Рассеяние излучения

Описанные выше качественные результаты, по-ви-димому, справедливы для высококонцентрированных дисперсных систем. Однако использование уравнения переноса излучения для таких систем по аналогии с гомогенными и разбавленными дисперсными системами обусловлено возможностью применения понятия однородного объема, характеризуемого некоторыми оптическими параметрами [46, 162]. Малый объем можно считать элементарным, если количество поглощенного и рассеянного излучения пропорционально его величине [162]. Интенсивность внешнего излучения должна оставаться приближенно постоянной в пределах этого объема, а количество содержащихся в нем частиц должно быть достаточным для статистически достоверного описания его характеристик средними величинами [162]. [c.145]

Если Арр=Др , то исчезновение колебательных членов имеет место при Т = Т2. Это значительно менее строгое требование, чем в случае метода, описанного в работе [48]. Здесь не требу--ется, чтобы Ар было равно нулю. Достаточно, чтобы любое рассеянное излучение было неполяризованным, т. е. рассеянным диффузно. На практике в этом методе погрешности возникают при измерении температуры поверхностей, имеющих выделенное направление, которое может получаться, например, в результате шлифовки или полировки в одном направлении. Чувствительность метода зависит от разницы между Ёр и е . [c.391]

В пространстве, содержащем всего лишь несколько частиц, интенсивность рассеиваемого излучения приблизительно равна интенсивности излучения, рассеиваемого одной частицей, умноженной на количество частиц. При большой концентрации частиц становится существенным многократное рассеяние, т. е. рассеяние излучения дважды и более. [c.237]

Энергетические уровни ионов хрома в рубине удовлетворяют условиям (17.11), а именно Л32 10 —Ю с в то время как А21 10 с . Изготовленный из такого рубина цилиндр (рис. 17.5) диаметром 0,4—2 см, длиной 3—20 см располагается между зеркалами (рис. 17.5, /, 2) резонатора. Кристалл должен быть в высокой степени оптически однородным, чтобы не происходило рассеяния излучения. В качестве источника возбудителя используется [c.384]

Здесь В — фактор накопления для Е слоев > — фактор накопления рассеянного излучения в однородном материале /-го слоя, взятый на соответствующей толщине в длинах свободного пробега р( н х/ — коэффициент ослабления и толщина /-го слоя. (Зависимость от энергии Еу для простоты записи здесь и ниже опущена.) Физический смысл этой формулы можно понять, если записать ее в следующем виде [c.58]

При расчете у-квантов от сферической активной зоны можно пользоваться также формулами типа (9.63) и (9.63а), но с учетом многократного рассеяния излучения. При этом следует помнить, что учет накопления у-квантов в активной зоне в результате их многократного рассеяния— сложная задача, корректно решить которую можно лишь с помощью анализа уравнения переноса у-квантов. Проблема учета накопления у-квантов в материале источника (в данном случае активной зоны) подробнее рассмотрена в работе [41]. [c.60]

Рассмотрим теперь распределение плотности потока вторичных у-квантов в защите со сферической геометрией (рис. 9.18). Аналогично выражениям (9.61), (9.62) для быстрых нейтронов из формулы (9.67), пренебрегая накоплением рассеянного излучения, можно получить [12] [c.63]

Во всех формулах, описанных в этом разделе, подразумевается энергетическая зависимость как источников, так и коэффициентов ослабления, а следовательно, и потоков у-излучения. Расчет обычно проводят для отдельных энергетических групп, учитывая фактор накопления рассеянного излучения, а затем результаты суммируют. [c.63]

Для достаточно толстого корпуса можно приближенно считать, что практически все нейтроны поглотятся в нем. Используя формулы для бесконечного полупространства, пренебрегая не-равно.мерностью источников и накоплением рассеянного излучения для точки, расположенной на расстоянии 2 от корпуса, можно записать [c.68]

В формулах (10.41) — (10.48) отсутствует фактор накопления рассеянного излучения. Используя представление его суммой двух экспонент + (1— [c.106]

Ток у-квантов на поверхности объемного источника содержит рассеянные у-кванты, энергетический спектр которых остается неизвестным. В связи с этим задача может решаться либо с учетом рассеянных у-квантов и приписыванием всем им энергии нерассеянных у-квантов (Ео), либо без учета накопления рассеянного излучения. Первое решение дает необоснованное завышение результатов расчета, второе занижает их. [c.117]

В наиболее общем виде, с точки зрения местоположения детектора, могут встретиться две группы задач. К первой группе относятся случаи, когда детектор находится вблизи защиты, ко второй группе — когда детектор достаточно удален от поверхности защиты. В задачах второй группы необходимо учитывать, что законы ослабления нерассеянного и рассеянного излучения, выходящего из защиты, будут различны. Для рещения этих задач следует использовать информацию об угловом распределении рассеянного излучения на границе среды. [c.131]

При помощи этого метода, например, удобно рассчитывать компоненты рассеянного излучения в полых каналах, [c.141]

Принципиальный подход к решению задачи заключается в использовании количественной дифференциальной информации о поле обратно рассеянного излучения. [c.141]

Заметим, что при таком расчете учитывается только однократное отражение от стенок канала и предполагается, что излучение покидает рассеиватель в той же области, где входит в него. Когда эти предположения недостаточно справедливы, следует уточнить расчеты учетом второго отражения и размытия источников обратно рассеянного излучения по поверхности отражателя. [c.142]

Компонента излучения натекания. При расчете излучения натекания основная трудность сводится к учету рассеянного излучения. [c.146]

Рассмотрим возможные методы учета рассеянного излучения в компоненте натекания. [c.147]

Использование метода задания эквивалентных источников-рассеянного излучения на границах канала. Рассмотрим эту [c.147]

На глубине г от источника на стенке канала выделим излучающее кольцо щириной с1г (см. рис. 12.6, а). Тогда интенсивность излучения натекания для точки Р можно определить, если проинтегрировать все рассеянное излучение, выходящее из стенок канала и идущее в направлении точки детектирования [c.148]

Составляющие рассеянного излучения определим методом задания эквивалентных источников рассеянного излучения на стенках канала для плоского изотропного источника. [c.153]

Для заполненных изогнутых каналов можно использовать методику, основанную на учете рассеянного излучения при прохождении через материал заполнителя при помощи факторов накопления ограниченных сред. [c.164]

Ускоренные первичные частицы, взаимодействуя с мишенями, вызывают потоки, вторичных (заряженных и нейтральных) частиц и квантов. Вторичные излучения возникают также и при взаимодействии первичного излучения с конструкционными материалами, аппаратурой, защитными средами. Вторичное излучение может, в свою очередь, испытывать взаимодействие с ядрами и атомами материалов различных сред и создавать излучение, объединяемое термином рассеянное излучение . [c.229]

Принимая во внимание накопление рассеянного излучения, оцениваем полную интенсивность у-излучения [c.305]

Интенсивность потока v-квантов, включающего рассеянное излучение,, можно определить по формуле [c.307]

Выполненными в [128] измерениями пропускания инфракрасных дисперсных фильтров (также относящихся к концентрированным дисперсным системам) не установлены отклонения от закона Бугера для этих систем. Измерения интенсивности рассеянного концентрированной системой света, порожденного узким падающим пучком, показали, что для некоторых направлений рассеяния (угол рассеяния порядка нескольких градусов) наблюдаются отклонения от закона Бугера [159]. По-видимому, в результате рассе 1ния происходит пространственное перераспределение энергии, которое становится заметным при рассеянии узких пучков. В то же время для полусферического рассеянного излучения в концентрированных дисперсных средах не происходит нарушения закона Бугера. [c.140]

Для таких дисперсных систем, как туман, дым, запыленный поток, характерна малая концентрация рассеивающих частиц, и предположение о независимости рассеяния излучения отдельными частицами оказывается справедливым [125]. В ряде работ [153—167] урав- нение перепоса было использовано для определения оптических свойств двух разновидностей концентрированной дисперсной системы плотного и псевдоожижен-ного слоя. При этом были получены следующие качественные результаты для дисперсной среды в отличие от сплошной яркость в направлении касательной к по- [c.144]

Рис. 5.Г), В/1ия1те рассеянного излучения на четкость изображения при просвечивании

Эйлеров 67 Милна задача 237 Многократное рассеяние излучения [c.528]

Если же накачка осуществляется мощным импульсным лазером с пиковой интенсивностью порядка 100 МВт/см , то интенсивность и направленность рассеянного излучения старювятся достаточно высокими — мощность свечения экспоненциально зависит от размеров кристалла и мощности падающего света. Эффект в этом случае называют параметрической сверхлюминесценцией . Наконец, если [c.411]

Изложенное подтверждает отмеченное выше соображение, что величина тока у-квантов на поверхности объемного источника определяется излучением из поверхностнога слоя толщиной порядка длины свободного пробега у-квантов. Как известно, накопление рассеянного излучения для ЦзА=1 относительно мало, что является благоприятным обстоятельством при отсутствии возможности правильного учета его в процессе решения задачи по определению q (г, о) двухэтапным методом. [c.118]

Полностью нерассеянным излучением определяется компонента Фпр. Компоненты Фиат И Фаащ имеют составляющие нерассеянного и рассеянного излучений. Все остальные компоненты определяют вклад в поле рассеянного излучения. [c.138]

Таким образом, при расчете отдельных компонент поля излучения основная трудность заключена в корректном учете рассеянного излучения. Для учета этого излучения необходима соответствующая количественная информация о дифференциальных характеристиках рассеянного при отражении (см. 7.4 и 8.6) и прохождении через защиту (см. 7.3, 7.5, 7.6, 8.2, 8.3) излучения. Расчет нерассеянных составляющих не вызывает больщих затруднений. [c.139]

Основная трудность использования метода лучевого анализа состоит в достаточно корректном учете рассеянного в защите излучения. Например, для быстрых нейтронов часто рассеянное излучение можно учесть, приняв 2 (г) равным сечению выведения 2выв (г) или сечению ослабления в геометрии широкого пучка, для у-квантов — введением в формулу (12.26) фактора накопления в экспоненциальном виде. [c.140]

При решении задачи любой геометрии вычисляют вклад в точку детектирования Р излучения от элементарного источника дЗ, рассеянного от элементарного участка рассеивающей поверхности /5рас, затем интегрированием по всей поверхности источника, видимой из элемента дЗрас и по всей поверхности рассеивателя рас, видимой нз точки детектирования, определяют полную компоненту обратно рассеянного излучения. [c.141]

Использование факторов накопления или длин релаксации в геометрии широкого пучка. Многократно рассеянное излучение источн кков нейтронов часто учитывается использованием длин релаксации, соответствующих ослаблению нейтронов в условиях широкого пучка, так как известно, что обычно при толщине защиты больше 1—2 длин релаксации ослабление нейтронов с учетом рассеянного излучения можно описать экспоненциальной зависимостью. При этом следует обращать внимание на начальный участок кривой ослабления в первые 1—2 длины релаксации. Если ослабление на этом участке не описывается экспоненциальной функцией с той же длиной ослабления, как и на больших толщинах защиты, то в расчеты следует вводить соответствующую поправку. [c.147]

Пусть на входе в канал расположен плоский бесконечный мононаправленный источник (рис. 12.6, а). Учитывая, что канал не вносит возмущение в угловое распределение излучения па границе среды (см. 7.3), и пользуясь угловым распределением интенсивности рассеянного излучения на стенках канала й/ (Еа, ро2, 0)/ 1Й в виде (7.41) или (7.36), можно определить компоненту натекания. [c.148]

Использование формулы (12.27) предполагает, что рассеянное излучение выходит из той же площадки отражателя с13рас, на которую падает излучение источника. В тех случаях, когда это предположение несправедливо, более точно рассеянную компоненту можно учесть, используя данные по распределению источников излучения по поверхности рассеивающего пятна [см., например, формулу (7.87)]. [c.149]

Для расчета составляющих рассеянного излучения удобно пользоваться методом задания эквивалентных источников. Проиллюстрируем решение этой задачи на примере определения интенсивности излучения на оси канала от плоского моноэнер-гетического изотропного источника у-квантов 5, отделенного от канала средой (рис. 12.9). [c.153]

Для учета рассеянного излучения в компоненте Фзап рекомендуется использовать факторы накопления ограниченных сред (см. 7.2). [c.155]

Для допустимой моицюсти дозы 0,7 мр ч из формулы (1.19) находим /тд=455 Мэе/ см сек). Сравнивая зту величину с результатом, представленным в табл. 1.13, получаем =2,5-10 . Учитывая геометрический фактор ослабления кг = 49, находим кратность ослабления излучения собственно защитой. Она равна 5,1-10 и эквивалентна 17,7 длин пробега у-квантов. Все это рассчитано без учета вклада в мощность дозы накапливаемого рассеянного излучения. Оценим его роль, ориентируясь на энергию ведущей группы у-квантов 6 Мзв. [c.310]

Полученные значения интенсивности потоков у-квантов не содержат рассеянного излучения. Основной вклад в суммарный поток дают у-кванты с энергией 3—7 Мэе. Число пробегов у-квантов 62= 15 формируется главным образом железом. Фактор накопления энергии Ве=10. Следовательно, с учетом рассеянного излучения суммарная интенсивность потока у-кваптов составит 5,6-10 Мэв1 см сек), что в 615 раз больше допустимой величины. Ориентируясь на = 5 Мэп, по табл. 1.16 определяем величину линейного коэффициента ослабления у-квантов в бетоне р=0,065 см Руководствуясь [c.312]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...