Рекомбинация

Предложено много теорий перенапряжения водорода, из которых можно было вывести эмпирические зависимости (линейную и логарифмическую) перенапряжения водорода от катодной плотности тока наиболее важными и общепризнанными являются две теории теория замедленного разряда и-теория замедленной рекомбинации. [c.252]

Существенным доводом в пользу рекомбинационной теории является совпадение ряда металлов по возрастающим значениям водородного перенапряжения с расположением металлов по убывающей каталитической активности при рекомбинации водородных атомов [c.257]

Таким образом, рекомбинационная теория объясняет зависимость перенапряжения водорода от материала катода чем больше склонность металла к взаимодействию с атомами водорода (высокая энергия адсорбции, образование твердых растворов, способность металла катализировать рекомбинацию водородных атомов), тем легче протекает рекомбинация водородных атомов и тем ниже перенапряжение водорода. [c.258]

При большой затрудненности реакции рекомбинации водородных атомов (528) и электрохимической десорбции (529) увеличивается возможность растворения Нзд,. в металле и последующей диффузии водорода в глубь металла (см. рис. 174), что часто приводит к появлению водородной хрупкости металла. [c.259]

Катодные ингибиторы коррозии в ряде случаев (например, ингибиторы ЧМ, ПБ-5 и др.) уменьшают также наводороживание металла при его кислотном травлении, что снижает опасность возникновения травильной хрупкости. Можно заключить, что подобный эффект свойствен ингибиторам катодного процесса водородной деполяризации, когда тормозится стадия разряда водородных ионов, но не стадия рекомбинации водородных атомов (см. с. 250). [c.349]

С прекращением нагрева или светового воздействия электропроводность кристалла уменьшается, поскольку освободившиеся электроны размещаются в связях (происходит рекомбинация электронов и дырок). Этот процесс заканчивается в течение менее тысячных долей секунды и кристалл вновь теряет электропроводность. [c.387]

Экспериментальные исследования. Простейшая модель для изучения процессов ионизации и рекомбинации — инертный газ. Однако при уровне температуры 3000° К и умеренном давлении в десятки миллиметров ртутного столба невозможно поддерживать измеримую степень равновесной тепловой ионизации в инертном газе. Поэтому экспериментальное исследование проводилось в условиях неравновесной рекомбинации в пламени дуги аргона с добавками или без добавок различных твердых частиц [737]. Эта модель хорошо воспроизводит реальные условия в ракетной струе, где протекает процесс рекомбинации после быстрого расширения в сопле. [c.457]

Типичные экспериментальные результаты показаны на фиг. 10.8 и 10.9 в виде зависимости тока зонда от времени t (положения зонда относительно отверстия указаны на фиг. 10.8). По этой шкале времени рекомбинация происходит в ионизованном газе как с добавками твердых частиц, так и без них. [c.458]

Для простого случая ионизованного газа без частиц константа скорости рекомбинации определяется, согласно [501], по уравнению [c.458]

Фиг. 10.8. Влияние частиц меди на рекомбинацию аргона. 1 — аргон с частицами меди 2 — аргон без частиц меди.

Фиг. 10.9. Влияние частиц алюминия на рекомбинацию аргона. 1 — аргон о частицами алюминия 3 — аргон без частиц алюминия.

Рекомбинация аргона без твердых частиц [737] [c.460]

Рекомбинация аргона в присутствии частиц различных твердых материалов [737] [c.462]

Фотоионизация. Атомы и молекулы могут возбуждаться не только при соударениях между собой или с ионами и электронами, но и путем поглощения квантов излучения. Такие кванты в дуге появляются при рекомбинации других сильно возбужденных атомов. [c.45]

Рекомбинация. Скорость рекомбинации ионов, электронов и нейтральных частиц при их концентрации п,, Пе, п определяется коэффициентом рекомбинации R по уравнению [c.46]

Проводимость газового промежутка определяют прежде всего электроны как высокоподвижные частицы. Захват электронов атомами (прилипание) и ионами в процессе рекомбинации можно в некоторых случаях рассматривать как процесс обратимый, а в других — как практически необратимый процесс. [c.46]

Порядок энергии электронного сродства таков, что указанные процессы могут считаться обратимыми. Но быстрая рекомбинация молекул из этих ионов с положительными ионами металлов (Ri велико) приводит к более интенсивной деионизации разрядного промежутка. [c.46]

Явление рекомбинации электрона с ионом заключается в том, что свободный электрон, пролетая в поле иона, захватывается последним и переходит в связанное состояние. При этом освобождается энергия, равная сумме кинетической энергии свобод- [c.46]

Рис. 2.14. Схематическое изображение возможных энергетических переходов при рекомбинации электрона и протона (диаграмма энергий)

Так как свободные электроны обладают непрерывным набором энергий, то фотоны, излучаемые в процессе рекомбинации, образуют сплошной спектр, на который накладывается линейчатый спектр возбужденных атомов, образующихся при ступенчатых переходах. [c.47]

Для сварочных дуг, имеюш,их Те л Г. Ю" К, излучение рекомбинации преобладает над тормозным излучением электронов и имеется преимущественно сплошной спектр с максимумом в области видимого и ультрафиолетового диапазонов (0,3... 1,0 мкм). Спектр сварочной дуги в парах металлов приближается к спектру солнечного излучения с небольшим сдвигом от последнего в сторону длинных волн (рис. 2.15). [c.47]

На участках, удаленных от оси столба дуги, будет происходить рекомбинация молекул СО2 с большим выделением тепло- [c.381]

Таким образом, исследованные КСФ воздействуют на механизм перенапряжения водорода, приводя к инверсии стадий замедленной рекомбинации и разряда, что способствует снижению окклюзии водорода и сохранению запаса пластичности стали. [c.273]

Ня с - Надс НвК Скорость этого процесса при низких температурах/тмитируется реанциеС гидратации, в с повышением температуры-реакцией каталитической рекомбинации адсорбированного водорода. [c.11]

Для стабильного горения дуги необходимо, чтобы в ее столбе все время находились заряженные частицы, количество которых уменьшается вследствие рекомбинации. Ионизирующее действие материалов определяется не только величиной потенциала ионизации, но и упругостью пара данного соединения или простого вещества, так как упругость пара определяет скорость испарения и тем самым концентрацию легкоионизирующихся атомов в атмосфере дуги. Поэтому эффективный потенциал ионизации любой газовой смеси определяется не только потенциалом ионизации, но и концентрацией элементов в дуговом промежутке. [c.5]

Теория замедленной рекомбинации (или атомарная теория) была впервые выдвинута Хафелем (1900 г.) и наиболее обстоятельно сформулирована Н. И. Кобозевым и Н. И. Некрасовым (1930 г.). [c.255]

Увеличение ШадсЗг должно нарушить равновесие б и вызвать химическую реакцию рекомбинации водородных атомов 2Надс = На- При этом скорость частной реакции рекомбинации, выраженная через плотность тока, будет [c.256]

Изложенные выше две теории перенапрялсения водорода не являются взаимоисключающими. В зависимости от материала катода и от условий процесса механизм перенапряжения водорода может быть тем или иным. Есть основания полагать, что для металлов с высоким перенапряжением водорода (Hg, РЬ, Zn, d, Tl) ответственным за перенапряжение водорода является замедленный разряд, для металлов с низким перенапряжением водорода (Pt, Pd) — замедленная рекомбинация, а для некоторых металлов (например, Fe, Ni, Ti) — замедленность обеих этих стадий. [c.259]

Как показала М. М. Глейзер, повышенной восприимчивостью к действию ингибиторов коррозии обладают металлы, относящиеся по природе водородного перенапряжения к группе, характеризующейся либо замедленной рекомбинацией водородных атомов, либо соизмеримым торможением рекомбинации и разряда водородных ионов (Fe, Ni, Ti). Адсорбция ингибиторов коррозии на поверхности металлов этой группы происходит за счет как электростатических, так и специфических сил. Металлы этой группы, обладая неукомплектованными электронами внутренними Зй-подоболочками, склонны также к повышенной хемосорбции ингибиторов на своей поверхности. [c.348]

Некоторые исследователи (И. Тафель, Н. И. Кобозев и др.) придерживаются в вопросе водородного перенапряжения иных взглядов. Они считают, что замедленной стадией является не разряд ионов водорода, а процесс молизации.т. е. пятая стадия процесса. Эта теория водородного перенапряжения, получившая название рекомбинационной, достаточно обоснована для некоторых металлов, в отношении которых наблюдается параллелизм между величиной перенапряжения на них вод,орода и каталитической их активностью по отношению реакции рекомбинации водородных атомов. [c.41]

Уравнения (4.7) —(4,8) показывают, что причинами изменения концентрации носителей могут быть неодинаковость числа носителей, втекающих (и вытекающих) в элементарный объем полупроводника (тогда dlvJ O), и нарушение равновесия между процессами генерации и рекомбинации носителей. Уравнения (4.9) и (4.10), называемые уравнениями плотности тока, характеризуют причины протекания электрического тока в полупроводнике электрический дрейф под воздействием электрического поля (grad tp= 0) и диффузию носителей при наличии градиента концентрации. Уравнение Пуассона характеризует зависимость изменений в пространстве напряженности электрического поля Е=—gгadф от распределения плотности электрических зарядов pi [c.156]

В качестве краевых условий в моделях полупроводниковых приборов используют зависимости потенциалов на контактах от времеин, принимают значения концентраций носителей на границе между внешним выводом и полупроводником равными равновесным концентрациям Ра и Яо, для границ раздела полупроводника и окисла задаются скоростью поверхностной рекомбинации gs, что определяет величины нормальных к поверхности раздела составляющих плотностей тока Jp и Jn, и т. д. [c.156]

Все указанные выше случаи являются упрощением действительных случаев. Однако они позволяют сделать общий вывод, что частицы Си увеличивают общую скорость рекомбинации (эксперименты I и III), тогда как частицы AI2O3 и MgO уменьшают ее (эксперименты IV—VII). Результаты приведены в табл. 10.2. Заметим, что повышение скорости рекомбинации аргона с частицами меди (фиг. 10.8) можно отнести за счет паровой фазы меди и твердых поверхностей. [c.461]

В присутствии частиц MgO и AI2O з константа к,, уменьшается по сравнению с величиной этой константы в отсутствие частиц приблизительно на порядок. Это можно отнести за счет рассеивания ионов положительно заряженными твердыми частицами. Коэффициент ai в присутствии частиц MgO имеет небольшую величину. Коэффициент поверхностной рекомбинации можно выразить через коэффициент в виде [c.461]

Угол наклона dr /d Ig j кривой, описываемой этим уравнением, невелик для небольших значений /. Наклон увеличивается по мере приближения / к / ор + /V и достигает значения р при / > 3> /г + /кор- Перенапряжение выделения водорода для некорродирующего металла также можно выразить с помощью тафелев-ского уравнения, оно имеет вид il = Р Ig (/ + /V)//o и справедливо для всех значений / (см. рис. 4.5). Значения вычисленные с помощью измеренных значений т], также следуют соотношению Тафеля, но с наклоном обратного знака. Наиболее медленной стадией разряда ионов водорода на платине или палладии, видимо, является рекомбинация адсорбированных атомов водорода. Справедливость этого допущения подтверждается тем, что найденное значение а = 2. Для железа а 0,5 и, соответственно, р = = 0,1. Вероятно, медленная стадия реакции выделения водорода на железе протекает по схеме [c.57]

Деионизация. В любой точке стационарного разряда концентрация заряженных частиц любого типа определяется равенством скоростей образования и потерь частиц в этой точке. Ионизация в плазме приводит к разделению зарядов, но электрическое притяжение ограничивает степень возможного разделения и плазма, как будет показано ниже, остается квазинейтральной. Наряду с ионизацией непрерывно происходят уравновешивающие ее процессы деионизации. К ним относятся рекомбинация заряженных частиц в нейтральные, захват электронов (прилипание), дрейф проводимости и диффузионные процессы, выравнивающие концентрацию (амбиполярная диффузия). [c.46]

В случае неингибированной среды NA E величины критериев соответствуют расчетным данным теории замедленной рекомбинации, то есть происходит активный разряд ионов водорода на поверхности металла, приводящий к его наводорожива-нию и последующему водородному охрупчиванию. При введении в коррозионную среду соединений КСФ1-КСФ5 значения критериев приближаются к расчетным данным теории замедленного разряда, что свидетельствует о преобладании молекулярного водорода у поверхности металла и его удалении из среды. [c.273]

Теория сварочных процессов (1988) -- [ c.46 , c.47 ]

Атомная физика (1989) -- [ c.355 ]

Техническая термодинамика Изд.3 (1979) -- [ c.491 ]

Химия и радиоматериалы (1970) -- [ c.95 ]

Материалы в радиоэлектронике (1961) -- [ c.56 ]

Техническая энциклопедия Том19 (1934) -- [ c.0 ]

Электронные спектры и строение многоатомных молекул (1969) -- [ c.445 , c.468 , c.487 ]

Техническая энциклопедия Т 10 (1931) -- [ c.271 ]

Основы техники ракетного полета (1979) -- [ c.197 ]

Ракетные двигатели (1962) -- [ c.0 , c.84 , c.189 , c.191 ]

Техническая энциклопедия Т 9 (1938) -- [ c.271 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...