Схемные модели

Многомерный элемент описывается системой уравнений, связывающей функциональные параметры в элементе. Иногда многомерные элементы представляются схемной моделью, состоящей из одномерных элементов, каждый из которых описывается соответствующей функциональной зависимостью. Но в отличие от обычных одномерных элементов такие зависимости могут содержать величины, связанные другими элементами схемной модели. В конечном счете, изделие в записи структурной схемой всегда может быть представлено схемой, состоящей из одномерных элементов. [c.277]

Схемные модели транзистора основаны, как правило, на существенных упрощениях по сравнению с физико-топологическими моделями, поэтому очень важно ясно представлять область применимости каждой такой модели. [c.132]

Рассмотренные схемные модели получены в одномерном приближении и не учитывают многих эффектов, свойственных интегральным транзисторам. Для современных интегральных транзисторов характерна асимметричная структура. Транзисторы этого типа обладают следующими свойствами неоднородной областью базы (наличие градиента концентрации примесей в ней) вытеснением инжекции к периферии эмиттера пренебрежимо малым инверсным коэффициентом усиления существенно разной площадью эмиттерного и коллекторного переходов влиянием подложки на процессы в транзисторе работают при высоких уровнях инжекции, т. е. необходимо учитывать диффузию и дрейф носителей в базе. На рис. 6.5 показана схема протекания токов в интегральном п-р-я-тран-зисторе. Процессы носят выраженный двумерный характер. Отмеченные особенности приводят к появлению следующих эффектов, которые не учитывались в предыдущих моделях уменьшению коэффициента В с увеличением уровня инжекции зависимости коэффициента В от тока коллектора накоплению заряда в коллекторе при прямом смещении коллекторного перехода (фактор очень важен при моделировании режима насыщения транзистора) уменьшению Тэ и увеличению Тк при увеличении тока коллектора изменению крутизны статических вольт-амперных характеристик транзистора в режимах высоких уровней инжекции, т. е. при больших токах коллектора. Подходы к получению модели интегрального транзистора разработка оригинальных моделей, отражающих свойства интегрального транзистора модификация описанных выше схемных моделей. [c.136]

Приведите примеры схемных моделей биполярного транзистора. [c.153]

Схемная форма, называемая также графической формой, — представление модели на некотором графическом языке, например на языке графов, эквивалентных схем, диаграмм и т. п. Графические формы удобны для восприятия человеком. Использование таких форм возможно при наличии правил однозначного истолкования элементов чертежей и их перевода на язык инвариантных или алгоритмических форм. [c.147]

Формы представления моделей определяются также используемыми языковыми средствами. Наряду с традиционным математическим языком применяют алгоритмические языки, а такл е те или иные графические изображения, облегчающие пользователю восприятие модели и приводящие к представлению модели в той или иной схемной форме, например представление моделей в виде эквивалентных схем, графов, к таким формам относится также представление разностных уравнений с помощью шаблонов (см. 4.4). [c.169]

В классическом варианте МУП имеются ограничения на вид компонентных уравнений. Применительно к схемной форме представления моделей эти ограничения выражаются в недопустимости таких ветвей, как идеальные источники напряжения и любые ветви, параметры которых зависят от каких-либо токов. В модифицированном варианте МУП эти ограничения снимаются благодаря расширению вектора базисных координат — дополнительно к узловым потенциалам к базисным координатам относят также токи особых ветвей. Особыми ветвями при этом называют 1) ветви источников напряжения 2) ветви, токи которых являются управляющими (аргументами в выражениях для параметров зависимых ветвей) 3) индуктивные ветви. [c.177]

Математические модели на регистровом подуровне могут быть алгоритмического и схемного типов. Модели алгоритмического типа описывают алгоритмы функционирования устройств без привязки к их схемной реализации. Модели схемного типа отражают связи между переменными на входах и выходах функциональных узлов, составляющих анализируемую схему. Возможны смешанные модели, состоящие из алгоритмических и схемных описаний. [c.195]

В большинстве случаев модели схемного типа представляют в виде конечных автоматов [c.195]

Для элементарной дифференцирующей R -цепочки запишите математическую модель в инвариантной, алгоритмической, аналитической и схемной формах. [c.220]

Для унификации информационные модели гибридной структуры надо строить как для проектируемого объекта, так и объектов-прототипов, хранящихся в архиве. Из-за большой объемности информационные модели следует формировать и хранить во внешней памяти ЭВМ. С помощью СУБД оттуда можно извлекать всю необходимую информацию как для реализации процесса проектирования, так и для составления проектной документации. Вывод проектной документации осуществляется на экран дисплея и на бумагу с помощью АЦПУ или графопостроителя, который является основным техническим средством формирования чертежной и схемной проектной документации. Поэтому графопостроитель часто называют также чертежным автоматом. [c.197]

Количественная оценка степени повышения надежности роторов при введении резервирования замещением и выбор наиболее перспективных схемных вариантов устройств АСИ возможны после разработки математической модели каждого из вариантов резервирования. Критерий успешного применения устройства АСИ — обеспечение вероятности Р (t) > 0,997 безотказной работы ротора за требуемый интервал времени. [c.309]

Надежность является одной из основных проблем современной техники. Благодаря совместным усилиям специалистов различного профиля, в том числе инженеров, математиков, экономистов, в настоящее время в этой области достигнуты значительные успехи. Для повышения надежности используются разнообразные методы, затрагивающие вопросы технологии, конструкции, структуры и правил эксплуатации технических систем. Одним из основных методов повышения надежности является введение избыточности, в частности, структурное (аппаратурное) резервирование. Структурное резервирование в течение длительного времени считалось универсальным методом, позволяющим создавать из ненадежных элементов сколь угодно надежные системы [89]. Однако при схемной реализации этот метод не является столь безукоризненным, как это следует из классических моделей надежности, прежде всего из-за наличия в элементах двух типов отказов, неидеальности переключателя резерва, перераспределения нагрузки при отказах отдельных элементов. Поэтому внимание разработчиков сложных систем в последние годы все чаще обращается к другим видам избыточности, в частности к временной. [c.3]

Рекомендации по численному решению задач свободной конвекции в емкостях приведены в [14, 34, 71, 94]. Решения получены до значений чисел Релея 10 . Возможность получения решений при больших числах Релея была показана в (34 ) путем введения автоматической коррекции разностного оператора. Установлено, что при больших числах Релея, когда схемные коэффициенты переноса превосходят молекулярные, для сохранения устойчивости решений и равномерной сходимости следует опустить в уравнениях диффузионные члены. Подход к численному решению уравнений в замкнутой области можно проиллюстрировать па примере свободной конвекции жидкости в горизонтальной трубе. Математическая модель задачи описывается системой уравнений движения, энергии и неразрывности [c.187]

Сходные результаты по модификации схемы С. К. Годунова с целью уменьшения ее схемной вязкости, но основанные на других соображениях, приведены в [3]. Способы уменьшения схемной вязкости рассмотрены в работах [3, 59, 119, 172], где анализируются вопросы повышения аппроксимации по пространственным координатам до второго порядка, применения специальных гибридных схем с введением дополнительных диффузионных потоков в ячейках, а также использования дополнительного разрыва в ячейках. В [3] отмечается, что при числе Куранта, меньшем единицы, область зависимости решения при построении формул распада — разрыва значительно меньше шага h и при вычислении больших величин предлагается линейно интерполировать значения функций на меньшем внутреннем интервале Л по значениям на краях интервала h. Тем самым в схеме вводится параметр Л//г, с помош ью которого можно локально управлять аппроксимационной вязкостью аналогично введенному выше параметру q. Рассмотренная модификация схемы распада — разрыва и управление схемной вязкостью могут быть полезны при получении решений волновых задач для длительных времен. Классическая схема С. К. Годунова приводит к быстрому расширению области размазывания крутых фронтов решения. Число ячеек области размазывания возрастает пропорционально Yn, где п — число шагов по времени [192]. Схемы и дискретные модели, об- [c.119]

Вычислительные программы, основанные на дискретных моделях, позволяют моделировать и упругие волновые процессы при многократном взаимодействии волн, вести расчеты для длительных интервалов времени, вплоть до выходов на процессы установления. Эти возможности связаны с энергетической согласованностью моделей, отсутствием численной или схемной диссипации или уменьшением ее до минимума при использовании линейной или квадратичной искусственной вязкости, В заключение параграфа приведем результаты расчета взаимодействия двух ударных волн, распространяющихся навстречу друг другу. Для этого рассмотрим алюминиевую пластину шири- [c.139]

Однако численные значения точности модели для различных схем могут оказаться разными, так как долевое участие того или иного параметра изучаемой модели зависит от режима работы схемы. Кроме того, погрешности, вносимые схемными компонентами, меняются от схемы к схеме. И наконец, погрешности экспериментальной оценки различных параметров схемы также неодинаковы. В связи с этим прогноз точности модели носит вероятностный характер. По мере накопления данных можно с большей достоверностью говорить о средней и наихудшей точности модели. [c.54]

Математическая модель элемента электронной схемы представляет собой систему ОДУ относительно фазовых переменных тока I и потенциала ф (или напряжения Ui = i—ф/, где ф,- и ф/ — потенциалы -го и -то узлов схемы, 1ф ). Существует несколько форм представления такой модели инвариантная, схемная и алгоритмическая (или программная). [c.128]

Схемная форма — представление модели элемента в виде эквивалентной электрической схемы, состоящей из определенного набора электрических компонентов и связей между ними. Эквивалентные схемы различают в зависимости от состава допустимых компонентов. [c.129]

Неизвестные функции этой системы — концентрация дырок и электронов р(х, у, z, t) и п х, у, z, t) и напряженность электрического поля Е(х, у, Z, t). Вместо Е может фигурировать электрический потенциал ф(д , у, z, t), так как Е=—gradf. Краевые условия состоят из начальных условий, характеризующих распределение зависимых переменных по объему кристалла в начальный момент времени, и граничных, задающих значения зависимых переменных на границах рассматриваемой полупроводниковой области. Геометрические размеры и конфигурация диффузионных областей и омических контактов транзистора также учитываются граничными условиями. Параметрами этой модели являются основные электрофизические параметры полупроводника. Дифференциальные уравнения в частных производных можно решать методами конечных разностей либо конечных элементов. С помощью физико-топологической модели можно с высокой степенью точности определить основные статические и динамические характеристики транзистора. Модель не учитывает влияния магнитного поля и возможных неоднородностей полупроводникового материала, что несущественно для моделирования реальных транзисторов, так как большее значение имеет точное определение параметров модели. Применение подобных моделей транзистора в задачах анализа электронных схем практически нереализуемо. Они применяются только для идентификации параметров более простых схемных моделей транзистора. [c.132]

Диалоговое моделирование. Наличие в методике макромоделирования эвристических и формальных операций обусловливает целесообразность разработки моделей элементов в диалоговом режиме работы с ЭВМ. Язык взаимодействия человека с ЭВМ должен позволять оперативный ввод исходной информации о структуре модели, об известных характеристиках и параметрах объекта, о плане экспериментов. Диалоговое моделирование должно иметь программное обеспечение, в котором реализованы алгоритмы статистической обработки результатов экспериментов, расчета выходных параметров эталонных моделей и создаваемых макромоделей, в том числе расчета параметров по методам планирования экспериментов и регрессионного анализа, алгоритмы методов поиска экстремума, расчета областей адекватности и др. Пользователь, разрабатывающий модель, может менять уравнения модели, задавать их в аналитической, схемной или табличной форме, обращаться к нужным подпрограммам и тем самым оценивать результаты предпринимаемых действий, приближаясь к получению модели с требуемыми свойствами. [c.154]

Реле (рис. 19, табл. 7) предназначены для усиления и преобразования двух команд электроконтактного датчика. Эти реле не имеют светофорных табло, но по специальному требованию потребителя блок мод. 238 может быть им оснащен. Блок питания и электронные реле смонтированы в одном корпусе. Схемное решение обеих моделей одинаково. Питание анодных цепей осуществляется через двухполупериод-ный выпрямитель, собранный на диодах До и Д,. Запирающее напряжение (отрицательное) снимается с однополупернодного выпрямителя, выполненного на диоде Д . Конденсаторы и j служат для фильтрации выпрямленного напряжения. [c.43]

Эскизный проект Обеспечение ремонтопригодности различных вариантов конструктивно-компоновочной схемы машины Сравнительная оценка ремонтопригодности различных вариантов схемно-конструктивных решений Оценка ремонтопригодности выбранного варианта Составление раздела пояснительной записки к эскизному проекту Обеспечение требований к ремонтопригодности машины Применение общих принципов обеспечения ремонтопригодности машины конструктивнокомпоновочными способами на основе ее модели Применение теоретических методов оценки Применение теоретических методов или проведение экспериментальной оценки на макете путем имитации задач ремонта и обслуживания [c.124]

Энергохолодильную, как и любую другую теплоэнергетическую установку, наиболее целесообразно моделировать в виде иерархически взаимосвязанной системы математических моделей отдельных агрегатов и ЭХУ в целом. Элементную базу ЭХУ составляют хорошо изученные и в большинстве традиционные для теплоэнергетики и холодильной техники агрегаты. Поэтому основные трудности при математическом моделировании связаны с созданием моделей ЭХУ в целом. В этих моделях оптимизируются термодинамические и расходные параметры циклов, в результате чего в ряде случаев оптимизируется и сама схема установки. Разработка таких математических моделей имеет и самостоятельное значение, поскольку на их базе, особенно на этапах раннего проектирования, можно выбрать оптимальные схемные решения и оценить основные технико-энергетические параметры ЭХУ. Для получения зависимостей, связывающих термодинамические и расходные параметры циклов ЭХУ с их показателями качества, в дополнение к % введем ряд характеристик ЭХУ. [c.190]

Применение организующей программы позволяет осуществлять расчет всего многообразия принципиально возможных схемных решений ТЭС ПП в рамках единой математической модели. Организующая программа выявляет вычислительные блоки, для которых известны все значения входных параметров, вызывает нх, запоминает результаты расчетов выходных параметров вызванных блоков и передает полученную инфор-.маиню в следующие вычислительные блоки, для которых она является входной. [c.241]

Синхронные модели можно использовать не только для вьывления принципиальных ошибок в схемной реализации заданньк функций. С их помощью можно обнаруживать места в схемах, опасные с точки зрения возникновения в них искажающих помех. Ситуации, связанные с потенциальной опасностью возникновения помех и сбоев, называют рисками сбоя. [c.121]

Математическая модель и стратегия решения. Для расчета сложных течений с пограничными слоями, отрывными зонами, пучками волн разрежения и ударными волнами применяются два способа адаптации сетки. Первый способ — использование автоматически подстраивающейся под особенности течения неструктурированной сетки — требует минимального контроля за ходом расчета, что и обеспечивает его популярность. Недостатки этого способа состоят в сложности алгоритма измельчения сетки, в больших накладных расходах на обработку связей между ячейками, в трудности векторизации вычислительного процесса и невозможности в рамках существующих алгоритмов сильного измельчения сетки только в одном направлении. Последнее порождает избыточное количество узлов и большую схемную вязкость в пограничных слоях в широком смысле этого термина. [c.333]

В главе рассматривается построение одномерных дискретных моделей, устанавливаются связи с соответствующими континуальными моделями. С помощью первого дифференциального приближения полученных разностных схем показано, что они обладают нулевой матрицей вязкости, т. е. построенные разностные схемы для упругого закона не обладают какой-либо схемной вязкостью и не вносят численной диссипации. Проанализированы численные результаты по распространению одномерных волн в одно-, двух- и трехслойных пакетах. Для сглаживания ударно-волновых профилей использована линейная и квадратичная искусственная вязкость Неймана — Рихтмайера. Рассмотрена модификация схемы распада — разрыва, уменьпхающая схемную вязкость. Приведены численные результаты по распространению одномерных волн в слоистых пакетах и моделированию их разрупхения. [c.109]

Третий уровень гибкости предусматривает создание многоцелевых универсальных машин вместо одноцелевых (специальных). На многоцелевых сварочных установках можно сваривать изделия различного исполнения, разных групп и даже близких классов. История развития большинства технических средств является историей конкуренции и компромиссов между принципами универсальности и специализации. Если в "домикропро-цессорную" эру новым типом технологического оборудования вначале были универсальные машины, а затем широкий ряд специализированных моделей, обычно построенных на основе агрегатно-модульного принципа, то с внедрением в производственную практику микропроцессорного управления усиленно создавалось технологическое оборудование, и особенно его системы управления, универсальное с точки зрения конструктивно-схемных (аппаратных) решений и специализированное с точки зрения ориентации математического и программного обеспечения на выполнение поставленной задачи. [c.29]

Число Зфовней напряжения шпания характеризует простоту и удобство эксплуатации МП в составе различных систем. Предпочтительными являются МП, способные работать с одним уровнем напряжения гаггакия, например 5 В. Однако сложность схемных решений, гфименяемых для расширения функциональных возможностей, приводит к тому, что для ряда моделей МП используется 2 или 3 уровня напряжения. [c.19]

На рис. 1.7 схематически представлено расположение основных узлов персшального компьютера фирмы 1ВМ на схемной плате. Габаритные размеры платы 216X305 мм. На ней смонтировано большое число кремниевых микросхем каждая имеет размер примерно 6,5Х6,5 мм и размещена в прямоугольном пластмассовом корпусе с выводами. Микросхемы и пассивные компоненты (резисторы и конденсаторы) соединяются между собой печатными проводниками. 16-разрядный микропроцессор модели 8088 фирмы 1п1е1 содержит более 20 тыс. транзисторов и имеет тактовую частоту около 5 МГц. Системные программы размещаются в ПЗУ, а в ОЗУ хранятся те программы и данные, которые меняются в процессе работы системы. [c.38]

Аппаратным УЧПУ называют устройство, алгоритмы работы которого реализуются схемным путем и не могут бьггь изменены после изготовления устройства. Данные устройства ЧПУ построены по принципу цифровой модели, где все операции, составляющие алгоритм работы, выполняются параллельно с помошью отдельных цепей или устройств (блоков), реализующих ту или иную функцию (агрегатно-блочное построение). Поэтому изменять структуру этих ЧПУ можно только путем перепайки схем. Дополнительные функции в таких УЧПУ должны предусматриваться заказчиком уже на стадии их проектирования. Ограничивается вмешательство оператора в отработку управляющей программы. [c.506]

Оригинальные модели интегральных транзисторов основаны на учете двумерности и асимметричности транзисторной структуры. Многосекционные двумерные модели являются наиболее точными, в них каждая секция замещается соответствующей эквивалентной схемой. Такие распределенные модели сложны по числу схемных компонентов и по количеству параметров. Выделим следующие сосредоточенные двумерные модели интегрального транзистора Голубева— Кремлёва, IBIS и BIRD. В них наряду с электрическими и электрофизическими параметрами учитываются геометрические размеры топологии и профиль распределения примеси в транзисторе. [c.136]

Многие дополнительные эффекты можно учесть путем добавления внешних по отношению к исходной модели схемных элементов. Например, при разработке БИС на сверхбыстродействующих, малосигнальных элементах эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) предъявляются повышенные требования к точности моделирования статических характеристик логических цепей каскадно включенных элементов. Эти требования учитываются с помощью модели транзистора (рис. 6.8). Модель транзистора программы ПА-1 без учета Гб и Гк обозначена Гь Достоинство модели состоит в том, что она включает стандартные элементы электронных схем (диоды, резисторы) и не требует непосредственной модификации модели ПА-1. Диод Оэ позволяет учесть зависимость коэффициента В от тока эмиттера /э, а диод Оп и источник тока / —влияние подложки. Параметры дополнительных элементов схемы определяются из условия наилучшего совпадения с соответствующими экспериментальными зависимостями. [c.137]

Исходная информация для выдачи схемной документации может вводиться проектировщиком с помощью специального входного языка описания схемы устройства ввода графической информации в форме графотеоретических моделей схем как результат программ логического моделирования цифровых устройств. [c.255]

При эюм исключения, которые встречаются ири моделировании в PSpi e, обычно касаются численных ограничений на параметры модели, приводящие к изменениям токов и напряжений на элементах, происходящим с крутизной, превышающей приведенное на производные ограничение (11) ). Во время предварительною анализа модели необходимо оценивать значения производных токов и напряжений и, в случае необходимости, осуществлять их схемное ограничение. [c.159]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...