Внешняя квантовая эффективность

Энергетические характеристики ИЛ определяются его внешней квантовой эффективностью [c.108]

ВНЕШНЯЯ КВАНТОВАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ [c.224]

Хотя выполнение порогового условия имеет существенно значение для работы лазера, рассмотрим здесь другие характеристики. Спектральные характеристики лазерного излучения зависят от свойств резонатора. Рисунки 10.10 и 10.11 иллюстрируют поведение полупроводникового лазера по обе стороны от порога. Из рис. 10.10 видно, как можно определить пороговый ток. Крутизна ватт-амперной характеристики в области спонтанного излучения соответствует внешней квантовой эффективности, рассмотренной в 8.5. Крутизна этой характеристики [c.284]

Квантовый нелинейный резонанс во внешнем поле. Эффективный гамильтониан. Взаимодействие двух резонансов при их перекрытии. Численный анализ стохастичности при перекрытии резонансов [c.187]

Этот подход, основанный на изучении линейной реакции системы на внешнее возмущение, оказывается эффективным как в классической, так и в квантовой неравновесной (и равновесной) статистической физике и, в частности, в теории явлений переноса. Таким образом, помимо метода кинетических уравнений кинетические проблемы могут решаться интенсивно развивающимся в последние годы методом функций Грина, [c.164]

Разработка конструкций излучателей твердотельных лазеров, несмотря на их внешнюю простоту, связана с рассмотрением сложных многофакторных задач оптимизации и принятием компромиссных решений в вопросах квантовой электроники, оптики и теплофизики. Для технологической лазерной аппаратуры критериями оптимальности могут являться эффективность выполнения технологической задачи (например, создание, требуемой плотности энергии излучения на поверхности обрабатываемой детали и обеспечение заданной производительности), показатель надежности (например, долговечность, позволяющая реализовать окупаемость затрат на разработку и эксплуатацию прибора), простота конструкции и др. Кроме технических требований, предъявляемых к лазерным технологическим установкам, приходится считаться с ограниченностью учета многочисленных функциональных связей между узлами и элементами лазера, степенью отработанности отдельных элементов и ограничениями в их выборе, связанными с предельными характеристиками и возможностями применения в конкретных производственных условиях. [c.112]

Для узкополосного излучения величина мощности люминесценции значительно превосходит мощность внешнего теплового излучения, если рассчитать последнюю в том же спектральном интервале. Предполагая флуоресценцию изотропной, получаем, что оказывается примерно равной яркостной температуре излучения Тв . Заметим, что величина стремится к бесконечности в случае строго монохроматического или строго направленного излучения. Так как самая низкая температура чёрного излучения для видимого спектра составляет 800 К, то теоретически можно получить максимальное значение для эффективности охлаждения образца, излучающего при комнатной температуре в видимом спектре оно равно 300/(800 — 300) = 0,6. Однако, данный расчёт является идеализированным, так как мы предполагаем квантовый выход излучения равным единице при любой структуре энергетических уровней. [c.37]

Можно было бы попытаться "поймать" частицу в меньший интервал Ьц Ь. Если опять о > Ьо, то перегородка не меняет энергии частицы, а ее энтропия уменьшается до ln(Lo/ o), т.е. на величину п Ь/Ьо). Не менее чем на эту величину, должна возрасти энтропия внешнего мира. Как мы видим, такой коллапс может происходить довольно непринужденно, если только Ц > Ьо- Можно сказать, что величина Ьо характеризует эффективный "размер" частицы, и на расстояниях, значительно больших Ьо, квантовая частица мало, чем отличается от классической. Другими словами, несмотря на волновые свойства, квантовая частица в сосуде большого размера может вести себя подобно классической частице. [c.58]

Получение высокой внутренней квантовой эффективности еще недостаточно для достижения высоких параметров полупроводникового оптического источника. Основная часть, рекомбинации излучения генерируется в пределах одной-двух диффузионных длин от перехода и характеризуется отсутствием направленности. Отношение числа фотонов, вышедших из полупроводника, к числу носителей, прошедших через переход, называется внешней квантовой эффективностью Пвнеш-Четыре основных эффекта приводят к тому, что Лвнеш всегда меньше Лвнут- Во-первых, излучение выходит из полупроводника через поверхность полупроводник — воздух. Во-вторых, только та часть излучения, которая подходит к поверхности под углом мейьше критического 0с, может выйти из полупроводника. В-третьих, часть и этого излучения отражается от поверхности полупроводник — воздух. В-четвертых, происходит поглощение между точкой генерации излу- [c.224]

Потери, вызванные переизлучением, поглощением, френелевским отражением и полным внутренним отражением от поверхности полупроводника снижают достижимую мощность f t2/п(1 + nf. Иммерсия и просветление могут уменьшить френелевские потери. Внешняя квантовая эффективность Лвнеш = / Пвпеш- [c.238]

Измерения плотности порогового тока и дифферендиальной квантовой эффективности, определяемой выражением (3.8.27), являются двумя наиболее часто встречающимися измерениями при исследовании полупроводниковых лазеров. Полная внешняя квантовая эффективность равна отношению /о//1 (рис. 3.8.11). Дифференциальная квантовая эффективность определяется производной интеисивиости излучения. З внешн по току накачки [c.210]

Для исследования степени однородности активной области полосковых ДГС-лазеров Делош и др. [16] использовали приборы, у которых, как показано на рис. 8.3.1, в контакте к -области было сделано окно, располагающееся прямо над полоской. Таким образом, при работе лазера в непрерывном режиме можно было через подложку наблюдать и фотографировать спонтанное излучение активной области. За промежуток времени от нескольких минут до часов преобладающим образом развивается характерная структура в виде узких темных линий, которые берут начало с края или изнутри полоски и, постепенно утолщаясь, пересекают ее в направлении <100>. На рис. 8,3.2 показано, как эти темные области развиваются за время работы лазера. По мере образования и уширения темных линий /пор растет, а внешняя дифференциальная квантовая эффективность падает. В соответствии с этими наблюдениями, такой дефект стал обычно называться дефектом темных линий (ДТЛ). [c.328]

Реакции кулоновского возбуждения (см. п. 1) имеют ограниченную область применимости, поскольку с их помощью удается переводить ядра лишь в низшие возбужденные состояния. Однако эти реакции интересны, в частности, тем, что с их помощью можно измерять внутренний квадрупольный момент Qo ядра (см. гл. II, 7). Для пояснения рассмотрим простейший случай несферичных четно-четных ядер, у которых в основном состоянии спин равен нулю. Несферичное ядро обладает внутренним квадрупольным моментом. Однако, если спин этого ядра равен нулю, то за счет квантовых флуктуаций ориентация этого момента хаотически меняется. Поэтому, если время измерения велико по сравнению с частотой флуктуаций момента, то происходит усреднение по этим флуктуациям, так что и измеряемый момент (это и есть внешний квадрупольный момент Q) оказывается равным нулю. При кулоновском же возбуждении пролетающая частица эффективно действует на квадрупольный момент ядра в течение короткого промежутка времени, за который полное усреднение по хаотическим ориентациям произойти не успевает. Действительно, частота со хаотических флуктуаций ориентации квадрупольного момента имеет порядок Е/Н, где — энергия первого вращательного уровня ядра. Положив Е = = 20 кэВ, получим, что соответствующее характеристическое время [c.165]

В щелочных металлах мы учитывали возмущение орбиты внешнего электрона тем, что вместо главного квантового числа п вводили эффективное квантовое число п. Таким образом, термы Lil и сходных с ним ионов BeII, Bill, IV, — должны представляться формулой [c.49]

В отличие от радиодиапазона, эффективность систем обнаружения и выделения оптических сигналов ограничивается не только щумами (внутренними и внещними), но и квантовой природой самих сигналов. Квантовые эффекты вносят дополнительную статистическую неопределенность в процесс обнаружения, и классическая теория обнаружения и выделения не может быть полностью применена для рещения задач обнаружения и выделения оптических сигналов (достаточно, например, указать на такой с первого взгляда парадоксальный факт, что при отсутствии внешних и внутренних щумов в системе связи оптического диапазона вероятность ошибочного приема информационного символа не равна нулю). В ходе последующего изложения (гл, 2 и 3) мы специально будем подчеркивать и анализировать эти особенности. [c.12]

Роль промежуточного резонанса. Рассмотрим тот случай, когда при многофотонном возбуждении возникает промежуточный резонанс (рис. 3). В рамках модельной задачи, обсуждавшейся выше, при многофотонном возбуждении изолированного атома в слабом виешием поле монохроматического излучения промежуточные резопапсы можно пе принимать во внимание ввиду ангармоничности спектра связанных состояний реальных квантовых систем — атомов, молекул. В реальном случае ансамбля атомов (молекул) в пиде газа и сильпого внешнего поля квазимонохроматического лазерного излучения эффективные ширины резонансов увеличиваются на много порядков величины, так что появлепне промежуточных резонансов становится вполне реальным. [c.49]

Эффективные потенциалы, зависящие от орбитального квантового числа электрона, формируются на основе расчетов в приближении Хартри-Слэтера для основного и низколежащих возбужденных состояний атомов благородных газов. Так, р — потенциал ( = 1) находится из расчета основного состояния. В работе [5.63] рассматривались два р-электрона с = О (т.е. вдоль направления линейной поляризации излучения). Расчеты показали, что они вносят главный вклад в процесс ионизации. В работе [5.64 был использован более простой потенциал Херрмана-Скилмана для расчета сечения многофотоиной ионизации атома ксенона. Волновые функции валентных электронов рассчитывались численно в потенциале, представляющем собой сумму атомного потенциала и потенциала взаимодействия атома с внешним электромагнитным полем. В расчетах учитывались только 5s- и 5р-электроны. Остальные электроны учитывались в приближении среднего потенциала замороженного остова . [c.136]

Ферми. При равновесном статистич. распределении электронов по разным квантовым состояниям они занимают все возможные состояния, соответствующие энергиям от минимальной (близкой к нулю) до максимальной, наз. энергией Ферми. Каждое состояние электрона изображается точкой в пространстве импульсов (т. е. в пространстве, где координатами служат компоненты импульса). Геометрич. место точек, отвечающих энергии Ферми, есть поверхность Ферми для щелочных М. она почти сферична, для поливалентных М.— имеет сложную форму, обычно состоит из нескольких частей и может быть многосвязной, сохраняя, однако, симметрию кристаллич. решётки М. Электроны проводимости, изображаемые точками, лежащими на новерхиости Ферми, изменяют свой импульс под действием внешних полей — электрического и магнитного прп этом точка, изображающая электрон, перемещается по поверхности Ферми. Движение электронов под действием магнитного поля представляется движением изображающих их точек по линиям пересечения поверхности Ферми плоскостями, перпендикулярными вектору напряжённости поля. Т. к. траектории электронов в пространстве координат подобны орбитам изображающих их точек в пространстве импульсов, движение электронов оказывается периодическим во времени и в пространстве. Частота периодич. движения электронов в магнитном ноле наз. циклотронной частотой и равняется соц= eHJт с т. о., озц определяется напряжённостью Ну магнитного поля и эффективной массой 3 электрона проводимости, к-рая может отличаться от массы свободного электрона в вакууме в несколько раз (иногда даже на два порядка). Поперечник траектории электрона — 2сру еН2, определяется импульсом электрона ру. Периодич. движение электронов в М. реализуется при большой длине (и времени) свободного пробега электронов, т. е. в чистых монокристаллах при низких темп-рах. Если в М., помещённом в магнитное поле, распространя-егся УЗ-вая волна, совпадение или кратность её временного и нространст венного периода с соответствующими периодами для траекторий электро- [c.212]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...