Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Газ-носитель

При вентиляционной порошковой с м а т к с через подшипники продувают суспензию высокодисперсных частиц графита Мо5, ХУЗ, РЬО или СйО в струе воздуха или азота. Во избежание налипания смазки на металлические поверхности необходимо выдерживать в узких пределах концентрацию суспензии и скорость газа-носителя,  [c.549]

В случае использования метода газожидкостной хроматографии разделение смеси газов на компоненты происходит в колонке с пористой шихтой (например, дробленым кирпичом), смоченной специально подобранной жидкостью. В колонку с помощью дозирующего устройства вводят определенное количество исследуемое газовой смеси, а затем впускают поток газа-носителя (азота, водорода, гелия).  [c.294]


На начальном участке разделительной колонки зоны, занятые компонентами в потоке газа-носителя, взаимно перекрываются. Эти зоны постепенно перемещаются к выходу из колонки в результате непрерывного перераспределения молекул компонента между неподвижной и подвижной фазами (актов сорбции и десорбции).  [c.295]

Первым покидает колонку компонент, обладающий наименьшее адсорбционной способностью, за ним газ, наиболее хорошо адсорбирующийся данным адсорбентом. Компоненты по очереди выносятся газом-носителем из колонки и попадают в измерительный преобразователь (детектор), который позволяет оценить концентрацию в газе-носителе каждого компонента.  [c.295]

При использовании газовой хроматографии процесс разделения происходит при условиях, когда разделяемые компоненты смеси находятся в парообразном или газообразном состоянии, а подвижной фазой является газ-носитель, играющий роль проявителя. В отличие от жидкостной хроматографии роль проявляющего вещества в газовой хроматографии играет так называемый газ-носитель, который пропускают с постоянной скоростью через колонку с сорбентом. Основными требованиями к газу-носителю являются более низкая адсорбируемость и химическая инертность по отношению к разделяемым компонентам смеси. Для этой цели применяют воздух, азот, водород, гелий, аргон, двуокись углерода и другие газы.  [c.297]

Скорость потока (газа-носителя и испытуемого газа) измеряют газовыми часами, ротаметрами, реометрами. Реометры в настоящее время получили большое распространение для измерения скорости потока газа. Подбирая различные капилляры в реометре, можно их использовать для измерения объемного расхода от нескольких миллилитров до нескольких литров в минуту. Большой расход газа обычно измеряют газовыми часами.  [c.299]

Детектор является мозгом хроматографической установки, он преобразует изменение состава в изменение сигнала. Регистратор — это прибор, записывающий сигнал. Сигнал в детекторе возникает в результате взаимодействия анализируемых молекул с нитью нагрева в случае использования детектора по теплопроводности или с водородным пламенем при использовании пламенно-ионизационного детектора. Если хроматографическое разделение проведено правильно (т. е. вещества разделяются), то в детектор входит бинарная смесь — газ-носитель и компонент.  [c.301]

При попадании бинарной смеси в одну из ячеек (рабочую) нарушается ее тепловое равновесие вследствие того, что коэффициент теплопроводности бинарной смеси отличен от коэффициента теплопроводности газа-носителя. Это изменяет температуру чувствительного элемента, а следовательно, меняет и его электропроводность. Баланс мостовой измерительной схемы нарушается, что вызывает сигнал в измерительной диагонали моста, и самописец записывает хроматограмму.  [c.302]


Метод простой нормировки основан на предположении, что вещества, взятые в одинаковом количестве, независимо от их строения дают одну и ту же площадь пика. Это приблизительно выполняется, если вещества химически сходны, а в качестве газа-носителя берут газ, теплопроводность которого приблизительно на порядок отличается от теплопроводности анализируемых веществ. Такими газами обычно являются водород и гелий. Для количе-  [c.305]

Снизу в аппарат поступает газ, содержащий целевой компонент, сверху по насадке стекает жидкий поглотитель. Будем считать, что газ-носитель и поглотитель не взаимодействуют друг с другом.  [c.13]

Заметим, что уравнение (1.2.2) представляет собой общее выражение материального баланса. В этом уравнении М, Шу, могут относиться к любому веществу в аппарате жидкому поглотителю, газу-носителю, целевому компоненту. При выводе конкретных выражений для этих величин следует учитывать, что объемы, занимаемые жидкой или газовой фазами, могут меняться в зависимости от режима работы аппарата. Для того чтобы учесть эти изменения, будем использовать величины e[c.13]

В газах носителями тепловой энергии являются хаотически движущиеся молекулы. За счет соударения и перемешивания молекул энергия из зон с более высокой температурой, где молекулы движутся быстрее, передается в зоны с более низкой температурой. Согласно молекулярно-кинетической теории коэффициент теплопроводности в газах зависит в основном от скорости движения молекул, которая в свою очередь возрастает с увеличением температуры и уменьшением массы молекул. Наибольшей теплопроводностью обладает самый легкий газ — водород. При комнатных условиях коэффициент теплопроводности водорода А 0,2 Вт/(м К). У более тяжелых газов теплопроводность меньше — у диоксида углерода А 0,02 Вт/(мХ ХК), у воздуха А 0,025 Вт/(м-К).  [c.74]

Мономолекулярное разложение NO2 в зависимости от давления детально исследовал Трое [65]. Опыты этого автора выполнены в ударных волнах в области температур 1200—2000 °К- Концентрация аргона, использованного в качестве газа-носителя, изменялась в пределах от  [c.30]

Термическое осаждение из газовой фазы позволяет получать изоляционные, проводниковые и полупроводниковые слои. Перенос вещества осуществляется газом-носителем. Наиболее часто термическое осаждение из газовой фазы используется для нанесения пленок окиси кремния и полупроводниковых пленок на поверхности кремния или сапфира. Можно получать этим методом и различные металлические пленки.  [c.432]

Методика регулирования концентрации углерода в цементованном слое при цементации жидкими карбюризаторами основана на подаче в печь одновременно двух жидких карбюризаторов — слабого и сильного [29]. Слабый карбюризатор производит газ, аналогичный по своему назначению и действию газу-носителю, например, эндотермическому газу. Сильный карбюризатор обеспечивает заданную науглероживаю-  [c.160]

Динамические измерения давления пара при помощи переноса в струе газа. Поток инертного газа медленно пропускается через печь над лодочками с исследуемым сплавом, причем полное давление измеряется манометром. Пренебрегая диффузией вдоль потока инертного газа или навстречу ему, можно считать, что парциальные давления газа-носителя и металлических паров в печи соответственно пропорциональны числу молей газа и испарившегося металла. Последняя величина может быть определена по потере веса металла в печи или путем взвешивания сконденсировавшегося металла в холодном конце печи.  [c.107]

Электрич. доменная неустойчивость. Ток / разогревает газ носителей, темп-ра к-рых Т становится выше темп-ры решётки Т (см. Горячие электроны). Изменение Гд вызывает изменение времён релаксации, В результате зависимость тока / от напряжённости электрич. поля (вольт-амперная характеристика, ВАХ) становится нелинейной, на ней появляются падающие участки, к-рым соответствует отрицат. дифференциальное сопротивление (рис. 4) П. т. т. Возникающая неустойчивость наз. перегревной.  [c.604]

При дальнейшем увеличении N нарушается неравенство (1). Из-за перекрытия волновых ф-ций электронов соседних атомов дискретные уровни уширяются настолько, что преобразуются в примесную зону. Пока в полупроводнике сохраняются уширенные примесные уровни либо обособленная от и примесная зона, уровень легирования относят к среднему (или промежуточному). При Достаточно большой концентрации примесей полностью нарушаются оба неравенства. Примесная зона продолжает расширяться, и при нёк-рой критич. концентрации Л ор она сливается как с зоной проводимости, так и с валентной зоной (рис. 1,е), Плотность состояний оказывается отличной от О практически во всей запрещённой зове полупроводника ( хвосты плотности состояний). При этом газ носителей заряда уже не подчиняется статистике Больцмана он становится вырожденным и подчиняется статистике Ферми.  [c.502]


Опыты проводились с дозвуковой струей аргона (степень чистоты 99,996%), нагретого в дуге при температурах торможения в ресивере, куда подавались нагретая дугой струя и твердые частицы, составляющей от 1000 до 3000° К. Когда твердые частицы не вводятся, расход газа-носителя (также аргона) поддерживается таким образом, что обпщй расход аргона 25,6 г мин сохраняется во всех опытах. Подводимая к дуге мощность составляет от 0,5  [c.457]

К) (рис. 13.31). Весь выделившийся в эвдиометре Нд принимают за Нш(о>. Полное время выделения Нд составляет 5 сут. Наиболее точный хроматографический метод предусматривает наплавку валика на поверхность пластинчатого образца 8X7,5X25 мм, его немедленную закалку и помещение в герметичную камеру. По мере выделения водорода через камеру периодически пропускаются газ-носитель (аргон), смесь которого с водородом анализируют хроматографом. Камеру устанавливают в печь с температурой 420 К, при которой существенно ускоряется выход Нд, но еще не происходит перехода остаточ-  [c.534]

Элюентный (проявительный) способ анализа выгодно отличается от фронтального тем, что он позволяет разделить многокомпонентную смесь. Исследуемую смесь вводят в колонку в виде порции раствора или газа, а не непрерывно, как при фронтальном способе. После введения такой порции колонку промывают растворителем или газом-носителем (проявляют). На выходе из колонки фиксируют непрерывно концентрацию компонента в исследуемой смеси с помощью регистрирующего прибора, который записывает выходную информацию в виде линии с рядом пиков, число которых соответствует числу разделенных компонентов.  [c.296]

Вытеснительный способ анализа отличается от фронтального и элюентного тем, что после введения пробы исследуемой смеси колонку промывают растворителем или газом-носителем, к которому добавлено растворимое вещество или вещество в газообразном (парообразном) состоянии, которое адсорбируется сильнее  [c.296]

Наиболее распространенным способом разделения газовой смеси является элюентный, при котором анализируемое вещество с помощью шприца или специального дозирующего устройства вводят либо непосредственно в поток газа-носителя, либо в определенный объем, из которого оно с помощью потока газа-носителя транспортируется в хроматографическую колонку.  [c.297]

Тд — время удерживания компонента д(О) — время удерживания иеадсорбкрую-щего вещества (газа-носителя) х д— исправленное время удерживания компонента А — высота пика —ширина пика на высоте 0.5А  [c.297]

На рис. 15.1 показан участок хроматограммы. Время удерживания тн компонента является непосредственно измеряемой величиной в газохроматографических исследованиях. Это время, в течение которого вещество проходит от начала колонки до момента выхода из колонки. Время удерживания определяется как время, отсчитываемое от момента ввода пробы до появления максимума пика на хроматограмме. Так как хроматографическая колонка имеет не заполненное адсорбентом пространство, то для точного определения времени удерживания компоненета необходимо учитывать время удерживания тн(0) газа-носителя. Величина тн(о). определяется по времени удерживания практически неадсорбирующего газа, например гелия, который добавляют в пробу, если газ-носитель —азот. Тогда  [c.298]

Величиной, не зависящей от скорости потока газа-носителя,, является удерживаемый объем. Это объем газа-носителя, прошед шего через колонку за время удерживания, т. е. объем, равный объему газа-носителя, который должен быть пропущен от момента ввода пробы до появления максимума пика на хроматограмме. Удерживаемые объемы компонента Ув и искусственно добавляемого неадсорбирующего вещества Уй(0) измеряют на выходе из колонки при определенных температуре и давлении их рассчитывают по формуле  [c.298]

Газовый хроматограф включает в себя устройство подготовки пробы для хроматографического анализа баллон с газом-носителем и газовую панель с приборами для очистки газа, регулирования расхода газа или давления, стабилизации давления и измерения этого давления или расхода газа устройство для ввода пробы и ее испарения термостат колонки, регулирующий температуру и измеряющий ее хроматографическую колонку, детектор, преобразующий изменение состава компонентов в элек-  [c.298]

Очистка газа-носителя контролируется фоновым током — нулевой линией самописца если есть дрейф и флуктуация ее после длительной продувки колонки, значит, газ-носитель загрязнен. На рис. 15.2 приведена одна из разновидностей принципиальных схем газового хроматографа с детектором по теплопроводности (катарометром) и самописцем.  [c.299]

Газ-носитель из баллона высокого давления 1 через редуктор 2 л вентиль тонкой регулировки 3 поступает в осушительную трубку 4, заполненную прокаленным хлористым кальцием и молекулярными ситами с целью очистки от посторонних газов и паров. Затем, минуя манометр 5, газ-носитель проходит через подогреватель 9 в ячейку катарометра 8 и узел ввода пробы 7. Захватив пробу анализируемой смеси в виде пара или газа, которая вводится в колонку через резиновую мембрану узла ввода пробы, газ-носитель направляется в хроматографическую колонку 10. В колонке анализируемая смесь разделяется на составные компоненты. Колонка и детектор термостабилизируются воздушным или водяным термостатом 11. По выходе из колонки газ-носитель вместе с вымываемыми из нее компонентами поступает в измерительную ячейку катарометра, а далее через реометр 12 или другой измеритель скорости потока направляется в атмосферу. Результаты хроматографического анализа записываются с помощью регистратора 6.  [c.299]

После набивки колонку следует тренировать. Для этого необходимо установить свежезаполненную колонку в термостат хроматографа. Не соединяя ее с детектором, 3—6 ч продувают колонку газом-носителем (обычно азотом) со скоростью 80—100 мл/мин при температуре приблизительно на 20—30 К выше максимальной рабочей температуры колонки.  [c.301]

При использовнии газа-носителя с высокой теплопроводностью (водорода, гелия) чувствительность детектора резко повышается.  [c.302]


Чувствительность каждого детектора к разным соединениям различна в связи с этим необходимо знать поправочные коэффициенты, учитывающие специфичность отдельных соединений. Кроме того, чуветвительность детектора изменяется также при изменении рабочих условий. Эта погрешность устраняется посредством калибровки, а также путем обеспечения чистоты газа-носителя, постоянства его скорости и сопротивления чувствительных элементов.  [c.307]

Газ-носитель 297, 299 Газоанализатор магнитный 293 масс-спектроскопический 294 оптический 293 тепловой 293 химический 293 Генеральная совокупность 38 Генерирующее соотношение 124, 126 Гетерофазная среда 237 Типертермопара 175 Гипотезы статистические 104 Гистерезис 156 Голограмма 233 Голография 217, 232 Границы доверительные 104  [c.355]

Обозначим через Овх(0. Овык(0—массовые расходы газа-носителя на входе в аппарат и на выходе из него /.вх(0. Lsu%(t)—массовые расходы жидкого поглотителя на входе п выходе из аппарата 0с — концентрация целевого компонента в газе л — концентрация целевого компонента в жидкости. При этом концентрации 00 и Ql на входе н аппарат и на выходе из него снабдим индексами вх и вых , соответственно.  [c.13]

В катарометре водородомера АВ-201 в качестве чувствительных элементов используются терморезисторы (СТЗ-19). И так как в качестве газа-носителя используется воздух, то контактное уст-  [c.25]

Электропроводность в сильном электрич. поле. От-юювеаия от закона Ома в сильном электрич. поле в П. связано гл. обр. с разогревом газа носителей. Энергия, получаемая носителями от электрич. поля, передаётся при столкновениях фононам и приводит к выделению дЖоулевой теплоты. Однако мощность, получаемая от поля, может быть столь велика, что носители не успевают передать её фононам, вследствие чего их тёмп-ра оказывается выше, чем темп-ра решётки. В этом случае говорят о горячих носителях (см. Горя-чие электрон ). Разогрев возникает, если кол-во энергии, получаемое носителем от поля за время между столкновениями, превышает энергию, передаваемую ф(жону при одном столкновении.  [c.41]

Здесь е — дпэлектрич. проницаемость кристалла. Величина Гд зависит от концентрации свободных носителей заряда Ид, т. о. от концентрации примесей N. Для случаев невырожденного и полностью вырожденного газа носителей заряда соответственно  [c.502]

При низких темп-рах время жизни неустойчивых молекул возрастает, что позволяет изучать их обычными спектральными методами. Одновременно за счёт сужения линий, сопровождающегося ростом их пиковой интенсивности, а также лучшего разрешения тонкой структуры существенно возрастают чувствительность и информативность спектров. В т. н. методе матричной ИЗОЛЯЦИЙ исследуют спектры разбавленных твёрдых растворов, когда исследуемое вещество заключено в твёрдой матрице инертного газа (N6, Аг, Кг, Хе), азота и др, газов при темп-рах ок. 10 К хорошо разрешённые узкие спектры вещества получают методом молекулярных пучков, когда находящаяся под большим давле-шюм смесь паров вещества и газа-носителя (обычно N0, Аг) со сверхзвуковой скоростью вытекает через узкое сопло, адиабатически охлаждается до темп-ры ниже 1 К и затем регистрируются спектры. В этом случае могут быть спектроскопически идентифицированы даже такие неустойчивые частицы, как ван-дер-ваальсо-вы молекулы.  [c.620]

При внутризонной Ф. может изменяться подвижность как тех носителей, к-рые непосредственно поглотили излучение, так и всех носителей заряда из-за перераспределения пог.чощённой энергии, обусловленного межэлектрон-ным рассеянием. Как правило, определяющую роль играет второй процесс. Если время перераспределения энергии мало по сравнению с временем релаксации энергии носителей т, то Ф. можно рассматривать как результат изменения темп-ры газа носителей при поглощении излучения, В этом случае Знак d[i/dT и Аа может быть  [c.356]

Остаточная энергия носителей, быстро испустивших максимально возможное число (л а,с) оптич. фононов, равна = —Она изменяется от О до Ай в зависимости от Аш. В слаболегированных полупроводниках эфф, подвижность горячих фотоносителей зависит от поэтому До осщ1ЛЛирует как ф-ция Awe частотой fi. В силь-колегированных полупроводниках энергия передаётся сначала не акустич, фононам, а газу носителей в зависимости от величины переданной энергии изменяется Ср. подвижность носителей. Это также приводит к осцилляциям Да с частотой ш.  [c.356]


Смотреть страницы где упоминается термин Газ-носитель : [c.298]    [c.298]    [c.302]    [c.94]    [c.185]    [c.57]    [c.137]    [c.642]   
Смотреть главы в:

Теплотехнические испытания котельных установок Издание 2  -> Газ-носитель

Теплотехнические испытания котелных установок  -> Газ-носитель


Теория и техника теплофизического эксперимента (1985) -- [ c.297 , c.299 ]



ПОИСК



ALGai-xAs эффективные массы носителей

AlAs эффективные массы носителей

GaAs потери на свободных носителя

GaAs эффективные массы носителей

Адгезия носителя

Битва за Луну Несостоявшиеся похороны, или Были ли американцы на Луне Программа Lunex. Забытые проекты программы Apollo. Лунные корабли серии Gemini Программа облета Луны 7К-Л1. Ракетно-космическая система Н1-ЛЗ. Ракета-носитель Н-1 история катастроф. Жертвы космической гонки. Полеты Зондов. Испытания лунного корабля ЛЗ. Лунная программа УР

Боковая диффузия носителей в полосковых лазерах

ВИНЕЦКИЙ, М. А. ИЦКОВСКИЙ, Л. С. КРЕМЕНЧУГСКИЙ Особенности фазового перехода в тонкослойной сегветоэлектрике в отсутствие инжекции носителей тока

Ведомость документов на магнитных носителях

Вектора носитель

Взаимодействие излучения с несвязанными носителями заряда. Модель электронов в плазме

Взаимодействие оеленоводорода с простыми веществами, окислами, безводными солями металВзаимодействие паров -селена в токе инертного газа-носителя или -без него с простыми веществаДействие селеноводорода на водные растворы солей металла

Внесение изменений втехнологическую документацию по журналу изменеОбращение технологических документов, выполняемых на носителях дан8 1 0. Документы на магнитных лентах и магнитных дисках

Врем жизни неосновных носителей

Время жизни неравновесных носителей

Время жизни неравновесных носителей заряда

Время ншзни избыточных носителей заряда

Выражение для потока носителей заряда в полупроводнике

Высотемпературные носители катализаторов

Генерация носителей заряда

Генерация носителей тока II 223. См. также

Движение ракеты носителя

Движение ракеты-носителя в вертикальной

Дефекты кристаллической решетки — носители деформации

Диффузионная длина носителей

Диффузия носителей заряда

Документы на носителях магнитной записи

Зависимость концентрации свободных носителей заряда от температуры

Зарубежные ракеты-носители

Инжекция неосновных носителей заряда

Ионная и мол,ионная электропроводность диэлектри1-10. Определение природы носителей заряда в твердых диэлектриках (метод Тубандта)

Ионная составляющая связи и подвижность носителей заряда

Использование носителей многоразово

Использование площади носителя записи при различных еп6собзк.иру р itf ..яV-. механической записи на диск. . . .. .. у X яХр Тлава третья. Качественные показатели. механической записй-воспройзШВЩ

Исследование элементарного носителя разрушения

КОСМИЧЕСКИХ ЛЕТАТЕЛЬНЫХ АППАРАТОВ И ПРОЕКТОВ Восток», ракета-носитель

Как устроена ракета-носитель

Каскадные процессы при захвате носителей

Китайские ракеты-носители

Кластеризация носителей хрупкого разрушения

Компания Пайонир Ракетплейн предлагает пилотируемый носитель Пэстфайндер

Компания Ротари Рокет предлагает пилотируемый носитель Ротон

Контроль носителей энергии

Концентрация неравновесных носителей

Концентрация неравновесных носителей определение

Концентрация неравновесных носителей полосковых лазерах

Концентрация неравновесных носителей пространственное распределение

Концентрация носителей

Концентрация носителей в полупроводниках

Концентрация носителей в полупроводниках в неравновесном р— re-переходе

Концентрация носителей в полупроводниках в несобственном полупроводнике

Концентрация носителей в полупроводниках в равновесном р — re-переходе

Концентрация носителей в полупроводниках в собственном полупроводнике

Концентрация носителей в полупроводниках генерация при тепловом возбуждении

Концентрация носителей в полупроводниках координатная зависимость

Концентрация носителей в полупроводниках неосновных

Концентрация носителей собственная

Концентрация носителей тока

Концентрация свободных носителей заряда в невырожденном и вырожденном полупроводниках

Коэффициент усиления от концентрации инжектированных носителей

Лавинное умножение носителей

Лазерное охлаждение твердотельных носителей информации оптических эхо-процессоров

Ловушки носителей заряда

Магнетооптика свободных носителей заряда

Магнитные носители записи

Магнитные носители и накопители

Магнитотвердые сплавы для постоянных магнитов в виде лент-носителей

Магнитотвердые сплавы для постоянных магнитов в виде лент-носителей магнитной записи

Механизмы рассеяния и подвижность свободных носителей заряда

Многоразовый одноступенчатый носитель Дельта Клипер

Наземный комплекс ракет-носителей

Наклон иррациональный носитель меры

Нелииейнаи проводимость диэлектриков в условиих повышенной инжекции носителей заряда

Неосновные носители

Неосновные носители координатная зависимость концентрации

Неравновесные носители

Неравновесные носители заряда в полупроводниках. Генерация и рекомбинация. Время жизни

Несобственные полупроводники концентрация носителей

Носителей заряда инжекция

Носителей заряда инжекция перенос

Носителей заряда инжекция подвижность эффективная

Носители горячие

Носители звуковой информации

Носители информации

Носители наследственной информации

Носители оптической записи

Носители тока в твердом теле

Носители энергии внешние

Носители энергии внешние внутренние

Носитель борелевский

Носитель записи

Носитель записи металлополимерный

Носитель изображения информации

Носитель информации машинный

Носитель кв азибднорОдвых функци

Носитель меры

Носитель меры минимальный

Носитель многоразового использовани

Носитель поля проекций

Носитель регистрирующего устрой

Носитель ряда

Носитель серии «Космос

Носитель степенного ряда

Носитель функции

Носитель функции обобщенной

Носитель шкалы

Носителя метод

Ограничение для носителе тока

Оперативная оптическая запись на реверсивных носителях

Определение знака носителей тока в полупроводниках

Оптическая ориентация свободных носителей

Основные и неосновные носители закон действующих масс

Основные и неосновные носители заряда в полупроводнике

Основные носители тока

Основные сведения о программном управлеКодирование программ и их носители

Основы устройства баллистических ракет дальнего действия и ракет-носителей

Отечественные ракеты-носители

Оформление схем, составление отчетов и вывод на бумажный носитель

Оформление чертежей, генерация отчетов и вывод на бумажный носитель

Переход носителей равновесная

Переход порядок — беспорядок концентрация неосновных носителей

Плотность носителей

Поверхностные избытки носителей заряда

Поглощение свободными носителями

Поглощение свободными носителями заряда

Подвижность носителей в GaAs

Подвижность носителей в GaAs днффузнн

Подвижность носителей в GaAs связь с коэффициентом

Подвижность носителей заряда

Подвижность носителей при комнатной температуре

Подвижность носителей тока

Подвижность свободных носителей заряда в области пространственного заряда

Подвижность свободных носителей заряда и ее зависимость от температуры

Показатель преломления влияние свободных носителей и температуры

Показатель преломления носителей

Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных и примесных полупроводниках

Полуклассическая модель и типы носителей

Полуметаллы эффективная масса носителей тока

Полупроводники гепорация носителей

Полупроводники носители тока неосновные

Полупроводники подвижность носителей тока

Полупроводники рекомбинация носителей

Полупроводниковые материалы Коэффициент теплопроводности (X, Вт м- К-) германия с различной концентрацией носителей тока

Полупроводниковые носители информации

Потери в гетеролазерах за счет связи свободных носителя

Потери на свободных носителях

Предстартовая подготовка и пуск ракеты-носителя

Приложение. 1. Основные дополнения, которые будут внесены в некоторые действующие стандарты ЕСКД, а также перечень проектов основополагающих стандартов, регламентирующих конструкторскую документацию на машинных носителях

Применение аргона в качестве газа-носителя и защитного газа

Примеры полупроводников Типичные примеры зонной структуры полупроводников Циклотронный резонанс Число носителей тока при термодинамическом равновесии Примесные уровни Заселенность примесных уровней при термодинамическом равновесии Равновесная концентрация носителей в примесном полупроводнике Проводимость за счет примесной зоны Теория явлений переноса в невырожденных полупроводниках Задачи Неоднородные полупроводники

Примеси в полупроводниках и концентрация носителей тока

Принципы оптической ориентации спинов свободных носителей

Программа беспилотного носителя К-1 корпорации Кистлер Аероспейс

Продолжительность жизни неосновных носите5-3-2. Электрический ток, обусловленный неосновными носителями

Пуск ракеты-носителя

РДТТ ракеты-носителя «Ариан

Ракета-носитель

Ракета-носитель Ангара

Ракета-носитель Ариан

Ракета-носитель Днепр

Ракета-носитель Космос

Ракета-носитель Протон

Ракета-носитель Рикша

Ракета-носитель Сатурн

Ракета-носитель Союз

Ракета-носитель Стрела

Ракета-носитель Штиль

Ракета-носитель Энергия

Ракета-носитель Энергия-М (проект)

Ракета-носитель Энергия. Первый и последний полет Бурана Причины закрытия программы Буран

Ракета-носитель легкого класса Рокот

Ракета-носитель, управление

Ракета-носитель. Обшие сведения

Ракеты-носители 11СКБ - Прогресс

Ракеты-носители 11иклон-2 и 11иклон

Ракеты-носители Атлас

Ракеты-носители ГКБ ЮЖНОЕ имени М. К. Янгеля (СССР - Украина)

Ракеты-носители Дельта

Ракеты-носители Европейского космического агентства

Ракеты-носители Зенит

Ракеты-носители Конестога

Ракеты-носители Космос-2, Космос

Ракеты-носители Таурус

Ракеты-носители Титан

Ракеты-носители для коммерческой деятельности

Ракеты-носители и космодромы Китая

Ракеты-носители семейства Старт

Рассеяние носителей

Рассеяние носителей заряда на поверхност

Результаты пусков отечественных ракет-носителей

Рекомбинация и диффузия носителей

Рекомбинация носителей

Решетки свободных носителей

Российские ракеты-носители - ближайшая перспектива Кузнецов (РКА)

СТАТИСТИКА РАВНОВЕСНЫХ И НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

США - ракеты-носители, многоразовые транспортные космические системы, космодромы

Самолеты-носители (ракетоносцы)

Свободные носители заряда

Системы управления космических ракет-носителей Трунов, С. М. Вязов (ГУП НП1Л АП им. академика Н. А. Пилюгина)

Совместимость квадрафонической аппаратуры и носителей записи

Сопряжение с аппаратурой носителя

Статистика носителей заряда в металлах и полупроводниках

Твердотопливные двигатели для последних ступеней ракет-носителей

Твердотопливные ускорители ракеты-носителя Ариан

Темп захвата носителей заряда

Темп рекомбинации. Время жизни неравновесных носителей заряда в объеме

Технические средства сборки ракеты-носителя

Типы носителей

Траектории ракеты-носителя спутника

Трехступенчатая ракета-носитель Восток

Трехступенчатая ракета-носитель Восход

Трехступенчатая ракета-носитель Союз

Уровни инжекции носителей заряд

Усиление звука дрейфом носителей в пьезополупроводниках

Ускорители ракеты-носителя Титан

Устройства записи-воспроизведения на неподвижном носителе

Устройство подготовки данных на машинных носителях для ввода в ЭВМ

Функции командно-измерительного комплекса при пуске ракеты-носителя

Функция с компактным носителем

Характеристики процесса рекомбинации неравновесных носителей заряда

Четырехступенчатая ракета-носитель Молния

Экранирование локализованными носителями заряда

Экспериментальное исследование захвата и рекомбинации носителей заряда на поверхности полупроводников

Электронно-колебательная модель захвата и рекомбинации носителей заряда

Электростатическое экранирование свободными носителями заряда

Электростимулируемые носители информации

Элементарные носители магнетизма в ферромагнитных , телах

Энергия перескока носителя

Эффект Холла и знак заряда носителей тока

Эффект Холла и концентрация носителей тока

Эффективная масса носителей заряда

Японские ракеты-носители

Японские ракеты-носители, космодромы



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте