Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Поверхностная подвижность в ОПЗ

Интересен случай, когда скорость гомогенизации растущих кристаллов недостаточно велика. Это означает, что объемная подвижность X компонентов А и В разная. Допустим, что Хд > Xg. При малой скорости роста (малые потоки компонентов) недостаточная схемная подвижность В компенсируется большой поверхностной подвижностью, что обеспечивает гомогенность состава растущих кристаллов. Большие скорости роста уменьшают роль поверхностной подвижности в процессах гомогенизации и главенствующую роль приобретает объемная подвижность. V  [c.81]


На третьем этапе декорирования используется большая поверхностная подвижность атомов. Протравленная поверхность скола нагревается в вакууме до 250°С и  [c.380]

Естественно полагать, что самым вероятным является переход в раствор тех атомов, которые наиболее слабо связаны с поверхностью металлов, обладают максимальным запасом энергии и даже поверхностной подвижностью. Это могут быть атомы, расположенные в углах и выступах кристаллической решетки, по границам зерен, в местах дислокаций и т. д. Концентрация таких активных атомов невелика и степень заполнения ими поверхности металла составляет 0,01—0,001.  [c.15]

Рис. 17.23. Схема нагрева пластины поверхностным подвижным нормально круговым источником теплоты Рис. 17.23. Схема нагрева пластины поверхностным подвижным нормально круговым источником теплоты
Поскольку в режимах сильного обогащения и сильной инверсии е. Г (или Гу,) — см.(1.10) и (1.19), то из (2.8) следует, что в области высоких полей Г ", Г ,". При уменьшении зависимость поверхностной подвижности от Г (Г ,) становится более слабой.  [c.52]

Рис.2.4. Снижение поверхностной подвижности основных носителей заряда в ОПЗ. Сплошные линии I 1пХ > 2, пунктирные — 1пХ = 0. Параметр кривых г= 1о/Ь[). Знак перед Ys плюс лля электронов, минус для дырок [4] Рис.2.4. Снижение поверхностной подвижности основных носителей заряда в ОПЗ. <a href="/info/232485">Сплошные линии</a> I 1пХ > 2, пунктирные — 1пХ = 0. Параметр кривых г= 1о/Ь[). Знак перед Ys плюс лля электронов, минус для дырок [4]
Результаты расчетов эффективной поверхностной подвижности основных носителей заряда в потенциальной яме у поверхности, форма которой задается соотношением (1.6), в предположении диффузного рассеяния Р = 0), показаны на рис.2.4.  [c.53]

Подвижность свободных носителей заряда при фононном механизме рассеяния пропорциональна константе деформационного потенциала. Полученные экспериментально зависимости эффективной поверхностной подвижности от поверхностных избытков и температуры в условиях квантования качественно неплохо согласуются с теоретическими предсказаниями, однако для достижения количественного согласия приходится предполагать, что константа деформационного потенциала вблизи поверхности кристалла отличается от объемного значения.  [c.55]


Степень миграции границ зерен определяется движущимися силами миграции, подвижностью границ и временем пребывания металла в области температур высокой диффузионной подвижности атомов. Движущая сила миграции определяется разницей свободных энергий границ в данном неравновесном и равновесном (после полного завершения миграции) состояниях. При прочих равных условиях движущая сила зависит главным образом от конфигурации граничных поверхностей, характеризуемой числом участков с повышенной кривизной в макро- и микроскопическом плане. Движущая сила на отдельных участках границы пропорциональна их суммарной кривизне l// i + l// 2, где 1 и / 2 — радиусы кривизны в двух взаимо перпендикулярных направлениях. Мигрирующая граница движется обычно к центру максимальной кривизны (рис. 13.12,6). Чем меньше число граней у зерна, тем больше их кривизна при заданном размере и тем интенсивнее идет миграция границ. На стыках границ зерна (для двумерной системы трех зерен) движущая сила миграции пропорциональна отклонению соотношения смежных углов от равновесного. Последнему соответствует равенство углов между тремя границами, составляющих 120° (рис. 13.12,а). В этом случае уравновешиваются силы поверхностного натяжения на стыкующихся участках границ, что соответствует наименьшему значению свободной энергии. Смещение стыка границ О в положение О приведет к искривлению границ. Это вызовет перемещение границ в направлении к центру их кривизны до спрямления, т. е. зерно А будет расти за счет зерен В и С.  [c.504]

Поверхностное натяжение. С силами притяжения между молекулами и подвижностью молекул в жидкостях связано проявление сил поверхностного натяжения.  [c.83]

Следует, однако, заметить, что в большинстве опытных исследований скорость всплытия газовых пузырьков в воде подчиняется закону Стокса, т.е. формуле (5.24), а не (5.246). Наиболее вероятное объяснение этого отклонения от теории состоит в том, что при движении газового пузырька в воде на поверхности раздела фаз накапливаются сложные молекулы поверхностно-активных веществ (ПАВ), которые лишают границу раздела подвижности — пузырек движется, как бы окруженный жесткой оболочкой. Таким образом, для практических расчетов скорости всплытия газовых пузырьков в воде при Re < 1 (зона 1 на рис. 5.6) можно рекомендовать формулу Стокса (5.24).  [c.215]

ПОДВИЖНОЙ массы по сравнению с однофазной фильтрацией. При этом чем больше поверхностное натяжение между жидкостями, тем сильнее проявляется запирание.  [c.306]

Эти усилия, действующие на бесконечно малый элемент срединной поверхности оболочки, показаны на рис. 85 и 86. На этот элемент также действуют поверхностные нагрузки, составляющие которых в направлениях подвижных координатных осей Л,, У,, 2,. Объемными силами будем пренебрегать.  [c.217]

В присутствии поверхностно-активных веществ, существенно уменьшающих подвижность границы раздела фаз (в этом случае можно положить р О), формула (5.57) переходит в уравнение Стокса (5.48).  [c.267]

Если пробой произошел в газообразном или жидком диэлектрике, то в силу подвижности молекул пробитый участок после снятия напряжения восстанавливает свои первоначальные свойства и величину U , (но при условии, что мощность и длительность электрической дуги не были столь значительными, чтобы вызвать существенные изменения диэлектрика во всем его объеме). После пробоя твердого диэлектрика в нем остается след в виде пробитого (откуда и название пробой ), прожженного или проплавленного отверстия чаще всего неправильной формы. Если вновь подать напряжение, то пробой, как правило, происходит по пробитому ранее месту при значительно пониженном напряжении. В ряде случаев после пробоя остаются проводящие продукты разложения и диэлектрик теряет свои электроизоляционные свойства. Связанное с образованием проводящих следов ( треков ) повреждение поверхности твердого диэлектрика поверхностным пробоем называют трекингом.  [c.115]

Конструкции холодных тиглей довольно разнообразны, наиболее распространенная показана на рис, 14-13. Для того чтобы проводящий металлический тигель не экранировал поля индуктора I от загрузки 2, он выполнен не сплошным, а разрезным, состоящим из отдельных водоохлаждаемых секций 3. В нижней части плавильного устройства помещается водоохлаждаемое основание 4, которое, если требуется слиток большой длины, делается подвижным для вытягивания кристаллизующейся части слитка 5. Внутренняя поверхность секций тигля может иметь изоляционное покрытие из тугоплавкого окисла, зазоры между секциями также могут быть заполнены изоляцией. При ее отсутствии расплав, выходящий в зазоры, удерживается от растекания силами поверхностного натяжения.  [c.242]


Механический КПД характеризует потери на трение в подвижных деталях насоса. При относительном перемещении соприкасающихся поверхностей в зоне их контакта всегда возникает сила трения, которая направлена в сторону, противоположную движению. Эта сила расходуется на деформацию поверхностного слоя, пластическое оттеснение и на преодоление межмолекулярных связей соприкасающихся поверхностей.  [c.157]

Широкое применение получили монокристаллические пленки, выращенные на кристаллических подложках и имеющие решетку, определенным образом ориентированную относительно решетки подложки. Такой ориентированный рост пленок называют эпитаксией, а сами пленки — эпитаксиальньши. Выращивание пленок из того же вещества, из которого состоит кристалл подложки, называют автоэпитаксией, выращивание из другого вещества — гетероэпитаксией. Для того чтобы был возможен эпитаксиальный рост пленки, необходима определенная степень соответствия кристаллической структуры материалов пленки и подложки. Иными словами, равновесные расстояния между атомами и их взаимное расположение в кристаллах пленки и подложки должны быть близкими. Кроме того, чтобы атомы в зародышах могли выстроиться в правильную структуру, они должны обладать достаточно высокой поверхностной подвижностью, что может быть обеспечено при высокой температуре подложки. Структурному совершенству зародышей способствует также низкая скорость их роста, которая достигается при малой степени пересыщения пара осаждаемого материала или его раствора (при эпитаксии из жидкой фазы). Особое значение для ориентированного роста имеют одноатомные ступеньки на подложке, заменяющие зародыши, так как на них адсорбированные атомы попадают в устойчивое состояние с высокой энергией связи. Эпитаксиальная пленка растет в первую очередь путем распространения ступенек на всю площадь подложки. Большую роль при этом играют винтовые дислокации (рис. 2.8). В простейшем случае онн представляют собой одноатомную, ступеньку, начинающуюся у оси  [c.70]

V7 Посадочные поверхности деталей 2-го и 3-го классов точности посадочные поверхности зубчатых колес, червяков, трубок места посадки шариковых и роликовых падшшшиков опорные поверхности центрирующие поверхностн (замки) рабочие поверхности зубьев зубчатых колес, счетных механизмов и быстроходных передач червячные передачи 3-го класса точности фрикционные передачи поверхностн подвижных шаровых соединений повышенной точности рабочие поверхности дисков трения фиксирующие поверхности делительных и поворотных дисков  [c.417]

В зависимости от характера взаимодействия молекул адсорбата и адсорбента различают физическую А. и хемосорбцию. Физ. А, обусловлена силами мсжмолекулярного взаимодействия и не сопровождается существ, изменением электронной структуры молекул адсорбата. Физ. А. может быть как мо Еослойной (с образованием мономолекулярного слоя), так и полимодекулярной (многослойной). При А. электролитов из их растворов обычно возникает двойной электрический слой. Если жидкий адсорбат смачивает пористый адсорбент, то в порах последнего может происходить капиллярная конденсация. При физ.. А. адсорбир. молекулы обычно обладают поверхностной подвижностью.  [c.30]

Прн описании кинетики роста кристаллов было установлено, что атомы, ионы или молекулы, попадающие на поверхность кристалла, обладают высокой поверхностной подвижностью. Это справедливо в равной степени и при адсорбции примесных молекул, которые обычно не остаются на месте встречи, так как обладают большой двухмерной подвижностью. Имеется множество экспериментальных доказательств поверхностной диффузии адсорбированных частиц. Нанрнмер, основой метода декорирования путем напыления в высоком вакууме япля-  [c.358]

Степень торможения электродного процесса зависит как от поверхностной концентрации адсорбированных частиц, так и от природы адсорбционного слоя и ионов, участвующих в электрохимической реакции. Наибольшее торможение электродного процесса наблюдается при концентрации органических поверхностно-актив-ных веществ, соответствующей высокой степени заполнения поверхности адсорбированными молекулами, и при отсутствии большой поверхностной подвижности этих молекул. Различие в знаках заряда разряжающихся ионов и адсорбируемых частиц, а также образование между ними нестойких комплексных соединений или сольватов, уменьшают торможение процесса, так как увеличивается проницаемость адсорбционной пленки. При совпадении зна-  [c.35]

При испарении сплавов из одного источника степень фракционирования уменьшается с увеличением температуры. Эта закономерность положена в основу взрывного метода испарения сплава, предложенного Харрисом и Зигелем [1651. Метод заключается в том, что частицы мелкораздробленного материала (сплава необходимого состава или смеси компонентов) равномерно или небольшими дискретными порциями подаются в испаритель, разогретый до температуры, которая заведомо выше температуры интенсивного испарения самого труднолетучего компонента сплава. Происходит быстрое (взрывное) испарение сплава, вследствие чего состав пара над испарителем и конденсата идентичен составу подаваемого материала, независимо от соотношения упругостей паров компонентов. Телтература подложки выбирается такой, чтобы обеспечить высокую поверхностную подвижность атомов и в то же время не допустить реиспарения металла.  [c.167]

Так как в эксперименте можно менять Qs либо приложением напряжения к внешнему полевому электроду (эффект поля), либо выдержкой поверхности в различных газах, хемосорбция которых меняет число поверхностных состояний [31], естественно возникает вопрос, как поверхностная подвижность зависит от изгиба зон. Мэни и др. [32 провели недавно простой приближенный расчет этой зависимости от I и среднего расстояния Ьс дополнительных носителей заряда от поверхности [см. уравнение (9.136)]. Формула Мэни [32] имеет вид  [c.110]


Для данного квантовое расширение уменьшает йВЦг ниже его классического значения и увеличивает изгиб зон на поверхности АвИ [ср. (4.86)]. Напротив, для данного поле Еа становится меньшим его классического значения. Следовательно, с возрастанием электростатического притяжения, определяемого величиной АвЦ, поверхностная подвижность (г должна уменьшаться слабее [79], чем предсказывает классическая теория.  [c.132]

Взяв объемную концентрацию носителей 1,23 10 см я ць = = 750 см /В-с, можно рассчитать коэффициент Холла и удельное сопротивление при комнатной температуре как функции поверхностного потенциала. Расчеты поверхностной подвижности не распространены пока на случай вырождения. Грин > получил выражение для подвижности электронного газа, весьма схожее с результатом Земела [109] для невырожденного случая. Из-за отсутствия численных значений для случая вырождения в расчете подвижности были использованы невырожденные величины. Питературные данные по холловской поверхностной подвижности очень ограниченны даже для невырожденного случая [ПО].  [c.379]

Грин [90] исследовал проблему поверхностного квантования, взяв в качестве модели простую потенциальную яму вблизи поверхности. Энергетические уровни представлены на фиг. 5.46. Для наглядности кривая функции плотности состояний смещена вправо от начала координат на величину энергии уровня. В случае треугольной ямы первый уровень находится на 7 кТ ниже края валентной зоны. Отсюда поверхностный потенциал действительно будет больше 9 йГ, как отмечалось выше, и поправка на параболичность будет очень большой. Для корректного подхода к проблеме необходимо одновременное решение уравнений Шредингера и Пуассона [114]. При этом возникают серьезные математические трудности. Различные авторы указывали, что квантование области пространственного заряда должно привести к расширению поверхностного слоя и росту поверхностной подвижности [114—116].  [c.381]

Сравнение результатов моделирования с экспериментально измеренными электрическими характеристиками короткоканального МОП-транзистора убедительно показывает, что метод расчета тока на основе уравнения Пуассона с приемлемой точностью предсказывает поведение характеристик прибора [14.12]. Приборы изготавливались на кремниевых подложках р-типа с ориентацией <100) по стандартной л-канальной технологии. Толщина слоя подзатворного окисла в приборах составляла 500 А, концентрация примесей в подложке была равна 2,8 10 см" , ширина канала составляла 10 мкм, адлины скрытого канала бьши равны 10,2 5,1 3,8 2,6 и 1,3 мкм. Значения эффективной длины канала, толщины слоя окисла и поверхностной подвижности определялись экспериментально.  [c.384]

Взаимодействие кислорода с чистой поверхностью металла протекает в три этапа I) адсорбция кислорода, 2) иуклеация, т. е. образование зародышей, 3) рост сплошной оксидной пленки. На первых стадиях адсорбции пленка состоит из атомов кислорода, так как свободная энергия адсорбции атомов кислорода превышает свободную энергию диссоциации его молекул. Методом дифракции медленных электронов удалось установить, что атомы некоторых металлов входят в состав адсорбционной пленки и образуют относительно стабильную двухмерную структуру из ионов кислорода (отрицательно заряженных) и металла (положительно заряженных). Как уже говорилось в отношении пассивирующей пленки (разд. 5.5), адсорбционная пленка, составляющая доли монослоя, термодинамически более стабильна, чем оксид металла. На никеле, например, она сохраняется вплоть до точки плавления никеля [1 ], тогда как NiO разрушается вследствие растворения кислорода в металле . Дальнейшая выдержка при низком давлении кислорода ведет к адсорбции на металле молекул Оа, проникающих сквозь первичный адсорбционный слой. Так как второй слой кислорода связан менее прочно, чем первый, он адсорбируется не диссоциируя. Возникающая в результате структура более стабильна на переходных, чем на непереходных металлах [2]. Любые дополнительные слои адсорбированного кислорода связаны еще слабее, и наружные слои становятся подвижными при повышенных температурах, о чем свидетельствуют рентгенограммы, отвечающие аморфной структуре. Вероятно, ионы металла входят в многослойную адсорбционную пленку в нестехиометрических количествах и к тому же относительно подвижны. Например, обнаружено, что скорость поверхностной диффузии атомов серебра и меди выше в присутствии адсорбированного кислорода, чем в его отсутствие [3].  [c.189]

При высоких (закалочных) скоростях охлаждения и степенях переохлаждения в некоторых сплавах типа твердых растворов замещения (алюминиевых, медных, никелевых и др.) образуются особого рода метастабильные фазы, представляющие собой локальные зоны с повышенной концентрацией легирующего элемента. Из-за различия в атомных диаметрах металла-растворителя и легирующего элемента скопление последнего вызывает местное изменение межплоскостных расстояний. Эти зоны называют зонами Гинье — Престона (ГП). Учитывая, что тип решетки не изменяется, зоны ГП часто называют предвыделениями . Они имеют форму тонких пластин или дисков и размеры порядка мкм. Границы их раздела полностью когерентны, поэтому поверхностная энергия зон пренебрежимо мала. У зон малого размера энергия упругих искажений решетки также мала, поэтому энергетический барьер для их зарождения весьма невелик. Зоны ГП зарождаются гомогенно на концентрационных флуктуациях. Особенность образования зон ГП — быстрота и безынкубационность их возникновения даже при комнатной и отрицательной температурах. Это обусловлено повышенной диффузионной подвижностью легирующих элементов, которая связывается с пересыщением сплава вакансиями при закалке.  [c.498]

Способность мембраны передавать или не передавать энергию и вещества из одной части системы в другую формулируется на языке ее качественных характеристик. Различают мембраны подвижные и неподвижные, гибкие и жесткие, проницаемые для конкретных частиц и непроницаемые. Подвижные мембраны способны изменять свое положение в пространстве, а гибкие — изменять свою площадь и форму. В первом случае изменяются объемы разделяемых частей системы, а во втором — в дополнение к этому может производиться работа изменения величины поверхности мембраны. Если жесткая неподвижная мембрана разделяет два раствора и проницаема ие для всех, а лишь для некоторых из нейтральных компонентов (полупроницаемая мембрана), то такую систему называют осмотической, если же при этом мембрана способна пропускать через себя ионы, то говорят о равновесии Доннана. При подвижных мембранах с ионной проводимостью имеют дело с обычными электрохимическими равновесиями. Частным случаем мембранных равновесий можно считать и гетерогенные равновесия между различными фазами вещества. Роль мембраны в этом случае играет естественная граница раздела соприкасающихся фаз ( поверхностная фаза ) или другая фаза, в равновесии с которой находятся гомогенные части системы. Например, при так называемых изопьестических (изобарических) равновесиях ею может сл) жить общая паровая фаза над жидкими растворами с различающимися концентрациями веществ.  [c.129]

Условию F] - р2 = 2ad соответствует равновесие между пленкой и внешней силой. Таким образом, величина ст может рассматриваться не только как удельная поверхностная энергия, но одновременно и как сила, приложенная к единице длины контура, ограничивающего поверхность, и направленная вдоль этой поверхности перпендикулярно к контуру. Для пленки на рис. 73, а роль части контура выполняет подвижная перемычка. Эта сила названа поверхностным натЮ1сгнием. Соответственно величину сг выражают в мДж/м (в тех случаях, когда говорят о поверхностной энергии) и мН/м (когда говорят о поверхностном натяжении).  [c.114]


Углеводородную жидкость будем разделять на подвижную и неподвижную фазы, состоящи( из трех компонент нефть, вода и поверхностно-активные просадки (ПАВ, спирт и т. д.), делающие углеводородную жидкость мпцеллярным раствором. Водные фазы (подвижные п неподвижные) также содержат три компоненты вода, сол]>, загущающий полимер (см. табл. 8.4.1).  [c.324]

Развитие аэротермохимии стимулировали проблемы, воз никающие в современной технике, в частности проблема тепловой защиты аппаратов, работающих при весьма высо ких температурах. Действительно, при входе летательных аппаратов в атмосферу температура за ударной волной на внешней границе пограничного слоя достигает 10 000 К н более. В этом случае эффективная тепловая защита может быть осуществлена только при условии частичного разрушения материала поверхности. Процесс абляции вещества теплозащитного покрытия оказывается весьма сложным. Этот процесс может быть связан с оплавлением и с испарением жидкой пленки, сублимацией, поверхностным горением, механической и тепловой эрозией обтекаемой поверхности. Строгая математическая постановка упомянутых задач приводит к необходимости решать нелинейные уравнения гиперзвукового пограничного слоя или вязкого ударного слоя с краевыми условиями на подвижных поверхностях, которых, вообще говоря, может быть несколько.  [c.3]


Смотреть страницы где упоминается термин Поверхностная подвижность в ОПЗ : [c.434]    [c.360]    [c.60]    [c.97]    [c.134]    [c.113]    [c.378]    [c.117]    [c.26]    [c.223]    [c.383]    [c.70]    [c.324]    [c.325]    [c.211]    [c.364]   
Основы физики поверхности твердого тела (1999) -- [ c.51 ]



ПОИСК





© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте