Носители энергии внешние

Следует отметить, что. дуга, луч, газовое пламя являются внешними носителями энергии, от которых энергия передается в изделие конвекционным или контактным путем. При термитной сварке разогрев происходит за счет внутреннего источника путем преобразования в теплоту химической энергии термита. [c.27]

При взаимодействии акустоэлектрических волн с носителями тока в пьезоэлектрическом полупроводнике возможно поглощение или усиление этих волн [9—11J. Когда дрейфовая скорость носителей во внешнем электрическом поле меньше скорости волны, волна поглощается и ее энергия переходит к электронам (дыркам). Если н е скорость дрейфа превышает скорость звука, то возникает когерентное излучение звука дрейфующими электронами и волна усиливается за счет энергии стационарного дрейфа носителей. Взаимодействие дрейфующих зарядов с объемными ультразвуковыми волнами подробно исследовано [13—16], и мы лишь вкратце напомним постановку задачи в гидродинамическом приближении. [c.73]

Дуга, луч, газовое пламя — внешние носители энергии, от которых энергия передается в изделие тем или иным способом. При термитной сварке разогрев происходит за счет внутреннего источника в результате преобразования в теплоту химической энергии, выделяемой при реакции горения термита. Для всех термических процессов сварки плавлением (независимо от вида носителя энергии — инструмента) в стык энергия вводится всегда путем расплавления металла. [c.23]

Двигатель, воспринимая внешнюю энергию носителя, превращает ее в кинетическую энергию передаточного и исполнительного механизмов или в потенциальную энергию передаточного рабочего тела, создавая ее определенный уровень в машине. Характеристические признаки двигателя вид носителя энергии, или рабочего тела, и тип привода. В качестве носителя энергии, или рабочего тела, в двигательных механизмах современных КШМ применяют пар, газ, жидкость, взрывчатые вещества, горючие смеси и электричество. Привод может быть индивидуальным или групповым, когда несколько рабочих машин получают движение от одного двигателя. [c.4]

КОСМИЧЕСКИЙ КОРАБЛЬ БУРАН . Энергия - Буран обеспечивает не только доставку на орбиту больших грузов, но и возвращение их на Землю. С краткими характеристиками мощной ракеты-носителя Энергия мы уже познакомили наших читателей, здесь мы хотим рассказать о космическом корабле Буран . Буран является логическим продолжением работ конструкторов космической техники, он объединяет в себе весь накопленный опыт отечественной и мировой ракетно-космической и авиационной науки и техники. В основу конструкции космической системы положена самолетная схема типа бесхвостка с крылом переменной стреловидности. Общая длина его составляет 36,4 м. Размах крыльев около 24 м, высота на стоянке 16,5 м. Его грузовой отсек под стать грузовому вагону, в котором может быть размещен груз массой до 30 т при общей стартовой массе до 105 т. Посадочная скорость около 340 км/ч, как у современного истребителя. В носовом отсеке располагается герметичная цельносварная вставная кабина объемом более 70 м1 С внешней стороны корпуса нанесено специально разработанное теплозащитное покрытие массой не менее 9 т. [c.53]

Возникновение электронной или дырочной электропроводности при введении в идеальный кристалл различных примесей обусловлено следующим. Рассмотрим кристалл 81, в котором один из атомов замещен атомом 8Ь. На внешней электронной оболочке 8Ь располагает пятью электронами (V группа периодической системы). При этом четыре электрона образуют парные электронные связи с четырьмя ближайшими атомами 81. Свободный пятый электрон продолжает двигаться вокруг атома 8Ь по орбите, подобной орбите электрона в атоме На однако сила его электрического притяжения к ядру уменьшится соответственно величине диэлектрической проницаемости 81. Поэтому для освобождения пятого электрона требуется незначительная энергия (приблизительно 0,008 адж). Такой слабо связанный электрон легко отрывается от атома 8Ь под действием тепловых колебаний решетки при низких температурах. Низкая энергия ионизации примесного атома означает, что при температурах около—100° С все атомы примесей в Се и 81 уже ионизированы, а освободившиеся электроны участвуют в процессе электропроводности. При этом основными носителями заряда являются электроны и возникает электронная (отрицательная) электропроводность, или электропроводность п -типа. [c.388]

При наложении внешнего напряжения в проходном направлении возникает обычный диодный небольшой ток. Однако ввиду того что по разные стороны перехода, разделенного потенциальным барьером, энергии носителей одинаковы, возникает туннельный эффект (см. 29), в результате которого носители проникают через потенциальный барьер на другую сторону от перехода без изменения энергии. Благодаря этому через переход течет более значительный ток. При дальнейшем увеличении разности потенциалов энергия электронов в и-области у перехода увеличивается, а в /j-области - уменьшается (рис. 126,6) и область перекрытия примесных уровней начинает уменьшаться. В результате этого сила тока начинает уменьшаться. Максимум силы тока достигается при наиболее полном перекрытии зон (рис. 126, а). Когда примесные зоны сдвигаются друг относительно друга настолько, что каждой из них на другой стороне перехода противостоит запрещенная зона (рис. 126,6), туннелирование становится невозможным и сила тока через переход уменьшается. При достаточно больших разностях потенциалов зоны проводимости п- и /7-областей оказываются почти на одном уровне (рис. 126, в) и становится возможным возникновение обычного диодного тока. Сила тока начинает снова возрастать. Вольт-амперная характеристика туннельного диода показана на рис. 127. [c.361]

ЭТОМ основные носители заряда в р- и п-полупроводниках, имеющие наибольшую энергию, получают возможность проникать через обедненный слой в области, где они оказываются неосновными носителями заряда и рекомбинируют. Такое направленное движение носителей заряда является электрическим током, и можно сказать, что электронно-дырочный переход при такой полярности внешнего напряжения будет открыт и через него потечет прямой ток. [c.282]

В случае следящего преобразования (рис. 4.108, б) в конструкцию вводится вспомогательный реверсивный двигатель 1, получающий питание от внешнего источника энергии и приводящий в движение через передаточный механизм 2 регистрирующий орган 3 с носителем 4. [c.514]

Между тем еще в 1935 г. советский ученый Э. С. Бауэр в своей Теоретической биологии высказал ряд соображений, близких к представлениям Шредингера, но выраженных иной терминологией. Бауэр сформулировал три основные особенности живых систем самопроизвольное изменение состояния — они похожи на заведенные машины аккумуляторы, часы и т. п. противодействие внешним силам, приводящее к изменению первоначального состояния окружающей среды постоянная работа против уравновешивания с окружающей средой. Первые две особенности встречаются и у других систем а вот третья является отличительным признаком живых. Поэтому Бауэр назвал ее всеобщим законом биологии , который имеет ясный термодинамический смысл как в неживых системах устойчиво их равновесное состояние, так в живых устойчиво неравновесное. При этом носителем свободной энергии, которая может освобождаться при определенных условиях, является структура живых систем — за счет ее изменения и поддерживается их неравновесное состояние. [c.176]

При вдуве однородного охладителя (11-129) и (11-130) дают совпадающие значения Т1 на большом расстоянии вниз по течению от пористой вставки, причем эти значения подтверждаются экспериментом. Вблизи пористой вставки они хуже согласуются с данными измерений, по-видимому, потому, что исходные допущения (полное смешение обоих потоков до установившегося теплового состояния в слое и независимость толщины пограничного слоя от количества вдуваемого газа) не соответствуют реальным условиям. Рассматривать вдуваемый газ только как носитель определенного количества энергии и пренебрегать дополнительным объемом газа, вводимого в пограничный слой, означает не учитывать изолирующего действия вдуваемого газа, отделяющего стенку от внешнего потока. Если учитывать только увеличение объема газа в пограничном слое, уравнение для т] может превратиться по виду в уравнение для мольной доли добавляемого газа в пограничном слое [см. (11-132) и (11-133)]. При вдуве воздуха в воздух указанное ограничение не имеет существенного значения и (11-129) и (11-130) можно использовать для определения [c.397]

Другая категория носителей, которые по существу представляют собой системы, требует дополнительной энергии для записи информации (т. е. для модуляции параметров среды). Эти носители в большинстве случаев имеют слоистую структуру, состоящую из модулирующей среды, нанесенного на нее слоя фотопроводника и двух прозрачных электродов, напыленных на внешние стороны фотопроводящего слоя и модулирующей среды. В качестве модулирующих сред используются материалы, оптические характеристики которых изменяются под действием электрического поля. Электрическое поле, воздействующее на модулирующую среду, создается напряжением, подаваемым на электроды. [c.127]

Фотоприемники с р — д-переходом также применяются для измерения лазерной энергии и мощности [75, 76]. Такие устройства подобны фотосопротивлениям, но не требуют внешнего напряжения для разделения электронно-дырочных пар, генерируемых фотонами. Пары разделяются в поле, создаваемом контактной разностью потенциалов в месте соединения двух различных материалов, таких, как металл и полупроводник или два различных полупроводника р — д-переход). Свободные носители, возникающие при освещении, проходя через р — п-переход, создают ток во внешней цепи. [c.123]

Исторически понимание влияния рассеяния энергии на устойчивость углового положения тела было в значительной мере облегчено эвристическими соображениями, ставшими известными под названием энергетического метода исследования. Вкратце процесс познания развивался следующим образом первоначально предполагали, что аппарат (будь-то просто вращающееся твердое тело, или система с двойным вращением, или система с многократным вращением )) состоит из минимально необходимого числа жестких звеньев, не способных рассеивать энергию цель исследования такой системы заключалась в нахождении углового движения аппарата при отсутствии моментов внешних сил. Далее признали наличие частей аппарата, рассеивающих энергию рассчитывали относительные движения, приводившие к рассеянию энергии, причем движение носителя задавалось заранее, исходя из предположения об отсутствии внутренних перемещений. Наконец, скорость рассеяния, полученную указанным образом, принимали в качестве меры убывания кинетической энергии аппарата, рассматриваемого согласно исходной модели. Конечно, такая методика последовательных приближений формально не обоснована. Заключения, полученные на ее основе, должны быть подтверждены при помощи более достоверных методов. Однако изложенный прием неоценим при предварительных оценках. [c.102]

Введение понятия эффективная масса дает возможность описывать движение свободных носителей заряда в полупроводнике как перемещение заряженных частиц без учета периодического поля кристаллической решетки. У электронов, находящихся вблизи дна зоны проводимости, ускорение на длине свободного пробега пропорционально приложенной силе. Эффективная масса введена как коэффициент пропорциональности между силой и ускорением по аналогии со вторым законом Ньютона. У электрона она может быть и меньше и больше массы электрона в свободном пространстве. При движении электрона но кристаллу в отсутствие внешнего поля его полная энергия остается постоянной. [c.56]

Свободные носители заряда в полупроводнике, для образования (генерации) которых требуется затрата энергии, могут возникать вследствие различных причин — термической ионизации, ионизации светом и других внешних воздействий. При тепловом возбуждении, как указывалось в 8.2, имеет место термодинамическое равновесие между свободными носителями заряда и кристаллической решеткой. [c.61]

При образовании свободных носителей заряда в полупроводнике за счет внешних воздействий, например света, энергия свободных носителей в момент их образования может сильно отличаться от средней тепловой энергии решетки. Это означает отсутствие термодинамического равновесия между решеткой и образовавшимися свободными носителями. Такие носители заряда называют неравновесными. Однако следует иметь в виду, что термодинамическое равновесие устанавливается за очень короткий промежуток времени порядка 10" с и неравновесные носители заряда в дальнейшем не отличаются от равновесных. [c.61]

Даже в отсутствие каких-либо внешних воздействий на полупроводник, только за счет энергии тепловых колебаний решетки концентрация свободных носителей заряда в нем должна была бы непрерывно увеличиваться во времени. Этого не происходит потому, что помимо процесса генерации имеет место и обратный процесс — процесс р е -комбинации, при котором исчезает пара свободных носителей заряда — электрон и дырка. [c.61]

Явление разогрева электронно-дырочного газа состоит в том, что свободные носители заряда за счет увеличения скорости движения во внешнем электрическом поле обладают энергией, большей, чем равновесная тепловая энергия решетки. Такие носители называют г о-р я ч и м и . [c.68]

Если свободный электрон под действием внешнего электрического поля приобретает энергию, достаточную для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости, то возможна ударная ионизация. Ионизирующий электрон при этом остается в зоне проводимости. Таким образом, ударная ионизация приводит к увеличению числа свободных носителей заряда в полупроводниках. [c.70]

Удельная электрическая проводимость полупроводника в отсутствие внешнего воздействия на него, в том числе и света, определяется равновесной концентрацией свободных носителей заряда Пд и Ро, генерируемых за счет тепловой энергии решетки [c.85]

Более широкой областью спектральной чувствительности характеризуются фотоэлектрические приемники излучения на основе внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Поглощение фотона с энергией, превышающей энергетический интервал между заполненной валентной зоной и свободной зоной проводимости, приводит к образованию пары неравновесных носителей тока — электрона и дырки. Красная граница внутреннего фотоэффекта определяется шириной запрещенной зоны. Она зависит от природы полупроводника и может лежать в области значительно более длинных волн, чем у приемников с внешним фотоэффектом. [c.465]

Масса то в выражении (1а) участвует в оценке внутренней энергии, за счёт которой реализуется реактивный принцип (информация о ракете в её начальном состоянии). Ракета как носитель своей внутренней энергии находится в определённом месте в определённое время. Нарушения симметрии нет, но и параметр то не описывает внешние инерционные свойства, а скорее является параметром во внутренней энергетической информационной характеристике. [c.243]

Общие уравнения. Конвективная теплопередача осуществляется путём переноса энергии перемещающимися в пространстве частями жидкости (капельной или газа). Теплообмен, достигаемый конвективной теплопередачей, является следствием переноса энергии перемещающимися конечными массами жидкости, сопутствуемого обязательно кондукцией, т. е. переносом энергии элементарными частицами носителя прн их соприкосновении (контакте) здесь коидукция осуществляется в условиях совершенно отличных, чем в твёрдых телах, она зависит от перемещения конечных масс носителя энергии. Различают конвекцию естественную (свободную) и вынужденную в первой перемещенпе масс жидкости есть следствие неравенства удельных весов жидкости в различных точках её за счёт неравенства в них температур во второй — перемещение масс жидкости определяется какими-нибудь внешними побудителями, например, напором вентилятора, циркуляционного насоса. [c.490]

Существуют автоматические регуляторы прямого действия, работающие без вспомогательных источников энергии, и регуляторы непрямого действия, использующие энергию внешних источников. По виду источника энергии и основного носителя сигналов регуляторы непрямого действия подразделяют на электрические, пневматические, гидравлические и смешанные (электрогидравличес-кпе и электропневматические). [c.466]

Не зависящие от пути интегралы впервые ввел Дж. К. Максвелл в электромагнитной теории поля, когда он определял силы неэлектромагнитного происхождения, действующие на носители электрических зарядов или магнитных вихрей (см. [13]). Однако в случае точечного заряда этот интеграл оказался расходящимся (парадокс расходимости), и, чтобы обойти эту трудность, физики использовали искусственный прием (восходящий еще к Кулону), излагаемый с тех пор во всех, в том числе школьных, учебниках физики Сила Fi, действующая на точечный заряд q в электрическом поле, равна = где — напряженность внещнего поля в точке расположения заряда без учета самого заряда, ф° — энергия взаимодействия, т. е. энергия внешнего поля без заряда . Это хорошо проверенный опытный факт, который до работ автора обзора никак не был связан с инвариантными интегралами. [c.352]

Термические процессы. Для всех термических процессов сварки независимо от вида носителя энергии (инструмента) она вводится, в конечном итоге, всегда через расплавленный материал. Энергия хаотически движзшщхся частиц расплавленного материала носит в термодинамике название термическая , чем обосновано наименование этих процессов. Дуга, луч, газовое пламя - внешние носители энергии, от которых энергия передается в изделие тем или иным способом. При термической сварке разогрев происходит за счет внутреннего источника в результате преобразова- [c.13]

При традиционном описании процесса пластической деформации исходят из того, что существующие в кристаллах системы скольжения позволяют обеспечить его формирование без разрушения сплошности. В.Е. Паниным и др. [11] было доказано, что пластическое течение происходит одновременно на нескольких уровнях, причем трансляция на одном уровне обязательно сопровождается поворотом на более высоком уровне, и наоборот. Принципиально важным в этом подходе является то, что любое нарушение структуры кристалла при подводе к нему внешней энергии рассматривается с позиции самоорганизации локальных структур, обусловленной энтропийными эффектами. Вторичные структуры, формирующиеся в деформируемом кристалле при достижении необходимого уровня возбуждения, представляют совокупность локальных структур - от дефектов типа точечных или линейных до аморфного состояния, возникающего при высокой плотности дефектов. Таким образом, при анализе пластической деформации кристаллов необходимо учитывать кооперативное взаимодействие трансляции, ответственной за изменение формы (дисторсии), и ротации, ответственной за изменение объема (дилатации). При этом важную роль в распространении скольжения играют границы зерен. Эволюция скольжения включает образование полос скольжения на начальных этапах пластической деформации, которые потом трансформируются в полосы микроскопического сдвига, что приводит к возникновению зоны локализованной макропластической деформации, проходящей через весь объем. Переход от одного масштабного уровня (микрополосы) к другому (макротюлосы) являет собой неустойчивость пластической деформации, предопределяющую шейко-образование. Он характеризуется тем, что шменяются элементарные носители деформации - дислокации сменяются дисклинациями. Дисклинации являются более энергоемкими дефектами, чем дислокации, что позволяет системе про- [c.241]

Горячие носители — электроны (дырки) полупроводника, средняя юитетическая энергия которых во внешнем электрическом ноле npeubiinaei среднюю тепловую кТ). в Групповая скорость — кваптово-механичсская скорость квазичастицы, равная [c.280]

Чистый совершенный полупроводник (например, 51, дл которого АЕ 1,1 эВ) вблиаи абсолютного нуля ведет себя как изолятор. С повышением температуры наступает такой момент, когда энергии теплового возбуждения достаточна для массового переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. В результате такого перехода в зоне проводимости появятся электроны, а в валентной зоне — свободные от электронов энергетические уровни, которые, можно в разумных границах ассоциировать с положительными зарядами (дырками). В отсутствие внешнего электрического поля электроны и дырки совершают хаотическое движение. При включении внешнего электрического поля осуществляется направленное движение носителей заряда (дрейф) причем электроны двигаются преимущественно против поля,, а дырки —по направлению поля. [c.84]

Газы в слабых электрических полях и при не очень высоких температурах обладают весьма малой удельной проводимостью. При этих условиях весьма немногочисленные свободные носители заряда — электроны и ионы — образуются лишь под действием внешних ионизаторов невысокой интенсивности—космических лучей и естественного ионизирующего излучения. Поэтому при указанных условиях газы являются отличными диэлектриками с удельным сопротивлением порядка 10 Ом-м, практически не имеющим диэлектрических потерь (tg б порядка 10 ). Повышение электропроводности газов происходит при высоких температурах, начиная с 10 — Ю К, когда энергия теплового движения частиц газа велика и при столкновении они могут ионизовать друг друга (происходит термическая ионизация). Термоионизация воздуха нарастает, начиная с температуры 8000 К. При 20 ООО К воздух ионизуется практически полностью [c.545]

Под воздействием внешнего электрического поля напряженностью Е на полупроводник его энергетические зоны становятся наклонными. о происходит из-за добавления к энергии электрона в полупроводнике в случае отсутствия внешнего поля дополнительной энергии, обусловленной внешним электрическим полем. Как видно из рис. 8.5 (горизонтальные переходы / и 2), в сильном электрическом поле при наклоне зон возможен переход электрона из валентной зоны и примесных уровней в зону проводимости без изменения энергии — путем туннельного просачивания электронов через запрещенную зону. Этот механизм увеличения концентрации свободных носителей под действием сильного электрического поля называют электростатической ионизацией. Она возможна в электрических полях с напряженностью порядка Id В/м. Если свободный электрон под действием внешнего электрического поля приобрета- [c.274]

Примесямк второго вида для германия служат элементы третьей группы, например, индия, на внешней оболочке которого имеется три валентных электрона. При замещении атома германия индием возникают связи лишь с тремя атомами, а с четвертым — связь оказывается нарушенной. Для заполнения этой связи атом индия захватывает один из электронов, образующих валентную связь в кристалле, и дополняет свою внешнюю оболочку четвертым электроном для этого требуется незначительная энергия — 0,011 эв. Однако при этом нарушается одна из валентных связей между близлел<ащими атомами германия, откуда был захвачен этот электрон, т. е. образуется дырка. Возникновение дырки не сопровождается появлением свободного электрона. Атом индия приобретает отрицательный заряд, но этот заряд не может являться носителем. [c.173]

При падении солнечного излучения на р-п переход с разомкнутой внешней цепью прои зойдет смещение уровней Ферми (рис. 5,14) Это связано с тем, что фотоны с энергиями превышающими ширину запрещенной зоны могут вызывать образование пар основных и неосновных носителей в веществе с проводимостью п- и р-типа. Возникающие дополнительные носители заряда увеличивают уровень Ферми в веществе, имеющем проводимость [c.99]

Помимо использования фотоэлементов как преобразователей солнечной энергии в электрическую, они применяются также в качестве чувствительных датчиков, реагирующих на изменение интенсивности светового потока. Широкое применение для этой цели получили германиевые, меднозакисные, селеновые, сернистосеребряные, сернистоталлиевые и другие элементы. Интегральная чувствительность их примерно на 2—3 порядка выше, чем у элементов с внешним фотоэффектом. Для ее повышения фотоэлементы конструируют так, чтобы возможно большее число носителей, возникающих при освещении, достигало р — -перехода. С этой целью базу элемента w (рис. 12.10, а) делают как можно тоньше, а полупроводниковый материал выбирают с возможно большей диффузионной длиной носителей L, чтобы выполнялось соотношение w< L. [c.330]

Влияние внешних полей. Структура края фуидам. Поглощения изменяется под влиянием электрик, и магн. полей. Электрич. попе наклоняет зоны и делает возможным туннельный переход при йш < Sg (си. Келдыша — Франца эффект). Магн. иоле вызывает квантование энергии электронов и дырок, т. е. возникновение эквидистантных Ландау уровней, расстояние между к-рыми равно кеШт, где т — эфф. масса электрона или дырки. Плотность состояний носителей заряда вблизи уровней Ландау возрастает, вследствие чего появляются осцилляции коэф. поглощения как ф-цни частоты света. Максимум поглощения соответствует переходам между уровнями Ландау. Изучение осцилляций позволяет расшифровать спектр электронов и дырок (см. Квантовые осцилляции в магнитном поле). [c.42]

Стирают изображение после считывания, равномерно освещая модулятор светом, который обеспечивает необходимую генерацию свободных носителей в кристалле. Для этого чаще всего используют ксеноновые лампы. Электрическая энергия, которую необходимо подать на такую лампу для полного стирания изображения в модуляторе, порядка 0.1 Дж. Электроды перед освещением модулятора стирающим импульсом света закорачиваются, или к ним прикладывается напряжение обратной полярности по отношению к напряжению, которое подается при записи. При воздействии стирающего света поле полностью и равномерно во всех частях кристалла компенсируется, т. е. изображение стирается. Если при стирании прикладывалось напряжение обратной полярности, то при записи изображения в следующем цикле поле в кристалле оказывается в два раза больше, чем в случае стирания при закороченных электродах, так как поле компенсирующего заряда, накопленного при стирании, складывается с внешним электрическим полем. За счет этого чувствительность и дифракционная эффективность модулятора, которые увеличиваются с увеличением напряжения, оказываются выше, чем в случае стирания при закороченных электродах [8.6]. [c.164]

Рассеяние носителей заряда. При направленном перемещении электрических зарядов во внешнем электрическом поле (дрейфе или диффузии) носители заряда на пути свободного пробега приобретают от электрического поля энергию. Эта энергия тратится при соударениях — взаимодействиях с молекулами и атомами вещества, которые находятся в состоянии теплового движе1)ия. Отдавая энергию при соударении, носитель заряда повышает интенсивность хаотического движения частиц вещества, следовательно, повышает температуру диэлектрика. По этой причине электропроводность увеличивает е", tg6 и р (мощность рассеяния энергии) диэлектрика, которые зависят от плотности протекающего через диэлектрик активного тока. Соответствующие формулы приведены в табл. 3.3. Из них следует, что электропроводность сказывается на величине tg6 и на коэффициенте потерь е" главным образом при низких частотах оба эти параметра убывают с частотой как 1/со. Удельная мощность потерь в этом случае сводится к мощности потерь при постоянном напряжении (р = = оЕ ). Таким образом, снижение с частотой е" и tg6 не означа- [c.76]

Работа полупроводникового люминофора происходит следующим образом. Внешний источник, сообщая атому энергию W > AW, переводит электрон из валентной зоны в зону проводимости ), откуда часть электронов переходит на уровень ловушки (2), где может находиться длительное время. Далее возможна рекомбинация — воссоединение захваченного электрона с дыркой (5) — или возвращение электрона под действием теплового движения в зону проводимости [4) с переходом (5) в валентную зону. Переходы 3 и 5 сопровождаются излучением кванта света hf. В некоторых полупроводниках люминесценция обусловлена межпримесной рекомбинацией — переходом электрона от донора к акцептору. В электролюминофорах излучение происходит в результате рекомбинации носителей заряда при инжекции электронов из п- в р-область. [c.254]

Появление электронной или дырочной проводимости при введении в идеальный кристалл различных примесей происходит следующим образом. Предположим, что в кристалле кремния один из атомов замещен атомом сурьмы. Сурьма на внешней электронной оболочке имеет пять электронов (V группа периодической системы). Четыре электрона образуют парные электронные связи с четырьмя ближайшими соседними атомами кремния. Оставшийся пятый электрон будет двигаться около атома сурьмы по орбите, подобной орбите электрона в атоме водорода, но сила его электрического притяжения к ядру уменьшится соответственно диэлектрической проницаемости кремния. Поэтому, чтобы освободить пятый электрон, нужна незначительная энергия, равная примерно 0,05 эв ( =0,008 адж). Слабо связанный электрон легко может быть оторван от атома сурьмы под действием тепловых колебаний решетки при низких температурах. Такая низкая энергия ионизации примесного атома означает, что при температурах около —100° С, все атомы примесей в германии и кремнии уже ионизированы, а освободившиеся электроны участвуют в процессе электропроводности. В этом случае основными носителями заряда будут электроны, т. е. здесь имеет место электронная проводимость или проводимость п-типа п — первая буква слова negative). [c.149]

Действие фотоэлементов основано на появлении фото-э. д. с.—так называемом вентильном фотоэффекте, сущность которого заключается в следующем. Под влиянием поглощения световой энергии в полупроводнике будут возникать неосновные носители, электроны и дырки, которые будут переноситься через имеющийся в фотоэлементе запорный слой, создавая на электродах фото-э. д. с. Одновременно с ростом концентрации электронов в л-зоне и дырок в р-зоне будет усиливаться создаваемое ими внутреннее поле обратного знака таким образом установится равновесная концентрация зарядов. Широко применяемый селеновый фотоэлемент устроен следующим образом на металлический электрод нанесен слой селена, сверху которого расположен запорный слой р—п-перехода, покрытый тонким слоем золота, образующим полупрозрачный электрод, пропускающий внешний световой поток. На этом электроде под влиянием освещения создается отрицательный, а на нижнем положительный заряды (рис. 7-7). Чувствительность селеновых фотоэлементов составляет 500 мка/лм, серноталлиевых — [c.331]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...