Влияние поглощения

Невыполнение условия / = , может быть связано с различием толщины обеих сравниваемых кювет, а также с уменьшением молярной доли растворителя в кювете с раствором. При малых концентрациях растворенного вещества, при использовании кювет Одинаковой толщины и при выборе растворителя, полосы поглощения которого расположены вдали от полос поглощения изучаемых веществ, погрешности, связанные с влиянием поглощения растворителя, пренебрежимо малы. [c.190]

Другим типом примеси в металле является водород, энергия взаимодействия которого с дислокациями в железе (0,1 эВ) значительно меньше, чем для углерода и азота, и который поэтому не вытесняет атомов углерода и азота из облаков на дислокациях. Сравнительно менее значительное влияние водорода в железе на деформационное упрочнение путем изменения подвижности дислокаций не означает, однако, отсутствие заметного влияния поглощенного водорода на механохимическую активность, поскольку при абсорбции металлом водорода в металле возникают значительные остаточные напряжения и локальный наклеп, стимулирующие анодное растворение. Так, по данным рентгеновских исследований электролитически наводороженного железа вакуум-116 [c.116]

Параметр if учитывает влияние поглощения тепла, обычно происходящего за счет подвода инертного газа в низкотемпературный газовый поток. Это явление включает следующее [c.376]

Такое деление кривой на части обусловлено разным влиянием поглощенной влаги различных форм и видов связи с твердой фазой вещества на перенос тепла в капиллярно-пористых телах. Начальный участок кривой ОА свидетельствует о незначительном влиянии адсорбированной влаги на перенос тепла в дисперсном теле. Это объясняется прежде всего тем, что в указанном диапазоне влагосодержаний внутренний перенос тепла осуществляется почти полностью за счет кондук-тивной теплопроводности, так как термоградиентный коэффициент, как видно из рис. 1, при этом очень мал. [c.24]

Погрешность метода может составлять от 3—5 % (при определении марганца в железе) до 50—100 % (при определении алюминия в железе). Для получения более точных результатов следует учитывать влияние поглощения излучения в материале образца, зависимость поперечного сечения ионизации от энергии электрона, ионизации флуоресценции. [c.316]

Чтобы избежать влияния, поглощения бактерицидной энергии водой, необходимо было иметь практически прозрачный [c.110]

Поправка А сохраняется, пока смотровое стекло остается чистым (это необходимо периодически проверять).,При изменяющихся загрязнениях стекла учет влияния поглощения излучения в нем затруднителен. Для уменьшения скорости загрязнения полезно смотровое стекло снабдить заслонкой, открываемой только на время измерения. [c.330]

Для лучшего понимания влияния поглощения света на процесс образования голограммной структуры в регистрирующем слое рассмотрим упрощенный случай [c.185]

Исходя из соотношения (11.72), дифракционная эффективность фазовой голограммы может быть определена, если приравнять интенсивность падающего на голограмму пучка света сумме интенсивностей всех проходящих и отраженных пучков света разных порядков дифракции. Если при этом поглощение света голограммой невелико, можно пренебречь дифракцией, обусловленной модуляцией коэффициента поглощения света, и учесть влияние поглощения на дифракционную эффективность множителем, который для фазовых голограмм без поглощения света равен единице [c.194]

Многочисленные исследования показали вредное влияние поглощенного водорода на механические свойства сталей. Этот вопрос подробно рассмотрен во второй части настоящей книги. [c.46]

Влияние поглощения света на светочувствительность [c.304]

Влияние поглощения водорода на поведение материала при знакопеременной нагрузке исследовал Леа. Он не установил влияние водорода на показатели (прочности насыщенной водородом нормализованной углеродистой стали (0,14% С) при испытании на растяжение — сжатие со знакопеременной нагрузкой и знакопеременной скручивающей нагрузкой. [c.164]

Но в этом случае должен быть применен способ корректировки, основывающийся на том, что вследствие поглощения части излучения образцом постоянно возрастают отдельные значения а. По уравнению (5) влияние поглощения является функцией г ). Таким образом, зависимость между а и можно представить в виде функции [c.150]

Влияние поглощения рентгеновских лучей кристаллом [c.273]

Несмотря на большое влияние поглощенной влаги на удельное объемное сопротивление и tg6 непропитанных бумажных материалов, их электрическая прочность зависит от влажности гораздо меньше. Это находится в полном соответствии с описанным выше механизмом [c.111]

Благодаря сравнительно небольшой ширине запрещенной зоны под влиянием поглощения некоторого количества энергии отдельные возбужденные электроны могут быть переброшены через запрещенную зону в зону проводимости, что вызовет эффект электронной проводимости. На месте электронов, ушедших из занятой зоны, остаются свободные места — электронные дырки . Место этих дырок будут занимать другие электроны занятой зоны. Таким образом, свободное место — дырка будет перемещаться в направлении электрического поля, создавая эффект движения положительного заряда. [c.315]

Благодаря сравнительно небольшой ширине запрещенной зоны под влиянием поглощения некоторого количества энергии отдельные возбужденные электроны могут быть переброшены через запрещенную зону в зону проводимости, что вызовет эффект электронной проводимости. На месте электронов, ушедших из занятой зоны, остаются свободные места — электронные дырки . Место этих дырок будут занимать другие электроны занятой зоны. Таким образом, [c.275]

Влияние поглощенной интегральной дозы радиации на механические свойства полимера — кремнийорганической резины — показано на рис. 8-1. Видно, что при увеличении поглощенной дозы прочность немного увеличивается, а относительное удлинение уменьшается и материал по получении достаточной дозы полностью теряет эластичность. На рис. 8-2 дана зависимость растворимости, а на рис. 8-3 — набухания полиэтилена от дозы радиации эти графики иллюстрируют образование сетчатой структуры при облучении полиэтилена. [c.302]

Спектральный состав света, излучаемого С. (после учета влияния поглощения в земной атмосфере и влияния Фраунгофера линий, см. ниже), в визуальной области близок к планковскому с темп-рой ок. 6000 К (табл. 3). [c.576]

В этих условиях, как видно из рис. 1-6 и 1-12, влиянием поглощения можно пренебречь и принимать в практических расчетах /сг Лрасс 2. [c.34]

Линия а выражает собой зависимость степени обеззаражи-ваиия от количества натраченной бактерицидной энергии при исключении влияния поглощения бактерицидного излучения физиологическим раствором. [c.115]

В приближении оптически толстого слоя влияние поглощения и рассеяния среды на теплообмен излучением учитывается только через коэффициент ослабления Рд. Для только погло щающей и излучающей среды (т. е. при а = 0) величина Рн заменяется на средний по Росселанду коэффициент поглощения kr. Для только рассеивающей среды температура не оказывает влияния на теплообмен излучением. [c.346]

Случай Я-поляризации (рис. 124, в, г, кривые которого построены соответственно в областях 1, 1) и 1, 2) на разрезах в плоскости х, б, отмеченных на рис. 121,6 отрезками прямых) дает пример еще более явного различия между влиянием поглощения в неидеальных диэлектриках в зависимости от добротности эффекта полного незеркального отражения. В области [1,1 энергетические потери не превышают 0,7 %, достигая в области 1,2 значений порядка 33 %. Таким образом, геометрические места точек, соответствующих режиму полного незеркального отражения, в областях 1,М , М=, 2,. .., для решеток волноводного типа образуют непрерывные линии на плоскостях х, б (аналогичный вывод справедлив для любой плоскости, координатная система которой определяется произвольной парой независимо изменяющихся параметров). В областях 7V, М) с N > 2, N режимам незеркального отражения с уровнем концентрации не ниже заданного соответствуют лишь отдельные острова в плоскости изменения любых двух независимых параметров. В областях с одинаковым N при возрастании М увеличивается и количество таких островов. Существует возможность достижения практически полного незеркального отражения на одной из гармоник в отдельных точках. При практическом использовании решеток с диэлектрическим заполнением в режиме полного автоколлима- [c.180]

Определим влияние поглощения на пороговое значение константы связи. В случае высокоотражающего зеркааа (/ = 1) при г=1 из (5.6) следует [c.177]

ВОЛНЫ далека от пилообразной. Следует сказать, что условие < 1 эквивалентно условию 2аоХр 1, где Хр — расстояние образования разрыва в невязкой среде, даваемое (2.92), т. е. волна успевает сильно затухнуть до расстояния, на котором мог бы произойти разрыв. Таким образом, при малых числах Re диссипативные процессы препятствуют образованию разрыва волна наиболее сильно искажена в области стабилизации за областью стабилизации искажение в результате влияния поглощения звука уменьшается. [c.104]

Важна также и стабильность при хранении жидкого диэлектрика, особенно предназначенного для герметичного оборудования. Некоторые жидкости, высокостабильные в таком оборудовании, разлагаются под влиянием света (некоторые хлоруглеводороды) или обладают низкой гидролитической устойчивостью и разлагаются под влиянием поглощенной из воздуха влаги (большинство жидких диэлектриков на основе сложных эфиров). [c.68]

Возьмем теперь сильнопоглощающую жидкость, например глицерин. Для него при той же частоте (ao/v = 25-10" см имеем ао = 0,025 см (0,22 дБ/см), а а,)Л = 5-10 . С увеличением частоты декремент затухания возрастает (пропор-ционально частоте). Однако из приведенных оценок следует, что по крайней мере в небольших объемах маловязкой среды распространение ультразвука можна рассматривать применительно к монохроматическим волнам без учета поглощения, учитывая его дополнительно в тех случаях, когда влияние поглощения может играть существенную роль в изучаемом явлении, [c.62]

Выясним теперь влияние поглощения ультразвука на структуру интерференционного поля, образующегося при сложении падающей и отраженной волн. Поместим идеально отражающую плоскую границу на расстоянии х = +х оот начала координат, где будем считать заданными параметры падающей волны, например амплитуду давления ртахо- При X > О амплитуда падающей волны в поглощающей среде убывает по экспоненциальному закону [c.151]

Гурвич А. К. Влияние поглощения ультразвука на диаграмму направленности наклонных искателёй.— Дефектоскопия . 1967, № 1. [c.154]

Рнс. 71. Влияние поглощения образца на положение линий (корректировка по Хеддингу) при различных углах 219 г — радиус образца Де — сдвиг линии вследствие поглощенйя излучения образцом т — угол отражения [c.143]

Действие фотоэлементов основано на появлении фото-э. д. с.—так называемом вентильном фотоэффекте, сущность которого заключается в следующем. Под влиянием поглощения световой энергии в полупроводнике будут возникать неосновные носители, электроны и дырки, которые будут переноситься через имеющийся в фотоэлементе запорный слой, создавая на электродах фото-э. д. с. Одновременно с ростом концентрации электронов в л-зоне и дырок в р-зоне будет усиливаться создаваемое ими внутреннее поле обратного знака таким образом установится равновесная концентрация зарядов. Широко применяемый селеновый фотоэлемент устроен следующим образом на металлический электрод нанесен слой селена, сверху которого расположен запорный слой р—п-перехода, покрытый тонким слоем золота, образующим полупрозрачный электрод, пропускающий внешний световой поток. На этом электроде под влиянием освещения создается отрицательный, а на нижнем положительный заряды (рис. 7-7). Чувствительность селеновых фотоэлементов составляет 500 мка/лм, серноталлиевых — [c.331]

При учете демпфирования уравнения горизонтально-вращательных колебаний становятся более громоздкими и их решение усложняется. Трудности решения особенно ощутимы при воздействии импульсивной и случайной нагрузок. В качестве универсального расчетного приема здесь следует рекомендовать приближенный способ решения, основанный на пренебрежении влиянием поглощения энергии на собственные частоты и формы колебаний системы. Как показано Б. К. Александровым и В. М. Пятецким, погрешности, вносимые этим допущением в значения амплитуд горизонтально-вращательных колебаний фундамента под действием приложенной к нему гармонической нагрузки, зависят от отношения модулей затухания, соответствующих горизонтальным поступательным и вращательным [c.33]

Т. о., показатель преломления нейтронов определя зтся атомной плотностью среды и когерентной амплитудой рассеяния на связанном ядре и не зависит от ст])ук-турно-динамич. особенностей среды. Отсутствие з,ави-симости п от структуры рассеивателя связано с тем, что эффект преломления (т. е. изменение волнового вектора нейтронной волны в среде) обусловлен ингер-ференцией волн, когерентно рассеянных точно вперед, а при таком рассеянии результат интерференции но зависит от положений рассеивающих ядер. По мере уменьшения длины волны нейтронов эффект преломления постепенно исчезает. Так, уже при энергиях прибл. 10 3 ав (1—ге) < 10 з. Влияние поглощения на эффект преломления практически незначительно даже для d учет поглощения нейтронов изменяет показатель преломления мепее чем на 1%. [c.384]

Прежде всего наводороживание стали происходит при плавке в мартеновских и электрических печах. С охрупчивающим влиянием поглощенного в процессе -выплавки стали водорода, которое выражается в резком снижении пластических свойств и поражении металла флокенами, сталкиваются многие заводы-поставщики и потребители крупных поковок диаметром 600— 1200 мм. [c.84]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...