Фотоэлектрические явления

В отличие от рассмотренного выше внешнего фотоэффекта, при котором под действием света электроны выходят из исследуемой среды наружу, для полупроводников более характерны два других фотоэлектрических явления внутренний и вентильный фотоэффекты. [c.346]

Опыт показал, однако, что ход зависимости, изображенный на рис. 32.7, не всегда имеет место. У ряда металлов, особенно щелочных, для которых красная граница лежит далеко в видимой и даже в инфракрасной области спектра и которые, следовательно, чувствительны к широкому интервалу длин волн, наблюдается следующая особенность сила тока имеет резко выраженный максимум для определенного спектрального участка, быстро спадая по обе его стороны селективный, или избирательный, фотоэффект, рис. 32.8). Селективность фотоэлектрических явлений очень напоминает резонансные эффекты. Дело происходит так, как будто электроны в металле обладают собственным периодом колебаний, и по мере приближения частоты возбуждающего света к собственной частоте электронов амплитуда колебаний их возрастает и они преодолевают работу выхода. [c.644]

Как уже отмечалось, кро.ме внешнего фотоэффекта, называемого также фотоэлектронной эмиссией, существуют внутренний фотоэффект и фотогальванический эффект. Коротко рассмотрим эти два фотоэлектрических явления. [c.168]

Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках [c.69]

ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.318]

J2.3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В р-п-ПЕРЕХОДЕ [c.327]

А. Г. Столетовым, работавшим с фотоэлементами. Суть фотоэлектрических явлений заключается в том, что под действием лучей света в некоторых веществах появляется электрический ток, энергия световых лучей превращается в электрическую. [c.206]

Так, в 1888—1889 гг. профессор Московского университета А. Г. Столетов провел большое число оригинальных опытов по изучению фотоэлектрического эффекта, в результате которых установил основные законы внешнего фотоэффекта и истинные причины этого явления [57]. Эти работы получили мировую известность и стали основополагающими в области изучения фотоэлектрических явлений. Крупный вклад в теоретическую оптику рассматриваемого периода внесли П. Н. Лебедев, Б. Б. Голицын, Т. П. Кравец, П. П. Лазарев, А. Ф. Иоффе и др. [c.373]

Здесь следует отметить произведенные в 1887—1888 гг. А. Г. Столетовым классические исследования фотоэлектрических явлений (Прим, ред, перевода). [c.14]

Прежде чем перейти к элементарному фотографическому процессу, следует кратко рассмотреть центры окраски и агрегаты центров окраски в щелочногалоидных кристаллах (КС1, КВг). Весьма обширные исследования, проведенные школой Поля ), позволили с достаточной полнотой выяснить сущность фотохимических и фотоэлектрических явлений в этих кристаллах. Различные авторы неоднократно пытались перенести некоторые из этих [c.145]

Основные научные работы Столетова, доставившие ему широкую известность в России и за границей, были посвящены исследованиям электрических и фотоэлектрических явлений. Об этих работах и исследованиях Столетова подробно сказано в многочисленных очерках, посвященных его жизни и научной деятельности. [c.583]

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ, внутренний фотоэффект — фотоэлектрический эффект (см. Фотоэлектрические явления), выражающийся в изменении электропроводности облучаемого твердого тела или жидкости. [c.174]

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ, фотоэффект — взаимодействие между излучением и веществом, приводящее к поглощению фотонов и освобождению электронов (см. Фотоэлектронная эмиссия, Фотопроводимость, Фотоэффект запирающего глия). [c.175]

ФОТОЭФФЕКТ — см. Фотоэлектрические явления. [c.175]

Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Если па полупроводник падает свет с длиной волны, нри к-рой происходит собственное или примесное поглощение, то число носителей в полупроводнике увеличивается и его проводимость возрастает (см. Внутренний фотоэффект). Число дополнит, носителей в стационарных условиях определяется интен- [c.525]

Фотоэффект (см. также Фотоэлектрические явления). Энергия фотоэлектрона = где Еу — [c.230]

Свободные экситоны играют большую роль во многих оптических и фотоэлектрических явлениях в полупроводниковых кристаллах. Они определяют спектры поглощения и излучения полупроводников в области края собственного поглощения. [c.319]

Регистрация излучения в оптическом диапазоне базируется на фундаментальных свойствах электромагнитных волн. Отметим лишь наиболее важные способы индикации, в основе которых лежат фотоэлектрические явления (фотоэлементы, фотоумножители, электронно-оптические преобразователи и др.) фотохимические явления (в первую очередь фотоэмульсии) люминес- [c.11]

Настоящая книга написана в полном соответствии с программой курса, утвержденной Минвузом СССР 05.09.74 г., и представляет собой краткое введение в теорию широкого круга явлений, с которыми приходится непосредственно иметь дело конструктору и технологу радиоэлектронной и электронно-вычислительной аппаратуры. Цель книги — помочь читателю понять физическую природу механических, тепловых, магнитных и электрических свойств твердых тел, контактных и - поверхностных явлений в полупроводниках, наиболее широко используемых в современной радиоэлектронике. В книге освещены также термоэлектрические, гальваномагнитные, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и механизмы переноса зарядов в тонких пленках. На этих явлениях основана работа широкого класса электронных приборов датчиков температуры, индукции магнитного поля, фотоэлектрических приборов, лазеров, тонкопленочных элементов и т. п. [c.3]

МНОГОФОТОННЫЙ ФОТОЭФФЕКТ — термин, объединяющий ряд фотоэлектрических явлений, при к-рых изменение электропроводности, возникновение эдс или эмиссия электронов происходят вследствие поглощения электроном вещества (т. е. в связанном состоянии) двух или более фотонов в одном элементарном акте. Практически все разновидности фотоэффекта (внутренний, вентильный, внешний) имеют свой мно-гофотонвый вариант , отличающийся тем, что электроны вещества приобретают необходимую энергию в процессе многофотонного поглощения, в то время как при обычном фотоэффекте требуемое возбуждение электронов достигается за счёт однофотонного поглощения. Это обстоятельство обусловливает гл. особенности М. ф. 1) М. ф. наблюдается при достаточно высоких интенсивностях / падающего излучения, достижимых лишь с помощью лазеров 2) величина фотоотклика вещества (фотоэдс, фототок) при М. ф. пропорциональна /т, ГД0 fil — порядок фотоэффекта, т. е. число фотонов, поглощаемых в одном акте 3) зависимость М. ф. от частоты излучения отражает спектральные характеристики многофотонного поглощения. [c.168]

Первые попытки применения квантово-механической теории энергетического состояния электронов в диэлектриках и полупроводниках к интерпретации фотохимических и фотоэлектрических явлений в щелочно-галоидных кристаллах принадлежат П. С. Тар-таковскому [71]. На основе имевшихся в то время экспериментальных данных и общих соображений об энергетических уровнях в кристаллах Тартаковским впервые была построена схема энергетических уровней для ряда щелочно-галоидных соединений с учетом локальных электронных состояний различных центров окраски. Анализируя электронные переходы между различными уровнями энергии кристалла, можно было объяснить ряд оптических и фотоэлектрических свойств окрашенных кристаллов ще-лочно-галоидных соединений с единой точки зрения. Однако в отличие от полупроводников, для которых свет в области их фундаментального поглощения является фотоэлектрически активным, в щелочно-галоидных кристаллах не наблюдается внутреннего фотоэффекта под действием света в области первой полосы собственного поглощения. По этой причине попытки применения зонной теории к толкованию всей совокупности явлений, связанных с собственным поглощением, фотопроводимостью и люминесценцией щелочно-галоидных кристаллов наталкивались на существенные затруднения. Некоторые фундаментальные экспериментальные факты относительно свойств окрашенных щелочно-галоидных кристаллов не получили объяснения ни в энергетической схеме Тарта-ковского, ни в подобных более всеобъемлющих схемах, предлагавшихся позднее. В частности, оставалась совершенно непонятной сама возможность образования в кристалле столь устойчивой окраски под действием света или рентгеновых лучей, какая в действительности наблюдается у щелочно-галоидных кристаллов. В самом деле, при образовании в процессе фотохимического окрашивания свободных электронов, локализующихся затем на уровнях захвата, в верхней зоне заполненных уровней энергии должны образоваться свободные положительные дырки. Вследствие диффузии этих дырок в верхней зоне заполненных уровней вероятность их рекомбинации с электронами, локализованными в центрах окраски, должна быть достаточной, чтобы кристалл быстро обесцветился даже в темноте. Между тем, известно, что окраска кристалла весьма устойчива и сохраняется в темноте очень продолжительное время. Возможность локализации положительных дырок в предлагавшихся квантово-механических моделях не рассматривалась. [c.30]

Наиболее важные способы регистрации электромагнитных волн оптического диапазона основаны на и-чмерении переносимого волной потока энергии. Для этой цели используются фотоэлектрические явления (фотоэлементы, фотоумножители, электрон-но-оптические преобразователи, фоторезисторы и фотодиоды), фотохимические явления (фотоэмульсии), фотолюминесценция (различные люминесцирующие экраны), термоэлектрические явления (термостолбики, болометры). [c.8]

Большую группу составляют полупроводниковые приборы, использующие фотоэлектрические явления в полупроводниках. К ним относятся вентильные фотоэлементы и фотодиоды — приборы, в которых использовано явление генерации э. д. с. в р—и-переходе под действпе.м света. Вентильные элементы используют в фотографии и кинематографии, для преобразования солнечной энергии в электрическую, а фотодиоды, в которых под действием света происходит резкое возрастание тока, применяют в схемах считывания информации с перфорированной ленты в электронно-счетных машинах. [c.249]

ФОТОЭЛЕМЕНТ — прибор, преобразующий световую энергию в электрическую. Действие его основано на иснользо-вании фотоэлектрических явлений. Существуют три типа Ф. 1) с внешним фото- [c.175]

ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ — приборы для об-наружепия и измерения электромагнитного излучения оптич. диапазона, основанные на преобразовании энергии излучения в др. ее виды. По принципу действия П. и. подразделяются на тепловые (в них поглощение электромагн. излучения приводит к нагреванию приемного элемента) фотоэлектрические, основанные на фотоэффекте (см. Фотоэлектрические явления) фотохимические, в к-рых под действием электромагнитного излучения происходят к.-л. фотохимич, реакции визуальные, основанные на физиологич. действии излучения (см. [c.198]

Фотоэлектричество. Фотоэлектрическое явление происходит при поглощении атомами вещества лучистой энергии и состоит в том, что поток световой энергии вырывает из металла электроны. Выведение электрона из данного Д1еталла начинается лишь с определённой частоты световых волн называемой порогом фотоэффекта. Порог фотоэффекта зависит от вещества освещаемого тела. Порог в видимой части спектра имеют щелочные металлы (литий, натрий, калий, рубидий). Скорость, приобретаемая злектро-нами при фотоэффекте, зависит лишь от длины световых волн, но не от интенсивности освещения. От интенсивности освещения зависит число электронов, отрываемых от атомов в единицу времени. Фотоэффект может происходить и иа поверхности тела (поверхностный, или внешний эффект), и внутри него (объёмный, или внутренний, эффект). Приборы, в которых происходит преобразование лучистой энергии в электрическую, называются фотоэлементами. [c.496]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...