Арсенид индия

Изложено термодинамическое обоснование возможности ретроградного распада с выделением жидкой фазы. Приведены оригинальные данные о прецизионном построении кривых ретроградного солидуса в важнейших полупроводниковых системах с участием германия, кремния, арсенида индия и др. Рассмотрены кинетика распада и структурный механизм этого процесса. Обосновано использование диаграммы фазовых равновесий при выборе уровня легирования полупроводников и режимов их термической обработки. Описаны возможности направленного изменения свойств материалов, обеспечивающих надежную работу электронных устройств. [c.51]

Описана установка для определения температуры поверхности трения радиационным методом. Трение образца происходит по поверхности диска из прозрачного для теплового излучения материала (фтористого кальция). Регистрация температуры (в пределах 150—1200 С) осуществляется с помощью охлаждаемого азотом фотодиода из арсенида индия и катодного осциллографа. [c.150]

Арсенид индия — антимонид индия [58] [c.233]

Арсенид индия — сурьма [58] [c.233]

Концентрации основных носителей заряда в монокристаллических слитках арсенида индия при —196°С (ТУ 48-4-420—80) [c.580]

Арсенид индия в основном используют при изготовлении датчиков Холла, а также фотодиодов и лазеров. [c.102]

Во многих странах разрабатываются акустические усилители высокочастотных сигналов. Американские ученые, в частности, предполагают использовать их в качестве усилителей промежуточной и высокой частоты, усилителей с ограничением амплитуды сигнала, а также линий задержки сверхвысокочастотных сигналов без потерь. Действие таких усилителей основано на пьезоэлектрическом преобразовании электромагнитных колебаний в ультразвуковые, усилении ультразвуковых колебаний и на преобразовании усиленных ультразвуковых колебаний в электромагнитные. В качестве преобразователей используются пластины кварца. Зарубежные специалисты считают возможным применять для этой цели соединения из элементов 1П и V групп Периодической системы элементов Менделеева (фосфид галлия, арсенид индия, фосфид бора). [c.138]

Для наблюдения формы выпрямленного (сварочного) тока, определения относительной глубины пульсаций и сравнения относительных значений тока при изменении режима сварки можно применять приборы, основанные на использовании эффекта Холла в полупроводниках, например прибор типа ДСТ-2М [4]. Чувствительным элементом прибора ДСТ-2М является пластинка из арсенида индия, помещенная в небольшой кожух. К пластинке подводится постоянный 94 [c.94]

Индия арсенид Свинца ниобат 1 =b [c.884]

Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. К ним относится ряд химически чистых элементов кремний, германий, селен, теллур и др., а также многие химические соединения арсенид галлия, антимонид индия, арсе-нид индия и др. На рис. 5.6, а показана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника. При абсолютном нуле валентная зона у него укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной на расстоянии Eg, является пустой. Поэтому при абсолютном нуле собственный полупроводник, как и диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. [c.154]

В табл. 82 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсенидов и антимонидов галлия и индия. Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманки (пространственная группа f43m) Сложные полупроводники типа Aii BV выпускаются промышленностью в широком ассортименте. Для характеристики отдельных марок полупроводников используются буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается собственно полупроводник АГ — арсенид галлия, ФГ — фосфид галлия, ГС — аптимоиид таллия, ИМ — арсенид индия, ФИ — фосфид индия, ИС — аптимоннд индия. Справа добавляется буква, обозначаю-ш,ая тип электропроводимости.- Э — электронный, Д- дырочный. Для ар-сенида галлия после АГ добавляется буква Н для слитков, полученных горизонтальной направленной кристаллизацией, или Ч — для слитков, полученных по методу Чохральского, Далее [c.576]

Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и оптических целей (ТУ 48-4-420—80) выпускается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Бриджмена (марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского (марка ИМЭП-1), и в виде монокристаллических слитков, нелегированных и легированных теллуром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского. [c.579]

Концентрация ОНЗ при —196 G в образцах поликристаллического ар-сенида индия не превышает 5-10 концентрация ОНЗ для различных марок монокристаллического арсенида ИНДИЯ приведена в табл. 87. Марки монокристаллических слитков делятся [c.579]

Коэффициент оптического пропускания (Т) арсенида индия марки ИМЭП-1 для толщины образца (3q=0,1) мм (ТУ 48-4-420—80) [c.580]

Для арсенида индия марки ИМЭП-1 коэффициент пропускания, равный с г-ношению прошедшего светового потока [c.580]

В заключение приведем данные о стоимости изготовления некоторых наиболее употребляемых термоэлектрических материалов (табл. 4.3). Следует отметить, что стоимость изготовления существенно зависит от совершенства технологии, масштаба производства, специфических требований и других условий, поэтому приведенные в табл. 4.3 данные ориентировочны. Как видно из табл. 4.3, к наиболее дорогостояш,им материалам относятся арсенид индия и крем-ний-германиевые сплавы, а к наиболее дешевым — сернистый свинец, теллуристый свинец, константан и сурьмянистый цинк. [c.70]

Тип лазера (ион матрица) Линия излу- чения, мк Арсенид галлия (300° К) Кремний (300° К) Германий (300° К) Арсенид индия (196° К) Антимо-нид индия (77° К) [c.79]

В случае рубина и материалов, активированных неодимом, можно пользоваться фотоумножителями типа R A 7102 или Dumont 6911 с фотокатодом Si. Для излучения же с большей длиной волны нужны приемники из арсенида индия или германия, легированного золотом. [c.292]

Трудности, возникающие в связи с ограниченной дисперсионной областью решетки (особеннно если она изготовлена с селективностью в инфракрасной области), можно обойти, пользуясь системой со скрещенной дисперсией. Такая система может состоять из призменного спектроскопа, работающего при угле минимального отклонения, узкополосного фильтра, специально выбранного приемника, а также фильтра, отсекающего короткие длины волн (например, из кремния, германия, арсенида индия или антимонида индия). [c.340]

Арсенид индия, как и антимонид индия, имеет малую ширину запрещенной зоны (0,36 эВ) и большую подвижность электронов [3,3 м /(В -с)]. Температура плавления InAs равняется 942° С, давление паров при этом составляет 0,3-10 Па. Поэтому технологические трудности, связанные с давлением паров в точке плавления, сравнительно не велики. Наиболее чистый арсенид индия имеет концентрацию электронов порядка 10 м" (л = 2 10 м ). [c.102]

Метастабильная металлическая модификация фосфида индия имеет кубическую структуру типа Na l с постоянной а = 5,310 А [33]. По мнению автора [41], в работе [33] перепутаны результаты определения постоянных решетки метастабильных металлических модификаций фосфида н арсенида индия, и для фосфида InP правильная величина постоянной а = =5,514 А. Определения производили при высоком давлении. [c.530]

Рис.4.2. Фигуры травления антимонида индия (а) и арсенида индия (о)

Оптические свойства. Исследование оптических свойств кристаллических полупроводников дает обширную информацию об их зонной структуре. Данные об энергетическом спектре аморфных полупроводников также могут быть получены из оптических измерений. Первостепенная роль отводится при этом измерениям спектров поглощения. Спектры поглощения аморфных полупроводников удобно сравнить со спектром тех же материалов в кристаллическом состоянии. Это можно сделать в случаях германия, кремния, соединений селена и теллура. На рис. 11.14 в качестве примера приведен край спектра оптического поглощения аморфного кремния, который сравнивается с соответствующим спектром кристаллического кремния. Аналогичные данные получены для аморфного германия, арсенида и антимонида индия и некоторых других полупроводников. [c.367]

Арсенид галлия среди соединений А " В занимает особое положение. Большая ширина запрещенной зоны (1,4 эВ), высокая подвижность электронов [0,85 м /(В-с)] позволяют создавать на его основе приборы, работающие при высоких температурах и высоких частотах. Первым полупроводником являлся GaAs, на котором в 1962 г. был создан инжекционный лазер. Он используется для изготовления светодиодов, туннельных диодов, диодов Ганна, транзисторов, солнечных батарей и других приборов. Для изготовления детекторов в инфракрасной области спектра, датчиков Холла, термоэлектрических генераторов, тензометров применяется анти-монид индия, имеющий очень малую ширину запрещенной зоны [c.291]

Наиболее исследованными и технологически не очень сложными из них являются фосфиды, арсенилы н антимониды, Серьезное практическое значение в настоящее время приобрели арсенид и фосфид галлия и антимонид индия. Основной метод получения соединений А В — непосредственное взаимодействие компонентов в вакууме или в атмосфере инертного газа. В свойствах соединений В (табл. 8-4) наблюдаются некоторые закономерности, которые показаны на рис. 8-27. [c.261]

По величине запрещенной зоны тела второй группы условно делят на диэлектрики и полупроводники. К диэлектрикам относят тела со сравнительно широкой запрещенной зоной. У типичных из них fg > 3 эВ. Так, у алмаза Eg = 5,2 эВ, у нитрида бора 4,6 эВ, у AI2O3 7 эВ и т. д. К полупроводникам относят тела со сравнительно узкой запрещенной зоной. У типичных из них Eg < 1 эВ. Так, у германия Eg = 0,65 эВ, у кремния 1,08 эВ, у арсенида галлия 1,4 эВ, у антимонида индия 0,17 эВ. Рассмотрим эту группу тел более подробно. [c.154]

Так как в собственном полупроводнике количество электронов Б зоне проводимости должно быть равно количеству дырок в валентной зоне, то, как легко видеть из рис. 6.1, б, уровень Ферми должен располагаться в этих полупроводниках примерно в середине запрещенной зоны (более точно его положение будет определено ниже). В этом случае условие невырожденности (6.1) будет выполнено, если Egl2 > kT, т. е. если Eg> 2 kT. При комнатной температуре kT = 0,025 эВ. Ширина же запрещенной зоны у полупроводников обычно больше 0,1 эВ (она равна г 0,7 эБ у германия, 1,1 эВ у кремния, 1,35 эВ у арсенида галлия, 0,35 эВ у арсеннда индия, 0,177 эВ у антимонида индия и т. д.). Поэтому электронный газ в собственных полупроводниках является невырожденным и подчиняется статистике Максвелла —Больцмана. Этот вывод справедлив и для дырок, находящихся в валентной зоне. [c.160]

Смотреть страницы где упоминается термин Арсенид индия : [c.576] [c.12] [c.22] [c.580] [c.646] [c.351] [c.39] [c.39] [c.606] [c.106] [c.98] [c.250] [c.390] [c.333] [c.55] [c.387] [c.233] [c.308] [c.166] [c.207] [c.312] [c.883] [c.291]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...