Схема гибридная

На рис. 52 представлена схема гибридной системы управления Надежность , позволяющей производить одновременное управление нагревом и нагружением при испытаниях на прочность. [c.61]

Рис. 52, Схема гибридной системы Надежность

Рис. 17. Блок-схема гибридной системы ГНК.

На рис. 17 изображена блок-схема гибридной системы. В такой системе испытуемый объект можно исследовать с помощью оптической подсистемы ГНК, акустооптической подсистемы ГНК или корреляционной подсистемы отдельно или последовательно в зависимости от типа испытуемого объекта и вида разыскиваемой деформации. Если по условиям испытаний необходимо применять оптическую подсистему ГНК, то в этом случае можно использовать несколько режимов работы подсистемы голографию в реальном времени, е [c.348]

Рис. 6.16. Схема гибридного импульсно-непрерывного лазерного передатчика

Принципиальные, схемы резонаторов. Рассмотрим описанные в литературе схемы гибридных лазеров, выделяя в них три основных признака [c.190]

Рис. 6.3. Схема гибридного лазера на основе непрерывного лазера на красителях и обращающего зеркала на парах натрия

Лазер на СОг. Одной из хорошо исследованных схем гибридного лазера является кольцевая схема, показанная на рис. 6.26. Она была реализована для непрерывного СОг-лазера (X = 10,6 мкм) [37], а нелинейной средой служил четыреххлористый углерод ССЦ в кювете толщиной [c.210]

Рис. 2.21. Расчетная схема гибридного композита.

Рнс. 2.27. Расчетная схема гибридного композита с различным объемным содержанием волокон в слоях йц и 2. [c.73]

СХЕМЫ ГИБРИДНЫХ РАКЕТНЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ [c.190]

Возможная схема гибридного аккумулятора приведена на рис. 11.2. Как видно из сравнения рис. 11.1 и 11.2, аккумулятор давления в данном случае [c.191]

Рис. 11.2. Схема гибридного аккумулятора давления

Рис. 3.4. Принципиальная электрическая схема тонкопленочной гибридной ИС

СТАЛЬНЫЕ ЭМАЛИРОВАННЫЕ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ [c.123]

МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ Е ТЕМПЕРАТУРОУСТОЙЧИВЫМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОКРЫТИЕМ ДЛЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ [c.140]

Рис. 1. Гибридная интегральная схема (ГИС) на металлической подложке с диэлектрическим покрытием.

Приводятся результаты исследования по синтезу стеклокристаллических диэлектриков для стальных подложек гибридных интегральных схем. В работе показано, как путем направленной кристаллизации стекол можно получить стеклокристаллические эмали с повышенными термомеханическими и диэлектрическими характеристиками. [c.241]

Приведены основные требования к диэлектрическим покрытиям металлических подложек дли гибридных интегральных схем ГИС, изготовляемым средствами толстопленочной технологии. [c.242]

С учетом специфики трудно формализуемых задач эксплуатации и зависимости основных параметров ФК корабля от широкого спектра эксплуатационных факторов базовая ММ трансформируется в соответствующие версии гибридной базы знаний. Разработанная унифицированная схема реконструкции базовой математической модели ФК и извлечения трудно формализуемых знаний в предметных областях обеспечивает создание гибридных моделей баз знаний, пригодных для использования многоцелевого информационного обеспечения эксплуатации функциональных комплексов корабля и тренажа экипажа. [c.38]

Уменьшение стоимости ЭВМ возможно и за счет других конструктивных решений (рациональной компоновки, разработки логических, принципиальных, адресно-монтажных и других схем, обеспечения минимального веса, габаритов и т. п.), а также механизации, автоматизации конструирования и производства. Резкое снижение стоимости предполагается получить в связи с широким применением интегральных схем по сравнению с применяемыми сейчас твердыми и гибридными микросхемами. [c.16]

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О МАТЕРИАЛАХ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ [c.410]

Сравнительная характеристика различных методов изготовления пассивной части гибридных интегральных схем [c.414]

При необходимости выбора направления создания гибридных интегральных микросхем толстопленочная технология обладает преимуществами по сравнению с тонкопленочной в условиях большого рассеяния мощности, необходимости внесения корректировки в параметры схемы в процессе производства, малого количества резисторов, отсутствии жестких допусков на параметры пассивных элементов, необходимости создания индуктивностей. [c.414]

В табл. 20 приведены сравнительные технико-экономические характеристики процессов изготовления пассивной части тонкопленочных гибридных интегральных схем. [c.414]

ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ [c.414]

В настоящее время нет такого материала для подложек, который в одинаковой мере удовлетворял бы этим разнообразным требованиям. Многие органические материалы не могут быть использованы в качестве подложек из-за температурных режимов формирования элементов микросхем. Исключение составляют лишь некоторые полимерные материалы, например лавсан и полиамид. Поэтому для подложек используют в основном стекла и керамики. Монокристаллические подложки из-за их высокой стоимости используются для гибридных интегральных схем в редких случаях. [c.415]

Рис. 6.1. Схемы гибридных лазеров с обращающими зеркалами а - с внешней накачкой обращающего зеркала б - то же на стадии запуска лазера в - то же, но с интерферометром для пучков накачки обращающего зеркала г - самосгартую-ш IЙ гибридный пазер д - то же с активной средой в петле накачки обращающего зеркала

Рис. 6.4. Схема гибридного лазера на основе непрерывного лазера на красителях с колщевым резонатором и пассивным обращающим зеркалом в кристалле BaTiOj АС - струя раствора красителя

На рис. 5.68 дан пример схемы гибридного фильтра, реализованного на двух двухрезонаторных структурах с реактивными элементами Се, Ье и С. Конденсатор С, представляет собой внешний элемент связи. Символом /к обозначены резонансные частоты внутренних резонаторов (т. е. резонаторов, электроды которых соединены параллельно с конденсатором С,) символом /о — резонансные частоты внешних резонаторов. Фильтры обычно заканчивают четырехполюсником с конденсатором в параллельной и катушкой в последовательной ветвях. Такой четырехполюсник выполняет роль согласующего звена между внешним нагрузочным сопротивлением Лг и сопротивлением фильтра Яр. [c.246]

Ультразвуковую сварку применяют в производстве полупроводниковых приборов для приварки проволочных (диаметр от 10 мкм) и ленточных (толщина 70—100 мкм) выводов из золота, алюминия и других металлов. Получаемые соединения имеют малое омическое сопротивление, высокую прочность и стойкость к вибрациям. Наряду с хорошим качеством ( фоцент брака при УЗС ниже, чем лри термокомпрессионной, и составляет 10 7о) УЗС обеспечивает также более высокую производительность. Эти преимущества обусловили разработку и выпуск отечественных и зарубежных специализированных мащин малой мощности (не более 50 Вт) для микросварки, в том числе полуавтоматических установок для приварки проводников в интегральных схемах, гибридных схемах, транзисторах. [c.151]

Различные схемы ПТЭ могут быть использованы для организации разложения однокомпонентного топлива в газогенераторах РД или в гибридных и однокомпо-нетных РД. Скорость реакции контролируется выбором проницаемой матрицы с требуемыми каталитическими свойствами. [c.15]

С развитием производства гибридных интегральных схем (ГИС) микроэлектроника заняла ведущее место в электронной промышленности. Для высокотехнологияных толстопленочных интегральных схем среди наиболее важных достижений за последнее время выделя- ется использование стальных подложек с диэлектрическими покры- [c.123]

Для изготовления подложек наиболее перспективны стали, титан, алюминий. Последний требует разработки паст с температурой вжигания не выше 550 °С. Аустенитные стали имеют недостаточную теплопроводность. Низколегированные малоуглеродистые стали нуждаются в защите от коррозии и окисления непокрытых участков подложки при обжиге покрытия и вжигаиии элементов гибридных интегральных схем (ГИС). Лучшие результаты по окалиностойкости и прочности сцепления с диэлектрическим покрытием дают диффузионное алитирование и хромалитирование. Кроме придания необходимых поверхностных свойств, диффузионный слой влияет на некоторые объемные свойства. Так, у образцов стали 0.8кп толщиной 1 мм при двухстороннем алитировании на глубину 0.1 мм КТР в интервале 50—400 °С возрастает с 13.2-10 до 13.8-10 K , при глубине [c.140]

Использование компаундов позволило изготовлять бескорпус-ные дискретные приборы, масса и габариты которых мало отличаются от массы и габаритов их активных структур. Такие приборы представляют собой кристаллы с активными структурами диодов, транзисторов и др., защищенные тонким слоем специального полимерного компаунда. Размеры приборов, как и самих кристалликов, не превышают нескольких долей миллиметра, что позволяет использовать их в качестве активных элементов гибридных интегральных схем (ГИС). [c.94]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...