Пассивные компоненты

Основные задачи функционального проектирования следующие разработка структурных схем, определение требований к выходным параметрам анализ и формирование ТЗ на разработку отдельных блоков ЭВА синтез функциональных и принципиальных схем полученных блоков контроль и выработка диагностических тестов проверка работоспособности синтезируемых блоков расчеты параметров пассивных компонентов и определение требований к параметрам активных компонентов формулировка ТЗ на проектирование компонентов выбор физической структуры, топологии компонентов расчеты параметров диффузионных профилей и полупроводниковых компонентов, электрических параметров, параметров технологических процессов эпитаксии, диффузии, окисления и др. вероятностные требования к выходным параметрам компонентов. [c.10]

Следовательно, центральным фундаментальным вопросом расчета и проектирования ИС, а на их базе устройств и систем РЭА, а также ЭВМ является разработка математических моделей активных и пассивных компонентов ИС. [c.132]

По изготовлению и обработке к термобиметаллу предъявляют требования хорошей свариваемости слоев, способности к пластической и механической обработке. Получение оптимальных свойств термобиметалла достигается подбором (т. е. определенным сочетанием) его активного и пассивного компонентов. [c.319]

Для изготовления пассивных компонентов применяют также сплавы системы Ре — N1 (N1 36—48 %1, [c.334]

У сплавов системы Ре — N1 в зависимости от температуры минимальное ад может быть при различном содержании N1. Так, при температуре до 150—170 °С минимальным обладает сплав с 36 % N1, при 200—300 °С — сплав с 42 % N1, при 350—450 °С — сплав с 48 % N1. Диапазон температур, где а не меняет или незначительно меняет свою величину, также различен для этих сплавов. Рекомендуемый рабочий интервал температур для сплава с 36 % N1 0—170 С, с 40— 42 % N1 200-340 С, с 46—48 % N1 250—450°С. Таким образом, термобиметаллы о пассивным компонентом из сплавов с 42—48 % N1 более чув- [c.334]

Кроме системы Ре — N1 есть много сплавов с высоким л, но в качестве активных компонентов могут применяться немногие, а именно те из них, которые имеют модуль упругости, близкий по значению модулю упругости пассивного компонента, и хорошую свариваемость. К ним относятся сплавы меди с цинком (латуни), с оловом (бронзы), с никелем и т. д. [c.335]

ФЗ связаны между собою компонентными и топологическими уравнениями. Три компонентных уравнения устанавливают связь между разнородными ФЗ, которые относятся к одному элементу ПС. На макроуровне они оперируют соответственно с пассивными компонентами типа сопротивления (реактанса) R, что отображает диссипацию энергии с ПС у окружающую среду, и индуктивности (инерционности) L и емкости С, которые описывают процесс обмена энергией между собою (базовой выбранная электрическая ПС). [c.7]

Рядом с пассивными компонентами в системную цепь входят активные -идеальные источники энергии, которые аналогично ФЗ имеют силовой и скоростной характер и используются для моделирования внешнего действия на объект, (отображают взаимосвязь между ПС разной физической природы). [c.7]

Тепло- и массообменные процессы могут протекать в условиях химической пассивности компонентов, а также при наличии химических реакций как в объеме смеси (гомогенные реакции), так и на меж-фазной границе (гетерогенные реакции) [14, 110]. [c.262]

Если в полупроводниковой микросхеме активные и пассивные компоненты формируются путем диффузии в монокристаллическую подложку, то возникает проблема электрической развязки компонентов друг от друга. Изоляция выполняется при помощи диффузионных р—п-переходов, которые образуют встречно включенные диоды. Однако в таких структурах наблюдаются паразитные явления, которые полностью могут нарушить нормальную работу схемы [78]. [c.171]

При проектировании полупроводниковых микросхем следует широко применять рациональное сочетание полезных функций активной подложки с пассивными пленками. Осаждение пленочных пассивных компонентов производят на изолирующий слой из двуокиси кремния, образованный на полупроводниковой подложке, содержащей активные компоненты. 0)единение активных и пассивных компонентов производят с помощью осажденных пленочных проводников. Иногда такую комплексную модификацию называют гибридными микросхемами. [c.171]

Следующим этапом является расчет параметров пассивных компонентов. Сначала (блок 1 в) выбираются или вычисляются первоначальные значения параметров. Вследствие малой точности имеющихся ручных методик расчета полученный вариант схемы зачастую оказывается неработоспособным. Поэтому необходим экспериментальный или машинный анализ работоспособности схемы при выбранных значениях внутренних и внешних параметров (блок 1г). Если проверка выполнения условий работоспособности по результатам анализа даст отрицательный результат, необходимо принять меры к улучшению схемы. Такими мерами в первую очередь являются изменения номинальных значений параметров пассивных компонентов (блок 1д). При новых значениях параметров компонентов повторяют анализ схемы и проверку выполнения условий работоспособности. Если изменениями параметров пассивных компонентов не удается достичь желаемого результата, необходимо пересмотреть решения, принятые на более ранних этапах выбрать [c.15]

Как уже отмечалось в предыдущем параграфе, результаты статистического анализа служат для оценки процента выхода годных по электрическим параметрам схем, выбора тестовых норм и выбора допусков на параметры пассивных компонентов. [c.25]

В случае схем на дискретных компонентах нужно рассчитать не только номинальные значения параметров пассивных компонентов, но и их допуски. Уменьшение допусков приводит к увеличению вероятности выполнения условий работоспособности, но вызывает рост стоимости компонентов. Следовательно, должно быть принято наилучшее компромиссное решение, а это уже экстремальная задача. [c.27]

Основные трудности при практической реализации машинных методов заключаются в больших значениях Гм, особенно при решении задач проектирования нелинейных электронных схем. Действительно, известно большое количество методов решения систем уравнений (1.8 а) и методов поиска экстремума, реализованных в подпрограммах общего математического обеспечения ЦВМ. Многие из этих методов принципиально могут дать решение задачи анализа или оптимизации электронной схемы, но, как правило, с неприемлемо большими затратами машинного времени. Оценки Гм, выполненные для случая использования некоторых популярных в вычислительной практике методов решения дифференциальных уравнений и методов оптимизации, дают значения в несколько сотен, тысяч и миллионов часов машинного времени для решения задачи расчета оптимальных значений параметров пассивных компонентов. Отсюда ясно, что основным требованием к методам и алгоритмам машинного проектирования электронных схем является требование минимизации затрат машинного времени при приемлемой степени универсальности и точности решения. В настоящее время разработаны методы и алгоритмы, ориентированные на машинное решение схемотехнических задач, приводящие к меньшим затратам времени на проектирование большинства схем, чем при использовании экспериментальных методов. [c.33]

Модели пассивных компонентов [c.69]

Модели интегральных пассивных компонентов изложены, например, в работах [18, 22, 23]. [c.71]

Вывод пассивного компонента [c.248]

Калибровка блока датчика производится потенциометрами установки нуля и регулировки усиления, что позволяет исключить влияние любых погрешностей в характеристиках пассивных компонентов схемы. [c.17]

В режиме АС сначала рассчитывается режим схемы по постоянному току, затем линеаризуются все нелинейные компоненты (пассивные компоненты с нелинейными параметрами, диоды, транзисторы, нелинейные управляемые источники) и выполняется расчет комплексных амплитуд узловых потенциалов и токов ветвей. При линеаризации цис )ровые компоненты заменяются их [c.143]

Электронная конфигурация сплавов, состоящих из двух и более переходных металлов, и их пассивация не столь хорошо изучены, как в случае медно-никелевых систем тем не менее можно принять несколько полезных упрощающих допущений. Например, принимают, что наиболее пассивный компонент сплава является акцептором электронов, стремясь заимствовать электроны у менее пассивного компонента. Следовательно, в нержавеющих сталях d-электронные вакансии хрома заполняются электронами, заимствованными от атомов железа 1461. При критическом составе сплава (менее 12 % Сг) все вакансии хрома заполнёны, и коррозионное поведение сплава подобно поведению железа. При содержании Сг выше 12 % его d-электронные вакансии не заполнены и сплав по коррозионному поведению подобер хрому. [c.97]

Наиболее интересным сплавом в этой системе, применяемым для изготовления пассивных компонентов, является сплав, содержащий 36 % N1, так называемый инвар (т. е. неизменя-ющийся). Он имеет чрезвычайно низкий коэффициент теплового расширения, минимальный в этой системе (примерно в 12 раз меньший, чем у железа), малую теплопроводность и высокое удельное электросопротивление (1,0 мкОм-м). Малым коэффициентом теплового расширения в системе Ре — N1 обладают также сплавы с еще большим содержанием никеля (до 50 %). [c.334]

Электронные коммутаторы. В настоящее время различия в конструкциях коммутаторов зажигания определяются технологией их изготовления. Коммутаторы первого поколения и частично второго выпускаются по технолот ии, предусматривающей установку активных и пассивных компонентов электрической схемы на печатную плату. Мощные выходные элементы транзистора К ГМ48А устанавливают либо непосредственно на корпус коммутатора, выполняющего функцию теплоотводящего радиатора, либо на промежуточный радиатор, установленный на печатной плате, и присоединены к корпусу коммутатора при окончательной сборке коммутатора. Серьезной проблемой является электрическая изоляция корпуса транзистора (его коллектора) от корпуса коммутатора. Применяемая изоляция с помощью слюдяной прокладки ненадежна. Перспективной является использование керамических или полимерных изоляторов. Одной из проблем, требующей решения, является защита элементов печатной платы от проникновения влаги через резиновые уплотнители крышки корпуса. [c.259]

Если вернуться к блок-схеме процесса проектирования (см. рис. 2), можно заметить, что задача расчета оптимальных значений параметров компонентов разбивается на две. Первая задача может быть названа оптимизацией активного компонента (см. рис. 2, блоки 2в и 2г). Здесь целевая функция должна быть связана с требованиями к электрическим параметрам компонента, а управляемыми параметрами являются структ>фные параметры (в частном случае только геометрические параметры). Вторая задача — расчет оптимальных значений параметров пассивных компонентов — часто просто называется оптимизацией схемы (см. рис. 2, блоки 1г и 1д). Здесь управляемые параметры — параметры пассивных компонентов, а целевая функция должна быть связана с техническими требованиями ТТ к выходным параметрам. [c.26]

В заключение данного параграфа отметим, что рассмотренные способы 1—6 относятся к способам постановки не только задачи расчета параметров пассивных компонентов на этапе проектирования принципиальных электрических схем, но и задачи расчета структурных параметров при проектировании интегральных компонентов по заданным требованиям к электрическим параметрам. В отношении такой экстремальной задачи, как расчет тестовых норм, следует отметить, что ее решение преследует цель рассчитать такие нормы, при которых максимизируется процент выхода годных схем. Следовательно, формулировка этой задачи должна выполняться по способу 5. Этому вопросу посвящены, например, работы [12], [13]. В этих работах задачи расчета параметров компонентов и тестовых норм объединяются в одну общую задачу. Однако отмеченные выше недостатки способа 5 ограничивают возможности решения этой общей задачи только случаями простейших схем. Практически целесообразно раздельное решение этих двух задач. [c.43]

На рис. 1.7 схематически представлено расположение основных узлов персшального компьютера фирмы 1ВМ на схемной плате. Габаритные размеры платы 216X305 мм. На ней смонтировано большое число кремниевых микросхем каждая имеет размер примерно 6,5Х6,5 мм и размещена в прямоугольном пластмассовом корпусе с выводами. Микросхемы и пассивные компоненты (резисторы и конденсаторы) соединяются между собой печатными проводниками. 16-разрядный микропроцессор модели 8088 фирмы 1п1е1 содержит более 20 тыс. транзисторов и имеет тактовую частоту около 5 МГц. Системные программы размещаются в ПЗУ, а в ОЗУ хранятся те программы и данные, которые меняются в процессе работы системы. [c.38]

С малым температурным коэффициентом линейного расширения. Инвар Н36 — никелевая сталь применяется для изготовления эталонных длин, инерционных масс, пассивных компонентов в биметаллических пружинах и т. д. Платинит Н42— никелевая сталь, благодаря близости его температурного коэффициента линейного расширения (аг.плат = 8,3-10 1/ С) к температурному коэффициенту линейного расширения стекла (ат.ст==9-10 ]°С) используется для изготовления деталей, зафор-мовываемых в стекло. [c.45]

Компонент с меньшим коэффициентом линейного расширения называют пассивным, с большим коэффициентом — активным. Пассивный компонент обычно делают из инвара Н36 или платинита Н42, активный — из хромоникелевой стали, никель-молибденовой стали, монель-металла, латуней Л62, Л68, ЛЖНбО—1,5—1,0, ЛОС60— [c.135]

Passive-H — вывод пассивного компонента с высоким уровнем (резистор, подключенный к V ) [c.415]

Passive-L — вывод пассивного компонента с низким уровнем (резистор, подключенный к GND) [c.416]

Приведем формулировку Ю. С. Мелещенко, объясняющую причины подобного возражения Предмет труда представляет собой в значительной мере пассивный компонент процесса материальной деятельности человека... Предмет труда всегда служит объектом целесообразной деятельности, но не является ее средством. Поэтому предмет труда не относится к технике (Ю. С. М е л е щ е н-к о. Технический прогресс и его закономерности, стр. 22—23). [c.18]

При проектировании плат следует учитывать предпочтительное расположение компонентов. Все пассивные компоненты должны быть расположены параллельно друг другу, все компоненты в корпусах 801С должны размещаться перпендикулярно длинной оси пассивных компонентов, при этом длинная ось 801С должна быть параллельна направлению движения платы при пайке "волной". Компоненты одного типа предпочтительно размещать в одном направлении и по возможности группировать их вместе (рис. 2.81). [c.170]

Passive-Н Вывод пассивного компонента, подключаемого к цепи питания Passive-L Вывод пассивного компонента, подключаемого к общему проводу [c.248]

Из других достоинств Mi ro- ap 7 отметим исчерпывающую встроенную помощь и возможность задания функциональных зависимостей параметров схемы (как функций времени, токов ветвей и узловых потенциалов), причем эти возможности даже несколько шире, чем в последних версиях Or AD 9.2 — в них можно сделать параметры пассивных компонентов зависящими только от токов или напряжений других ветвей схемы, в этих целях не нужно больше применять управляемые источники токов или напряжений. Приведем перечень основных характеристик Mi ro- ap 7 [c.9]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...