Винтовая дислокация II 249, 250. См. также

В окрестности винтовой дислокации, параллельной оси г (рис. 2.12), возникают лишь касательные напряжения == о д = 06/(2яг), а потенциальная энергия такого поля напряжений в расчете на единицу длины винтовой дислокации также имеет порядок Gb . Указанные свойства дислокаций качественно справедливы и для анизотропных кристаллов, но количественные соотношения будут иными. Эти свойства будут зависеть от упругих характеристик анизотропных кристаллов (см. 2.2) и от ориентации дислокаций относительно кристаллографических осей [55]. [c.85]

Винтовая дислокация также способна двигаться, но в направлении, перпендикулярном к ее оси при наличии проекции на эту ось внешнего касательного напряжения т (см. рис. 2.8, б). Две параллельные винтовые дислокации одинаковых знаков (с одинаково направленными векторами Бюргерса) отталкиваются, а обратных знаков — притягиваются, что напоминает взаимодействие проводников с электрическим током. При слиянии двух дислокаций противоположных знаков искажения кристаллической решетки исчезают и потенциальная энергия кристалла уменьшается, а для слияния винтовых дислокаций одинаковых знаков необходимо произвести работу против сил отталкивания, равную разности энергий объединенной дислокации с модулем вектора Бюргерса 2Ь и двух [c.86]

Винтовая дислокация также способна двигаться, но в направлении, перпендикулярном к ее оси, при наличии проекции на эту ось внешнего касательного напряжения т (см. рис. В.6, б). Две параллельные винтовые дислокации одинаковых знаков (с одинаково направленными векторами Бюргерса) отталкиваются, а обратных знаков — притягиваются, что напоминает взаимодействие проводников с электрическим током. При слиянии двух дислокаций противоположных знаков искажения кристаллической решетки исчезают и потенциальная энергия кристалла уменьшается, а для слияния винтовых дислокаций одинаковых знаков необходимо произвести работу против сил отталкивания, равную разности энергий объединенной дислокации с модулем вектора Бюргерса 2Ь и двух исходных дислокаций р(26) — 2/1б = 2/1б , где /1 — модуль сдвига. Аналогичный вывод справедлив и для краевых дислокаций, расположенных в одной плоскости скольжения. [c.22]

Несовершенства строения кристаллов влияют на энергетическую неустойчивость кристаллической системы в целом. В наибольшей степени несовершенства строения проявляются в бездиффузионных процессах при самопроизвольной перестройке кристаллической решетки. Поскольку несовершенства строения характеризуются повышенной величиной свободной энергии и их передвижение, как указывалось ранее, в зависимости от типа кристаллической решетки также обусловлено энергетическими факторами, большое значение в установлении наиболее оптимальных в энергетическом отношении способов перестройки решетки кристаллов играют дислокации. Винтовая дислокация, например, на поверхности кристалла стимулирует кристаллизацию с минимальными затратами энергии по сравнению с кристаллизацией на идеально плоской грани. [c.26]

В реальном кристалле возможно также образование смешанной (криволинейной) дислокации — сочетания краевой и винтовой дислокаций. [c.471]

Упомянутым выше простым случаям краевой и винтовой дислокаций отвечают прямые линии D, вдоль которых т J Ь или т II Ь. Отметим также, что в изображенной на рис. 22 наглядной картине краевые дислокации с противоположными направлениями Ь различаются тем, что лишняя кристаллическая полуплоскость лежит сверху или снизу от плоскости х, у (о таких дислокациях говорят как о различающихся по знаку). [c.150]

Если вектор Ь параллелен вектору 1, т. е. дислокация винтовая, то любой вектор п, для которого (п1)=0, также удовлетворяет условию (3.40), т. е. всякое движение винтовой дислокации является скольжением. При этом плоскость скольжения неопределенна. Плоскостью скольжения винтовой дислокации может быть любая из плоскостей области, осью [c.104]

Точечные дефекты и примесные атомы взаимодействуют также и с винтовыми дислокациями. В большинстве реальных кристаллов в силу анизотропии искажения, создаваемые дефектами, являются несимметричными. Это и приводит к взаимодействию их со скалывающими напрял ениями вокруг винтовой дислокации. Таким образом, разница между винтовой и краевой дислокациями в этом от-нощении не так велика, как может показаться сначала. [c.109]

Возможность диссоциации винтовой дислокации на частичные, расположенные в металлах с о. ц. к. решеткой в нескольких плоскостях типа 112 или 110 , и образование сидячей дислокационной конфигурации являются основной причиной торможения дислокаций кристаллической решеткой. В этом случае высокое сопротивление движению дислокаций обусловлено необходимостью стягивания расщепленной дислокации с последующей рекомбинацией и образованием перетяжек, способных скользить в кристаллической решетке, поскольку эти процессы связаны со значительным увеличением энергии дислокации. Модель диссоциации и рекомбинации винтовых дислокаций удовлетворительно объясняет температурную зависимость сопротивления кристаллической решетки движению дислокации, высокий уровень напряжения течения при О К для о. ц. к. металлов, а также меньшую подвижность винтовых дислокаций по сравнению с краевыми. Атомы внедрения могут стабилизировать сидячую дислокационную конфигурацию и понижать вероятность образования перетяжки на расщепленной дислокации, что приводит к возрастанию напряжения Пайерлса при увеличении концентрации примесей внедрения. [c.219]

Для металлов с г. п. у. решеткой ввиду малого количества возможных систем скольжения наиболее вероятным механизмом разупрочнения является переползание краевых дислокаций. Вероятность действия того или другого механизма разупрочнения (поперечное скольжение винтовых дислокаций или переползание краевых дислокаций) также в значительной мере определяется энергией дефекта упаковки. [c.472]

Учет установленного в работе [66] факта, что практически все винтовые дислокации подвижны, а также ряд принятых упрощений позволил свести систему к уравнению [c.109]

Физический смысл гиперболического уравнения (3.19) сводится к тому, что величина L соответствует среднему расстоянию, в результате прохождения которого дислокациями происходит удвоение плотности дислокаций. Так как при одиночном скольжении (случай, изучаемый в [66]) средняя длина пробега винтовых дислокаций остается постоянной, суммарный коэффициент также должен оставаться неизменным. Это означает, что [c.109]

Типичный вид поверхности разрушения сколом представлен на рис. 5.1, а (см. вклейку). Характерной особенностью скола служит ступенька, являющаяся результатом объединения трещин скола, лежащих на разных уровнях в кристалле. Образование нескольких трещин скола возможно при преодолении трещиной препятствий границ кручения зерен (рис. 5.1, б), винтовых дислокаций, частиц второй фазы, двойников, а также в результате скола по другим плоскостям [385]. На краевых дислокациях и границах наклона не зарождаются новые трещины трещина лишь изменяет свой наклон. [c.190]

Для достаточно чистых металлов взаимодействием подвижных дислокаций с включениями можно пренебречь. Поперечное скольжение расщепленной винтовой дислокации начинается после ее рекомбинации в полную. Этот процесс идет легче в тех металлах, где энергия дефектов упаковки достаточно высока [4—6]. Наоборот, образование источников при взаимодействии сегментов в параллельных плоскостях, а также при взаимодействии подвижной дислокации с лесом более вероятно для металлов с низкой энергией дефектов упаковки. Таким образом, для металлов с большей энергией дефектов упаковки (а->0) из (1) получаем линейную зависимость [c.152]

Подвижность дислокаций. Было показано, что присутствие окалины или покрытия с хорошей адгезией упрочняет материал, затрудняя выход из поверхности краевых дислокаций [122] и движение пересекающих поверхность винтовых дислокаций [114]. Простой анализ сил реакции показывает, что препятствующее движению дислокаций напряжение, связанное с наличием поверхностной окалины, пропорционально величине (ца—РА)/(ца+р.л) [130], где ца и Ца — модули сдвига окалины и сплава соответственно. Можно было бы ожидать, что напряжение будет притягивающим, если модуль упругости окалины меньше, чем подложки. Однако это обычно не имеет места для окалины, состоящей из оксидов или других коррозионных продуктов. Возможность существования уменьшающих деформацию напряжения подтверждается, например, данными по пластической деформации при комнатной температуре, полученными при исследовании покрытых медью кристаллов цинка [122], окисленных кристаллов алюминия [121], а также окисленных кристаллов [125] и поликристаллов [126] кадмия. Несмотря на отсутствие экспериментальных данных, можно ожидать, что этот эффект распространяется также и на скольжение границ зерен, поскольку такое скольжение (или вращение зерен) связано с образованием поверхностных ступенек. [c.28]

I отличает ее от другого типа дислокации — винтовой, г Винтовая дислокация образуется также путем [c.25]

Линейные дефекты решетки имеют малые размеры в двух измерениях и большую протяженность в третьем измерении. Они могут быть сформированы рядом вакансий или межузельными атомами. К таким дефектам относят также краевые и винтовые дислокации. Первые представляют собой края оборванных (лишних) атомных плоскостей, а вторые связаны с закручиванием атомных плоскостей в виде винтовой лестницы. [c.85]

Набарро [176] рассмотрел рассеяние звуковых волн (длинных волн сдвига) подвижной винтовой дислокацией и показал, что сечение рассеяния порядка А, . Займан [264] представлял дислокацию как жесткий цилиндр, способный свободно перемещаться ( дрожать ) под воздействием поля напряжений падающего фонона, и также получил, что сечение рассеяния к, т. е. [c.117]

К ультрамикроскопическому рельефу относятся в первую очередь ступеньки, образованные выходом дислокаций на поверхность кристаллов, а также трещины типа щелей и всевозможные выступы и пики, возникшие на участках оседания атомов из расплава, которыми, как правило, являются места выхода дислокаций. Грани кристаллов, выросших на винтовых дислокациях, представляют ступенчатую винтовую поверхность. [c.35]

В связи с этим выход дислокаций на поверхность и плотность дислокаций в приповерхностных слоях монокристаллов Мо зависит от ориентации поверхности к оси растяжения. В работах [85, 86, 488] отмечается, что в начале процесса деформации наиболее активными являются поверхностные источники дислокаций и лишь с увеличением деформации роль объемных источников становится преобладающей. Этому способствуют также силы изображения, которые стремятся сократить общую длину дислокаций и поставить их перпендикулярно к поверхности. Это происходит за счет поперечного скольжения винтовых дислокаций, которые теряют при этом винтовую компоненту и приобретают преимущественно краевую компоненту. А поскольку последние двигаются при значительно [c.150]

Назовем петлей дислокации кривую, ограничивающую замкнутую область, в пределах которой произошло скольжение (т. е. часть твердого тела по одну сторону этой области смещается относительно части по другую ее сторону на вектор смещения Ь). По мере расширения петли под действием приложенного напряжения (см. ниже) область скольжения увеличивается и возрастает величина деформации сдвига. Петля дислокации характеризуется вектором скольжения, или вектором Бюргерса Ь, величина которого квантуется в случае кристалла (вектор Ь может быть равен только векторам решеток Браве). Участок дислокации, перпендикулярный ее вектору Бюргерса, является краевым — его линия дислокации располагается на границе дополнительной полуплоскости (рис. 2.4). Участок дислокации, параллельный вектору Бюргерса, является винтовым при наличии этой дислокации атомные плоскости кристалла искажаются и приобретают форму геликоида, ось которого представляет собой линию дислокации (рис. 2.4). Краевой участок дислокации может перемещаться лишь перпендикулярно самому себе в плоскости скольжения, которая определяется направлением линии дислокации и вектором Бюргерса. Винтовой участок дислокации также перемещается перпендикулярно самому себе, однако теоретически он может скользить по любой атомной плоскости, через которую проходит. Когда петля достигает поверхности кристалла, его части оказываются сдвинутыми друг относительно друга на ступеньку шириной Ь (рис. 2.5). [c.65]

Аналогично взаимной аннигиляции краевых дислокаций путем их переползания [287] поперечное скольжение винтовых дислокаций друг к другу, которое сопровождается их взаимной аннигиляцией, также может приводить к исчезновению препятствий. Следовательно, этот процесс можно рассматривать как процесс возврата, в результате которого движение дислокаций косвенно активируется тепловым возбуждением. Однако в этом случае энтальпия активации зависит от напряжения ( 4.2,4.3). [c.112]

Две винтовые дислокации с одинаковым вектором Бюргерса Ь, но противрпо-ложного знака, движущиеся в одной плоскости скольжения, также взаимно уничтожаются. [c.106]

Форма субзерен при высоких температурах деформации является равноосной даже при весьма больших степенях деформации. Механизм сохранения этой равноос-ности очень важный, но еще не совсем ясен. Видимо, большую роль в этом играют процессы диффузионного переползания краевых дислокаций и ступенек краевой ориентации на винтовых дислокациях, а также процессы поперечного скольжения. [c.367]

Для объяснения прочностных свойств ОЦК-металлов в интервале 0,15—0,2 Тпл (см. рис. 2.8) предлагались различные модели и механизмы, анализ которых позволяет выделить три основных фактора, реально претендующих на достаточно полное описание наблюдаемой зависимости напряжение Пайерлса — Набарро [77—80], примесное упрочнение [75, 76, 81] и термически активируемая редиссоциация винтовых дислокаций [82, 83]. Можно также рассматривать, что часто и делается в отношении металлов с другими типами решетки, температурную зависимость напряжения, необходимого для движения дислокаций со ступеньками [8], механизм пересечения дислокаций леса [8, 84] и др. Но они не согласуются с экспериментальными данными о том, что степень деформации не влияет на температурную зависимость напряжения течения [26], хотя согласно указанным механизмам [c.44]

Авторы работы [9] на основе анализа модели диссоциации и редиссоциации винтовых дислокаций отмечают, что она удовлетворительно объясняет температурную зависимость сопротивления кристаллической решетки движению дислокаций, высокий уровень напряжения-течения при ОК, асимметрию скольжения в металлах с ОЦК-решеткой, а также меньшую подвижность винтовых дислокаций по-сравнению с краевыми. [c.103]

Для трехстадийной кривой упрочнения монокристаллов с ОЦК-решеткой характерен другой тип дислокационной структуры [9]. На первой стадии деформации образуются скопления из диполей краевых дислокаций. Наряду с диполями наблюдаются и винтовые дислокации, а также небольшие дислокационные сплетения. Накопление таких конфигураций вызывает слабое линейное упрочнение, аналогичное наблюдаемому в ГЦК- и ГПУ-монокристаллах. [c.112]

Наблюдаемые отклонения (см. рис. 3.35) от постоянного значения отношения /С1/СТу,всвою очередь, позволяют предположить, что немаловажную роль в деформационном упрочнении играют термоактивационные механизмы, контролирующие движение дислокаций в различных температурных интервалах. Например, снижение Кх/сГу у молибденовых сплавов и ванадия при температурах ниже 0,1571 может быть связано с переходом от механизма, в котором движение дислокаций контролировалось взаимодействием с примесными элементами [85, 357], к механизму, контролируемому образованием перетяжек на расщепленных винтовых дислокациях [83], при соответствующем изменении энергии активации. Другим примером может служить отклонение отношения /Сх/Оу у ванадия и Ре—8] (кривые 4 и 5 рис. 3.35) в температурном интервале протекания в этих металлах ДДС, что также связано с изменением контролирующего механизма движения дислокаций, а следовательно, и энергии активации [357]. [c.156]

Широкое применение получили монокристаллические пленки, выращенные на кристаллических подложках и имеющие решетку, определенным образом ориентированную относительно решетки подложки. Такой ориентированный рост пленок называют эпитаксией, а сами пленки — эпитаксиальньши. Выращивание пленок из того же вещества, из которого состоит кристалл подложки, называют автоэпитаксией, выращивание из другого вещества — гетероэпитаксией. Для того чтобы был возможен эпитаксиальный рост пленки, необходима определенная степень соответствия кристаллической структуры материалов пленки и подложки. Иными словами, равновесные расстояния между атомами и их взаимное расположение в кристаллах пленки и подложки должны быть близкими. Кроме того, чтобы атомы в зародышах могли выстроиться в правильную структуру, они должны обладать достаточно высокой поверхностной подвижностью, что может быть обеспечено при высокой температуре подложки. Структурному совершенству зародышей способствует также низкая скорость их роста, которая достигается при малой степени пересыщения пара осаждаемого материала или его раствора (при эпитаксии из жидкой фазы). Особое значение для ориентированного роста имеют одноатомные ступеньки на подложке, заменяющие зародыши, так как на них адсорбированные атомы попадают в устойчивое состояние с высокой энергией связи. Эпитаксиальная пленка растет в первую очередь путем распространения ступенек на всю площадь подложки. Большую роль при этом играют винтовые дислокации (рис. 2.8). В простейшем случае онн представляют собой одноатомную, ступеньку, начинающуюся у оси [c.70]

Накопление случайного необратимого скольжения с различными знаками [11 должно привести к смещениям обоих знаков. Таким образом можно объяснить рельеф свободной поверхности УПС (рис. 4, б), но в то же время нельзя объяснить одинаковое направление смещений во всех УПС. Двия ение винтовой дислокации путем двойного поперечного скольжения в одном цикле дает смещение (Ь) (Ь — вектор Бгоргерса) в описанном объеме. Избыток винтовых дислокаций одинакового знака в одной УПС привел бы к микроскопическому смещению УПС с экструзией иа одной поверхности образца и с интрузией на другой стороне (рис. 4, в). До сих пор такие корреляции между экструзиями и интрузиями на противоположных свободных поверхностях УПС не исследованы. Однако известно, что существует хорошее согласие между шириной УПС внутри объема и шириной экструзий на поверхности [11]. Но такая модель также не может объяснить одинакового направления смещения во всех УПС (см. рис. 2). Имеются данные о высокой плотности избыточных вакансий в. металлах при усталости, особенно в УПС с высокой местной пластической ялшлитудой [9]. Такая избыточная концентрация вакансий связана с расширением объема. В эксперименте с постоянной амплитудой деформации рост объема УПС привел бы к экструзиям на поверхности образца ( swelling ) [10] и смещениям внутри его от центра к [c.161]

Второй механизм— образование пор вследствие скопления вакансий — наблюдается при весьма значительном времени испытания или эксплуатации, а также при очень высоких температурах [Л. 12, 24, 25]. Необходимое количество вакансий образуется в процессе пластической деформации при высокой температуре в результате движения винтовых дислокаций [Л. 13, 14, 16]. Под действием напряжений, вызванных внешними нагрузками, вакансии перемещаются направленно. Встречая на свое.м пути препятствия, вакансии скапливаются на них, образуя поры. По мнению большинства исследователей рост пор независимо от механизма их зарождения ироисходит в результате направленной диффузии вакансий. [c.81]

Известны также дислокац. модели, в к-рых процессом, ограничивающим скорость ползучести, является диффузия точечных дефектов от порогов на винтовых дислокациях. Они приводят к зависимости ёусх от Г и а в виде (8). [c.12]

Под действием сдвигающих напряжений дислокация перемещается вдоль плоскости скольжения. Для перемещения дислокации требуется меньшее касательное напряжение, так как атомы находятся в состоянии неустойчивого равновесия в решетке. Винтовая дислокация заключается в том, что часть кристаллической решетки на некотором протяжении оказывается сдвинутой на один параметр решетки относительно другой. При винтовой дислокации лишней атомной плоскости нет. Дислокации зарождаются при кристаллизации металлов и их сплавов, а также образуются в процессе пластической деформации. В процессе пластической деформации дислокации могут образоваться по механизму Франка— Рида. Сущность механизма образования дислокаций Франка — Рида заключается в следующем. Линейная дислокация, зародившаяся при кристаллизации, под действием касательных напряжений выгибается и принимает форму полуокружности. Этому моменту соответствует наибольшее значение касательных напряжений. При дальнейшем выгибании дислокация принимает форму замкнутой кривой (окружности), внутри которой остается исходная дислокационная линия. Наружная дислокация разрастается до внешней поверхности кристалла, а внутренняя вновь выгибается, порождая новую дислокацию. Препятствием движению дислокаций являются границы блоков и кристаллов. При пластической деформации кристаллы дробятся, увеличивается число блоков и протяженность их границ. Скопление дислокаций затрудняет зарождение новых дислокаций, так как для их генерирования теперь потребуются большие касательные напряжения. Усилие, необходимое для осуществления пластической деформации, возрастает с увеличени- [c.256]

Вебб методом высокоразрешающей съемки по Лауэ исследовал строение нитевидных кристаллов кобальта, цинка, железа, никеля, марганца, серебра, палладия и сапфира, выращенных четырьмя различными методами. Наличие единичной винтовой дислокации, определенное по углу закручивания, было обнаружено лишь в палладии и в сапфире. Отсутствие упругого закручивания кристалла не исключает действия дислокационного механизма роста. Возможно, что две или четное количество винтовых дислокаций разных зцаков и одинаковой мощности находятся на равном расстоянии от оси кристалла такая конфигурация не дает упругого закручивания. Дислокации могут также выходить из кристалла путем переползания. Эта возможность вполне вероятна при высоких температурах (Т > V2 пл). [c.364]

Стадийность процесса прежде всего связана с различным типом дефектных структур, самоорганизующихся при обмене системы энергией (и веществом) с окружающей средой. Эволюция дислокационной структуры в процессе деформации монокристаллов с ОЦК-решеткой, детально изученная в работах [35, 148, 216, 235 и др.], связана на различных стадиях со следующими дислокационными структурами стадия I — диполи из краевых дислокаций, винтовые дислокации и скопления дислокаций II — клубки дислокаций, границы ячеистой структуры III — ячеистая структура. Считают, что переход от одной стадии к другой, а следовательно и перестройка дислокационной структуры, связаны с изменением кристаллографии скольжения. В случае поликристаллических материалов также удается выделить эти стадии, в том числе при циклическом нагружении [35, 236, 237]. В работе [235] предложена обобщенная схема деформационного упрочнения поликристаллических ОЦК-металлов и сплавов (рис. 90), отражающая многостадийный и иерархический характер перест- [c.135]

Аккерман [4] высказал несколько предположений о том, как уменьшить имеющееся расхождение. Обычное выражение для скорости рассеяния соответствует рассеянию на винтовой дислокации, перпендикулярной температурному градиенту, и содержит множитель, происходящий вследствие усреднения по случайному расположению дислокаций. Аккерман, следуя Шоеку [206], предложил другую процедуру усреднения, которая учитывает реальную общую длину дислокационных линий в объеме, где они расположены случайно. Это увеличивает множитель, возникающий при усреднении, почти в 3 раза. Он также показал, что скорость рассеяния на краевой дислокации с той же самой величиной вектора Бюргерса составляет 13/8 ее величины при рассеянии на винтовой дислокации. Если вектор Бюргерса ориентирован случайно относительно дислокационной линии, то число краевых дислокаций и число винтовых удваивается, так что общая скорость рассеяния в 1,4 раза больше, чем в случае, когда все дислокации винтовые. Учитывая оба эти эффекта, расхождение мон<но уменьшить примерно в 2 раза даже без учета возможной неточности определения числа дислокаций из других экспериментов. [c.244]

В работе [143] образование упрочненного поверхностного слоя объясняется взаимодействием движущихся к поверхности дислокаций со ступеньками скольжения, которые под нагрузкой действуют как концентраторы напряжений с областью напряжений ближнего порядка. Взаимодейстаие приближающихся к поверхности дислокаций с такими локальными очагами высоких напряжений может создавать соответствующий барьерный эффект, который, в свою очередь, может увеличивать вероятность процесса поперечного скольжения винтовых дислокаций, что также усиливает барьерное действие приповерхностного слоя. Так, в работах [47, 48] образование более прочного поверхностного слоя объясняется именно с позиций протекания преимущественного процесса поперечного скольжения винтовых дислокаций вблизи свободной поверхности и образования ими поверхностных ступенек, ограничивающих дальнейшее движение винтовых дислокаций [171]. [c.19]

Принс и Вильсдорф [130] рассмотрели взаимодействие двух одинаковых дислокаций (винтовых или краевых), лежащих в параллельных плоскостях скольжения, которые пересекают свободную поверхность под некоторым углом а (рис. 63, а). Они рассчитали приведенное напряжение сдвига, необходимое для проталкивания дислокации N 2 сквозь поле напряжений от дислокаций N"1 (как известно, этот случай обычно рассматривают в качестве основной модели деформахщонного упрочнения на I стадии). Полученные данные представлены на рис. 63, б-д. Из них видно, что напряжение, требуемое двум с одинаковым знаком краевым дислокациям (рис. 63, б), для того, чтобы пройти мимо друг друга вблизи свободной поверхности, всегда меньше по сравнению с аналогичной ситуацией в объеме кристалла (напряжения проталкивания в объеме на всех рис. 63, б д отмечены пунктирной линией) и является функцией угла а. Для положительных углов а напряжение, необходимое для проталкивания двух краевых дислокаций противоположного знака мимо друг друга вблизи свободной поверхности намного больше по сравнению с объемом кристалла и возрастает с ростом а. (рис. 63, в). Из рис. 63, г, д также видно, что для винтовых дислокаций напряжения проталкивания всегда меньше у поверхности, чем в объеме кристалла. [c.112]

Исследуем поле напряжений в случае винтовой дислокации. Пусть направления сдвига и дислокации совпадают с осью z, а плоскость скольжения с координатной плоскостью xz. По осям ж, у переме-гцения = г = О, а по оси z — равно w и будет функцией положения точки (х,у). Записывая перемегцение w в полярных координатах через вектор Бюргерса и координаты рассматриваемой точки, а также используя уравнения теории упругости, можно показать, что компоненты напряжений, за исключением tqz-, равны нулю. Следовательно, поле напряжений у винтовой дислокации содержит касательную компоненту вдоль линии дислокации (оси винта) [c.28]

Вследствие низкой скорости винтовых дислокаций и высокой скорости нагружения в течение первых циклов успевают достичь поверхности и выйти из монокристалла лишь единичные краевые дислокации, что приводит к незначительной микропластической деформации. С увеличением числа циклов микрадеформация не изменяется, по-видимому, в связи с низкой активностью источников, пока не вступит в действие вторичная система скольжения и не реализуется механизм размножения дислокаций двойным поперечным скольжением [166] или механизм Такеучи [264], что приводит к резкому возрастанию плотности дислокаций и интенсивному развитию скольжения. Этому периоду соответствует увеличение неупругой деформации. Появление в структуре монокристалла дислокаций нескольких систем скольжения способствует их взаимодействию и перераспределению с образованием субструктуры, что наблюдалось рентгенографически для кристаллов ориентировки 2 [139]. Этот процесс фактически является процессом разупрочнения и также способствует возрастанию неупругой деформации. [c.129]

Подобная модель мартенситной пластины впервые была пред-лон ена Франком [30] для частного случая мартенсита в стали с габитусом 225 . Франк предположил, что дислокации являются чисто винтовыми предложенная Франком модель требует небольшого несовпадения решеток вдоль некоторого направления в габи-тусной плоскости, которая, таким образом, несколько отличается от инвариантной плоскости. Схема дислокационной границы раздела чисто винтовыми дислокациями приведена на фиг. 23а на фиг. 236 показана граница, макроскопическая инвариантность габитусной плоскости которой достигнута путем двойникования мартенситной пластины. Предполагается, что направление двойникования также лежит в плоскости границы. Формальные кристаллографические теории не разрабатывались применительно к какой-либо конкретной модели поверхности раздела, однако они находятся в соответствии с поверхностью раздела того типа, который показан на фиг. 23а и 236, хотя векторы Вюргерса дислокаций или направления двойникования могут быть наклонены к габитусной плоскости. [c.330]

Для винтовых дислокаций, преодолевающих частицы по механизму Орована или поперечным скольжением, предполагаем, что при постоянном напряжении их средняя скорость также постоянна onst. Краевые дислокации могуг преодолевать дисперсные частицы путем ло- кального климба [224], обусловленного уменьшением химического по- [c.245]

Переползание винтовых дислокаций с образованием геликоидальных конфигураций широко обсуждалось [41—44]. Виртман [42] показал, что равновесная форма винтовой дислокации цри наличии градиента химического потенциала (за счет сверхравновесных или нижеравновесных вакансий) является геликоидом. Митчелл [43 также отметил, что энергия активации зарождения ветви геликоида должна быть равна нулю вплоть до максимальных ветвей вдоль винтовой дислокации длины 21, когда [c.285]

Эмбери и др. [47] изучали влияние закалки без пластической деформации и с ней на структуру сплава А1— 7% М в материале,, закаленном с большими предО сторожностями против создания деформации, геликоиды не наблюдались. Эйкум и Томас [22] также сообщили некоторые предварительные данные по влиянию деформации образца тотчас после закалки. Эксперименты, которые были по существу экспериментами по деформационному отжигу, привели к очень высокой плотности петель. Большинство петель выстроено в ряды или в колонны вдоль направления <Ц0> это свидетельствует о том, что сегменты винтовых дислокаций непрерывно отрываются от спирали во время ее образования, оставляя позади себя петли. Этот эффект был также подтвержден Вестмакоттом и др. 50], которые наблюдали источник скольжения в сплавах А1—4% Си этот источник мы обсудим дальше. В некоторых случаях геликоидальные ветви не полностью вырождаются, образуя петлю и винтовой сегмент, как видно. из рис. И. [c.289]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...