Разработка УГО транзистора

Условные признаки, определяющие порядковый номер разработки транзистора [c.247]

Полу проводниковая электроника использует свойства кристаллической решетки веществ, перемещение и распределение зарядов под действием электрических и магнитных полей внутри кристалла. На основе этого созданы разнообразные полупроводниковые приборы — диоды и транзисторы различного назначения, позволяющие уменьшить вес и габариты аппаратуры, увеличить ее долговечность и надежность. Открытие и разработка новых полупроводниковых материалов способствует дальнейшему развитию радиотехники. [c.4]

Маркировка транзисторов состоит из трех элементов. Первый элемент — буква П второй элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки и отличающее транзистор по частоте, мощности и классификационному параметру (табл. 14) третий элемент — буква, определяющая разновидность типа. [c.247]

Далее необходимо отметить разработку виброметров с усилителями на транзисторах и автономным питанием. Достоинство этих приборов — малые габариты и вес, большая надежность. Приборы очень удобны при измерениях вибраций во многих точках агрегатов, фундаментов и т. п. Виброметр с усилителем на полупроводниковых триодах типа ВИП-1 имеет габариты 200 X 140 X X 70 мм и вес 2,4 кг. Комплект батарей рассчитан на 100 ч непрерывной работы. Прибор обеспечивает нормальную работу при [c.531]

При разработке конкретных типов СУМ, в частности СУМ-10, использованы схемные и конструктивные методы ослабления влияния помех (экранирование, рациональная компоновка, монтаж и развязка цепей). В схемах модулей предусмотрены фильтры по питанию и по выходным цепям (например, в схеме на рис. 4.5 для этой цели служат С1, С2 и Др, С5 — С7). Временная диаграмма взаимодействия узлов также строилась с учетом возможных воздействий помех. В структурную схему были введены дополнительные узлы и связи (узел блокировки Бл, узел ФОИ). Помехоустойчивость отдельных каскадов, работающих в ключевом режиме, достигалась за счет повышения запирающего напряжения на закрытых транзисторах и увеличения степени насыщения открытых транзисторов. [c.76]

Третий элемент — трехзначное число, причем первая цифра устанавливается по основным классификационным признакам диапазону рабочих частот и максимальной рассеиваемой мощности для транзисторов и назначению для диодов. Две последние цифры являются порядковым номером разработки прибора в данной группе (табл. 9.1, 9.2). [c.204]

Также начинают применяться целые интегральные ячейки (платы) и функциональные узлы или модули. Последние в миниатюрном исполнении (микромодули) могут иметь до 20 элементов на 1 см . Одновременное совмещение транзисторов, сопротивлений, конденсаторов и диодов, выполняющих определенную функцию, упрощает разработку схем сварочных машин. [c.147]

Рассмотренные схемные модели получены в одномерном приближении и не учитывают многих эффектов, свойственных интегральным транзисторам. Для современных интегральных транзисторов характерна асимметричная структура. Транзисторы этого типа обладают следующими свойствами неоднородной областью базы (наличие градиента концентрации примесей в ней) вытеснением инжекции к периферии эмиттера пренебрежимо малым инверсным коэффициентом усиления существенно разной площадью эмиттерного и коллекторного переходов влиянием подложки на процессы в транзисторе работают при высоких уровнях инжекции, т. е. необходимо учитывать диффузию и дрейф носителей в базе. На рис. 6.5 показана схема протекания токов в интегральном п-р-я-тран-зисторе. Процессы носят выраженный двумерный характер. Отмеченные особенности приводят к появлению следующих эффектов, которые не учитывались в предыдущих моделях уменьшению коэффициента В с увеличением уровня инжекции зависимости коэффициента В от тока коллектора накоплению заряда в коллекторе при прямом смещении коллекторного перехода (фактор очень важен при моделировании режима насыщения транзистора) уменьшению Тэ и увеличению Тк при увеличении тока коллектора изменению крутизны статических вольт-амперных характеристик транзистора в режимах высоких уровней инжекции, т. е. при больших токах коллектора. Подходы к получению модели интегрального транзистора разработка оригинальных моделей, отражающих свойства интегрального транзистора модификация описанных выше схемных моделей. [c.136]

Так, электрометрические лампы оставались вне конкуренции при усилении малых электрических токов (порядка 10 А и менее). В последние годы появление полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих необычайно малые собственные токи утечек, позволило решить и эту проблему, а разработка линейных интегральных микросхем произвела настоящий переворот в аналоговой технике. Надежные, малогабаритные, дешевые, они быстро оттесняют оборудование второго поколения. [c.8]

Биполярные транзисторы были созданы в основном в результате работ В. Шокли в конце 40-х годов XX в. Их разработка стала возможной благодаря успехам физики твердого тела и, в частности, физики полупроводников, большой вклад в становление и развитие которой был сделан школой советских ученых, возглавлявшейся академиком Иоффе. [c.60]

Однако массовость и однородность продукции оправдывают эти усложнения. При необходимости введения изоляции соответствующие участки просто окисляются (об этом уже шла речь при описании МОП-транзисторов), но дополнительными ограничениями при разработке монолитных схем является строгая связь между предыдущими и последующими операциями. [c.77]

Теперь перейдем к разработке собственно посадочного места, порядок которой почти не отличается от описанного выше для транзистора. Но в данном случае следует вместо ЭДМ использовать библиотечное отверстие. Для этого щелкните по [c.246]

Простые инверторы являются чрезвычайно важным элементом при разработке логических интегральных схем. Они состоят из управляющего транзистора и нагрузки, обычно являющейся другим транзистором, поскольку эти приборы изготовить гораздо проще, чем резисторы. Управляющий транзистор должен быть нормально открытым, чтобы его можно было бы легко выключить. Если напряжение на входе велико, этот прибор включается и обладает высокой проводимостью между истоком и стоком падение напряжения на транзисторе будет, таким образом, слабым и напряжение на [c.436]

Основное внимание при разработке усилителя было обращено на получение минимальных искажении, поэтому входной каскад работает при сравнительно большом коллекторном токе (около 1 мА) Приемлемый шум в широкой полосе частот обеспечивается применением малошумящих транзисторов VT3, VT6 Усилитель охвачен час- [c.75]

В условиях холостого хода усилитель мощности должен иметь максимальную полосу пропускания и минимальный коэффициент гармоник. Второе условие требует тщательной разработки конструкции, первое — применения мощных транзисторов с высокой частотой /т. Так как мощные транзисторы обычно работают в режиме с общим эмиттером, то частота среза располагается значительно ниже /т, особенно когда сопротивление базы мощного транзистора относительно велико и приближается к значению /т(р+1), где р — отношение постоянного тока /к коллектора к постоянному току /б базы. [c.113]

Что касается искажений, то предварительный выбор их величины может быть очень критичным, что показывает, как важно при разработке сохранять стабильную рабочую точку выходных транзисторов при изменениях напряжения и температуры. В некоторых случаях искажения меняются при нагревании выходных транзисторов и при изменениях входного напряжения. Однако, как мы уже видели, в большинстве усилителей Н1—используются схемные решения, обеспечивающие стабильность рабочей точки. Одни из этих решений дают лучшую стабильность, другие — худшую. [c.131]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в следующем. Элементы микросхемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы) и их соединения создаются в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). На рис. 9.1 показана последовательность основных технологических операций изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии. Они включают [c.302]

В 50—60-х годах продолжались интенсивные разработки магнитных аналоговых элементов и усилителей. Разработанные принципы построения рядов сердечников обеспечили возможность создания оптимальных по чувствительности, коэффициенту усиления, весу, стоимости и к. п. д. магнитных элементов, работающих в широком диапазоне мощностей на основе ограниченного числа типоразмеров сердечников. Была создана общесоюзная нормаль на такие сердечники. Были разработаны новые принципы построения магнитных усилителей, модуляторов, зондов и бесконтактных реле, отличающихся повышенной чувствительностью и стабильностью на основе применения двойной (перекрестной) обратной связи, выпрямления четных гармоник нелинейными симметричными сопротивлениями, наложения взаимно перпендикулярных магнитных полей, применения двухфазных источников питания, выполнения условий минимальных искажений выходного напряжения и шумов и др. Созданные бесконтактные реле получили широкое применение в качестве измерительных элементов в системах автоматического контроля электротехнических изделий. Кроме того, были разработаны новые типы усилителей с повышенными к. п. д. и быстродействием на основе сочетания магнитных усилителей с транзисторами, устранения задержки в рабочей цепи усилителей с выходом на переменном токе и применения бестрансформаторных реверсивных схем постоянного тока. [c.265]

В 1963—1964 гг. ВИРГ совместно с ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина) провел исследования по соответствующей тематике, завершившиеся разработкой действующего макета малогабаритной аппаратуры каротажа магнитной восприимчивости на транзисторах (КМВ-Т). Результаты этих исследований явились основой для составления технического задания, по которому в настоящее время ОКБ ГП МГ УССР ведется опытно-конструкторская разработка аппаратуры КМВ-2А. В 1968 г. предполагается серийный выпуск этой аппаратуры. [c.71]

Приём сигналов в видимой области спектра X = 0,4—0,7 мкм) обычно осуществляют фотоэлектронными умножителями, использование их в области X > 0,9 мкм нецелесообразно из-за резкого уменьшения квантовой эффективности фотокатода < %). В диапазоне 0,9—3 мкм применяются кремниевые фотодиоды pin-диоды, лавинные фотодиоды, МОП-диоды (см. Полевой транзистор) с квантовой эффективностью, достигающей 10%. Создание систем О. л. в диапазоне 10 мкм в значит, степени связано с разработкой высо-кочувствит. и быстродействующих фотодиодов на основе тройных соединений (Hg dTe), работающих при охлаждении жидким азотом (77 К). [c.433]

Осн. требование к сверхвысокочастотным П, т. состоит в достижении макс, мопщости или коэф. усиления на предельно высокой частоте. Продвижение в область высоких частот требует уменьшения длины затвора и макс, использования баллистич. эффектов для достижения высокой скорости носителей. Для изготовления сверхвысокочастотных П. т. в наст, время используется в осн. GaAs, в к-ром баллистич. превышение скорости над максимально возможным равновесным значением выражено значительно сильнее, чем в Si. Серийные СВЧ П. т. работают на частотах до 40 ГГц. Лаб. разработки проводятся на частотах 90—110 ГГц. Предельная частота генерации (230 ГГц) получена в ГСЛ-транзисторах на основе GaAs/InGaAs, изготовленных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. [c.9]

В коммутаторе используются микросхема L497B и выходной транзистор BU931Z, изготовляемые фирмой СЖС — Томсон . Ведутся разработки аналогичных изделий и отечественной электронной промышленностью. Расширение технологических возможностей электроники. [c.236]

Область применения функциональных узлов в радиоаппаратуре практически не ограничена. Модульные, микромодульные и микроэлектронные узлы используют сейчас почти во всех видах аппаратуры. Некоторое отставание наблюдается лишь в мощных передающих трактах (блоках передатчиков, антенно-фидерных каналах, блоках питания передатчиков). Однако разработанные на основе новых принципов построения передающих трактов радиоустройства уже сейчас чаще всего используют интегральные микросхемы. Примером могут служить приемопередающие модули антенных фазированных активных решеток (АФАР). В этом немалую роль играют разработки более мощных транзисторов в гигагерцевом диапазоне и новые виды генераторов на основе лавинно-пролетных диодов (ЛПД) и диодов Ганна. [c.213]

Указанные недостатки моделей Эберса — Молла, зарядной и Линвилла обусловили целесообразность разработки нового варианта модели транзистора, свободного от указанных недостатков. Предложенная в работе [19] двухсекционная модель имеет эквивалентную схему, представленную на рис. 5, в, и выражается следующими уравнениями [c.60]

Необходимо различать два типа ошибок случайные или даже постоянно повторяюш,иеся машинные ошибки и ошибки, обусловленные незамеченными ошибками в программе. В наших первых работах методом Монте-Карло использовались вычислительные устройства, даюш,ие довольно много машинных ошибок, связанных главным образом с ошибками в элементах памяти, где использовались электростатические запоминаюш,ие трубки. Для обнаружения таких ошибок использовались тгдательно разработанные методы, включая циклическое суммирование инвариантной части кода и констант, а также проверочную программу , которой мы коснемся ниже. Следующее поколение машин давало значительно меньшее, но все еще заметное количество таких ошибок, связанных главным образом с выходом из строя электронных ламп в цепях возбуждения памяти на магнитных сердечниках. В последующих вычислительных устройствах на транзисторах чрезвычайно уменьшилось количество машинных ошибок благодаря уменьшению частоты выхода из строя отдельных элементов машины, включению проверочных схем (проверка на четность бит и т. д.), а также благодаря разработке промышленных машинных проверочных программ. Во многих случаях уменьшению влияния отдельных машинных ошибок способствует также сама стохастическая природа вычислений методом Монте-Карло. [c.314]

Многие дополнительные эффекты можно учесть путем добавления внешних по отношению к исходной модели схемных элементов. Например, при разработке БИС на сверхбыстродействующих, малосигнальных элементах эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) предъявляются повышенные требования к точности моделирования статических характеристик логических цепей каскадно включенных элементов. Эти требования учитываются с помощью модели транзистора (рис. 6.8). Модель транзистора программы ПА-1 без учета Гб и Гк обозначена Гь Достоинство модели состоит в том, что она включает стандартные элементы электронных схем (диоды, резисторы) и не требует непосредственной модификации модели ПА-1. Диод Оэ позволяет учесть зависимость коэффициента В от тока эмиттера /э, а диод Оп и источник тока / —влияние подложки. Параметры дополнительных элементов схемы определяются из условия наилучшего совпадения с соответствующими экспериментальными зависимостями. [c.137]

Задачи анализа цифровых схем связаны с исследованием схем невысокой степени сложности (до 100 транзисторов)—цифровых микросхем малой степени интеграции, фраг.ментов БИС и др., и сложных схем БИС с учето.м распределенных параметров электрических цепей, связывающих фрагменты БИС между собой. Основным методом анализа в первом случае является численное решение системы (6.12) на заданном интервале времени при заданном наборе входных импульсов или уровней напряжения. Обычно используются неявные методы интегрирования невысокого порядка точности с переменным шагом. В ходе интегрирования рассчитываются выходные статические и дина.мические параметры — функционалы, характеризующие цифровые схемы уровни логической 1 и О , времена задержек и длительности фронтов выходных сигналов и т. п. Во втором случае необходима разработка специальных быстродействующих алгоритмов анализа БИС. [c.146]

При разработке электронных реле-регуляторов и выборе их схемы должны быть пригшты во снимание следующие параметры генератора номинальное напряжение, ток нагрузки и максимальный ток возбуждения. По значению рабочего напряжения генератора определяется максимальное напряжение между эмиттером и коллектором транзисторов. При номинальном напряжении сети 12 В и при возможности некоторого повышения напряжения во время работы генератора допустимое напряжение между коллектором и эмиттером транзистора должно быть не менее 15 В. [c.17]

Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые. флнккерные, взрывные шумы и шумы токораспределеиия этих приборов. Книга предназначена для инженерно-технических работников н студентов вузов, специализирующихся в области разработки и изготовлення полупроводниковых приборов и приемно-усилительных устройств. [c.4]

Создание семейств интегральных схем транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ-схем) и логики на комплементарных МОП-транзисторах (КМОЦ-схем) привело к разработке многочисленных лабораторных измерителей емкости, основанных на измерении длительности выходного сигнала ждущих мультивибраторов, собранных на инвертирующих логических вентилях (например, показанном на рис. 1). Длительность каждого выходного импульса пропорциональна емкости хронирующего конденсатора и может быть измерена путем стробирования этим импульсом выходного сигнала быстродействующего мультивибратора (см. рис. 2) и путем подсчета результирующего числа прошедших на выход импульсов. Для аналогового измерения емкости можно интегрировать выходной ток ждущего мультивибратора, запускаемого высокочастотным входным сигналом. Рейб и другие исследователи [1] показали, как можно использовать ждущие мультивибраторы в сочетании с конденсаторным датчиком, имеющим параллельные обкладки, для измерения уровня топлива в баке автомобиля. Опорный конденса- [c.7]

На практике скорость передачи данных обычно определяется иа ранней стадии разработки системы связи, а лишь затем требуется оптимально спроектировать приемник, удовлетворяющий этим требованиям. Выше было показано, что можно использовать входной каскад иа кремниевом полевом транзисторе, если скорость передачи данных меньше 50 Мбит/с, или на кремниевом биполярном транзисторе при более высоких частотах. Далее, если необходимо использовать ЛФД, получаем свободу выбора наиболее подходящего коэффициента умножения. Если коэффициент шума ЛФД подчиняется простому закону, например (13.4.1) — (13.4.3), можно найти оптимальное значение коэффициента усиления, которое минимизирует общий шум. Однако при определенном уровне обратного напряжения, когда развивается микроплазма, эти законы нарушаются. При этом резко возрастают темновой ток и коэффициент шума при попытке дальнейшего увеличения М. Если оптимальный коэ ициент усиления не был превышен, будет иметь место порог для разрушения микроплазмы. На рис. 15.11 при- [c.387]

Большинство УГО различных модификаций дискретных элементов (диодов, транзисторов, переключателей, резисторов и конденсаторов) поставляется лицензионным пользователям в комплекте с профаммой. В связи с большим числом наименований разработка УГО цифровых и аналоговых микросхем затруднена, поэтому Офаничимся лишь рекомендациями по их созданию. [c.172]

Другой важный аспект двумерного моделирования касается разработки МОП-приборов. Эволюция СБИС ставит ряд новых сложных проблем. Возрастающий уровень интеграции требует постоянного уменьшения размеров элементов ИС и рассеиваемой мощности. Одновременно должно осуществляться более точное управление функциональными характеристиками приборов, которые теперь будут определяться существенно двумерным характером структур. Для адекватного анализа таких сложных приборов требуется двумерное численное моделирование. В ряде публикаций были описаны ориентированные на пользователей программы для двумерных расчетов МОП-транзисторов. Однако при уменьшении размеров элементов все более заметным становится влияние двумерности пространственных распределений концентрации легирующий примесей и топологии поверхности. Поэтому возникает необходимость объединения в единый комплекс программ двумерного моделирования приборов с программами двумерного моделирования технологических процессов их изготовления, сообщения о создании которых уже появились в литературе. [c.8]

Ионная имплантация была изобретена почти сразу после разработки биполярного транзистора. В основном патенте Шокли [4.7] уже описываются фактически все аспекты ионной имплантации. Тем не менее потребовалось долгое время (до конца 60-х годов), прежде чем эта методика была внедрена в производство. В 1962 г. с помощью ионной имплантации фосфора были изготовлены первые приборы ядерные детекторы [4.8], а в 1963 г. -солнечные батареи [4.9]. Одновременно Линхардом, Шарффом и Шиоттом [4.10] были развиты теоретические основы ионной имплантации — так называемая теория ЛШШ. Примерно с 1970 г. техника имплантации все шире и шире применялась в полупроводниковой технологии. Сначала были изготовлены МОП-транзисторы с самосовмещенными истоком и стоком, обладающие заданным пороговым напряжением, а позднее и биполярные транзисторы [4.11 - 4.13]. Сейчас, как уже отмечалось выше, ионная имплантация стала важнейшим методом легирования материалов. [c.105]

В этой главе мы попытались описать моделирование МОП-транзисторов с помощью численных методов. Были обсуждены физические основы и кратко рассмотрены все более усложняющиеся численные методы. Безусловно, только развитие основ физики полупроводников приведет к разработке моделей, пригодных для более надежного моделирования работы приборов, т. е. моделей, которые соответствовали бы достижениям технологии на современном уровне миниатюризации. Наиболее важная цель моделирования, а именно способность прогнозировать характеристики нового прибора на этапе проектирования, может быть достигнута только в том случае, если физические параметры в основных уравнениях будут проанализированы еще более тщательно. Возможно, для этого придется полностью пересмотреть некоторые общепринятые предположения и приближения и, по-видимому, это единственный способ освободиться от огромного количества подгоночных параметров и эвристических формул, которые все еще моделируют с той или иной точностью некоторые сложные физические явления. До разработки наиболее адекватной модели нужно провести очень тщательный анализ собственно физических процессов. Широкие возможности аппарата численного анализа в предсказании свойств приборов были продемонстрированы на примере программы моделирования МОП-транзистора -MINIMOS. [c.446]

Дальнейшие усовершенствования программы FIELDAY будут проводиться в направлении совершенствования физических моделей, повышения быстродействия и улучшения удобства пользования. Хорошо известно, что некоторые виды ионизирующего излучения при попадании на полупроводниковую микросхему могут привести к ошибкам в ее работе. Учет в исходной модели, используемой в программе FIELDAY, влияния а-частиц позволит оценить вклад таких процессов, как глубокая ионная имплантация, на степень чувствительности к ошибкам. Учет в этой программе усовершенствованных моделей подвижности, особенно поверхностной, значительно улучшит результаты анализа порогового режима полевых транзисторов. Время счета будет непрерывно снижаться в результате разработки и использования новых методов решения систем линейных уравнений, возможно, с помощью новых ЭВМ с векторным процессором. Нужно создать базу данных, которая позволит лучше организовать связь между программами препроцессора, программами моделирования технологических процессов, расчета физических процессов в приборе, схемотехнических моделей и программами постпроцессора. В новой базе данных будет храниться вся входная и выходная информация. В разработке сервисной части пакета FIELDAY будет также учтен и человеческий фактор, т. е. вопрос удобства пользователя. С этой целью упростится работа по формированию конечно-элементной структуры. Нужно разработать подходящие методы визуализации и интерпретации результатов, особенно для трехмерных моделей. [c.487]

Работы по эпитаксии прекрасно иллюстрируют эту взаимосвязь. Идея создания тонких эпитаксиальных пленок полупроводников была впервые высказана в 1951 г., а первые эпитаксиальные транзисторы были изготовлены в 1960 г. Быстрый прогресс в области фундаментальных исследований механизма роста тонких пленок, связанный с широким промышленным применением эпитаксиальной технологии, привел к разработке новых методов эпитаксии — молекулярно-лучевой эпитаксии и МОСУВ [c.3]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...