Воздействие внешних полей

В этом случае уравнения, учитывающие длину волны (частоту) излучения, его затухание в веществе, действие окружающих молекул на смещение электрона под воздействием внешнего поля, влияние свободных и связанных электронов, выводятся из теории дисперсии и имеют вид [c.767]

Обозначим отнесенную к единице времени и единице спектральной плотности излучения вероятность того, что атом вынужденно, под воздействием внешнего поля излучения, перейдет из состояния п в состояние т с излучением фотона, энергия которого йоз = — Число атомов, вынужденно перешедших в единице объема в единицу времени с уровня п на уровень т, [c.74]

Рассмотрим р-п-переход в условиях воздействия внешнего поля при этом можно считать, что все падение напряжения U происходит [c.176]

Конфигурация p nd, в силу принципа Паули, примененного для подгруппы р5, эквивалентна рассмотренной выше конфигурации из двух электронов pd. Как видно, здесь снова получилось 12 различных состояний с теми же значениями квантового числа. /, которые получались при [L, 5]-и [у. У]-связях. Полученное совпадение числа результирующих состояний при всех типах связи не является случайным оно является результатом общего положения, вытекающего из так называемого принципа адиабатической инвариантности, установленного Эренфестом, в силу которого квантовое число У сохраняет свое значение при любых изменениях типа связей. Таким образом, результирующее состояние электронной оболочки атома или иона, соответствующее данной конфигурации электронов, характеризуется одним и тем же набором квантовых чисел У независимо от типа связи между моментами электронов. Число термов, соответствующих данной электронной конфигурации, не зависит от того, какого рода связи осуществляются между моментами электронов. Меняются только расположение термов и ряд их свойств, проявляющихся при воздействии внешних полей. Поэтому в тех случаях, когда надо знать лишь число термов, соответствующих какой-либо электронной конфигурации, всегда можно исходить из предположения, что имеет место [L, 5]-связь, и пользоваться обычной символикой для обозначения термов. Надо только помнить, что в тех случаях, когда [L, 5]-связь нарушена, квантовые числа L и 5 теряют свой смысл. [c.214]

Поликристаллы, не подвергавшиеся воздействию внешних полей (упругих, электрических, магнитных), в среднем изотропны и элементов симметрии не содержат. Однако при воздействии на поликристалл упругих, электрических или магнитных полей характер симметрии поликристалла изменяется. В нем появляются элементы симметрии, вызванные внешним воздействием. Каждому элементу симметрии соответствуют определенные операции симметрии отражения н плоскостях симметрии, вращения вокруг осей симметрии и др. Уравнения, описывающие различные явления, происходящие в поликристаллах, должны быть инвариантны относительно соответствующих операций симметрии. Мысленно выделим в поликристалле шарик, в пределах которого можно пренебречь изменением интенсивности намагничения. До намагничения шарик изотропен, т. е. все направления в шарике равноправны. При воздействии магнитного поля шарик перестает быть изотропным, в нем выделяется направление, [c.247]

Известно, что под воздействием внешнего поля, имеющего напряжение Е, поляризуемость п наведенный дипольный момент связаны следующим соотношением [c.99]

При воздействии внешнего поля магнитные моменты доменов приобретают преимущественное ориентирование в направлении этого поля, и ферромагнитное вещество намагничивается. [c.7]

При расположении всех векторов намагниченности доменов вдоль направления намагничивающего поля наступает техническое насыщение, соответствующее тому значению спонтанного намагничивания доменов, которое возможно при данной температуре. Дальнейшее весьма незначительное возрастание намагниченности происходит за счет парапроцесса, т. е, направляющего воздействия внешнего поля на дезориентированные тепловым движением магнитные моменты. Кривую намагничивания определяют как геометрическое место вершин гистерезисных петель, получающихся при циклическом перемагничивании образца в поле возрастающей амплитуды (рис. 14). [c.15]

Модели нагружения. Эти модели содержат схематизацию внешних нагрузок по координатам, времени, а также по воздействию внешних полей и сред. Силовые нагрузки, действующие на конструкции, можно разделить на три группы 1) объемные или массовые силы 2) поверхностные силы 3) сосредоточенные силы. Объемные нагрузки действуют на каждую частицу внутри тела. К таким нагрузкам относятся собственный вес конструкции, силы инерции, силы магнитного притяжения и т.п. Поверхностные нагрузки распределены по значительным участкам и являются результатом взаимодействия различных конструктивных элементов одного с другим или с другими физическими объектами (например, давление жидкости или газа на стенки сосуда, давление ветра на оболочку градирни и т.п.). Если силы действуют на небольшую поверхность конструкции, то их можно рассматривать как сосредоточенные нагрузки, условно приложенные в одной точке. По характеру действия нагрузки можно разделить на статические и динамические. Статическая нагрузка возрастает от нуля до своего номинального значения и остается постоянной во время эксплуатации конструкции. Переменное, или динамическое, нагружение — нагружение, изменяющееся во времени. Часто встречающимся видом переменного нагружения являются циклические нагрузки, характеризующиеся периодическим изменением значения и/или знака. Модели нагружения должны учитывать воздействие полей и сред. Наиболее существенным является воздействие температурного поля. Изменение температуры элементов конструкций вызывает температурные деформации. Если они не удовлетворяют уравнениям совместности деформаций, то в элементах конструкций возникают температурные напряжения, значения которых часто оказываются соизмеримы со значениями напряжений, возникающих от воздействия внешних сил. Кроме того, изменение температуры влияет на механические характеристики конструкционных материалов. В некоторых случаях приходится учитывать влияние нейтронного облучения, электромагнитного поля, воздействие коррозионных сред. [c.401]

С указанным ограничением принцип детального равновесия в больцмановском предельном случае справедлив даже при наличии внешнего поля, зависящего от времени, так как в приближении мгновенных столкновений сила взаимодействия при столкновении должна считаться сколь угодно большой, Р и по сравнению с ней воздействие внешнего поля является пренебрежимо малой величиной. Та- [c.469]

При анализе отражения рентгеновского излучения существенным элементом является установление зависимости оптических постоянных б и у от частоты падающего излучения. Первой попыткой объяснить спектральную зависимость оптических констант была классическая теория дисперсии Лорентца, в которой среда рассматривается как состоящая из большого числа заряженных частиц (электронов), движущихся под воздействием падающей электромагнитной волны. Реакция среды на воздействие внешнего поля Е = Еое описывается вектором поляризации [c.15]

Для минимизации возмущающего воздействия внешнего поля стержней на аппаратуру спутника необходимо поддерживать величину потока Ф настолько малой, насколько это возможно при заданных / и Ят. Отсюда следует, что площадь F и среднее значение магнитной проницаемости i стержня должны быть малыми. Желательно также, чтобы не происходило насыщения материала стержней ни магнитным полем Земли, ни собственным полем спутника. Для этого целесообразно иметь стержни с малой проницаемостью и высоким значением индукции насыщения. Все эти требования приводят к выводу о необходимости устанавливать на спутник тонкие стержни, имеющие широкую петлю гистерезиса и высокую индукцию насыщения. [c.42]

Как видно из (4.43), поле Е х, f) вблизи отрицательного электрода (х = 0) равно внешнему полю о и с увеличением расстояния от этого электрода уменьшается благодаря экранированию внешнего поля положительным зарядом. Положительный заряд накапливается в области кристалла, примыкающей к электроду, поскольку фотоэлектроны под воздействием внешнего поля покидают эту область, [c.67]

Та блица 1.1. Электрические, механические и тепловые отклики диэлектрика иа воздействия внешних полей и теплоты [c.18]

Многочисленные оптические явления в активных диэлектриках обусловлены естественной анизотропией свойств диэлектрика воздействием внешних полей самовоздействием световой волны появлением инверсной заселенности в лазерных средах особенностями жидкокристаллического состояния. [c.27]

Рассмотрим теперь квантовомеханическое описание такой же системы N взаимодействующих частиц. Для простоты ограничимся случаем, когда система свободна от воздействия внешнего поля, т. е. = 0. В обычном координатном представлении гамильтониан опять имеет форму (2.4.1), но теперь является оператором. В частности, кинетическая энергия сохраняет вид (2.4.2), причем [c.70]

Для интеграла столкновений Ландау, как и для интеграла столкновений Больцмана, характерно пренебрежение воздействием внешних полей на процесс соударения частиц. Поэтому в этом параграфе будем считать, что внешние поля пренебрежимо малы. Также будем считать пренебрежимо слабыми силы, обусловленные самосогласованным взаимодействием частиц. Тогда уравнение для парной корреляционной функции (48.5) можно записать в следующем виде [c.194]

Рассмотрим теперь атомные системы, находящиеся под воздействием внешнего поля излучения. [c.286]

Из всего изложенного можно заключить, что описанные исследования дают важную информацию о свойствах полупроводников, находящихся под воздействием внешних полей. Кроме того, приведенные численные данные свидетельствуют о том, что лазер с переворачиванием спина представляет исключительный интерес для практических применений это было, между прочим, доказано спектральными исследованиями в газах в инфракрасной области при высокой разрешающей способности. [c.401]

Принцип П. является фундаментальным для любой теории. В классич. механике он находит свое выражение в ур-ниях динамики здесь причиной является сила, действием — вызываемое ею ускорение (или деформация тела). В квантовой механике причинная связь выражена в Шредингера уравнении, связывающем изменение во времени волновой функции (т. е. состояния системы) с гамильтонианом, характеризующим взаимодействия в системе (в частности, воздействие внешнего поля). [c.204]

Фактически процесс деформирования более сложен и определяется не только коэффициентом а, но и объемным изменением при переходе из жидкого состояния в твердое и, особенно в условиях сварки, воздействием внешнего поля деформаций. [c.62]

Если исследуется проводимость в высокочастотном поле с частотой (О > Тф , то верхним пределом интегралов (11.21) и (11.27) является (О, ибо основным механизмом релаксации фазы становится воздействие внешнего поля (соответствующее время поряд- [c.186]

Физическая интерпретация эффективной массы. Возникает естественный вопрос, почему электрон с массой т, оказавшись в кристалле, реагирует на воздействие внешних полей так, как если бы его масса была равна т. В связи с этим полезно вспо-мнить о явлении брэгговского отражения электронных воля от атомных плоскостей кристаллической решетки. [c.350]

Незаполненные уровни е зоне эволюционируют со временем под воздействием внешних полей точно так же, как если бы они были заполнены реальными электронами (с зарядом —е). [c.229]

Воздействие внешних полей [c.238]

ВОЗДЕЙСТВИЕ ВНЕШНИХ ПОЛЕЙ 239 [c.239]

ВОЗДЕЙСТВИЕ ВНЕШНИХ ПОЛЕЙ 241 [c.241]

Самопроизвольно, или спонтанно, т. е. без воздействия внешнего поля излучения, атом перейти на более высокий энергетический уровень не может, так как это противоречило бы закону сохранения энергии. Возможны переходы атома с более высокого энергетического уровня на более низкий двух видов во-первых, вынужденные, обусловленные внешними по отношению к аюму причинами во-вторых, самопроизвольные, или спонтанные, обусловленные внутренними причинами. [c.74]

В выражениях (3,54) критические показатели, стоящие в правом колонке, относятся к случаю, когда фазовые переходы происходят при воздействии внешнего поля и характеризуют изменение Ср, т , Гс, О с изменением давления р при условии Т — Т = 0. Согласно теор1 и фазопых переходов второго рода применимость соотношений (3.54) ограничена областью подобия, поэтому критические показатели описывают свойства вещества в непосредственной близости к точке фазового перехода второго рода. [c.252]

Тонкие магнитные пленки и цилиндрические домены. Особенностью тонких магнитных пленок является то, что при малой толщине их (много меньшей линейных размеров й, 6) направление легкого намагничивания оказывается расположенным в плоскости пленки. Образуются плоские домены, показанные на рис. 9-12, а. Для очень тонких пленок характерна однодоменная структура, для пленок толщиной свыше 10 —10" мм (у различных веществ)—многодоменная, состоящая из длинных узких доменов (шириной от долей микрометров до нескольких микрометров), намагниченных в противоположных направлениях. Под воздействием внешнего поля вся система полос может перемещаться и поворачиваться, и ее используют как управляемую дифракционную решетку для света и ближайшего диапазона волн электромагнитного спектра. [c.274]

Рассмотрим модель поляризации электрона атома [23]. Под воздействием внешнего поля, имеющего напряжение Е, круговая орбита электрона сместится на величину А. Рассматривая равновесие сил по оси X, получим проекцию центробежной силы на ось X равной О, центростремительная сила, отрывающая электрон от ядра, равна еЕ сила притяжения электрона к ядру равна проекция которой на ось X равна e lR os а, где osa = A/R, тогда еЕ = e lR ) AIR) или Е = eAlR , где еА — есть дипольный момент р, отсюда р = R E. Подставляя это выражение в формулу (3.13), получим а = R . Как правило, R = 10" см, следовательно а = 10" см . [c.99]

Парамагнетики — это вещества, атомы, ионы или молекулы которых имеют результирующий магнитный момент при отсутствии внешнего магнитного поля. Во внешнем магнитном поле они намагничиваются согласованно с внешни.м полем, т. е. имеют положительную магнитную восприимчивость (я > 0). Парамагнитный эффект присущ веществам с неском-пенсированным. магнитным моменто.м ато.мов при отсутствии у них порядка в ориентировании этих моментов. Поэтому, когда нет внешнего магнитного поля, атомные магнитные моменты располагаются хаотически и намагниченность парамагнитного вещества равна нулю. При воздействии внешнего поля атомные магнитные моменты получают преимущественную ориентировку в направлении этого поля и у парамагнитного вещества проявляется намагниченность. [c.6]

Воздействие внешних полей на угловые корреляции. Метод угл. корреляций применим для описания каскадных распадов ядер в том случае, когда за время жизни промежуточного ядра внеш. воздействия не успели существенно изменить его поляризац. состояние. Практически возмущения корреляции могут быть вызваны взаимодействием магн. момента ядра с внеш. магн. полем (а), с магн. моментом электронной оболочки (сверхтонкая структура) (Р) или взаимодействием квадрупольного электрич. момента ядра с электрич. полем, создаваемым средой в месте нахождения ядра (у)- Последнее имеет место в случае, когда нестабильное ядро находится в крнсталлич. структуре ф-ция корреляции при этом зависит не только от угла между векторами П и 2, но и от ориентации их относительно кристаллографич. осей в этом случае и сверхтонкое расщепление приводит к анизотропному возмущению корреляции. Усреднение такой корреляции по направлениям кристаллографич. осей даёт ф-цию корреляции для каскада, наблюдаемого в крнсталлич. порошке. [c.205]

Как правило, эксплуатационные условия работы узлов ОМК характеризуются многопараметрическими нестационарными термосиловыми воздействиями, взаимодействием с внешней средой, воздействиями внешних полей различной природы, приводящими к развитию различных механизмов деградации начальных прочностных свойств конструкционных элементов и, в конечном итоге, исчерпанию ресурса конструктивных уалов объекта. Процессы исчерпания ресурса являются многостадийными, сильно нелинейными, взаимосвязанными и в значительной степени завися-ш ими от конкретных условий изготомения и эксгиту атации индивидуального объекта. Все [c.368]

Другая форма анизотропии, которая возникает при охлаждении магнитных материалов в присутствии магнитного поля, была открыта Мейклджоном и Бином и названа обменной анизотропией. Последняя приводит к смеш ению центра петли гистерезиса от точки, соответствующей нулевому полю, так что коэрцитивная сила при размагничивании от насыщения в одном направлении больше, чем при размагничивании в другом. Эта обменная анизотропия была обнаружена в кобальте, подвергнутом окислению, и часто может наблюдаться в ферромагнетиках, находящихся в тесном контакте с антиферромагнетиками. При охлаждении такого агрегата ниже антиферромагнитной точки Нееля атомы в антиферро-магнитном слое, ближайшие к ферромагнетику, под влиянием обменного взаимодействия ориентируются в направлении поля. Эта ориентация заставляет ферромагнетик сохранять преимущественное направление намагничивания во время размагничивания в более сильных полях, чем если бы один ферромагнетик вновь намагничивался в противоположном направлении. Естественно, приложение магнитного поля не может сильно повлиять на антиферромагнетик, так как последний не обладает результирующим магнитным моментом и, следовательно, не будет перемагничиваться иод воздействием внешнего поля. Фиг. 24 иллюстрирует описанный механизм. Он был обнаружен в ряде материалов, описание которых недавно сделал Мейклджон [13]. [c.310]

Возмущения рассмотренного типа, к-рые можно представить как результат воздействия внешнего поля, по терминологии Р. Кубо, наз. механич. возмущениями. Но есть возмущения другого типа, к-рые нельзя представить подобным образом, напр, возникающие вследствие неоднородности температуры, давления или концептрацпи их, по терминологии Кубо, наз. термическими возмущениями. Это подразделение несколько условно, т. е. пек-рые возмугцения, к-рые Кубо относит к термич. типу, можно, как указывалось выше, с помощью довольно искусственных процедур представить как механические. [c.416]

Формула (1) уточнена для менее упрощенных моделей [2], и величина V для соударений между молекулами газа вычисляется с точностью до 10— —15%. Однако число соударений между электронами и молекулами или атомами вычисляется гораздо сложнее [3]. Воздействие внешнего поля с частотой со влияет на величину Vэфф. При со Уэфф значение в формуле (1) равно 4/3, при (о < Уэфф значение равно Зл /8 [4]. [c.29]

Способ компенсации внешнего поля изделия при исследованиях, проведенных с эти.м дефекто1 копом, заключался в том, что зонд, работающий в нормально.м режиме (токи воз- буждения и подмагничивания соответствуют максимальной чувствительности) и установленный на участке металла без дефектов, подвергался воздействию внешнего поля изделия затем ток подмагничивания изменяли до установленного вьиходного напряжения зоида, соответствующего отсутствию внешнего поля, т. е. исходной величине. [c.33]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...