Внутренняя рекомбинация

Если при переходе угол У — X — У изменяется значительно, то лучше всего воспользоваться потенциальной диаграммой типа приведенной на фиг. 169. Ясно, что если в возбужденном состоянии угол меньше, чем в основном, т. е. если потенциальная яма находится при больших значениях у, то тогда фигуративная точка после прохождения через минимум может легко выходить по долине вверху диаграммы, т. е. может иметь место диссоциация на X + У2. Такой же вывод применим к молекуле, которая линейна в основном состоянии (фиг. 167) и, как часто случается, изогнута в возбужденном состоянии. В каждом случае двухатомная молекула образуется из двух атомов (У), не связанных непосредственно в исходной молекуле. Тем самым такой процесс диссоциации приводит к внутренней рекомбинации. [c.462]

Во время слабого освещения фототок при внутреннем фотоэффекте почти пропорционален световому потоку. При больших освещенностях эта зависимость становится нелинейной. Нелинейность световой характеристики объясняется тем, что внутренний фотоэффект сопровождается рядом побочных явлений, среди которых основную роль играет рекомбинация, т. е. возвращение электронов в нормальное состояние. Световые характе- [c.168]

Термическим уравнением состояния называют уравнение, связывающее давление с плотностью и температурой, а калорическим — уравнение, определяющее зависимость внутренней энергии (энтальпии) от температуры и давления. В большинстве случаев течения газа сопровождаются разного рода неравновесными процессами, для описания которых уравнения газовой динамики дополняются соответствующими кинетическими или релаксационными уравнениями. Кроме того, в уравнения вводят дополнительные члены, учитывающие воздействия неравновесных процессов на газодинамические параметры. Неравновесные процессы весьма разнообразны. Наиболее часто приходится иметь дело с неравновесным возбуждением колебательных степеней свободы, неравновесной диссоциацией и рекомбинацией, неравновесным движением жидких или твердых частиц в условиях неравновесной конденсации или испарения. [c.32]

Конкретный вид функций Ft определяется характером рассматриваемых реакций (диссоциация, рекомбинация, ионизация, возбуждение внутренних степеней свободы) и кинетикой этих реакций. [c.37]

Наличие флокенов является причиной возникновения тонких внутренних трещин. Стали, склонные к их образованию, следует после горячей деформации охлаждать медленно. Название фло-кен происходит от появляющихся на изломе округлых пятен, которые при грубом изломе имеют матовый блеск. Трещины возникают при охлаждении после горячей деформации в интервале температур 200—20° С. Растворенный в стали водород, внутреннее давление которого при рекомбинации сильно возрастает, вызывает растрескивание в названном температурном интервале. [c.70]

Рассмотрим случай обтекания тонкого профиля с очень большими числами Маха (М 1) такое обтекание иногда называют гиперзвуковым. Будем продолжать, считать газ однородным, отвлекаясь от тех сложных процессов, которые на самом деле возникают в гиперзвуковых потоках за счет высоких температур, образуюш,ихся при торможении газа на поверхности тела и при прохождении сквозь поверхности сильных разрывов. Будем в настояш,ем параграфе пренебрегать явлениями диссоциации и последующей возможной рекомбинации молекул газа, ионизации газа и некоторыми другими физическими и химическими процессами, характерными для гиперзвуковых движений газа. К некоторым из этих существенных явлений мы вернемся в последней главе курса, где пойдет речь о более близкой к действительности модели газа, обладающего внутренним трением (вязкостью) и теплопроводностью. [c.247]

Этот термически генерированный поверхностный поток обозначен на рисунке Имеется определенная вероятность того, что носитель, поступающий в объем с поверхности, в результате хаотического движения возвратится обратно, не испытав рекомбинации. Эта вероятность описывается объемным коэффициентом отражения В. Полные потоки FiU F[, протекающие между поверхностной и объемной областями, можно определить, если заметить, что поток Fi состоит из потока А плюс та часть F , которая отражается от внутреннего объема, а F[ состоит из потока gs плюс та часть Fi, которая отражается от поверхности. Таким образом, можно записать [c.356]

Турбулентная диффузия массы во внутреннем следе. Зная изменение коэффициента турбулентной диффузии Ej- ( ) вдоль оси следа, можно описать турбулентную диффузию отдельных химических компонентов во внутреннем следе с помош,ью подхода, аналогичного рассмотренному выше для суммарной статической энтальпии. Рассмотрим простейший случай, когда все диффундирующие компоненты содержатся во внутреннем следе рекомбинация или другие химические реакции, в которых участвуют эти компоненты, настолько медленнее диффузии, что ими можно пренебречь. Это случай введения инородного вещества в пограничный слой путем абляции. Как и энтальпия [уравнение (63)], массовая концентрация может быть задана в простейшем случае в двупараметрическом виде [c.181]

Характерным представителем многокомпонентной природной среды служит верхняя атмосфера планеты, отличительной особенностью которой является непосредственное воздействие радиационных факторов при одновременных разнообразных химических превращениях в сочетании с процессами тепло- и массопереноса. Под воздействием интенсивного солнечного электромагнитного излучения происходят разнообразные фотохимические процессы - фотоионизация, фотодиссоциация, возбуждение внутренних степеней свободы (в том числе возбуждение электронных уровней) атомов и молекул. Эти процессы сопровождаются обратными реакциями ассоциации атомов в молекулы, рекомбинации ионов, спонтанного излучения фотонов и ударной дезактивации. Свойства газа формируются в гравитационном и электромагнитном полях при этом важную роль играют процессы молекулярной и турбулентной диффузии и теплопередачи (в том числе и излучением) при различной степени эффективности коэффициентов молекулярного и турбулентного обмена на разных высотных уровнях. Возникающие температурные, концентрационные и барические градиенты приводят к развитию разномасштабных гидродинамических движений, характер которых до основания термосферы сохраняется турбулентным. Определенное воздействие на состав, динамику и энергетику верхней атмосферы оказывает также солнечное корпускулярное излучение и некоторые дополнительные источники энергии (такие как приливные колебания, вязкая диссипация энергии магнитогидродинамических и внутренних гравитационных волн и др.). [c.68]

На температуру поверхности тел, летящих в верхних слоях атмосферы, кроме воздействия молекулярной среды (конвективный теплообмен) и радиации тела, оказывает влияние солнечная радиация, радиация Земли, солнечная энергия, отраженная от Земли, энергия рекомбинации атомов вследствие столкновения с поверхностью, внутренняя радиация (для полых тел), теплопроводность самого летящего тела и т. д. Не останавливаясь на изложении влияния всех указанных факторов, приведем постановку и методы решения задачи об определении температуры тела, летящего в верхних слоях атмосферы. [c.631]

Внутреннее вращение, барьер 13, 120, 122, 410 Внутренняя, конверсия 488, 567 рекомбинация 462 Внутримолекулярное ноле 142 Водородная связь 437, 438, 440, 442 Водородоподобные орбитали 303, 306 Возмущения [c.736]

Полупроводниковые лазеры на р — -переходе. Вынужденное излучение можно получить иа кристалле полупроводника за счет рекомбинации электронов и дырок в области р — л-иере-хода (рис. 18.18). Накачка, т. е. создание инверсии населенностей, осуществляется путем приложения к р — л-переходу электрического напряжения. Электромагнитным резонатором является внутренняя часть кристалла полупроводника, поскольку отражательная способность границы кристалл — воздух весьма высока. Две грани кристалла, перпендикулярные к плоскости р — м-перехода, обычно полируют или тщательно очищают. Необходимо, чтобы грани были плоскопараллельными испускаемое излучение распространяется вдоль плоскости р—л-перехода. [c.646]

Атомарный водород, образовавшийся на первой стадии катодной реакции, может непосредственно на месте образования частично превратиться в молекулярный водород и выделиться в виде газообразного, однако некоторая его часть может раствориться в металле если его концентрация становится достаточной, этот атомарный водород может диффундировать вглубь, а рекомбинация в молекулы произойдет в маленьких порах внутри металла при этом может создаться высокое давление. Пока единого мнения о том, насколько значительна роль внутреннего давления водорода в разрушении, вызываемом концентрированной щелочью, нет возможно, в дальнейшей работе выяснится, что его роль в котельных разрушениях больше, чем непосредственное коррозионное разъедание металла по границам зерен. [c.418]

Неидеальность кристаллической решетки вблизи границы полупроводника приводит к большому числу локальных энергетических состояний в запрещенной зоне. В особенности это относится к гетероструктуре (см. гл. 9), так как в ней имеются неоднородности внутри кристалла. Эти неоднородности приводят к большому числу энергетических уровней, которые действуют как центры рекомбинации. Через эти энергетические состояния идет в основном безызлучательная рекомбинация, поэтому наличие поверхности или границ раздела может существенно снизить внутреннюю квантовую эффективность прибора. Так же, как и при рассмотрении рекомбинации в материале, можно рассматривать суммарную скорость рекомбинации носителей на поверх- [c.223]

Как показала М. М. Глейзер, повышенной восприимчивостью к действию ингибиторов коррозии обладают металлы, относящиеся по природе водородного перенапряжения к группе, характеризующейся либо замедленной рекомбинацией водородных атомов, либо соизмеримым торможением рекомбинации и разряда водородных ионов (Fe, Ni, Ti). Адсорбция ингибиторов коррозии на поверхности металлов этой группы происходит за счет как электростатических, так и специфических сил. Металлы этой группы, обладая неукомплектованными электронами внутренними Зй-подоболочками, склонны также к повышенной хемосорбции ингибиторов на своей поверхности. [c.348]

Дальнодействующие напряжения от дислокаций в плоскостях скольжения по Тейлору Скопление дислокаций в плоскостях скольжения по Мотту и Зегеру Продавливание дислокаций через лес и другие препятствия Перерезание дислокаций леса Перемещение ступенек за дислокациями, Рекомбинация дислокаций Преодоление полей внутренних напряжений, вызванных дислокациями леса без протекания реакций 0,16 0,7 0,32 0,16 0,16 >0,32 1 [232] [236] [239] [232] [240, 241] [244] [246] [c.101]

Учитывая, что линейность характеристики в координатах 1п г— — ]и выполняется для полного тока, включающего как ионную, так и электронную составляющие, можно предположить, что в области предпробивных значений напряженности поля перенос заряда через окисную пленку осуществляется как электронами проводимости, так и квазиионами МОаОз и МедО , образовавшимися на фазовых границах и в объеме оксида. Рекомбинация отрицательных кислородных радикалов на внутренней границе и прохождение электронов в металл вызывают появление дефектов Френкеля и рост пленки. Параллельным процессом является выделение газообразного кислорода. [c.77]

Эффективность светодиода определяется прежде всего его внутренним квантовым выходом г в , представляющим собой отношение числа квантов, испускаемых при рекомбинации, к чилу инжектированных неосновных носителей. Если бы рекомбинация была только излучательной, то т в = 1. Однако наряду с излучательной рекомбинацией всегда протекает процесс безызлучательной рекомбинации. Поэтому в общем случае т] ,, < 1 и определяется следующим соотношением [c.331]

Из (12.26) следует, что для получения максимальной внутренней эффективности светодиода следует по возможности увеличить отношение вероятности излучательной рекомбинации к безызлуча-тельной. Безызлучательная рекомбинация, как правило, определяется в основном глубокими рекомбинационными центрами, излу-чательная же идет обычно в результате межзонных переходов (рис. 12.11, а), переходов из зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни (рис. 12.11, 6) или с мелких донорных уровней в валентную зону (рис. 12.11, б). Вероятность безызлучательной рекомбинации можно уменьшить, очистив полупроводник от глубоких рекомбинационных центров. Сделать это очень трудно, так как сечение захвата носителей некоторыми примесными центрами, например медью, велико и требуется очень высокая степень очистки оттаких примесей. Поэтому качество светодиодов в значительной мере зависит от степени очистки исходных материалов и совершенства технологии изготовления диодов. [c.332]

Другим способом повышения внутреннего квантового выхода диода является увеличение вероятности излучательной рекомбинации путем выбора полупроводникового материала и степени его легирования. В таких полупроводниках, как Si и Ge, у которых дно зоны проводимости и потолок валентной зоны расположены при различных значениях волнового вектора к (рис. 5.4), вероятность меж-зонной излучательной рекомбинации много меньше, чем у полупроводников с совпадаюш,ими экстремумами зон (GaAs, InAs, InSb и др.). Поэтому для изготовления светодиодов необходимо брать [c.332]

ДИОД, испуская спонтанное излучение с равномерной плотностью во всех на-ттравлениях (в телесном угле 4 я рад.). Лучи, не попавшие на отражающие грани кристалла, полностью поглощаются в нем. Кроме того, лучи, упавшие на эти грани под углом а > 17 , испытывают полное внутреннее отражение и в конечном счете также поглощаются в кристалле. Поэтому из светодиода выходит всего ж2% излучения, возникшего в нем в результате излучательной. рекомбинации. [c.343]

Нельзя не сказать подробней о фототролном стекле, которое мы уже упоминали. После варки, осветления и формования стекло подвергают специальной термообработке, благодаря которой выделяются микрочастицы бромистого серебра размером 100— 200 ангстрем, окруженные стекловидной фазой. Под воздействием ультрафиолетового и видимого света из бромистого серебра выделяются микрочастицы металлического. серебра, препятствующие прохождению света. Интенсивность падающего на стекло излучения уменьшается. Это способствует рекомбинации микрочастиц серебра и брома и восстановлению прозрачности стекла. Введение фототропной пленки в многослойное стекло или нанесение ее на внутреннюю поверхность стеклопакета позволяет получать строительные материалы с переменной прозрачностью. [c.99]

Применение различных методов исследования лакокрасочных материалов (электронная и оптическая микроскопия, ИК-спектро-скопия, дифференциально-термический, термомеханический и эле-менто-химический анализ и др.) позволило установить, что при старении покрытий в результате окислительной деструкции одновременно протекают противоположно направленные процессы рост плотности сшивки и повышение гибкости молекулярных цепей. Первый процесс обусловлен рекомбинацией свободных радикалов, образующихся при фототермической деструкции пленки, а также дополнительным сшиванием системы за счет увеличения подвижности функциональных групп. Второй процесс связан с уменьшением барьера внутреннего вращения полимерной цепи вследствие внедрения в основную цепь кислорода, а также с возникновением микропустот при удалении из пленки летучих продуктов деструкции. [c.201]

V и УФ-чувствительные ПВМС. Основные ограничения на чувствительность ПВ. 1С в УФ-области спектра накладываются возрастанием поглощения света в слоях структуры в подложке, в прозрачном электроде. Большой коэффициент поглощения j и УФ-излучсния приводит к поглощению этого излучения в приповерхностной области полупроводников, характеризуемой высокой скоростью рекомбинации носителей. Это снижает фоточув-ствительность полупроводников в этой области спектра. Кроме того, снижается квантовый выход фотоэффекта из-за появления. новых каналов возбуждения — прежде всего, возб ждения внутренних атомных оболочек. [c.185]

При катодном коррозионном растрескивании атомы водорода в результате электрохимической реакции на катоде проникают в кристаллическую решетку металла и, взаимодействуя с внутренними и внешними напряжениями, вызывают появление в материале трещин, которые могут быть как транскристаллитными, так и межзеренными. Водородные соединения S, Р, As, Se, Те, Sb, а также роданиды, тио-сульфаты, СО и цианиды, называемые рекомбинационными ядами или пролюторами, тормозят рекомбинацию атомарного водорода в молекулярный, вследствие чего на поверхности скапливаются диффундирующие атомы водорода. [c.293]

Первые попытки применения квантово-механической теории энергетического состояния электронов в диэлектриках и полупроводниках к интерпретации фотохимических и фотоэлектрических явлений в щелочно-галоидных кристаллах принадлежат П. С. Тар-таковскому [71]. На основе имевшихся в то время экспериментальных данных и общих соображений об энергетических уровнях в кристаллах Тартаковским впервые была построена схема энергетических уровней для ряда щелочно-галоидных соединений с учетом локальных электронных состояний различных центров окраски. Анализируя электронные переходы между различными уровнями энергии кристалла, можно было объяснить ряд оптических и фотоэлектрических свойств окрашенных кристаллов ще-лочно-галоидных соединений с единой точки зрения. Однако в отличие от полупроводников, для которых свет в области их фундаментального поглощения является фотоэлектрически активным, в щелочно-галоидных кристаллах не наблюдается внутреннего фотоэффекта под действием света в области первой полосы собственного поглощения. По этой причине попытки применения зонной теории к толкованию всей совокупности явлений, связанных с собственным поглощением, фотопроводимостью и люминесценцией щелочно-галоидных кристаллов наталкивались на существенные затруднения. Некоторые фундаментальные экспериментальные факты относительно свойств окрашенных щелочно-галоидных кристаллов не получили объяснения ни в энергетической схеме Тарта-ковского, ни в подобных более всеобъемлющих схемах, предлагавшихся позднее. В частности, оставалась совершенно непонятной сама возможность образования в кристалле столь устойчивой окраски под действием света или рентгеновых лучей, какая в действительности наблюдается у щелочно-галоидных кристаллов. В самом деле, при образовании в процессе фотохимического окрашивания свободных электронов, локализующихся затем на уровнях захвата, в верхней зоне заполненных уровней энергии должны образоваться свободные положительные дырки. Вследствие диффузии этих дырок в верхней зоне заполненных уровней вероятность их рекомбинации с электронами, локализованными в центрах окраски, должна быть достаточной, чтобы кристалл быстро обесцветился даже в темноте. Между тем, известно, что окраска кристалла весьма устойчива и сохраняется в темноте очень продолжительное время. Возможность локализации положительных дырок в предлагавшихся квантово-механических моделях не рассматривалась. [c.30]

Таким образом, в чистых фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений свечение обусловлено рекомбинацией электронов и положительных дырок, а при введении в кристалл активирующей примеси энергия рекомбинации электронов и дырок может быть трансформирована в энергию возбуждения центров свечения. Поэтому послесвечение этих фосфоров можно рассматривать как особый вид сенсибилизованной люминесценции. Подобное предположение было высказано впервые Дж. Франком в 1948 году [344]. По идее Франка электрон и дырка во время рекомбинации представляют собой резонатор переменной частоты. Благодаря внутренней конверсии потенциальная энергия системы электрон -f- дырка превращается в колебания решетки, и когда колебательная энергия последней достигает уровня, находящегося в резонансе с энергией возбуждения активатора, становится возможным переход активирующей примеси в возбужденное состоя- [c.247]

Увеличению числа разрывов макромолекул и усиление фотоокисления покрытий под влиянием внутренних напряжений способствует снижение энергии активации разрыиа связей С—С в скелетах макромолекул и уменьшение вероятности рекомбинации радикалов по разорванным связям [30]. [c.46]

Если разрывающиеся связи (любого характера) восстанавливаются под нагрузкой в новых положениях, то рекомбинация происходит так, чтобы вновь образовавшиеся связи не препятствовали внешнему воздействию — были неактивными (ненапряженными). Доля рекомбинированных связей [X тем больше, чем легче перегруппировки, т. е. меньше внутреннее трение, Г. При изменении направления действующей нагрузки рекомбинированные связи снова оказываются напряженными и входят в число активных (напряженных) связей, не успевших разорваться. [c.236]

Структура полимерного материала способствует чрезвычайно неравномерному распределению внутренних сил между отдельными молекулами. Основную нагрузку несут не более 20 % цепных молекул. В основе разрушения наиболее нагруженных молекул лежит термофлуктуационный механизм, при котором некоторые разрушенные связи восстанавливаются, но с ростом нагрузки число актов разрушения превышает число восстановлений (рекомбинаций). Сопротивление разрушению зависит от скорости деформирования и температуры. [c.149]

Рекомбинация 445, 468, 487 внутренняя 462 выход 468, 487, 490, 492 при двойном столкновении 485, 491 тройном столкновении 491 Реннера — Теллера расщепление см. Расщепление Реннера — Теллера Реннера — Теллера состояния 212 Ридберга формула 27, 69, 350 Ридберговские переходы 149, 434 [c.748]

Механизм растрескивания основан на представлении о внутренних давлениях [30], появляющихся после того, как водород, растворенный в междоузлиях кристаллической решетки, превращается в молекулярный водород в пустотах или других благоприятных для рекомбинации молекул местах. В этих участках может возникнуть очень высокое давление. Достоверность описываемого явления подтверждается образованием видимых пузы- [c.116]

Как известно из курса термодииамики. предположение о термодинамическом равновесии заключается в соответстви уровней внутренних степеней свободы параметрам, характеризующим состояние газа. Например, при сравнительно невысоких температурах (небольших скоростях) устанавливается равновесие между температурой и колебательной степенью свободы, что соответствует равновесию между температурой и удельной теплоемкостью. Прн высоких температурах (больших скоростях), когда газ диссоциирует, равновесное состояние достигается следующим образом. По мере развития диссоциации вероятность тронных соударений увеличивается, так как возрастает число частиц газа. Это приводит к ускорению рекомбинации и замедлению скорости диссоциации. Наступает момент времени, когда при некоторой температуре скорости прямой и обратной реакций выравниваются н газ приходит в равновесное состояние, которое характеризуется неизменным составом н соответствием между степенью диссоциации, с одной стороны, и температурой и давлением — с другой. Наконец, при еще более высоких температурах (очень больших скоростях) можно говорить о равновесных процессах возбуждения электронных уровней и ионизации. [c.185]

Основная допускаемая при этом погрешность заключается не в том, что течение принято внешне адиабатическим. Количество отводимого через стенку тепла действительно ничтожно мало по сравнению с общим запасом энергии потока. Дело совсем в другом. Процесс горения в камере при высоких температурах сопровождается диссоциацией, т, е. распадом продуктов сгорания на атомы, молекулы и радикалы, на что затрачивается часть тепловой энергии газа. В сопловой части камеры, по мере расширения газов, температура падает и происходят обратные реакции— реакции рекомбинации, а тепловая энергия частично восстанавливается. Значит, в отличие от адиабатического, мы имеем течение с подводом тепла изнутри самого потока. Поток неадиабатичен внутренним образом. Эта внутренняя неадиаба-тичносгь может быть в принципе учтена, если мы будем рассматривать поток с учетом изменения химического состава, по-прежнему считая его внешне адиабатическим. О том, как это делается, мы поговорим в следующей главе. Сейчас же заметим, что упрощающее предположение о постоянном химическом составе газовой смеси приводит к довольно ощутимым числовым погрешностям, но качественная картина остается правильной. А это пока для нас главное. [c.159]

Получение высокой внутренней квантовой эффективности еще недостаточно для достижения высоких параметров полупроводникового оптического источника. Основная часть, рекомбинации излучения генерируется в пределах одной-двух диффузионных длин от перехода и характеризуется отсутствием направленности. Отношение числа фотонов, вышедших из полупроводника, к числу носителей, прошедших через переход, называется внешней квантовой эффективностью Пвнеш-Четыре основных эффекта приводят к тому, что Лвнеш всегда меньше Лвнут- Во-первых, излучение выходит из полупроводника через поверхность полупроводник — воздух. Во-вторых, только та часть излучения, которая подходит к поверхности под углом мейьше критического 0с, может выйти из полупроводника. В-третьих, часть и этого излучения отражается от поверхности полупроводник — воздух. В-четвертых, происходит поглощение между точкой генерации излу- [c.224]

Потери, обусловленные механизмом самопоглощения, не могут быть так легко определены количественно. Это предел, обратный процессу излучательной зона — зонной рекомбинации. Внутри полупроводника излучение с энергией фотона больше ширины запрещенной зоны (hf > Sg) может взаимодействовать с электроном валентной зоны и возбудить его в зону проводимости. При этом образуется электрон-дырочная пара, а фотон поглощается. Этот процесс лежит в основе работы полупроводниковых детекторов, поэтому будет подробно рассматриваться в гл. 12. Здесь же только отметим, что появляющийся при зона — зонной рекомбинации фотон имеет энергию, достаточную для самопоглощения. Поэтому расстояние между областью генерации и излучающей поверхностью должно быть по возможности сокращено. При этом появляется опасность, что поверхность с ее высокой концентрацией ловушечных уровней может оказаться в пределах одной-двух диффузионных длин от перехода, что вызовет изменение безызлуча-тельного времени жизни и снижение внутренней квантовой эффективности. Ясно, что необходимо принимать компромиссное решение. [c.226]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...