Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Валентных валентность

Валентная ( Валентная у У///зона Ш////Ш  [c.32]

Валентность. Валентность атома относительно водорода определяется числом электронов со свободными спинами, которые могут вступать в обмен с соответствующим числом электронов другого атома. Электроны внешней оболочки атома могут образовывать различные конфигурации. Валентность для различных конфигураций может быть различной. Валентность атома в возбужденном состоянии может отличаться от его валентности в основном состоянии. Обычно под валентностью понимает-  [c.312]


Так называется частное от деления молекулярного веса хи.ми ческого соединения на его валентность (валентность определяется количество. атомов водорода, которое присоединяет данный элемент, или количеством атомов водорода, которое он заменяет в данном соединении). Так как атомный вес кальция 40, магния 24, кислорода 16, 3 валентность кальция и магния 2, то для окиси кальция 40-Ыб  [c.156]

Низколежащие уровни ионного остова хорошо описываются волновыми функциями, полученными в приближении сильной связи, поэтому задача вычислительных методов заключается в расчете вышележащих зон (которые могут быть полностью или частично заполненными или же пустыми). В отличие от зон ионного остова с сильной связью такие зоны называют валентными ). Валентные зоны часто оказывают решающее влияние на электронные свойства твердого тела, поскольку электроны на уровнях ионного остова во многих отношениях инертны.  [c.197]

Валентные силы индивидуальных атомов строго направлены в пространстве, и угол между двумя ковалентными связями атома является прежде всего свойством атома общая молекулярная структура только незначительно влияет на него. Обобщенные данные по длинам и углам связей суммированы в табл. 6.  [c.137]

В химии под металлами понимают определенную группу элементов, расположенную в левой части Периодической таблицы Д. И. Менделеева (табл. 1). Элементы этой группы, вступая в химическую реакцию с элементами, являющимися неметаллами, отдают им свои внешние, так называемые валентные электроны. Это является следствием того, что у металлов внешние электроны непрочно связаны с ядром кроме того, на наружных электронных оболочках электронов немного (всего 1—2), тогда как у неметаллов электронов много (5—8). Все элементы, расположенные левее галлия, индия и таллия — металлы, а правее мышьяка, сурьмы и висмута — неметаллы.. Элементы, расположенные в группах П1В, IVB и VB, могут относиться и к металлам (In, Т1, Sn, РЬ, Sb, Bi), и к неметаллам (С, N, Р, As, О, S) и занимать промежуточное положение (Ga, Si, Ge, Se, Те).  [c.11]

На рис. 79 была показана структура химического соединения трех металлов меди, марганца, олова. Вероятнее всего предположить, что в этом соединении существуют преимущественно металлические связи. Каждый из перечисленных металлов отдает валентные электроны в общий фонд, и тогда частичная замена одного металла другим (например, марганца медью, если содержание меди в сплаве превосходит стехиометрическое соотношение) возможна. Таким образом получаются твердые растворы на базе решетки химического соединения с избытком одного из компонентов. Пределы растворимости могут быть очень широкими в зависимости от того, насколько близка природа элементов, входящих в химическое соединение.  [c.104]


У меди один валентный электрон, у цинка —два. В соединении число атомов равно 2, число валентных электронов равно 3.  [c.107]

Число атомов в соединении 5- -8=13, число валентных электронов 5-Ь(8Х2)=2).  [c.107]

В г. ц. к. 7-решетке в центре имеется пора диаметром 1,02 А. В этой поре атом углерода может поместиться, вызывая некоторое увеличение размера решетки 7-железа (сам атом тоже должен уменьшиться в размерах, так как при растворении углерод отдает валентные электроны.  [c.163]

Имеется достаточно оснований предполагать, что в процессе карбидообразования углерод отдает свои валентные электроны на заполнение d-электронной полосы атома металла,  [c.352]

Пластическими массами (пластмассами) называют материалы, основу которых составляют природные или синтетические высокомолекулярные соединения. Высокомолекулярные соединения состоят из большого числа низкомолекулярных соединений (мономеров), связанных между собой силами главных валентных связей. Соединения, большие молекулы (макромолекулы) которых состоят из одинаковых структурных звеньев, называют полимерами. Макромолекулы полимеров могут иметь линейную форму, разветвленную и пространственную (сшитую).  [c.426]

Разупорядочение ионных кристаллов происходит преимущественно в той подрешетке, ионы которой обладают меньшим радиусом, более низкой валентностью и меньшей деформируемостью. Разные типы разупорядоченности иногда могут переходить один в другой при повышении или понижении температуры. Так, РЫа ввиду большой поляризуемости ионов I при низких температурах обладает катионной проводимостью, в то время как анионная проводимость становится значительной только в области более высоких температур.  [c.38]

М — масса грамм-молекулы окисла т — число атомов металла в молекуле окисла п — валентность металла 5 — площадь  [c.61]

Зта теория относится к областям Концентраций 1 и 2. Скорость окисления основного металла при добавлении легирующего компонента изменяется, если при легировании изменяется концентрация дефектов образующегося окисла, что наблюдается при неодинаковой валентности ионов компонентов сплава. Характер изменения (увеличение или уменьшение) скорости окисления основного металла при его легировании другим металлом зависит от характера дефектности его окисла и валентности ионов легирующего металла.  [c.83]

Используя те же доводы, можно показать, что введение малой добавки металла, образующего ионы меньшей валентности, т. е. (например, Li ), повысит концентрацию межузельных катионов, а следовательно, их диффузию и скорость окисления основного металла два иона Мё занимают два места ионов замещая только один ион для соблюдения электронейтральности, а второй ион переходит в межузельное пространство, увеличивая дефектность кристаллической решетки (рис. 52)  [c.84]

Аналогичные рассуждения показывают, что введение малой добавки металла, образующего ионы большей валентности, т, е.  [c.85]

Замена в окисле катионов основного металла катионами добавки с той же валентностью, по теории Вагнера—Хауффе, не может изменить дефектность окисла, а следовательно, и скорость окисления основного металла, контролируемую диффузией.  [c.85]

Последний эффект повышения жаростойкости металлов очень малыми добавками легирующих элементов может иметь место при любой валентности их ионов, в том числе и при п" > п (рис. 55), и может быть объяснен протеканием реакции заполнения вакансий катионами легирующей добавки, которое, очевидно, преобладает при концентрациях легирующих элементов в окисле,, близких к концентрации дефектов в чистом окисле основного металла  [c.86]

Рис. 56. Характер изменения скорости окисления при легировании металла, дающего полупроводниковый окисел с недостатком металла, элементами большей валентности Рис. 56. Характер <a href="/info/437938">изменения скорости</a> окисления при <a href="/info/6638">легировании металла</a>, дающего <a href="/info/265277">полупроводниковый окисел</a> с недостатком металла, элементами большей валентности

Таким образом, область концентраций легирующего элемента, в которой наблюдается снижение скорости окисления металла, тем шире, чем ниже валентность катиона легирующей добавки. Одновременное протекание процессов образования вакансий по вагнеровскому механизму и заполнения этих вакансий катионами легирующей добавки во всем интервале концентраций малых добавок легирующих элементов должно несколько уменьшить величину максимального снижения скорости окисления металла и расширить область концентраций, в которой это снижение наблюдается.  [c.87]

А. Н. Мень и А. Н. Орлов оценивали энергию связи ионов в октаэдрических (о) и тетраэдрических (т) узлах в шпинельных окислах переходных металлов. Какой узел займет ион в решетке окисла, определяется знаком разности соответствующих энергий связи А = — Ug (рис. 68). Для образования окисла со структурой шпинели состава . где ионы основного металла Mt могут иметь валентность 2 и 3, а примеси Me (концентрации с)—только двухвалентные ионы, сформулированы следующие положения  [c.103]

Согласно теории (Вагнер, Хауффе и др.), малая добавка легирующего элемента должна окисляться с образованием ионов определенной валентности и, растворяясь в окисле основного металла,  [c.111]

Е—валентное, — валентное асимметричное, — ва,пентное симыстричиое колебания д —различный формы деформационных колебани .  [c.181]

Большинство элементов, кроме соединений высшей валентности, образует соединения низших валентностей. Валентности элементов в сплавах определяются более сложными закоиами, например многие интерметаллические соединения характеризуются определенными соотношениями числа валентных электронов к числу атомов, на характер этих соединений влияет тип кристаллической решетки входящих в соединение металлов.  [c.260]

В результате взаимодействия элементов в этом случае атом металла отдает электроны (валентные) и становится положительным И01И0М, а атом металлоида принимает электроны на свою внешнюю оболочку и становится отрицательным ио-ном. В решетке химического соединения такого типа элементы удерживаются электростатическим притяжением.  [c.99]

Химический состав вещества при наличии этой связи обусловливается saiKOHOM валентности — наличием свободных (валент-  [c.99]

Наконец, замечено, что неограниченная растворимость наблюдается преимущественно у элекгентов, близко расположенных друг от друга в Периодической таблице Д. И. Менделеева, т. е. близких друг к другу по строению валентной оболочки атомов, по физической природе.  [c.103]

При последовательном переходе от атома водорода к другим эдементам периодической системы число электронов возрастает в соответствии с их атомным номером, причем электроны сначала занимают все места с наименьшими уровнями энергии, т. е. последовательно все места в первой оболочке, затем во второй и т. д. Однако у некоторых элементов, получивших наименование элементов переходных групп, на внешней (валентной) оболочке уже появляются I или 2 электрона еще до того, как достроена d-полоса предыдущей оболочки. К этим элемента.м относятся многие металлы, в том числе железо и карбидообразующие элементы.  [c.352]

Таким образом, при химическом взаимодействии окислительный компонент внешней среды, отнимая у металла валентные электроны, одновременно вступает с ним в химическое соединение — продукт коррозии, который в большинстве случаев образует на поверхности корродируюш,его металла пленку. Образование на металле пленки продуктов коррозии протекает с самоторможением во времени, если пленка обладает защитными свойствами, т. е. затрудняет проникновение реагентов (металла и окислителя) друг к другу.  [c.31]

Катионы способны перемещаться по катионным вакансиям, а электроны по электронным дыркам (катионам более высокой валентности) при этом п,( + /г = 1. К этому типу относятся такие соединения, как NiO, FeO, СоО, ujO и др.  [c.37]

Эти механизмы диффузии имеют место при росте защитных пленок первый — при образовании пленок ZnO, dO, BeO, AI2O3 и др. (рис. 35, а), второй — при образовании пленок с пустыми катионными или анионными узлами в кристаллической решетке, например Си О, FeO, NiO, СоО (рис. 35, б), a-FeaOg, Т1О2 (рис. 35, в) и др. Диффузия катионов в защитной пленке для соблюдения электронейтральности сопровождается одновременным перемещением в том же направлении эквивалентного числа электронов в междоузлиях при первом механизме и по электронным дыркам (катионам с более высокой валентностью) при втором механизме.  [c.60]

В ряде работ, посвященных изучению механизма окисления чистых металлов, обнаружена двухслойность однофазной окалины, при этом металлы в окисле проявляют одну (низшую) валентность uaO, ujS, NiO, СоО и др. Окалина, которая кристаллографически представляет собой один и тот же окисел, состоит из двух слоев внутреннего пористого и наружного компактного.  [c.74]

В элементарной ячейке шпинели с 32 ионами 0 имеются 32 октаэдрические и 64 тетраэдрические пустоты, причем октаэдрические пустоты больше тетраэдрических. В нормальных шпинелях (рис. 67) 16 октаэдрических пустот замеш,ены ионами Ме и 8 тетраэдрических пустот — ионами Ме . Зти ионы могут быть ионами одного и того же металла с валентностью 2 и 3 (например, в магнетите РСзО или Ре +Ре -О -) и ионами двух разных металлов, образуюш,их, таким образом, двойной окисел.  [c.102]

По теории концентрация дефектов в решетке окислов изменяется только при введении ионов другой валентности. Согласно работам кафедры коррозии металлов МИСиС, замена в окисле катионов основного металла катионами добавки с той же валентностью может изменить концентрацию катиоиных вакансий, а следовательно, и скорость окисления основного металла в случае замещения катионных вакансий ионами добавки это более вероятно, если радиус иона добавки меньше радиуса иона основного металла г , например при введении магния (г1 = 0,78Л) в железо, окисляющееся до FeO (/ == 0,83А).  [c.112]



Смотреть страницы где упоминается термин Валентных валентность : [c.95]    [c.240]    [c.30]    [c.32]    [c.99]    [c.107]    [c.107]    [c.203]    [c.19]    [c.37]    [c.41]    [c.84]    [c.86]    [c.87]    [c.103]    [c.112]   
Электронные спектры и строение многоатомных молекул (1969) -- [ c.368 , c.385 ]



ПОИСК



CHaO, формальдегид валентные и деформационные колебания (частоты)

CaNa, циан валентные и деформационные колебания (частоты)

GaH2, ацетилен валентные и деформационные колебания

NHS аммиак валентные и деформационные колебания

WXYZ, молекулы, линейные в предположении валентных сил

X2Y4, молекулы, плоские, симметричные в системе валентных сил

XY4, молекулы, тетраэдрические (см. также Тл и Сферические волчки) в системе валентных сил

XYS, молекулы, нелинейные симметричные (см. также Асимметричные волчки) в системе валентных сил

XYa, молекулы, линейные, симметричные в системе постоянных валентных

Атомы со многими электронами в валентной оболочке

Брейта — Вигнера в методе валентных схем

Валентно-оптическая схема в применении -к комбинационному расоеявию

Валентно-оптическая схема для расчета интенсивностей в ИК-спектрах

Валентно-силовые координаты

Валентное колебание связи АН

Валентности канонического преобразования

Валентности теория

Валентность

Валентность

Валентность (ранг) тензора

Валентность атома углерода

Валентность высшая

Валентность главные (ковалентные)

Валентность ионная

Валентность молекул

Валентность низшая

Валентность относительная, эффект

Валентность по Полингу

Валентность побочные (силы Ван-дер-Ваальса

Валентность преобразования

Валентность тензора

Валентность электроотрицательная, эффек

Валентные зоны в металлах

Валентные зоны волновые функции

Валентные зоны ионного остова

Валентные зоны сравнение с волновыми функциями

Валентные и центральные силы, одновременное действие

Валентные кристаллы

Валентные кристаллы Зонная структура алмаза

Валентные кристаллы. Общие свойства

Валентные нуклоны

Валентные силовые (квазиупругие) постоянные

Валентные силы, вычисление частот колебаний и силовых постоянных

Валентные силы, вычисление частот колебаний и силовых постоянных в сочетании с центральными силами

Валентные силы, вычисление частот колебаний и силовых постоянных введение постоянных взаимодействия

Валентные силы, вычисление частот колебаний и силовых постоянных глава

Валентные силы, вычисление частот колебаний и силовых постоянных для линейных и нелинейных молекул

Валентные силы, вычисление частот колебаний и силовых постоянных для линейных молекул

Валентные структуры

Валентные углы

Валентные частоты

Валентные электроны и фундаментальные трудности в модели

Валентные электроны разрешение трудностей

Валентные электроны свободных электронов

Валентных связей (схем) метод

Валентных связей (схем) метод возбужденные состояния

Валентных связей (схем) метод приближение Гайтлера — Румера

Валентных связей гибридизация

Влияние валентности окисла на его пассивирующие свойства и растворение

Влияние соотношения валентностей

Возбужденные состояния ядра с одним валентным нуклоном

Волновые функции. Энергия вэаимодействия. Равновесное расстояние. Полный спин молекулы. Параводород и ортоводород Валентность. Метод валентных связей

Газ валентных электронов в металле

Главные валентности

Залесская и Н. А. Борисевич Влияние температуры на поглощение паров монозамещенных бензола в области валентных колебаний С—Н-связей

Зона валентная

Зона валентная плотность состояний

Зоны валентные в решетке типа алмаза

Инертные газы. Валентность. Метод валентных связей Структура молекул

Интегральные интенсивности валентных С—Н-колебапий углеводородов в газе и растворах

Исследование валентного состояния соединений, образующихся при анодном растворении молибдена, методом электронной спектроскопии Яцик Н.П., Колосницин

Кварки валентные

Ковалентные или валентные кристаллы

Колебания 75 (глава II) валентные и деформационные 208 (глава

Концентрация дырок в валентной зон

Концентрация дырок в валентной зон k-отбора правило

Координаты симметрии в системе валентных сил

Край валентной зоны

Куркчи и А. В. Иогансен. Инфракрасные полосы поглощения валентных и деформационных колебаний связи С—Н в растворах ацетиленовых углеводородов

Линейные молекулы валентные и деформационные колебания

Метод валентных схем (или метод электронных пар)

Метод молекулярных орбиталей. Представление структуры методом валентных связей. Направленные валентности атоГибридизация. Кратные связи между атомами Колебательные и вращательные спектры молекул

Метод связей валентных

Молекулы типа XYa. Пирамидальные молекулы типа XY3. Линейные молекулы типа X2Y2. Тетраэдрические молекулы типа XY4. Плоские молекулы типа Х2У, (метод Сезерланда и Деннисона). Другие молекулы, Сравнение силовых постоянных различных молекул, характеристические частоты, валентные и деформационные колебания и другие родственные проблемы

Молекулярных орбиталей метод насыщение валентностей

Наложение валентных и деформационных

Наложение валентных и деформационных колебаний

Насыщение валентностей

О — Н, валентные и деформационные

О — Н, валентные и деформационные влияние водородной связи

О — Н, валентные и деформационные колебания

Общие свойства волновых функций валентных зон Метод ячеек Метод присоединенных плоских волн (ППВ) Метод гриновских функции Корринги, Кона и Ростокера (ККР) Метод ортогонализованных плоских волн (ОПВ) Псевдопотенциал Комбинированные методы Задачи Полуклассическая модель динамики электронов

Основное состояние молекулы Н20.— Основное состояние молекулы — Основное состояние молекулы СН4.— Основное состояние молекулы С02.— Основное состояние молекулы С2Н4.— Насыщение валентностей.— Основное состояние молекулы С6Н6.— Сопряжение и сверхсопряжение.— Взаимодействие конфигураций.— Модель свободного электрона.— Молекулы, содержащие атомы переходных элементов (так называемая теория поля лигандов) Возбужденные состояния

Пленки разрыв поперечных валентных

Плотность порогового в валентной зоне

Побочные валентности

Полупроводники валентная зона

Полупроводниковые соединения правило нормальных валентностей

Потенциальная энергия в валентно-силовых координатах

Потенциальные постоянные, квадратичные в валентно-силовых координатах

Предположение о валентных силах

Преобразован я валентность

Применение векторной схемы к атомам с двумя валентными электронами

Принцип валентной упаковки

Распределение плотности валентных электронов в алюминии

Распределение плотности валентных электронов в кремний

Растворимость в твердом состоянии взаимная, влияние валентност

С,Н3> диацетилен валентные и деформационные колебания (частоты)

С2Н4, этилен валентные и деформационные колебания

С8Н12, тетраметилметан валентные силы

СН.С1, хлористый метил валентные и деформационные колебания

СаН4, аллен валентные и деформационные колебания (частоты)

Связь хода поляризационной кривой с валентностью железа

Силовое поле, более общее, чем поле для систем валентных или центральных сил

Силовые постоянные 159 (глава в валентно-силовых координатах

Силовые постоянные 159 (глава деформационных и валентных колебани

Силы валентные

Симметричные валентные и деформационные колебания

Симметричные волчки) в системе валентных сил

Слейтера — Полинга резонанс (смешивание валентных состояний)

Сноека электроотрицательной валентности

Соединения нормальной валентности частично ионные соединеСоединения с нормальной валентностью ковалентные кристаллы

Состояния валентные

Спектры актинидов одним валентным электроно

Спектры атомов и ионов с двумя валентными электронами. Атом гелия и сходные с ним ионы

Спектры атомов и ионов с двумя и более валентными электронами

Спектры атомов и ионов с одним валентным электроном

Спектры атомов с двумя валентными электронами

Спектры атомов щелочноземельных элементов и других атомов и ионов с двумя валентными электронами

Спин ядра лшн-валентности теория

Спиновый парамагнетизм валентных электронов

Строение атомов элементов-металлов, Валентные состояния

Структура краев зоны проводимости и валентной зоны некоторых полупроводников

С—С, валентное колебание

Упорядоченный магнетизм при участии валентных электронов и электронов проводимости. Модель коллективных электронов

Устойчивость катионов низших валентностей

Х1( молекулы в системе валентных сил

Х3 молекулы (образующие разносторонний треугольник) выражение для частот в системе валентных сил

Чередование статистических весов четной и нечетной валентности в периодической системе

Ширина энергетической щели между валентной зоной и зоной проводимости в некоторых полупроводниках при абсолютном нуле и при комнатной температуре

Электрон валентный

Электроны атомного (ионного) остова сравнение с валентными электронами

Элементы Валентность

Эффективная валентность

Эффективная валентность полярояа

Эффективная валентность поперечная

Эффективная валентность продольная

Эффективная плотность состояний валентной зоны

Эффективная плотность состояний валентной зоны зоны проводимости



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте