Носители горячие

Многофононный механизм захвата 90 Модель желе 14, 15, 173, 212 Морзе потенциал 214 Мономолекулярная адсорбция 221 Неустойчивости в поверхностных фазах 274,275 Нуль-мерные ЯЭС 80 Нернста-Эйнштейна соотношение 273 Носители горячие 27 [c.281]

В [123] получено эмпирическое соотношение для коэффициента V. учитывающее увеличение шума за счет уменьшения подвижности свободных носителей при высоких напряженностях поля и за счет увеличения температуры свободных носителей (горячие носители) при больших полях и низких температурах. Прим. ред.) [c.94]

В электронном полупроводнике основными носителями заряда являются электроны, поток их от горячего конца к холодному будет больше, че.м от холодного к горячему. В результате этого на холодном конце будет накапливаться [c.73]

В установках других типов для снабжения потребителей теплом используется пар, частично отработавший в турбине. Следовательно, на такого рода тепловых электрических станциях вырабатывается не только электрическая энергия для централизованного снабжения ею потребителя, но и тепло, носителем которого служит пар или горячая вода. [c.184]

В электронном полупроводнике основными носителями заряда, как известно, являются электроны, поток их от горячего конца к холодному будет больше, чем от холодного к горячему. В результате этого на холодном конце будет накапливаться отрицательный заряд, на горячем оставаться нескомпенсированный положительный. Возникшее электрическое поле будет вызывать поток электронов от холодного конца к горячему. Стационарное состояние установится при равенстве этих электронов. У дырочного полупроводника на холодном конце возникнет положительный заряд. Таким образом, по знаку термоЭДС можно судить о типе электропроводности полупроводника. [c.277]

Объемная составляющая термо-э. д. с. Концентрация носителей заряда в проводнике зависит от температуры. У металлов эта зависимость очень слабая и обусловлена термическим расширением, вызывающим изменение объема проводника. У полупроводников, наоборот, с увеличением температуры концентрация носителей может расти очень сильно. Поэтому на горячем конце полупроводника концентрация носителей заряда может оказаться выше, чем на холодном, вследствие чего от горячего конца к холодному возникает диффузионный поток, приводящий в -полупроводнике к образованию на холодном конце отрицательного объемного заряда, на горячем — положительного заряда. Эти заряды создают разность потенциалов Fgg, которая и представляет собой объемную составляющую термо-э. д. с. [c.259]

Никель — графитовое волокно. Композиционный материал никель — углеродное волокно получали горячим прессованием прядей графитового волокна, уложенных в одном направлении, на которые предварительно наносилось электролитическим методом никелевое покрытие толщиной 1—3 мкм [203, 204]. Для предотвращения взаимодействия волокна с никелевой матрицей на углеродное волокно наносят карбидные покрытия (патент США № 3796587, 1972 г.). В качестве примера применения карбидного покрытия на графитовом волокне может служить покрытие из карбида титана, наносимое на волокно методом его погружения в расплав, состоящий из металла-носителя, не взаимодействующего с волокном, например индия и растворенного в нем титана. Расплав содержал 99,5% индия и 0,5% титана. Для покрытия волокно погружали в такой расплав, нагретый до температуры 850° С, на 4 мин. После отмывки этого волокна в течение 15 мин в 50%-ном растворе соляной кислоты на поверхности графитового волокна оставался слой покрытия карбида титана толщиной 0,5 мкм. Режимы диффузионной сварки углеродного волокна с никелевым покрытием, приведенные в указанных выше работах, примерно одинаковы. Во всех случаях прессование осуществлялось в вакууме 2-10 —1 10 мм рт. ст. при температуре 840—1100° С, давлении 100—175 кгс/см в течение 45—60 мин. Оптимальный режим получения композиционного материала с углеродным волокном без нанесенного предварительного защитного покрытия температура 1050° С, давление 140 кгс/см и время выдержки 60 мин. Полученный по такому режиму материал, содержащий 46—55 об. % волокна Торнел-50, имел предел прочности 55—73 кгс/мм . [c.143]

Из истории создания ТЭП. В начале 90-х годов прошлого столетия при исследовании причин выхода из строя ламп накаливания было установлено, что, если между горячей и холодной нитями включить амперметр, он зарегистрирует небольшой ток, протекающий через пространство между нитями. В 1899 г. Томсон показал, что носителями заряда в этом случае являются электроны, а само явление испускания электронов нагретыми металлами было названо термоэлектронной эмиссией. [c.20]

Поперечный Н.—Э. э. состоит в появлении электрич. поля Е (разности потенциалов 7 ) в направлении, перпендикулярном Ни уг, В отсутствие магн. поля термоэлектрич. поле компенсирует поток носителей заряда, создаваемый градиентом темп-ры, причём компенсация имеет место лишь для полного тока электроны с энергией, большей средней (горячие), движутся от горячего конца образца к холодному, электроны с энергией, меньшей средней (холодные),— в противоположном направлении. Сила Лоренца, отклоняет эти группы носителей в направлении, перпендикулярном у г и магн. полю, в разные стороны угол отклонения (угол Холла) определяется временем релаксации т данной группы носителей, т. е. различается для горячих и холодных носителей, если т зависит от энергии. При этом токи холодных и горячих носителей в поперечном направле- [c.333]

Магн. поле, искривляя траектории электронов (см. выше), уменьшает их длину свободного пробега I в направлении у2. Т. к. время свободного пробега (время релаксации т) зависит от энергии электронов то уменьшение I неодинаково для горячих и холодных носителей оно меньше для той группы, для к-рой т меньше. Т. о., магн. поле меняет роль быстрых и медленных носителей в переносе анергии, и термоэлектрич. поле, обеспечивающее отсутствие переноса заряда при переносе энергии, должно измениться. При этом коэф. Л ц также зависит от механизма рассеяния носителей. Термоэлектрич. ток растёт, если т падает с ростом - энергии носителей ё (при рассеянии носителей на аку-ЗЗЧ стич. фононах), или уменьшается, если т увеличивается [c.334]

Электрич. доменная неустойчивость. Ток / разогревает газ носителей, темп-ра к-рых Т становится выше темп-ры решётки Т (см. Горячие электроны). Изменение Гд вызывает изменение времён релаксации, В результате зависимость тока / от напряжённости электрич. поля (вольт-амперная характеристика, ВАХ) становится нелинейной, на ней появляются падающие участки, к-рым соответствует отрицат. дифференциальное сопротивление (рис. 4) П. т. т. Возникающая неустойчивость наз. перегревной. [c.604]

Т(.пг 10" с. После того как остаточная энергия носителей оказывается меньше д, дальнейшее их остывание происходит путём испускания акустич. фононов или за счёт межэлектронных столкновений. Соответствующие времена релаксации энергии на неск. порядков больше т т (см. Горячие электроны). [c.356]

К первой группе относятся конвективные сушильные устройства, носителем тепла в которых является воздух, нагретый паром, электрическим током, горючим газом или горячей водой. Основной элемент таких устройств — воздухоподогреватель, через который проходит засасываемый через фильтр наружный воздух. Движение и обмен воздуха создаются при помощи вентилятора, закрепленного в потолке сушилки. [c.162]

Для наблюдения молекулярных спектров, так же как и спектров атомов, следует по возможности защитить молекулы от сильных возмущающих воздействий окружающих частиц, т. е. наблюдать вещество в газообразном состоянии. Возбудить молекулярные спектры можно в пламени горелки или в различных видах электрического разряда гейслерова трубка, дуга, искра. При этом, как правило, следует избегать слишком сильных возбуждений, ибо в противном случае может наступить распад молекул (диссоциация) и, следовательно, исчезнут носители молекулярных спектров. Такой процесс легко наблюдать при возбуждении спектров в электрической дуге. В наиболее горячих частях дуги с температурой 50(Ю—7000 К испускается, главным образом, излучение атомов и наиболее прочных соединений (например N) излучение же большинства соединений сосредоточено в основном в более холодных частях дуги. [c.744]

Горячие носители — электроны (дырки) полупроводника, средняя юитетическая энергия которых во внешнем электрическом ноле npeubiinaei среднюю тепловую кТ). в Групповая скорость — кваптово-механичсская скорость квазичастицы, равная [c.280]

Рассмотрим механизм образования термо-э. д. с. на примере однородного по.тупроводникз. Пусть один из концов полупроводника нагрет больше, чем второй. Свободные носители заряда у горячего конца будут иметь более высокие энергий и скорости, чем у холодного. Кроме того, благодаря значительной зависимости концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике от температуры у горячего конца концентрации свободных носителей заряда окажется больще, чем у холодного. В силу этих причин поток свободных носителей от горячего конца к холодному будет больше, чем от холодного к горячему. Если концентрация свободных электронов и дырок в полупроводнике или их подвижности неодинаковы, то концы полупроводника окажутся противоположно заряженными. Состояние равновесия наступит при равенстве потока свободных носителей заряда, обусловленного градиентом температур, потоку, обусловленному действием электрического поля, возникшего в результате разделения зарядов. Установивгоуюся в состоянии равновесия термо-э. д. с. называют объемной тер.мо-э. д. с. [c.73]

Рассмотрим механизм образования термоЭДС на примере однородного полупроводника, у которого один из концов нагрет больше. чем второй. Свободные носи- тели заряда у горячего конца будут иметь более высокие энергии и скорости, чем у холодного. Кроме того, у горячего конца полупроводника свободных носителей окажется больше, чем у холодного. В силу этих причин поток свободных носителей от горячего конца к холодному будет больше, чем от холодного Рис. S.7. Возникновение термоЭДС в к горячему. Если концентрация непи из двух спаев свободных электронов и дырок [c.277]

С другой стороны, ТЭлГ могут работать и при самых низких температурах — вплоть до 100—300 К. С некоторыми сплавами, обладающими Z = (3-ь5)-10 град и выше, КПД достигает значений т),,г == 15% (83), а с применением усовершенствований (например, наведение извне мощного магнитного поля, что приводит к изменению длины свободного пробега носителей и к увеличению Z примерно в 1,5 раза подогрев горячего спая до 500— 600 К и др.) — до 20—45%, т. е. не уступает высокотемпературным ТЭГ при Ттах = 2500—3000 К. [c.79]

В стационарном состоянии в каждой точке проводника диффузионный поток носителей уравновешивается дрейфовым потоком, вызванным разностью потенциалов и направленным от горячего конца к холодному. Для п-полупроводннка диффузионный поток электронов равен — (dnidx), где D — коэффициент диффузии электронов dn/dx — градиент их концентрации -дрейфовый поток равен Уд = — nun , где Уд — дрейфовая скорость м — подвижность электронов ё — напряженность поля, возникшего в полупроводнике. В стационарных условиях [c.259]

Из (9.11) видно, что увеличение температуры проводника, вызывающее повышение энергии носителей, должно приводить в общем случае к увеличению длины их свободного пробега, а следовательно, и к изменению коэффициента диффузии, проиорциональ-рюго X [см. (1.23)]. Поэтому от горячего конца к холодному установится термодиффузионный поток носителей, приводящий к формированию дополнительной разности потенциалов VU- Расчет показывает, что для невырожденных полупроводников п-типа термодиффузионная составляющая термо-э. д. с. [c.260]

Эффект Эттингсгаузена наблюдается и в области примесной проводимости полупроводников. В этом случае причиной его возникновения является различие времен свободного пробега носителей заряда, обладающих разными скоростями теплового движения и вследствие этого различными скоростями дрейфа холодных и горячих носителей. Согласно формуле (9.27) холлов-ское поле й х компенсирует действие силы Лоренца лишь для носителей заря- [c.270]

Г. э. наблюдается гл. обр. в т. н. многодолинкых полупроводниках, зона проводимости к-рых состоит из одной пиж. долины и одной или неск. верх, долин. Подвижность электронов в верх, долинах значительно меиыие, чем в шпк. долине. В сильных электрич. полях происходит ра.зогрев электронов (см. Горячие электроны) и часть электронов переходит из ниж. / долины в верхние, вследствие чего ср. подвижность носителей заряда и электропроводность падают. Это приводит к падению плотности тока с ростом Е в полях, превышающих нек-ров критич. поле itp. [c.415]

ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ (горячие дырки) — подвижные носители заряда в полупроводнике или металле, энергетич. распределение к.рых смещено относительно равновесного при данной темп-ре Т в сторону больших энергий (рис. 1). Носители заряда становятся горячими , напр.. При протекании электрич. тока под действием достаточно сильного пост, или перем. электрич. поля при этом поле ускоряет большее число носителей, чем тормозит, в результате чего всей электронной системе в целом сообщается дополнит, энергия. Рост энергии электронов ограничен передачей энергии Г. э. фа нонам при рассеянии электронов па них (см. Рассеяние носителей заряда). При каждом значении анергии ё уменьшение в единицу времени числа п (6") электронов с энергиями, меньшими S, под действием ускоряющего электрич. поля компенсируется (в стационарных условиях) таким же увеличепием п ё) под [c.519]

Градиент темп-ры создает в нроводнико градиент концентраций холодных и горячих носителей заряда. В результате этого возникают два диффузионных потока носителей — вдоль и против градиента темн-ры. Т. к. скорости диффузии и концеЕ1трации горячих и холодных носителей заряда различны, то на одном конце проводника создаётся избыточный положит, заряд, а на другом — отрицательный. Поле этих зарядов приводит к установлению стациопарпого состояния число носителе , проходящих через поперечное сечение образца в обоих направлениях, одинаково. Возникающая диффузионная термоэдс определяется температурной зависи.мостью концентрации носителей заряда и их подвижностью [г, обусловленной характером их, взаимодействия с фононами, примесями ы т. д. [c.76]

Т, к. коэф. N1 определяется зависимостью времени т релаксации восителей от их энергии то Н.—Э. э. чувствителен к механизму рассеяния носителей заряда. Рассеяние носителей заряда уменьшает влияние магн, поля. Если т то при г > о горячие носители рассеиваются реже холодных п направление поля определяется направлением отклонения в магн, поле горячих носителей. При г < 0 паправление про- [c.334]

При ВАХ 5-типа (рис. 4,6) нарастают флуктуации, приводящие к шнурованию тока. С ростом тока происходит расширение токового шнура вплоть до заполнения им всего поперечного сечения образца. Поперечное магн. поле вызывает движение токового шнура в поперечном направлении с гибелью его на поверхности образца и последующим зарождением на противоположной поверхности. В биполярной горячей плазме ВАХ не имеет падающего участка, т. к. изменение концентрации носителей при их разогреве маскирует изменение их подвижности (к-рое при неизменной концентрации приводило бы в однородном случае к отрицат. дифференц. сопротивлению). В результате образуются меогошнуровые и (или) многодоменные структуры. [c.604]

П. и. 3. при Т = 300 К варьируется в пределах от 10 до 10" см /В-с, В слабом электрич. поле подви кность (1 > о как для электронов, так и для дырок, хотя направления их дрейфа противоположны. У разных типов носителей в одном и том веществе ц различны, а в анизотропных кристаллах ц, зависит от направления поля Е относительно кристаллография, осей. В сильных электрич. полях ср. энергия электронов превышает равновесную и растёт с ростом поля Е. При этом т и, следовательно, ц также начинают зависеть от поля Е (см. Горячие электроны). [c.666]

Электропроводность в сильном электрич. поле. От-юювеаия от закона Ома в сильном электрич. поле в П. связано гл. обр. с разогревом газа носителей. Энергия, получаемая носителями от электрич. поля, передаётся при столкновениях фононам и приводит к выделению дЖоулевой теплоты. Однако мощность, получаемая от поля, может быть столь велика, что носители не успевают передать её фононам, вследствие чего их тёмп-ра оказывается выше, чем темп-ра решётки. В этом случае говорят о горячих носителях (см. Горя-чие электрон ). Разогрев возникает, если кол-во энергии, получаемое носителем от поля за время между столкновениями, превышает энергию, передаваемую ф(жону при одном столкновении. [c.41]

Внутренним квантовым выходом Р. и. к наз. отношение числа квантов Р. и. к числу квантов возбуждающего света или к числу носителей, инжектированных через р — п-переход. Наибольшим квантовым выходом обладают прямозонные полупроводники (рис. 1). Для идеального кристалла выполняется закон сохранения квааиимпульса, когда при поглощении или излучении фотона переход електрона из валентной зоны в зону проводимости (или наоборот) происходит вертикально . Это означает, что квазиимпульсы электрона в зоне проводимости и в валентной зоне равны (импульс фотона пренебрежимо мал). Между возбуждением и Р. и. протекает т. и. процесс остывания горячего (возбуждённого) носителя. При низкой концентрации осн. носителей остывание происходит за счёт Зонная диаграмма пря- [c.319]

С.— Ш. э. объясняется анизотропией закона дисперсии горячих носителей заряда <Г(р), где г — энергия носителей заряда, р — их квазиимпульс. Наиб, чётко ов выражен в многодолинных полупроводниках благодаря междолинному перераспределению носителей заряда, вызываемому их разл. нагревом в разных долинах, [c.418]

Разл. нагрев электронного газа приводит, во-первых, к разл. скорости рассеяния электронов вразл. долинах, определяющей при низких темп-рах подвижности носителей заряда во-вторых, к разл. скорости перехода электронов из горячих долин в холодные, что определяет заполнение долин электронами. Оба эффекта связаны с энергетич. зависимостью вероятностей рассеяния носителей заряда (внутри- и меж долинного), В чистых и структурно совершенных кристаллах преобладает междолинное рассеяние с испусканием и погло- [c.418]

Т. металлов очень мала, сравнительно больше Т, в полуметаллах и их сплавах, а также в нек-рых переходных металлах и их сплавах (напр., в сплавах Pd—Ag Т. достигает 86 мкВ/К). Т. в этих случаях велика из-за того, что ср. энергия электронов в потоке сильно отличается от энергии Ферми. Иногда быстрые электроны обладают меньшим коэф. диффузии, чем медленные, и Т. меняет знак. Величина и знак Т. зависят также от формы ферми-повчрх-ности, разл. участки к-рой могут давать в Т. вклады противоположного знака. Знак Т. металлов иногда меняется на противоположный при низких темп-рах. В полупроводниках -типа на холодном контакте скапливаются дырки, а на горячем остаётся нескомпенеир. отрицат. заряд (если аномальный механизм рассеяния носителей заряда или эффект увлечения не приводит к перемене знака Т.). В термоэлементе, состоящем из полупроводников р- и п-типов, Т. складываются. В полупроводнике со смешанной проводимостью к холодному контакту диффундируют и электроны и дырки и их заряды взаимно компенсируются. Если концентрации и подвижности электронов и дырок равны, то Т. равна нулю. [c.98]

УВЛЕЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ФОНбНАМИ —возникновение потока носителей заряда в проводнике (полупроводнике или металле) вследствие их взаимодействия с неравновесными фопонами. В образце, в к-ром создан градиент темп-ры V Т, возникает поток фононов от горячего конца к холодному. Рассеиваясь на электронах, фононы передают им часть своего квазиимпульса и увлекают их к холодному концу образца. В замкнутой цепи этот эффект даёт дополнит, вклад в термоэлеЕтрич. ток, в разомкнутой—в термоэдс (термоэдс увлечения). Эффект увлечения был [c.200]

Остывание фотоиосителей. Если генерируемые светом носители имеют энергии превышающие ширину запрещённой зоны if, полупроводника, то такие т. н. горячие носители могут терять энергию на создание дополнит, электронно-дырочных пар в результате Y> 1 (рис. 1). Длина пробега носителей при этом зависит от и меняется от неск. нм при <10 эВ до 1 нм при < 100 эВ и до неск. десятков нм при S> 1 кэВ (время пробега 10" с). При осн. механизм потерь энергии — рассеяние на фононах. При (f, превышающих энергию й 2 оптич. фонона, носители теряют энергию путём последоват. испускания оптич. фононов. При этом характерное время их пробега [c.356]

Остаточная энергия носителей, быстро испустивших максимально возможное число (л а,с) оптич. фононов, равна = —Она изменяется от О до Ай в зависимости от Аш. В слаболегированных полупроводниках эфф, подвижность горячих фотоносителей зависит от поэтому До осщ1ЛЛирует как ф-ция Awe частотой fi. В силь-колегированных полупроводниках энергия передаётся сначала не акустич, фононам, а газу носителей в зависимости от величины переданной энергии изменяется Ср. подвижность носителей. Это также приводит к осцилляциям Да с частотой ш. [c.356]

Э. э. обусловлен разделением траекторий носителей заряда (переносящих ток у) Лоренца силой. Сила, действующая на носители заряда в магн. поле, в среднем компенсируется электрич. полем Холла (см. Холла эффект). Полная компенсация имеет место лишь для носителей заряда, движущихся с нек-рой ср. скоростью траектории более быстрых (горячих) носителей заряда отк.юняются к одной стороне образца, более медленных (холодных) — к противоположной, что и приводит к Возникновению градиента темп-ры поперёк образца. Знак Э. э. не зависит от знака носителей. [c.643]

Органические жидкости в стекле. В тех случаях, когда в качестве жидкой фазы использовалась вода, стеклянная посуда неизбежно являлась носителем ми-крозародыщей, даже если ее очищали горячей концентрированной смесью серной кислоты и двухромовокислым калием и хранили смоченной до употребления. Этого не было в случае с некоторыми органическими жидкостями, которые мы испытывали в контакте со стеклом. Если взять сухую стеклянную трубку и заполнить ее парафиновым маслом, насыщенной жирной кислотой (каприновой, каприловой) или эфиром, то зародыши не сохраняются в системе. В процессе заполнения отдельные зародыши или пузыри попадают в жидкость, но если система вакуумируется, то пузыри поднимутся к поверхности. Несколько легких постукиваний приводят к росту уже существующих в системе зародышей и их удалению из нее в виде пузырей. После этого никакой кавитации или образования пузырей вызвать не удается, сколько бы ни постукивали по трубке (возможным исключением является эфир, которому присуще чрезмерно высокое давление паров). [c.33]

В качестве носителей летучих ингибиторов можно использовать бумагу, картон, различные пористые адсорбенты. Пропитанные ингибиторами адсорбенты помещают в аппарат или герметичный чехол с изделием. Иногда аппараты промывают водными или водноспиртовыми растворами ингибиторов и затем подсушивают горячим (80 °С) воздухом. После такой обработки по-252 [c.252]

Рост капелек, так же как нагрев от стенок, снижает пересыщение в окружающей их зоне. Конденсация вызывает не только понижение давления, но и повышение температуры за счет выделения тепла при фазовом переходе. В камерах со свободной поверхностью жидкости трудно получить и сохранить большое пересыщение, если отказаться от примеси неконденсжрующегося газа. Это связано с интенсивным поступлением горячего пара в холодный объем при расширении. Высокое содержание газа-носителя ограничивает испарение со свободной поверхности и способствует сохранению пересыщения. В частности, уменьшается скорость роста капелек. [c.156]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...