Монокристаллические пленки

Рис. 8.11. Зависимость числа прошедших через монокристаллическую пленку золота протонов от угла ориентации плоскости пленки относительно протонного пучка. Вверху указаны миллеровские индексы кристаллографических осей. Энергия протонов равняется 75 кэВ.

Одним из новых направлений техники является передача и обработка информации с помощью света — лазерного луча. Развитие этого направления потребовало разработки различных устройств управления лазерным излучением. Многие из этих устройств могут быть построены на магнитных средах, которыми являются ферриты в виде монокристаллов и монокристаллических пленок. [c.29]

Эпитаксиальный метод. Он состоит в осаждении на пластину, например кремния г-типа, монокристаллической пленки кремния р-типа (см. 2.3). На границе этой пленки и пластины образуется р— -переход. [c.219]

Рассмотрим теперь тонкую (от долей до нескольких микрометров) ферромагнитную - монокристаллическую пленку с единственной осью легкого намагничивания, направленной перпендикулярно плоскости пленки. Материалом для таких пленок служат обычно одноосные гранаты. Сами пленки выращиваются методом эпитаксии на немагнитных подложках. [c.313]

На пленках сегнетоэлектриков рядом авторов проведены структурные, оптические и диэлектрические исследования. Толщина пленки обычно определяется по весу, принимая в случае ВаТЮз плотность р = 5,5 г/см . Для определения толщины тонких прозрачных монокристаллических пленок применяется интерферометр. Для установления относительного содержания элементов в пленке применяют рентгеновский спектроскопический [c.302]

Плотность информации выше 10 ,..10 бит/см , но подвижность доменных границ ниже, чем у ортоферритов. Применяются в виде монокристаллических пленок [c.569]

Результаты, приведенные в табл. 1, выглядят оптимистично. Они показывают, что гладкие на субатомном уровне (по крайней мере в смысле рентгеновских свойств) пленки могут быть синтезированы. Очень малую шероховатость имеют пленки из углерода и сплава вольфрам—рений, которые являются аморфными. Несомненно, что идеальной поверхностью является атомно-гладкая поверхность кристалла, однако есть основания ожидать, что аморфные пленки также могут иметь шероховатость порядка атомных диаметров или даже меньше. Поэтому аморфные пленки будут чрезвычайно полезны для МИС со сравнительно большими толщинами слоев, а монокристаллические пленки — для МИС с малыми периодами < 15 А). [c.441]

Морфологические изменения кристаллов золота наступают при одинаковой длительности отжига в азоте при 0,4 Гпл (°К), а в кислороде при 0,3 Тпл- В озоне перестройка кристаллов золота при достаточно длительных выдержках происходит уже при комнатной температуре. На рис. 14.21 показана тонкая монокристаллическая пленка золота в неотожженном состоянии и после отжига в атмосфере водорода. [c.379]

При помощи газотранспортных реакций удобно выполнять эпитаксиальное наращивание полупроводниковой пленки, когда ее структура полностью повторяет структуру поверхности подложки, на которую она осаждается, т. е. структура пленки является продолжением структуры подложки. Особое значение эпитаксиальное наращивание имеет в производстве интегральных микросхем, когда необходимо получать монокристаллические пленки из полупроводникового материала с заданным типом проводимости на зародышевом кристалле, оказывающем ориентирующее влияние на рост пленки. [c.59]

Достоинство этого метода выращивания монокристаллической пленки из газовой фазы состоит в том, что процесс выращивания пленки и распределения в ней примесей протекает при относительно невысоких температурах, когда диффузионными процессами, нарушающими заданное распределение примесей, можно пренебречь. [c.60]

Возможно получение монокристаллических пленок медленным эпитаксиальным наращиванием (см. 6 гл. I). [c.164]

Монокристаллические пленки ферритов кобальта, меди, марганца и других ферритов со структурой шпинели были получены методом химического транспорта в малом зазоре. В качестве подложек использовались сколотые по плоскости (001) монокристаллы окиси магния. Газом-переносчиком служил НС1, давление которого составляло 5—8 мм рт. ст. Пленки выращивались из шихты, приготовленной из соответствующих окислов, имели зеркальную поверхность и параллельную подложке ориентацию. [c.177]

Магнитооптический модулятор состоит из подложки из немагнитного монокристаллического граната, на которую нанесена тонкая монокристаллическая пленка ферримагнитного граната (рис. 1.1). Эта пленка обладает спонтанной намагниченностью, всегда направленной перпендикулярно к плоскости самой пленки. Кроме того, она также обладает оптическим эффектом Фарадея. По причинам, указанным в разд. 1.3, эта пленка [c.15]

Рис.8.18. Влияние концентрации медленных биографических поверхностных состояний Nsb на кинетику заряжения поверхности Qss (О при адсорбции, (а) СО2 при Па Nsb (О, при п < Nsb (2 и 3) (б) NO2 на монокристаллической пленке PbS при давлении 4 Па — кривые 4-6 (NsB убывает в этом ряду от 10 до 10 см"2) и на кинетику хемосорбции n i) — 4 и 6 [42]

Тонкие монокристаллические пленки представляют большой интерес для исследования поверхностных явлений, поскольку они характеризуются большим отношением поверхности к объему и сравнительно высокой чистотой поверхности [1]. Степень совершенства поверхности пленки определяется уровнем техники выращивания, причем такая поверхность допускает дальнейшее наращивание слоя. Несмотря на то что была показана целесообразность применения таких пленок при исследовании поверхности, почти все ранние работы были выполнены на поликристаллических пленках, в которых интерпретация результатов измерения сильно затруднена маскирующими эффектами. [c.317]

Техника эпитаксиального выращивания в настоящее время достигла такой ступени, когда стало возможным получать вполне совершенные монокристаллические пленки как элементарных полупроводников, так и ряда соединений. Для исследований тонких пленок характерен значительно больший интерес к процессам роста и зародышеобразования, чем к гальваномагнитным, оптическим и другим физическим свойствам [2, 9]. [c.317]

Хотя и удается получать весьма совершенные монокристаллические пленки халькогенидов свинца, механизм их образования не вполне ясен. Существует большая неопределенность в зависимости степени кристалличности от температуры подложки мало известно о влиянии материала подложки на рост пленки и ее электрические свойства. [c.335]

Поверхность раздела фаз (поверхность растущего кристалла или поверхность подложки, на которой растет монокристаллическая пленка) играет роль катализатора реакции. Каталитическая активность поверхности зависит от природы вещества и его агрегатного состояния, а также определяется морфологией этой поверхности, присутствием на ней активных мест для зарождения центров новой фазы. [c.260]

Рис. 22.203. Температурные зависимости холловской подвижности (2, и концентрации дырок (2, 3 ) в по-ликристаллических образцах и монокристаллических пленках (/, / ) GeTe [304]

Монокристаллические пленки ферритгранатов. Наиболее интересными в практическом отношении являются ферриты со структурой граната, типичным представителем которых служит железоит-триевый гранат зРе5012. Существует также ряд соединений, в ко- [c.30]

Магнитооптические управляемые транспаранты (МОУТ). Эти устройства представляют собой светоклапанную систему, управляемую электрическими импульсами. Такие устройства могут быть основой плоских дисплеев, принтеров, устройств распознавания образов, оптических процессоров, оптических оперативных ЗУ и др. В этих транспарантах используется эффект Фарадея в прозрачных магнетиках, чаще всего в висмутсодержащих монокристаллических пленках ферритгранатов. [c.37]

Основными недостатками магнитооптических устройств являются значительное оптическое поглощение в видимом диапазоне, не позволяющее получать оптическую эффективность считывания выше 25—30 % ограниченные площади (не более 50 см ) висмутсодержащих монокристаллических пленок ферритгранатов, служащих основой для большинства магнитооптических устройств, и их относительно высокая стоимость. Вместе с тем такие преимущества магнитооптических сред, как возможность получения высокого оптического контраста изображения, низкие управляющие токи ( < 100 мА), высокая чувствительность при термомагнитной записи, небольшое [c.38]

Широкое применение получили монокристаллические пленки, выращенные на кристаллических подложках и имеющие решетку, определенным образом ориентированную относительно решетки подложки. Такой ориентированный рост пленок называют эпитаксией, а сами пленки — эпитаксиальньши. Выращивание пленок из того же вещества, из которого состоит кристалл подложки, называют автоэпитаксией, выращивание из другого вещества — гетероэпитаксией. Для того чтобы был возможен эпитаксиальный рост пленки, необходима определенная степень соответствия кристаллической структуры материалов пленки и подложки. Иными словами, равновесные расстояния между атомами и их взаимное расположение в кристаллах пленки и подложки должны быть близкими. Кроме того, чтобы атомы в зародышах могли выстроиться в правильную структуру, они должны обладать достаточно высокой поверхностной подвижностью, что может быть обеспечено при высокой температуре подложки. Структурному совершенству зародышей способствует также низкая скорость их роста, которая достигается при малой степени пересыщения пара осаждаемого материала или его раствора (при эпитаксии из жидкой фазы). Особое значение для ориентированного роста имеют одноатомные ступеньки на подложке, заменяющие зародыши, так как на них адсорбированные атомы попадают в устойчивое состояние с высокой энергией связи. Эпитаксиальная пленка растет в первую очередь путем распространения ступенек на всю площадь подложки. Большую роль при этом играют винтовые дислокации (рис. 2.8). В простейшем случае онн представляют собой одноатомную, ступеньку, начинающуюся у оси [c.70]

Для получения монокристаллических пленок ВаТЮз толщиной до 1,5 мк и площадью 1x2 мм Ласт [22] предлагает травление монокристаллов ВаТЮз толщиной около 100 мк фосфорной кислотой, нагретой выше температуры Кюри титаната бария, с тем, чтобы предотвратить селективное травление доменов. В кубической фазе при 130° С травление протекает очень гладко со скоростью примерно один микрон в минуту. Толщина кристалла в ходе травления определялась с помощью микроскопа по цветам двупреломле ия. Нильсон, Линарес и Консе [23] очень подробно изучили влияние различных факторов на выращивание двойников по методу Ремейко. Они установили, что на выход кристаллов сильно влияют величина зерна исходного [c.301]

С помощью электронного микроскопа на монокристаллических пленках, травленых в фосфорной кислоте Танака и Хонийо [31], а также Лезгинцева [39] детально изучали поведение сегнето-электрических доменов 90- и 180-градусной ориентации. [c.303]

Большое значение имеют материалы для перпендикулярной магнит-ой записи с перпендикулярной магнитной анизотропией, к которым гносятся монокристаллические пленки с цилиндрическими магнитны-и доменами (ЦМД) ортоферриты и ферриты-гранаты с РЗМ, аморф-ые магнитные пленки сплавов Gd—Со и Gd-Fe и пленки на основе ерритов бария. Среди ферритов новый импульс в развитии получили ерриты с прямоугольной петлей гистерезиса для использования в им-ульсной технике и в СВЧ-устройствах в сочетании с высокотемпера- ными сверхпроводящими пленками. [c.507]

Для пьезоприемников важнейшей задачей является повышение чувствительности в режиме приема. Это требуется для различных гидроакустических систем, сейсморазведки, научного приборостроения (включая возможный прием гравитационных волн) и т. п. По-видимому, основным направлением совершенствования материалов пьезоприемников явится дальнейшая отработка композитных материалов и, может быть, пленочных поляризованных полимеров и тонкослойных монокристаллических пленок [57]. [c.266]

Третьей фазой возникновения эпитаксиальных мо-нокристаллических слоев является так называемая фаза заполнения. Она заключается в заполнении существующих свободных участков в слое. Благодаря этому возникает сплошная монокристаллическая пленка. [c.342]

Монокристаллические пленки (ферриты-гранаты и др.) получают эпитаксиальным методом — путем химического осаждения из паровой фазы на подложку из немагнитного, например гадолиниево-галлиевого, граната. Чем ближе параметры кристаллической решетки подложки и пленки, тем выше качество последней. [c.317]

Однородные структуры. Однородная кристаллическая структура, как известно, присуща монокристаллам и твердым растворам. Монокристаллические покрытия (пленки) образуются в процессе ориентированного роста монокристалла одного вещества на кристаллической грани другого (эпитаксиальное наращивание). В слое покрытия при благоприятных условиях полностью воспроизводится кристаллографическая ориентация поверхности покрываемого кристалла. Например, используя пересыщенный раствор германия в жидком свинце, на монокристалле германия получают монокристаллическую пленку германия на арсениде галлия (GaAs) формируется одноименная пленка из пересыщенного раствора GaAs в жидком олове. Более широко применяют способы эпитаксиального наращивания из паровой фазы в вакууме. [c.173]

В магний-марганец-кобальтовых ферритах-перминварах однонаправленная анизотропия получена двумя способами магнитным отжигом в слабых полях и отжигом без поля ферритов с ППГ, предварительно индуцированной с помощью ТМО [5, 6], причем вторым способом — и на монокристаллических пленках [7]. [c.110]

Кинетика адсорбции и заряжения поверхности. Прямое сравнение экспериментальных данных по кинетике адсорбции и (/) и заряжения поверхности стало возможным только после появления достаточно чувствительных кварцевых адсорбционных весов (см. п. 7.3.1). В качестве измеряемых параметров заряжения использовались изменение потенциала поверхности (ДУ ), термоэлектронной работы выхода (ДФт) и электропроводности (Да). Первые совместные измерения при адсорбции N02 на монокристаллической пленке РЬ5 показали, что характер начальных участков кинетических кривых — и ( ) и Да(0 сушественно зависит от концентрации присутствуюших на ней биографических (до проведения адсорбции N02) медленных состояний (Л 5д) они создавались предварительным окислением поверхности. Образующиеся при [c.267]

Действительно, известно, что микрокристаллические пленки висмута проявляют ряд полупроводниковых свойств [122]. Дугал и др. [123], выращивая монокристаллические пленки висмута различной толщины, нашли, что температурный коэффициент [c.145]

В настоящее время имеются два общих обзора по эпитаксиальным пленкам. Читателям, интересующимся механизмом образования зародышей при росте и структурой монокристаллических пленок, можно рекомендовать весьма основательный обзор Пэшли [2]. Для ознакомления с общими вопросами применения монокристаллических пленок в научных исследованиях можно воспользоваться трудами Института перспективных исследований НАТО [14]. [c.318]

Байлзндер [73] получал эпитаксиальные пленки РЬ1-ж8пд Те с использованием как одного, так и двух источников. В случае применения методики с использованием одного источника сплав изготавливался сплавлением компонент в соответствующих весовых пропорциях и далее испарялся, как было описано выше [57]. У методики с двумя источниками не оказалось каких-либо преимуществ перед первой. Интересно отметить, что состав сплава сохраняется при напылении пленки. Оба метода позволяют получить монокристаллические пленки. В табл. 5.3 приведена сводка данных Байлэндера для сплавов разного состава. [c.343]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...