Электронно-дырочный переход

В полупроводниковых лазерах наиболее распространенным методом создания инверсной населенности является инжекция неравновесных носителей заряда через р-/г-переход. Электронно-дырочный переход (р-п) — это переходная область, с одной стороны которой полупроводник имеет дырочную (р) проводимость, а с другой — электронную п). Необходимо отметить, что речь идет об одном образце, а не о контакте между двумя образцами р- и rt-типа. [c.317]

Если полупроводник в одной своей части обладает электронной, а в другой - дырочной электропроводностью, то границу. между этими областями называют электронно-дырочным переходом, или р-п-переходом. [c.66]

Статическая вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода представлена на рис. 3.18. [c.69]

Рис. 3.18. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода

Электронно-дырочный переход (р-/г-переход) [c.280]

Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность р-типа, а другая — п-типа, называют электронно-дырочным переходом или р-п-пере-ходом. [c.280]

Создать р-п-переход механическим соединением двух полупроводников с различным типом электропроводности невозможно, электронно-дырочные переходы получают путем введения в полупроводник донорной и акцепторной примесей таким образом, чтобы одна часть полупроводника обладала электронной, а другая — дырочной электропроводностью. [c.280]

ЭТОМ основные носители заряда в р- и п-полупроводниках, имеющие наибольшую энергию, получают возможность проникать через обедненный слой в области, где они оказываются неосновными носителями заряда и рекомбинируют. Такое направленное движение носителей заряда является электрическим током, и можно сказать, что электронно-дырочный переход при такой полярности внешнего напряжения будет открыт и через него потечет прямой ток. [c.282]

При смене полярности внешнего напряжения электрическое поле объемных зарядов и внешнее поле будут совпадать по направлению. В результате действия суммарного электрического поля основные носители будут двигаться от перехода и пересечь переход смогут только неосновные носители. Так как количество неосновных носителей во много раз меньше основных, то и ток, ими обусловленный, будет мал по сравнению с тем, который получится при прямом включении. При данном включении электронно-дырочный переход заперт и через него может протекать только малый обратный ток неосновных носителей. [c.282]

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ [c.175]

Рис. 13.4. Электронно-дырочный переход в замкнутой цепи при воздействии внешнего напряжения

Получение р-п-перехода. Электронно-дырочные переходы могут быть получены несколькими методами. [c.184]

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД. [c.217]

Диффузионный метод (диффузионные р-н-переходы). Электронно-дырочный переход может быть получен также диффузией акцепторной примеси в донорный полупроводник или донорной примеси в акцепторный полупроводник. Диффузию можно вести из газообразной, жидкой или твердой фазы. Глубина проникновения примеси и залегания р—/г-перехода определяется температурой и вре- [c.218]

Частотные свойства р — к-нерехода. Помимо диффузионной емкости, электронно-дырочный переход обладает еще так называемой барьерной, или зарядовой, емкостью, связанной с изменением величины объемного заряда р — н-перехода под влиянием внешнего смещения. [c.234]

Расчет распределения потенциала в области электронно-дырочного перехода или в приповерхностном слое. [c.74]

Определение пробивного напряжения электронно-дырочного перехода производится с помощью электроинтегратора в два этапа. Сначала путем измерения потенциала в узлах сетки находятся значения напряженности электрического поля, а затем по этим значениям рассчитывается пробивное напряжение. [c.79]

Метод намерения Д. д. состоит в генерации неравновесных носителей (обычно светом, путём проектирования ярко освещённой щели на поверхность образца) н их регистрации на нек-ром расстоянии г от. места генерации. Коллектором неравновесных частиц может служить электронно-дырочный переход или контакт металл-полупроводник. Изменяя г (расстояние между световой н елью и коллектором) и сигнал, снимаемый с коллектора, можно определить стационарное распределение концентраций неравновесных носителей. Зная зависимость концентрации от отношения r/L, определяют L. [c.686]

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД — то же, что [c.558]

При пайке полупроводниковых материалов припои должны образовывать электронно-дырочный переход или невыпрямляющий омический контакт. В производстве германиевых и крем- [c.272]

Для эффективного преобразования энергии теплового излучения в электричество используются полупроводниковые структуры с электронно-дырочным переходом (р-л-переходом), который представляет собой область раздела между слоями полупроводникового материала, имеющими проводимость противоположного знака. В этой области в результате взаимной диффузии основных носителей тока образуется двойной электрический слой объемных зарядов — контактное электрическое поле, напряженность которого направлена от области л-типа к области р-типа. [c.498]

Контакт электронного и дырочного полупроводников. Свойства электронно-дырочного перехода [c.75]

При помощи полупроводников можно получить и охлаждение на несколько десятков градусов. В последние годы особое значение приобрело рекомбинационное свечение при низком напряжении постоянного тока электронно-дырочных переходов для создания сигнальных источников света. [c.322]

Разрыв связи в кристалле полупроводника дает два типа заряженных частиц электрон и место отсутствия электрона ( дырка ). При наличии внешнего поля движение электронов и дырок создает электрический ток. На границе соприкосновения двух полупроводников, обладающих равной проводимостью одного с дырочной проводимостью, другого с электронной проводимостью, произойдет диффузия (проникновение), т. е. свободные электроны из электронной области будут переходить в дырочную область, в которой свободных электронов мало, и наоборот. Диффузия дырок приведет также к тому, что дырочная область зарядится отрицательно, а электронная — положительно. Электроны и дырки в полупроводнике с электронно-дырочным переходом могут двигаться в прямом или обратном направлении. При отсутствии внешнего напряжения в цепи тока нет, т. е. устанавливается состояние равновесия. [c.76]

По методу Чохральского можно легировать кристалл, т. е. вводить в него примеси. При этом в расплав добавляются нужные примеси и задается скорость выращивания кристалла. При быстром вытягивании кристалла не происходит очистки, и в него полностью попадают все примеси расплава. При очень медленной скорости вытягивания примеси сильно оттесняются в расплав. Таким образом, меняя скорость роста кристалла, можно менять содержание примесей в кристалле. Предельно малое количество примесей в кристалле определяется величиной коэффициента сегрегации данного сорта примеси, т. е. отношением концентраций примеси в твердой и жидкой фазе. Вводя в расплав различные примеси и подбирая скорость вытягивания, можно управлять типом проводимости и сопротивлением кристалла и создавать электронно-дырочные переходы. При легировании кремния и германия (элементы IV группы периодической таблицы) элементами V группы — фосфором, мышьяком, сурьмой — получают кристаллы с электронной проводимостью /г-типа. При легировании кремния и германия элементами П1 группы — бором, алюминием, галлием и индием — получают кристаллы с дырочной проводимостью р-типа. [c.175]

Электронно-дырочный переход р-п переход) образуется внутри одного кристалла при контакте области р-типа и области /г-типа. Плотность акцепторов и плотность доноров на границе контактируемых областей резко меняются, образуя ступенчатый переход. В зависимости от способа создания р-п переходы делятся на сплавные и выращенные. Сплавные переходы, применяемые на практике, представляют собой переходы, весьма близкие к ступенчатым, р-п переходы являются основой транзисторной техники. [c.332]

При соединении двух пластинок кремния или германия с различным типом проводимости на границе их раздела у каждой пластины образуется слой противоположно заряженных ионов, которые в граничных слоях (электронно-дырочном переходе, или р—п-переходе) создают электрическое поле с разностью потенциалов С/ пер. Это поле представляет собой повышенное сопротивление (или потенциальный барьер) для основных носителей электричества. Толщина электронно-дырочного перехода составляет доли микрона и колеблется в зависимости от изменения внешних и внутренних факторов (наличие внешнего электрического поля, света, температуры, количества примесей и т. д.). [c.6]

Вентильный фотоэффект. При облучении полупроводника, содержащего электронно-дырочный переход, помимо изменения проводимости нередко возникает разность потенциалов на электродах. Один из электродов, на который надаёт лучистый поток, должен быть полупрозрачным. Появление этой разности нотенциалов обязано так называемому вентильному- ютоэффекту. В результате поглощения лучистой энергии в полупроводнике образуются новые фотоэлектроны и фотодырки. Фотоэлектроны, оказываясь в зоне действия контактного поля, перебрасываются им в область/г. Аналогичные процессы переброса претерпевают дырки. В результате этого электрод на -области зарядится отрицательно, а прилегающий к дырочному полупроводнику электрод зарядится положительно. Таким образом, вентильный эффект можно рассматривать как появление избыточной концентрации электронов в -области и дырок в р-области, появившихся под воздействием лучистой энергии. Рост концентрации электронов в п-области и концентрации дырок во второй р-области будет постепенно замедляться, так как одновременно начнет увеличиваться создаваемое ими поле обратного направления, препятствующее переходу неосновных носи-, телей заряда через запорный слой в конце концов установится равновесная концентрация зарядов и соответствующая электродвижущая сила. На этом принципе основаны источники тока, непосредственно преобразующие энергию солнца или атомного ядра в энергию электрического тока — солнечные и атомные батареи., [c.180]

Полупроводники имеют два вида проводимости электронную (я — negative), когда под действием поля передвигаются избыточные электроны, образующиеся под влиянием донаторов (доноры — фосфор, мышьяк, сурьма), и дырочную (р — positive), когда под действием поля передвигаются дырки (недостача электрона), образующиеся под влиянием акцепторов (индий, галлий). При наличии примесей обоих типов характер проводимости определяется разностью концентраций свободных электронов и дырок. При наличии областей с обоими типами проводимостей их граница (электронный дырочный переход) обладает свойствами нелинейного сопротивления. [c.563]

В настоящее время наибольший интерес представляет использование этих материалов в качестве низковольтных электролюми-несцентных источников света. Для создания таких приборов используются электронно-дырочные переходы, полученные путем вплавления или диффузии примесей. [c.50]

Примеры элементов с О. д. с. 1) Электронно-дырочный переход в вырожденных полупроводниках (mt/м-нельный диод) имеет вольт-ампернуго характеристику Л -типа. Включение его в цепь приводит к возникновению в цепи неустойчивости и генерации колебаний. Амплитуда и частотный спектр колебаний определяются параметрами внеш. цепи и нелинейностью вольт-ампер-ной характеристики с О. д. с. Наличие участка с О. д. с. позволяет использовать туннельный диод в качестве быстродействующего переключателя. [c.514]

Эти методы естественно разделить на прямые, в которых непосредственно измеряется концентрация (в данном слое х или средняя) или количество вещества (химически, спектроскопически, взвешиванием), и косвенные, в которых о концентрации судят по изменению какого-либо свойства, чаще всего микротвердости, электропроводности, магнитных свойств, термоэлектродвижущей силы и периода решетки. Сюда же следует отнести методы специфически полупроводниковые [63] метод электронно-дырочных переходов, фото э. д. с., емкостный метод. [c.89]

Приведенные значения есть верхние пределы напряжения -]авинообразования при температуре электронно-дырочного перехода 25 С. [c.260]

Полупроводниковый триод состоит из трех областей. Средняя область, образованная полупроводником с электронным или дырочным типом проводимости, называется базой. К базе с двух сторон примыкают области противоположного типа проводимости. Если базовая область изготовлена из электронного полупроводника, то триод будет р—п—я-типа, если из дырочного, то п—р— -типа. Область триода, основным назначением которой является инжекцпя в базу неосновных носителей, называется эмиттером, а соответствующий электронно-дырочный переход носит название эмиттерного. Область триода, основным назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей, называется коллектором, а соответствующий переход — коллекторным. [c.248]

Два полупроводника, образующих электронно-дырочный переход, резко проявляют свои свойства при подключении к источнику тока. Подадим плюс на полупроводник с проводимостью типа п и минус — на полупроводник с проводимостью типа р (рис. 1,а). При этом из отрицательного полупроводника электроны уйдут на положительный полюс, а из положительного — дырки на отрицательный полюс, значительно возрастает ширина р—fi-перехода, а значит, и его сопротивление. Приложенное к переходу сз ммарное напряжение внешнего источника /внИ внутреннего потенциала i/перпре-пятствует движению основных носителей электричества. В результате ток /обр, протекающий в цепи, будет мал. Напрял ение и ток, соответствующие подключению полупроводника по такой, схеме [п — плюс, р — минус), называют обратным напряжением и обратным током. [c.6]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...