость Яр > 40, см. разд. 7.4.1). Если поддерживать потенциал ниже значения критического потенциала коррозионного растрескивания под напряжением (КРН), но не опускаясь в область еще более отрицательных значений, отвечающую водородному растрескиванию, то кадмиевые покрытия надежнее защищают сталь от растрескивания во влажной атмосфере, чем цинковые. Кадмий дороже цинка, но он дольше сохраняет сильный металлический блеск, обеспечивает лучший электрический контакт,, легче поддается пайке и поэтому нашел использование в электронной промышленности. Кроме того, он устойчивее к воздействию водяного конденсата и солевых брызг. Однако, с другой стороны, кадмиевые покрытия не столь устойчивы в атмосферных условиях, как цинковые покрытия такой же толщины.  [c.238]

Плазма дуги квазинейтральна (т. е. почти нейтральна), так как в ней отрицательный заряд электронов почти точно нейтрализует положительный заряд ионов.  [c.48]

Взаимодействие света с металлом приводит к возникновению вынужденных колебаний свободных электронов, находящихся внутри металлов. Такие колебания вызывают вторичные волны, приводящие к сильному отражению света от металлической поверхности и сравнительно слабой волне, идущей внут])ь металла. Чем больше электропроводность металлов, тем сильнее происходит отражение света от нх поверхности. В идеальном проводнике, для которого а -> оо, поглощение полностью отсутствует н весь падающий на его поверхность свет отражается. Поэтому заметный слой металла является непрозрачным для видимого света. Сильное поглощение проникающей внутрь металла световой волны обусловлено превращением энергии волны в джоулево тепло благодаря взаимодействию почти свободных электро1Юв, испытываюидих вынужденные колебания под действием световой волны.  [c.61]

Выше уже упоминалось, что задача о движении электрона в поле световой волны может рассматриваться квантово-механически. В результате этого получается почти такое же выражение, как и классическая формула (4.13), однако смысл сходных f6o3-начений будет в этом случае совсем иным. Здесь символ aik означает уже не частоты свободных колебаний различных квазиупругих электронов, а круговые частоты, соответствующие разрешенным переходам в атоме для одного и того же оптического (валентного) электрона, которые можно опре- " Л.с ниТпГборГ делить по известным правилам, впервые сформулированным Бором. Так,  [c.145]

Таким образом, в течение ПОЧТИ Бсей первой трети 20-го столетия шло интенсивное исследование строения электронной оболочки атомов и тех закономерностей, которые управляют движением электронов в атоме. С этим связано возникновение квантовой меха-  [c.6]

Объединение взаимодействий. Диалектичность процесса познания еще раз в полной мере проявилась в том, что идеи объединения взаимодействий возникли при анализе... различий их свойств. Эти идеи не лежат на поверхности, и тем не менее о них в неявном виде уже говорилось на страницах книги. Поясним это. Константы различных взаимодействий отличаются друг от друга весьма значительно — на 40 порядков Но, и это самое главное, их значения зависят от энергии взаимодействия ( бехущие константы ), и зависят по-разному. На малых расстояниях сильносвязанные в нуклона кварки ведут себя как почти свободные (асимптотическая свобода), следовательно, константа сильного взаимодействия а, уменьшается с ростом энергии взаимодействия. С ростом энергии зондирующих электронов возрастает заряд электрона (см. рис. 18). Следовательно, константа электромагнитного взаимодействия должна возраста ь. С ростом энергии взаимодействия или, что то же самое, с ростом массы взаимодействующих частиц резко возрастает гравитационное взаимодействие, следовательно, возрастает и константа взаимодействия ttg. Ниже будет показано, что и слабое взаимодействие xjf также возрастает с ростом Е.  [c.213]

И все же модель осциллирующего атома оказалась несостоятельной. Известные опыты Резерфорда по рассеянию а-частиц убедительно показали, что структура атома долл<-на быть совсем иной, нежели по модели Томсона. Почти вся масса атома сосредоточена в положительно заряженном ядре, линейные размеры которого на 4—5 порядков меньше диаметра самого атома. Вокруг ядра движутся электроны на расстояниях, которые и определяют размеры атома. Опыты Резерфорда наводили на мысль о планетарной модели атома, в которой электроны движутся по замкнутым (например, круговым) орбитам.  [c.63]

При ЗА температура вырождения составляет примерно 40 000° К. При температурах много ниже этого значения свойства совокупности электронов должны почти полностью определяться нулевой энергией, и из общего числа частиц N только часть, определяемая отношением кТ/Е , будет обмениваться тепловой энергией с окруяч-аюп ей средой (решеткой).  [c.159]


Смотреть страницы где упоминается термин Почта электронная : [c.329]    [c.191]    [c.293]    [c.467]    [c.265]    [c.324]    [c.21]    [c.152]    [c.18]    [c.164]    [c.268]    [c.24]    [c.155]   
Основы автоматизированного проектирования (2002) -- [ c.205 ]



ПОИСК



I (ОПВ) и приближение почти свободных электронов

Брэгговские плоскости и почти свободные электроны

Гексагональная плотноупакованная структура и почти свободные электроны

Джонса почти свободных электронов

Елоховские функции s- и p-типа в приближении почти свободных электронов

Закон дисперсии и волновые функции электронов (приближение почти свободных электронов)

Металлы с «почти свободными электронами

Металлы с «почти свободными электронами простые

Метод с приближением почти свободных электронов

Метод сильной связи и приближение почти свободных электронов

Модель почти свободных электронов

Номер зоны для почти свободных электронов

Отправка чертежа по электронной почте

Плотность уровней (электронных) в двухзонной моделп для почти свободных

Поверхностные уровни теория почти свободных электронов

Полуклассическая модель Приближение почти свободных электронов

Почти свободные электроны

Приближение почта свободных электронов

Приближение почти свободных электронов аналогия в теории колебаний решетки

Приближение почти свободных электронов в алюминии

Приближение почти свободных электронов в одномерном случае

Приближение почти свободных электронов в щелочных металлах

Приближение почти свободных электронов геометрический структурный фактор

Приближение почти свободных электронов зоны р-тнпа и s-типа

Приближение почти свободных электронов зпачения энергии вблизи одной брэгговской плоскости

Приближение почти свободных электронов и порог межзонных оптических переходов

Приближение почти свободных электронов и спин-орбитальное взаимоденстптТе

Приближение почти свободных электронов иллюстрация на примере некоторых металлов

Приближение почти свободных электронов номер зоны

Приближение почти свободных электронов соотношение с методом псевдопотенциала

Пространственные размеры атомных волновых функций Простые» металлы (металлы с почти свободными электронами)

Свободных и почти свободных электронов модели

Спин-орбитальное взаимодействие в расчетах для почти свободных электронов

Теория возмущений и приближение почти свободных электронов

Электронная почта, пересылка чертежей



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте