Кристаллы атомные

Все четыре типа связи в кристаллах (атомных, ионных, молекулярных и металлических) редко существуют в чистом виде. Обычно сочетания различных связей существуют одновременно, [c.10]

Кристалл (атомное содержание. %) 4 10 20 40 80 150 300 [c.356]

Кристалл (атомное содержание, %) т. к [c.357]

ДИАМАГНЕТИЗМ <возникновение в веществе (диамагнетике) намагниченности, направленной навстречу внешнему (намагничивающему) полю Ландау — диамагнетизм, вызванный движением свободных электронов вещества по спиральным квантовым орбитам под воздействием) внешнего магнитного поля ДИСЛОКАЦИЯ <—дефект кристалла, представляющий собой линию, вдоль и вблизи которой нарушено правильное расположение атомных плоскостей винтовая — дислокация, моделью которой может служить атомная плоскость, имеющая вид пологой винтовой лестницы краевая — дислокация, моделью которой может служить оборванная внутри кристалла атомная плоскость) ДИСПЕРГИРОВАНИЕ— тонкое измельчение твердых тел или жидкостей, приводящее к образованию дисперсных систем [c.229]

Имеющиеся в кристалле атомные коридоры слу- жат электронным волнам теми же волноводами (рис. 76, а). Поэтому в совершенном кристалле,- где [c.142]

В нена груженном кристалле места в решетке для атомов внедрения энергетически равноправны в нагруженном кристалле атомное расстояние решетки увеличивается в направлении растяжения, что соответствует энергетически более благоприятным условиям по сравнению с областями со сжимающей нагрузкой. Следствием этого является изменение порядка в решетке, которое зависит от времени, и дополнительное удлинение. [c.149]

Поскольку в рентгеновской оптике речь идет о длинах волн X л о, 1- 30 нм, то ясно, что на любой реальной поверхности даже после самой совершенной обработки остаются шероховатости, высоты которых сравнимы с длиной волны падаюш,его излучения. В равной степени это относится и к поверхности идеальных кристаллов, атомная структура которых благодаря реконструкции может характеризоваться масштабами, существенно превосходящими межатомные расстояния. [c.47]

Все четыре типа связи в кристаллах (атомных, ионных, молекулярных и металлических) редко существуют в чистом виде. Обычно встречаются сочетания различных связей одновременно, причем, как уже отмечалось выше, молекулярные связи являются слабыми по сравнению с остальными тремя. Следует также отметить, что поверхности твердых тел в атмосферных условиях обычно инертны, так как валентности их атомов насыщены связью с атомами окружающей среды. Примером насыщения может служить окисление веществ в газовой среде. На поверхности могут также идти процессы типа физической адсорбции, обусловленные силами Ван дер-Ваальса. [c.10]

Следовательно, отрезки, отсекаемые на осях кристалла атомной плоскостью, обратно пропорциональны индексам Миллера этой плоскости. [c.102]

Можно представить себе, что краевая дислокация (фиг. 30.14, а) образуется, если удалить из кристалла атомную полуплоскость, ограниченную линией дислокации, а затем аккуратно соединить две плоскости, расположенные по обе стороны от удаленной, так, чтобы расположение атомов, свойственное идеальному кристаллу, осталось неизменным везде, кроме ближайшей окрестности линии дислокации ). [c.250]

Зерно не является монолитным кристаллом, построенным из строго параллельных атомных слоев. В действительности, оно состоит как бы из мозаики отдельных блоков размерами 1-10- —1-10- см [c.32]

Таким образом, реальный металлический кристалл содержит атомно-кристаллические (вакансии, дислокации) и структурные (блоки, фрагменты) несовершенства. [c.33]

Кристаллические решетки зерна могут иметь различные структурные несовершенства точечные, линейные и поверхностные, которые возникают в результате образования вакансий — мест не занятых атомами дислоцированных атомов, вышедших из узла решетки дислокаций, возникающих при появлении в кристалле незаконченных атомных плоскостей примесных атомов, внедренных в кристаллическую решетку. [c.7]

Различают четыре типа элементарных связей ковалентную, ионную, межмолекулярную и металлическую. В зависимости от преобладающих элементарных связей в кристаллах также различают соответственно четыре группы связей атомные, ионные, молекулярные и металлические. [c.9]

Сильная ковалентная связь с энергией порядка 10 Дж/моль определяет высокую температуру плавления и прочность кристаллов. Ковалентной связью обусловлены структуры так называемых атомных кристаллов — алмаза, кремния, германия, серого олова и др. [c.9]

Рис. 2.20. К определению внутреннего потенциала решетки а — расположение ионов в одной из атомных плоскостей металлического кристалла (схематическое) б — распределение потенциала вдоль линии АВ параллельной одной из атомных цепочек, в предположении, что потенциал внутри кристалла постоянен в — характер истинного распределения потенциала вдоль линии АВ

Кроме того, на поверхности реальных тел, имеющих кристаллическое строение, на гранях растущего кристалла непрерывно возникают различные дефекты поверхности (ступени, выступы) в виде винтовых дислокаций или недостроенных атомных поверхно- [c.441]

Вследствие смещения одной части атомных рядов кристалла по отношению к другой под влиянием сдвиговых напряжений т в кристалле у вершины смещения образуется винтовая дислокация (рис. 12.36). [c.471]

Атомы (ионы) располагаются на таком расстоянии один от другого, при котором энергия взаимодействия минимальна. Этому состоянию соответствует равновесное состояние a . Сближение атомов (ионов) на расстояние, меньшее а , или удаление их на расстояние, большее do, осуществимо лишь при совершении определенной работы против сил отталкивания и притяжения. Поэтому в металле атомы располагаются закономерно, образуя правильную кристаллическую решетку, что соответствует минимальной энергии взаимодействия атомов. Ее следует представлять как мысленно проведенные в пространстве в направлении трех осей координат прямые линии, соединяющие ближайшие атомы и проходящие через их центры, около которых они совершают колебательные движения. Проведенные линии образуют объемные фигуры правильной геометрической формы. Таким образом, элементарная кристаллическая ячейка - это наименьший объем кристалла, дающий представление об атомной структуре металла во всем объеме. [c.274]

Когда эти материальные точки заключены в каком-либо сосуде, то от действия на них стенок сосуда возникают дополнительные силы, не учитывающиеся при этом выводе и изменяющие вид формулы (112), иногда совсем незначительно. Результат, выражаемый формулой (112), остается верным даже в тех случаях, когда при описании состояния системы материальных точек следует учитывать и квантовые поправки. Теорема о вириале сохраняет силу как для взаимодействия электронов и атомных ядер в молекулах или кристаллах, так и для взаимодействия между атомами, образующими звезду, или между звездами, образующими галактику. [c.302]

Таким образом, несмотря на обилие разнообразных элементарных частиц, только некоторые из них играют очевидную роль в строении нормального вещества. Нейтроны и протоны вступают в связь между собой с образованием заряженных ядер. Вокруг ядра движется электронное облако, и все это вместе составляет атом. Атомы соединяются в молекулы. Большие совокупности молекул образуют макроскопические тела газы, жидкости, кристаллы... Ускоряемые электроны излучают или поглощают фотоны. Средством исследования переходов между стационарными атомными состояниями является спектроскопия, [c.425]

Кристаллы полимеров отличаются от обычных низкомолекулярных кристаллов (атомных или молекулярных), которые в механическом, кинетическом и термодинамическом см1.1сле являются квазиизотроп-ными, так как силы связей между узлами в направлении различных кристаллографических осей практически не различаются. При кристаллизации линейных полимеров ситуация резко изменяется, так как появляется некоторая преимущественная ось, совпадающая с направлением цепи главн .1х валентностей. В этом направлении связи между узлами ковалентные и равнопрочность всей решетки исчезает. [c.91]

Чисто мехаиич. перемещение (скольжение) характерно для специфического линейного дефекта — дислокации. Смещение её линии по плоскости скольжения не нарушает сплошности кристалла, а потому происходит сравнительно легко. Движение дислокации всегда связано с неупругим изменением формы кристаллич. образца, поэтому дислокация является элементарным носителем пластичности, кристалла. Атомная перестройка, сопровождающая перемеп(ение дислокации, требует не очень больших нагрузок, и в этом причина 019 [c.619]

УРОВНИ ЭНЕРГИИ — возможные значения энергии квантовых систем (атомов, молекул, кристаллов атомных ядер и т. д.), состоящих из микрочастиц и подчиняющихся законам квантовой механики. Внутр. энергия квантсвых систем может принимать только определ. дискретные значения f o, (f], 2 -ч (<Уо< 1 соответствующие устойчивым (стационарным) состояниям системы. Графически эти состояния можно изобразить по аналогии с по- [c.238]

В отличие от них кристаллические тела представляют собой совокупность атомов, молекул или ионов, расположенных в пространстве по вполне определенному закону и образующих кристаллическую решетку, узлами которой они являются. По виду этих частиц различают кристаллы атомные, молекулярные и ионные. В качестве примеров атомных кристаллов можно назвать кремний и германи ), молекулярных — фосфор, мышьяк, ионных — каменную соль, слюду. Кристаллы последних состоят из чередующихся положительных и отрицательных [c.10]

Степень переохлаждения велика,., Поэтому образование центров кристаллизации возможно не только на границах, но и внутри зерен, при этом критический размер зародышей новой фазы будет малым, а число возникающих центров кристаллизации велико. Растущие кристаллики р-фазы не могут принять устойчивой сферической формы, так как такие сферические образования вызывали бы в упругой среде значительные внутренние напряжения. Поэтому кристаллики приспосаб-, иваются, приобретают пластинчатую форму. Действительно, кристаллики новой формы, выделяющиеся из сильно переохлажденных твердых растворов, имеют очень малые размеры. Толщина их составляет несколько атомных слоев, а протяженность — несколько десятков или сотен атомных слоев. Однако такой тонкий кристаллик самостоятельно существовать не может, он может существовать лишь приклеенным к крупному кристаллу (точнее внутри его). [c.142]

Т о ч е ч и ы е дефект ы (рис 8) — малы во всех трех измерениях, и размеры их не иревы1нают нескольких атомных диаметров. К точ(. чиым дефектам относятся 1) вакансии (дефекты Шот-тки), т. е. узлы решетки, в которых атомы отсутствуют (рис. 8). Вакансии чаще образуются в результате перехода атома из узла рен1етки на поверхность или полного испарения с поверхности кристалла и реже в результате их перехода в междоузлие. [c.19]

Кроме краевых различают еще винтовые дислокации. На рис. 10 показана пространственная модель винтовой дислокации — это прямая линия EF (рис. 10), вокруг которой aroMinje п.юскости изогнуты гю винтовой поверхности. Обойдя верхнюю изогнутую атомную плоскость по часовой стрелке, приходим к краю второй атомной плоскости и т. д. В этом случае кристалл можно представить как состоящий из одной атомной плоскости, закрученной в виде винтовой поверхности (рис. 10). Винтовая дислокация так же, как и краевая, образована неполным сдвигом кристалла но плоскости Q. В отличие от краевой дислокации винтовая дислокация и вектор сдвига параллельны. [c.22]

Для сварщиков важно иметь в виду, что прочные связи ковалентного типа устанавливаются не только в атомных кристаллах, но и при соединении металлов с металлоидами, оксидами металлов, а также полупроводниками или интерметалли-дами, обладающими полупроводниковыми свойствами. Интерме-таллиды — соединения типичных металлов с металлами, имеющими слабые металлические свойства. [c.9]

Дислокации образуются вследствие появления в кристалле дополнительной атомной плоскости (экстраплоскости), из-за частичного сдвига одной части плоскостей по отношению к другой. На рис. 12.35 показана краевая, или линейная, дислокация. Линия дислокации представляет проекцию внедренной экстраплоскости и обозначается знакомХ, если экстраплоскость вставлена сверху (положительная дислокация), — знаком Т, если экстраплоскость вставлена снизу (отрицательная дислокация). Степень искаженности кристаллической решетки (показатель энергии нестабильности дислокации) определяется вектором Бюргерса Ь, [c.470]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...