Насыщение валентностей

Адсорбционная теория пассивности. Основной механизм защиты металлов, согласно адсорбционной теории пассивности, заключается в насыщении валентностей поверхностных атомов металла путем образования химических связей с адсорбирую- [c.63]

Так как обменные интегралы отрицательны, то первое состояние Е ) будет соответствовать стабильной молекуле Ъ, а второе Е ) — нестабильной молекуле YZ, находящейся в отталкивательном состоянии. В первом состоянии атом X отталкивается молекулой У2, во втором — притягивается. Этот результат хорошо соответствует элементарной идее насыщения валентностей если YZ — стабильная молекула, то третий атом X будет отталкиваться (указанное выше чисто валентное состояние а). Однако отталкивание будет наблюдаться только для достаточно больших расстояний между X м 2. Если X будет находиться близко к У, в то время как 2 удален на большее-расстояние, то из формулы (111,69) получим [c.367]

Насыщение валентностей. Насыщение валентностей ) легче объяснить на основе теории валентных связей. Осмыслить его на основе теории молекулярных орбиталей не столь просто, тем не менее мы все же попытаемся сделать это, рассмотрев несколько примеров. [c.411]

Если все нормальные валентности в молекуле насыщены, то все же остаются слабые силы притяжения между данной молекулой и другими подобными или отличными молекулами (или атомами). С этими силами связана конденсация газа, состоящего из молекул. Они фигурируют также во многих случаях при образовании димеров, полимеров или молекулярных комплексов. Не всегда существует резкое различие между этими слабыми силами взаимодействия и прочными валентными силами, поскольку, как мы видели, концепция насыщения валентностей не всегда оказывается достаточно точной. В действительности слабые силы притяжения отчасти можно рассматривать как силы, связанные с неполным насыщением валентностей или остаточными валентностями. В то же время существуют слабые силы притяжения другого типа, которые во всех практически важных случаях следует рассматривать как истинные силы, действующие между насыщенными молекулами и не связанные с неполным насыщением. Эти силы обычно называют силами Ван дер Ваальса они даже в отсутствие остаточных валентных сил приводят к отклонению поведения газа от предписываемого законами для идеального газа и вызывают появление дополнительных членов в уравнении Ван дер Ваальса для реального газа ). [c.435]

Существует небольшое число молекул, например N0 и СЮг, для которых элементарная теория валентности предсказывает неполное насыщение валентностей. Тем не менее вандерваальсовы силы вышерассмотренных типов для этих молекул, если они находятся в основных состояниях, сохраняют основное значение как силы межмолекулярного взаимодействия. [c.437]

Введение обменных ядерных сил позволяет объяснить одно из характерных свойств ядерного взаимодействия — существование явления насыщения . Известно, что в ряду ядер jH , ]Н , аНе и зНе энергия связи, рассчитанная на один нуклон, быстро растет, достигая для последнего ядра 7 Мэе. Однако для остальных ядер периодической системы средняя энергия связи на один нуклон остается примерно постоянной и равной 6—8 Мэе. Это означает, что в ядре нет взаимодействия между всеми парами нуклонов. Каждый нуклон ядра может взаимодействовать только с ограниченным числом других нуклонов, подобно тому как атом в молекуле может взаимодействовать лишь с ограниченным количеством других атомов (валентность и насыщение химических сил связи). [c.530]

Переходя от молекулы водорода к кристаллам, отметим основной характерной особенностью ковалентных кристаллов является то, что количество ковалентных связей, образуемых каждым атомом со своими соседями, равно количеству неспаренных внешних электронов атома в свободном состоянии или в возбужденном валентном состоянии. В этом смысле ковалентная связь является насыщенной. [c.81]

Найдем, в качестве примера, положение локальных разрешенных уровней примесных атомов V группы таблицы Менделеева в элементарных полупроводниках IV группы. Предположим, например, что в одном из узлов кристалла германия находится атом мышьяка, имеющий пять электронов в валентной оболочке. Четыре валентных электрона участвуют в образовании ковалентных связей с четырьмя соседними атомами германия.- Поскольку ковалентная связь является насыщенной, пятый электрон новой связи образовать не может. Находясь в кристалле, он сравнительно слабо взаимодействует с большим числом окружающих мышьяк атомов германия. Вследствие этого его связь с атомом As уменьшается и он движется по орбите большого радиуса. Его поведение подобно поведению электрона в атоме водорода. Таким образом, задача сводится к отысканию уровней энергии водородоподобного атома. При ее решении необходимо учесть следующие обстоятельства. Поскольку электрон движется не только в кулоновском поле иона мышьяка, но и в периодическом поле решетки, ему необходимо приписать эффективную массу т. Кроме того, взаимодействие электрона с атомным остатком As+, имеющим заряд Ze, происходит в твердом теле, обладающем диэлектрической проницаемостью г. С учетом этого потенциальная энергия электрона примесного атома [c.237]

При высокой температуре атомарные и ионизированные газы имеют повышенную активность химического взаимодействия с материалом формы. Нашими исследованиями установлено, что при взаимодействии валентно-насыщенных центров покрытий, имеющих отрицательный заряд, с катионами железа. [c.45]

Влияние поверхностно-активных присадок на усталостную долговечность связано с адсорбционным понижением прочности поверхностных слоев металла вследствие эффекта Ребиндера ] 14,15,73-83J. Снижение поверхностной энергии металла за счет насыщения свободных валентных связей поверхностных атомов металла при адсорбции ПАВ [c.29]

Необходимо указать еще на то, что пассивное состояние металла, обусловливаемое возникновением адсорбционных слоев, часто объясняется и не на основе представлений о двойном слое. Известно, что адсорбция окислителя приводит к насыщению свободных валентных сил поверхностных атомов, что может уже само по себе, без учета изменения строения двойного слоя, уменьшить реакционную способность металла. Иными словами, для пассивации металла вовсе не требуется покрыть всю его поверхность монослоем, а достаточно связать (так сказать, насытить) валентные силы наиболее реакционноспособных атомов. [c.79]

Металлическая связь отлична от других видов связи частиц в кристаллах. Природа ее обусловлена взаимодействием ионов с электронами, переходящими от одного иона к другому. Последнее сближает металлическую связь с ковалентной, однако в отличие от нее металлическая связь не обладает ни направленностью, ни насыщенностью, определяемой валентностью соответствующих атомов, что сближает ее с ионной связью. Степень связанности электрона в металле в определенной степени характеризуется работой выхода электрона, измеряемой наименьшей энергией электромагнитных колебаний, способной выделить электрон, или температурой, при которой начинается термоэлектронная эмиссия. Экспериментально найденные значения работы выхода электрона для некоторых металлов приведены в табл. 17. [c.110]

С повышением содержания примесей внедрения происходит постепенное повышение электронной концентрации, а затем по насыщении раствора изменение состояния атомов примесей внедрения от катионов (растворы внедрения) к анионам (карбиды, нитриды, окислы) и далее к замкнутым связям валентных электронов в решетках неметалла (графит, бор и др.). [c.114]

В случае фтора молекулярные уровни образуются из р-уров-ня атомов фтора. На связывающем уровне располагаются оба валентных электрона от двух атомов фтора. Возникает насыщенная молекула Рг- [c.27]

В основе многих специфических видов коррозии лежит явление ласснвации, т. е. самопроизвольный переход металла в пассивное инертное состояние в данной коррозионной среде. Наблюдая за явлением пассивации железа в азотной кислоте, еще Фарадей предположил, что пассивность железа обусловлена субмикроскопически тонкой пленкой оксида или насыщением валентностей поверхностных атомов металла кислородом. Подобное объяснение сохраняет свою силу и для объяснения пассивного поведения железа, хрома, никеля и их сплавов. В ряде случаев для перехода металла в пассивное состояние достаточно хомосорбированного монослоя (или даже доли его) кислорода. Однако пассивность для ряда металлов может возникать при образовании толстых слоев оксидов (Ti, А1) ли продуктов коррозии (РЬ, Sn, Zn). [c.32]

Для того чтобы объяснить насыщение валентных сил, оставаясь на почве классической механики, Больцману приходится предположить, что в атомах существуют какие-то небольшие < области чувствительности , в которых только и действуют силы химического сродства. В действительности таких обля.стей не существует, а насыщение валентностей при образовании молекул объяснягтся свойствами так называемых обменных сил в квантовой механике. См. Д. И. Блохинцев, Основы квантовой механики, гл. XXII, Гостехиздат, М.-Л. 1949 Л. Ландау и Е. Лифшиц, Квантовая механика, гл. XI, Гостехиздат, М.-Л. 1948 [c.546]

Если к молекуле СН4 добавить пятый атом Н или к молекуле NH3 добавить четвертый атом Н, в каждом случае будет получаться несколько состояний низшей мультиплетности (дублетных состояний), для которых формула (П1,67) уже не будет справедливой. Можно, однако, показать, что-во всех этих случаях дополнительный атом Н отталкивается (Гайтлер [490], стр. 558). Иначе говоря, наблюдается насыщение валентностей. Центральный атом со спином S может, таким образом, нрисоединять максимум 2S атомов водорода (или других одновалентных атомов) или соответствующее-меньшее число атомов с большими значениями Si ). [c.366]

Мы не будем далее рассматривать общий случай насыщения валентностей на основе теории Гайтлера — Румера. Особый интерес, однако, представляет рассмотрение того случая, когда три одновалентных атома X, Y и Z находятся в состояниях (т. е. Si = /3). Согласно правилу сложения спинов (П1,65), будут существовать два состояния этой системы с минимально возможным значением полного спина 5 = С другой стороны, имеются три чисто валентных состояния, которые графически могут быть изображены следующим образом [c.366]

Определения понятия насыщение валентности в книге не дается содержание, вкладываемое здесь в этот термин, не ясно. В квантовой механике ввести такое понятие затрудните.тьно, так же как и само понятие числа валентности, а если тем или другим путем аналог классического понятия валентпостп атома в той или другой молекуле введен (на основе какого-либо приблия5ения в квантовой механике), то в согласии с основными положениями классической теории строения все единицы сродства атома в любой молекуле, радикале или ионе всегда насыщены. Это следует из того, что по основному определению классической теории число валентности атома в данной молекуле есть число единиц сродства затрачиваемых атомом на все связи с другими атомами в данной молекуле (т. е. насыщенных) см. также [45].— Прим. ред. [c.411]

В общем теория валентных связей дает более прямой путь для понимания насыщения валентностей, чем молекулярно-орбитальная теория, однако последнюю оказывается более просто использовать для объяснения исключений из классических правил валентности, таких, как химическая стабильность молекул с нечетным числом электронов или стабильность недавно полученных фторидов Хе и Кг. Будут ли химически стабильны такие молекулы, как N0, СЮг и NOg, или будут стабильны их димеры N2O2, I2O4, N2O4 зависит, согласно молекулярно-орбитальной теории, от количественного баланса связывающего и разрыхляющего действия электронов на молекулярных орбиталях, появляющихся при образовании димера. Без очень детальных расчетов трудно предсказать, каков будет результат этого баланса в каждом отдельном случае ). Однако если на корреляционных диаграммах расположение линий, представляющих различные орбитали, позволяет объяснить наблюдаемые факты для одного или двух случаев, то построенные диаграммы могут быть использованы для предсказаний и в других случаях. Здесь нет необходимости прибегать к представлению о спаривании электронов молекул, образующих димер, в силу чего химическую стабильность молекул с нечетным числом электронов гораздо проще понять на основе данной теории, а не на основе теории валентных связей. [c.412]

Наведенный дипольный момент 436 Насыщение валентностей 366, 411, 435 Начало полосы 230, 233, 250, 253 Начало системы полос, ложное 177 Нежесткие молекулы 13, 19, 56, 120 Нелинейные молекулы [c.742]

Развитие теории адсорбционной природы пассивного слоя связано с работами советских ученых Б. В. Эршлера, Б. Н. Кабанова и зарубежных Улига, Хаккермана и др. Основной механизм заш,иты заключается в насыщении валентностей поверхностных атомов металла путем образования химических связей с адсорбирующимися атомами кислорода. Этот так называемый химический вариант предполагает образование неактивного поверхностного слоя металла, связанного с атомами кислорода. Предполагается, что для возникновения пассивного состояния нет необходимости полного заполнения всей поверхности адсорбированным слоем кислородных атомов для этого достаточна адсорбция кислорода только на наиболее активных анодных участках (по углам и на ребрах кристаллической решетки). [c.62]

По адсорбционной теории пассивности механизм защиты металлов состоит в насыщении валентностей поверхностных атомов металла путем образоваипя химических связей с адсорбирующимися атомами кислорода. Этот так называемый химический вариант адсорбцнон- [c.105]

Металлические связи образуют структуры путем взаимодействия положительных ионов решетки (атомных остатков) и делока-лизированных, обобществленных электронов. Эти связи являются гомеополярными. Они по существу не относятся к химическим, и понятие металлические связи можно считать качественным, так как металлы не имеют молекулярного строения, а их атомы соединяются в кристаллические образования. Этот вид связи и обусловливает высокую прочность, пластичность и электропроводность металлов. Энергия связи — около Ю Дж/моль. Прочная металлическая связь наблюдается при образовании интер-металлидов и некоторых твердых растворов. Одна из ее особенностей — отсутствие насыщения, определяемого валентностью соответствующих атомов. [c.10]

Ковалентная связь имеет то же происхождение, что и связь в гамополярных молекулах (Нг, СЬ, Ь,.- ), она обусловлена обменным электронным взаимодействием между атомами. В молекулярных кристаллах (Нг, СЬ, Ь,---) ковалентная связь локализована между ядрами в молекуле, молекулы удерживаются вместе слабыми силами Ван-дер-Ваальса. Однако в случае алмаза или графита несколько валентных электронов являются общими для атома и ряда его соседей, и поэтому невозможно выделить какую-либо группу атомов, которую можно рассматривать как химически насыщенную (рис. 2.7). С этой точки зрения кристалл алмаза представляет собой огромную молекулу. [c.75]

Для более широкого сопоставления влияния магнитного поля на сопротивление различных металлов удобно, следуя Юсти [109] и Колеру [110], построить график зависимости ( рн/р) от Н г), где г—наблюдаемое отношение р(7 )/р(0). График такого типа, заимствованный из работы Юсти и включающий данные, полученные Грюнейзеном, Граммахом, де-Хаазом, Юсти и Капицей, приведен на фиг. 30. Сопоставив поведение различных металлов, Юсти пришел к выводу, что возрастание сопротивления под действием магнитного поля у металлов с нечетной валентностью стремится к насыщению, в то время как сопротивление металлов с четной валентностью с увеличением (Я/г) возрастает по квадратичному закону непрерывно. Кроме того, [c.200]

Время жизни атомов, адсорбированных на подложке, определяется формулой (2.1). Для слабых связей (типа ван-дер-ваальсовой) эта энергия составляет 0,01—0,1 эВ, для сильных связей (типа валентной) она достигает порядка единиц электрон-вольт. В соответствии с (2.1) время жизни в адсорбированном состоянии т 10-1 (. для = 0,01 эВ и т ж 10 с для t/ад я 1 эВ. Поэтому, если атомы осаждаемого вещества образуют с поверхностью подложки сильную связь, а атомы или молекулы остаточной среды — слабую связь, пленка будет расти практически свободной от молекул остаточной среды и необходимость в поддержании столь высокого вакуума, как 10-5 Па, в значительной мере отпадает. Такие условия создаются, в частности, при ведении процесса напыления в инертной среде и в среде, состоящей из молекул с насыщенными связями. [c.61]

В некристаллич. и жидких П. примеси ведут себя иначе, чем в кристаллических. Отсутствие кристаллич. структуры приводит к тому, что примесный атом иной валентности, чем замещае 1ЫЙ, может насытить своя валентные связи, так что ему будет невыгодно присоединять лишний электрон или отдавать свой электрон. В результате примесный атом оказывается электрически неактивным. Это обстоятельство не позволяет. менять путём легирования тип проводимости, что необходимо, вапр., для создания р — п-переходов, Нек-рые аморфные П. изменяют электронные свойства под действием легирования, но в значительно меньшей степени, чем кристаллич. П. Чувствительность аморфных П. к легированию может быть повышена технол. обработкой. Насыщение аморфного 81 водородом и последующее легирование донорами или акцепторами обеспечивает п- или р-тип проводимости. Таким способом по-лзч1ен р — -переход в плёнках аморфного 8г, аморфный 8[ стал перспективны.м материалом для солнечных батарей (см. Аморфные и стеклообразные полупроводники, Жидкие полупроводники). [c.38]

Основной объем вычислений при нахождении коэффициентов Рутана составляет вычисление интегралов (78)-(80). Поэтому в различных полуэмпирических методах используются приближения, в которых многие из них равны нулю. Кроме того, рассматривают не все электроны системы, а лишь некоторую их совокупность, например валентные электроны (валентное приближение) или электроны, входящие в я-системы. Ограничивают также число членов разложения (75). Например, при рассмотрении молекул с насыщенными связями можно в качестве МО брать лишь ком-54 [c.54]

Смотреть страницы где упоминается термин Насыщение валентностей : [c.638] [c.193] [c.17] [c.311] [c.30] [c.742] [c.11] [c.532] [c.75] [c.41] [c.248] [c.65] [c.55] [c.181] [c.128] [c.185] [c.295] [c.407] [c.51] [c.23] [c.26]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...