Зона валентная плотность состояний

Снятие вырождения аГ-состояния во внутреннем октаэдрическом поле остовной р -оболочки и разделение d-электронов на eg (d )-и ( )-состояния экспериментально подтверждено исследованием фотоэлектронных спектров [60]. На рис. 28 (две нижние кривые) представлен полученный методом электронной спектроскопии фотоэлектронный спектр валентных электронов золота и рассчитанная на основе зонной теории плотность состояний N (Е) [60]. Принципиальным результатом является расщепление d-пика на два, разделенных глубоким минимумом. Это расщепление не объясняется [c.57]

Приведенные данные показывают, что электрические и оптические свойства аморфных полупроводников похожи на свойства кристаллических полупроводников, но не тождественны им. Это сходство, как показал специальный анализ, обусловлено тем, что энергетический спектр электронов и плотность состояний для ковалентных веществ, которым относятся полупроводники, определяются в значительной мере ближним порядком в расположении атомов, поскольку ковалентные связи короткодействующие. Поэтому кривые N (е) для кристаллических и аморфных веществ во многом схожи, хотя и не идентичны. Для обоих типов веществ обнаружены энергетические зоны валентная, запрещенная и проводимости. Близкими оказались и общие формы распределения состояний в валентных зонах и зонах проводимости. В то же время структура состояний в запрещенной зоне в некристаллических полупроводниках оказалась отличной от кристаллических. Вместо четко очерченной запрещенной зоны идеальных кристаллических полупроводников запрещенная зона аморфных полупроводников содержит обусловленные топологическим беспорядком локализованные состояния, формирующие хвосты плотности состояний выше и ниже обычных зон. Широко использующиеся модели кривых показаны на рис. 12.7 [68]. На рисунке 12.7, а показана кривая по модели (Мотта и Дэвиса, согласно которой хвосты локализованных состояний распространяются в запрещенную зону на несколько десятых эВ. Поэтому в этой модели кроме краев зон проводимости (бс) и валентной (ev) вводятся границы областей локализованных состояний (соответственно гл и ев). Помимо этого авторы модели предположили, что вблизи середины запрещенной зоны за счет дефектов в случайной сетке связей (вакансии, незанятые связи и т. п.) возникает дополнительная зона энергетических уровней. Расщепление этой зоны на донорную и акцепторную части (см. рис. 12.7, б) приводит к закреплению уровня Ферми (здесь донорная часть обусловлена лишними незанятыми связями, акцепторная — недостающими по аналогии с кристаллическими полупроводниками). Наконец, в последнее время было показано, что за счет некоторых дефектов могут существовать и отщепленные от зон локализованные состояния (см. рис. 12.7, в). Приведенный вид кривой Л (е) позволяет объяснить многие физические свойства. Так, например, в низкотемпературном пределе проводимость должна отсутствовать. При очень низких температурах проводимость может осуществляться туннелированием (с термической активацией) между состояниями на уровне Ферми, и проводимость будет описываться формулой (12.4). При более высоких температурах носители заряда будут возбуждаться в локализованные состояния в хвостах. При этом перенос заряда [c.285]

График распределения плотности состояний собственного кристаллического полупроводника показан на рис. 4, а. В зоне проводимости и в валентной зоне такого полупроводника плотность состояний велика, а в запрещенной зоне — равна нулю. В запрещенной зоне электронного (рис. 4, б) и дырочного (рис. 4, в) кристаллических полупроводников появляется пик (заштрихован), соответствующий донорным или акцепторным уровням [c.9]

Если сравнить распределение плотности состояний по энергиям в кристаллических и некристаллических полупроводниках, то основным их отличием является присутствие в запрещенной зоне некристаллических полупроводников значительного количества разрешенных состояний (рис. 4, г). Таким образом, запрещенная зона некристаллических полупроводников не является запрещенной в полном смысле. Вследствие отсутствия дальнего порядка в диапазон энергий, соответствующий запрещенной зоне, из валентной зоны и зоны проводимости сдвигается часть разрешенных энергетических уровней, так называемые хвосты валентной зоны и зоны проводимости (заштрихованные области слева и справа). [c.10]

Распределения плотности состояний в пленках аморфного кремния, не содержащих (а-51) и содержащих (а-5 Н) водород, показаны на рис. 5, в. Сравнивая этот рисунок с рис. 4, г, можно увидеть, что даже в аморфном кремнии, содержащем водород, хвосты валентной зоны, зоны проводимости, а также зона разрешенных состояний в середине запрещенной зоны перекрывают друг друга, образуя непрерывное по энергии распределение локализованных состояний в запрещенной зоне. Однако плотность этих состояний во много раз меньше плотности локализованных состояний аморфного кремния, не содержащего водород. В аморфном кремнии, содержащем водород, плотность состояний примесных (донорных или акцепторных) уровней в запреш,енной зоне выше, чем обусловленных дефектами. В этом случае электрофизические свойства пленок аморфного кремния определяются видом и количеством введенной примеси. [c.14]

При дальнейшем увеличении N нарушается неравенство (1). Из-за перекрытия волновых ф-ций электронов соседних атомов дискретные уровни уширяются настолько, что преобразуются в примесную зону. Пока в полупроводнике сохраняются уширенные примесные уровни либо обособленная от и примесная зона, уровень легирования относят к среднему (или промежуточному). При Достаточно большой концентрации примесей полностью нарушаются оба неравенства. Примесная зона продолжает расширяться, и при нёк-рой критич. концентрации Л ор она сливается как с зоной проводимости, так и с валентной зоной (рис. 1,е), Плотность состояний оказывается отличной от О практически во всей запрещённой зове полупроводника ( хвосты плотности состояний). При этом газ носителей заряда уже не подчиняется статистике Больцмана он становится вырожденным и подчиняется статистике Ферми. [c.502]

Вывести закон действующих масс для концентраций основных и неосновных носителей в полупроводнике, предполагая, что для носителей тока в зоне проводимости и в валентной зоне, так же как для классических свободных частиц, применима статистика Максвелла — Больцмана и что функция плотности состояний параболическая для обеих зон. Эффективные массы т% (для электронов) и т р (для дырок) считать известными и постоянными. [c.77]

Функции плотности состояний g (о) для зоны проводимости и gy ( ) для валентной зоны можно аппроксимировать функциями плотности состояний свободной частицы [27] [c.317]

Цель этой главы — изложить электронную теорию металлов с квантовомеханической точки зрения. В разд. 2 будет показано, как из отдельных свободных атомов образуется твердый металл при этом особое внимание уделяется тому факту, что валентные электроны свободного атома при образовании металлического состояния становятся нелокализованными. В разд. 3 и 4 рассматриваются свойства нелокализованных электронов (электронов проводимости) и модели, применяемые для описания их поведения в твердом теле. Подробно обсуждаются две модели 1) модель свободных электронов, из которой можно получить основные выражения для плотности состояний, теплоемкости, магнитной восприимчивости ИТ. д., и 2) модель почти свободных электронов, с помощью которой можно найти величины, определяющие ширину запрещенной зоны. В разд. 5 вводится понятие поверхности Ферми, а в разд. 6 излагаются наиболее эффективные методы определения параметров, характеризующих эту поверхность. Последние три раздела этой главы посвящены анализу роли электронов проводимости в сплавах (разд. 7), ферромагнетизму (разд. 8) и сверхпроводимости (разд. 9). [c.55]

Анализ полных и локальных плотностей состояний кластеров типа Ре —Ог показал, что увеличение количества атомов в кластере при сохранении расстояний Ре— Ре и Ре—О и соотношения 1 2 между количеством атомов железа и кислорода не влечет существенных изменений в структуре валентной зоны. Это значит, что окружение атомами кислорода должно стабилизировать в матрице меди и кластер Ре4 с сохра- [c.164]

Рис. 7.30. Эффект образования хвоста плотности состояний на кажущуюся форму края валентной зоны (штриховые линии), если при анализе экспериментальных данных для разных значений Е/, показанных на рисунке, предполагается параболическая форма зоны.

Все вместе, по-видимому, дает довольно сильные указания на существование хвоста плотности состояний, распространяющегося примерно на 0,12 эВ выше края параболической валентной зоны. Возможно, существует также хвост и у зоны проводимости, но в пользу такой возможности имеется мало данных. Такой хвост может давать вклад в промежуточной области между несобственной и собственной кривыми на рис. 7.31. [c.165]

Информацию о характере электронной зоны дает также поведение термо-э. д. с. в металлической области (а 200 Ом Х Хсм-1). Обычно / лежит вблизи минимума общей плотности состояний, когда зона проводимости перекрывается с валентной [c.216]

Другое простое заключение состоит в том, что элементы с четным числом валентных электронов на один атом имеют меньшую вероятность оказаться сверхпроводниками, чем элементы с нечетным числом валентных электронов это по сути другая формулировка утверждения о том, что для заполнения зоны Бриллюэна четное число валентных электронов предпочтительнее, так что значение функции плотности состояний при е = гр, т. е. Ф(ер), будет малым. [c.447]

О.-э. происходит не только в изолиров. атомах, но и в молекулах (число оже-линий значительно возрастает), а также в твёрдых телах. В последнем случае наряду с переходами между внутр. уровнями энергии наблюдаются переходы с участием электронов валентной зоны, причём ширина зоны и плотность состояний в ней влияют на форму оже-линий. Изучение эперготич. структуры и осуществление хым. анализа вещества — предмет оже-спектроскопии. [c.401]

В (2.40)(2.42) ыы уже перешли от описания распределения электронов по всей возможным энергетическим состояниям к описанию, в котором мы объединили группы электронов и группы незаполненных состояний в коллективы . Теперь, следовательно, нас интересует полное число электронов в зоне проводимости, дырок в валентной зопе, электронов в допорах и т. д. Концентрация частиц в таких коллективах может быть определена прп заданной зонной структуре (плотности состояний), температуре и концентрации дефектов. [c.90]

Коэффициенты и в приведенных выражениях называются эквивалент-ньпии плотностями состояний соответственно электронов и дырок. Если предположить, что все свободные электроны сконцентрированы вблизи дна зоны проводимости, а дырки - вблизи потолка валентной зоны, их концентрации можно рассчитать по формулам [c.54]

Иная ситуация имеет место в вырожденных полупроводниках. Слабое вырождение приводит к уменьшению коэффициентов поглощения на частотах, близких к краю собственного поглощения. Сильное же вырождение вообще сдвигает край поглощения в сторону более коротких волн. Этот эффект называют сдвигом Бурштейна. Он отчетливо проявляется в полупроводниках с малой плотностью состояний у дна зоны проводимости (или у потолка валентной зоны), в которых сильное вырождение достигается при сравнительно малых уровнях легирования. Так, в InSb легирование донорами (концентрация 5 10 м ) приводит к сдвигу длинноволновой границы собственного поглощения с 7,1 до 3,5 мкм. Во многих же случаях сдвиг Бурштейна маскируется другим эффектом сильного легирования — изменением плотности состояний у краев энергетических зон. Это изменение происходит вследствие размытия примесных уровней в примесную зону и слияния последней с зоной проводимости или с валентной зоной. [c.322]

Нестабильность валентности и возможность перехода /-электрона в зону проводимости и обратно (межконфи-гурац. флуктуации) существенно проявляются в большинстве физ. свойств систем с П, в, Т, к. энергия 4/-уровня лежит вблизи р, то размытие уровня приводит к появлению вблизи /р узкого пика в плотности состояний с шириной, пропорциональной V , где V — матричный элемент / — с-перехода (рис, 5), [c.142]

Н1э, — гл. компоненты тензора эффективной массы электрона и дырки, е — заряд электрона, Р — вектор поляризации света, е — матричные элементы операторов импульса электронов (дырок). Множитель (Йш—отражает зависимость плотностпи состояний в зоне проводимости (валентной зоне) от энергии кванта. Матричные элементы е слабо зависят от давления (как и постоянная решётки). Незначительно меняются и эфф. массы носителей, т. е, М. Осн, влияние давления связано со сдвигом электронных уровней, определяющих плотность состояний. Давление позволяет не только сдвигать электронные уровни, но и изменять электронный спектр. [c.188]

С. на основе гомопереходов в прямозонных полупроводниках, легированных т. в. мелкими примесями (см. Примесные уровни), имеют существ, недостаток — сильное поглощение излучения внутри кристалла (коэф. поглощения а — 10 см Ч. Снижение потерь па межзонное поглощение достигается уменьшением энергии излучения за счёт Компенсации примесей в активной области (напр., в эпитаксиальной р — л-структуре GaAs, легированной Si). При сильном легировавии и компенсации хаотически расположенный в пространстве заряд примесей создаёт искривление границ зон, при к-ром локальная ширина запрещённой зоны остаётся постоянной (см. Сильнолегированный полупроводник). Это приводит к тому, что в распределении плотности состояний появляются участки при энергиях ниже зоны Проводимости и выше валентной зоны — т. н. хвосты плотности состояний, пространственно разделённые в обеих зонах. В С. с такой структурой в излучат, рекомбинации принимают участие глубокие и удалённые группы состояний, При этом излучаемые фотоны характери- [c.466]

СОБСТВЕННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — проводимость полупроводника, обусловленная электронами, возбуждёнными из валентной зоны в зону нроводнмости я дырками, образовавшимися в валентной зоне. Крдцеятрацип п таких (зонных) электронов и дырок равны, и их можно, выразить через эфф, плотности состояний в зоне проводимости (Л д) и в валентной зоне (Nfi), ширину запрещённой зоны и абс. темп-ру Т [c.567]

От соотношения между Гркки и Тц зависят свойства осн. состояния системы. Если /-уровень лежит близко к уровню Ферми и размыт в /-зону за счёт его гибридизации с электронами проводимости, то вблизи S /, плотность состояний g( ) выше, чем в обычных металлах, на 2—3 порядка, Аномально высокое значение g < ) в случае Т. ф. может быть связано с промежуточной валентностью. [c.195]

Р-тридимит, а,Р-кристобал1ГГ. Как можно видеть на рис. 7.1, 7.2, энергетические зоны и распределения плотностей состояний данных ПМ 8Ю2 достаточно подобны друг другу. Для Р-тридимита углы 81—О—81 составляют 180° в сравнении с а-кварцем существенно возрастает ЗЩ (на 0,9 эВ), изменяются относительные ширины отдельных валентных подполос и разделяющих их запрещенных зон. Для а,Р-кристобалита реализуется прямая ЗЩ (переход Г — Г) углы связей 81—О—81 варьируются в широком пределе (от 137° до 180°), в результате распределение электронной плотности (рис. 7.2) имеет особенности, присущие ПС как а-кварца, так и Р-тридимита. [c.156]

Чтобы избежать трудностей, возникающих в случае применения теоремы Купменса к системе с незаполненной оболочкой, в работе [386] вертикальный ионизационный потенциал вычисляли методом МО L AO как разность энергий ионизированного и нейтрального кластеров Li (и = 1 -f- 9). Полученные для каждой группы конфигураций кластера значения IP имеют разброс в пределах 1—5 эВ, но если в каждой такой группе выделить только наиболее стабильные формы, то наблюдается довольно регулярная тенденция понижения IP с ростом п. Для Lis и Lig вычисленный ионизационный потенциал оказался равным 2,4 эВ, что близко к работе выхода массивного металла, но несколько ниже указанных выше значений, найденных Маршаллом и др. [385]. Ширина валентной зоны, определяемая разностью энергий наивысшей и наинизшей занятых молекулярных орбиталей, возрастает при увеличении /г, достигая значений 3,0 эВ для кубического Lioo и 3,7 эВ для Lis в форме октаэдра с двумя атомами над его гранями. Вместе с тем отмечается, что число валентных электронов в изучаемых кластерах Li слишком мало, чтобы получить усредненную плотность состояний и истинную валентную зону путем расширения (скажем, с помощью подходящей гауссовой кривой) далеко разнесенных энергетических уровней. [c.230]

Не объяснены аномалии при постоянной концентрации валентных электронов. Форма аномалии приблизительно такая же, какая была предсказана для кривой EjK с резким изгибом этой характеристики вместо разрыва, как и для твердого состояния, так как рь является функцией энергии Ферми. Эта изогнутая кривая предложена Эдвардсом [328] на основе теоретических расчетов (см. рис. 14). Такие изменения dEldK будут коррелировать с кривой плотности состояний, которая имеет один минимум и два максимума величины Е это произойдет при значении Е, соответствующем примерно двум электронам на атом по аналогии с твердым состоянием. Кривая N(E) такого вида была вычислена Ватанобе и Танака [322] для жидкого цинка из кривых EjK, полученных на основании модели почти свободных электронов Эдвардсом [328]. Кривая плотности состояний для жидкости, конечно, не возвращается к значению NE=0 при более высоких значениях Е, а продолжается вплоть до второй энергетической зоны, т. е. кривая приближается к параболической зависимости для состояния свободных электронов. Аномалии в рь могут получиться при значении концентрации валентных электронов на атом 2,3 скорее, чем при 2, из-за уменьшения резкого определения как поверхности Ферми, так и краев энергетических зон в жидком состоянии. [c.124]

В дальнейшем благодаря главным образом работам Джонса 160—63] стабильность электронных фаз при помощи простой электронной теории металлов была связана с взаимодействием между поверхностью Ферми и зонами Бриллюэна при этом особо подчеркивалось влияние такого взаимодействия на плотность состояний N Е) у поверхности Ферми. у- и е-латуни обладают соответственно кубической объемноцентрированной, сложной кубической и гексагональной плотноупакованной структурами , для которых в момент соприкосновения поверхности Ферми для свободных электронов с основными гранями соответствующих зон Бриллюэна последние оказываются в значительной мере заполненными. Моменту соприкосновения поверхности Ферми с границей зоны Бриллюэна отвечают критические значения электронной концентрации так, для р-латуни в момент контакта е/а = 1,48, для улатуни при соприкосновении поверхности Ферми с гранями 330 и 411 большой зоны Бриллюэна электронная концентрация е а — 1,54 и, наконец, для е-латуни внутренняя зона оказывается в основном заполненной при ela = 1,75. Эти значения отношений числа валентных электронов к числу атомов, полученные на основе модели зон Бриллюэна, очень близки к первоначальным значениям е/а, полученным из химических формул (ср. 1,5 1,62 и 1,75 с 1,48, 1,54 и 1,75), однако необходимо помнить, что в обоих случаях указанные значения выведены на основе определенных моделей, развитых специально для интерпретации стабильности электронных фаз. В настоящее время известно, что химические формулы применять нельзя, а при использовании простой модели зон Бриллюэна возникает следующее ограничение, о котором уже упоминалось выше для приведенных значений е/а необходимо было бы допустить, что энергетический разрыв на границе зоны Бриллюэна равен или близок к нулю. [c.179]

Предложена двухзонная модель энергетического спектра электронов бинарных соединений V5SI3 и УбОез с тетрагональной структурой. С помощью этой. модели рассчитаны некоторые параметры переноса и электронного спектра эффективные массы электронов и дырок, их подвижность и концентрацил, а также плотность состояний вблизи уровня Ферми при О К. энергия частичного перекрытия валентной зоны и зоны проводимости. При расчетах указанных параметров использовались данные о коэффициентах электропроводности, абсолютной термоЭДС, Холла, магнитной восприимчивости, а также их температурных зависимостях. [c.118]

Все три модели ведут к плотности состояний Ы Е), имеющей провал вблизи энергии Ферми, как показано сплошной кривой на рис.- 5.1, а. Этот провал грубо соответствует щели между валентной зоной и зоной проводимости в кристаллическом полупроводнике или полуметалле. Этот провал в М Е) часто называют псевдощелью. Важной дополнительной характеристикой является пространственное поведение волновых функций. Состояния в псевдощели могут быть локализованными, а не распространенными по всему объему системы, и э.то обстоятельство важно при рассмотрении их вклада в явления переноса. Этот аспект электронной структуры обсуждается в последнем параграфе. [c.83]

До сих пор мы рассматривали данные, относящиеся лишь к одной температуре 800 К. Если предположить, что п то же самое, что По в (7.7), то уравнения (7.3), (7.4) и (7.5) описывают влияние температуры Г на 5 и а. Теоретические и экспериментальные кривые сравниваются на рис. 7.5 и 7.6. Видно, что имеются небольшие расхождения, которые возрастают с температурой и при х- 2/3. Этого и следовало ожидать из качественных соображений в результате возбуждения электрон-дыроч-ны-х пар через запрещенную зону. Если вкладом дырок в явления переноса можно пренебречь (вследствие захвата дырок в локализованных состояниях между краем валентной зоны о и порогом подвижности Evi в ней), то а и S по-прежнему будут связаны соотношениями (7.4) и (7.5), но вместо зависимости для о нужно строить зависимость для 800а/Г. Оказывается, что это действительно так, за исключением области Т 1000 К. Поэтому оказалось возможным определить концентрацию дырок р = = п — о как функцию Т с помощью уравнений (7.3) и (7.4), и эта зависимость была проанализирована в рамках простой двухзонной модели с псевдощелью. Предполагая несколько произвольно, что край валентной зоны имеет параболическую форму, так что плотность состояний в валентной зоне — [c.128]

Существуют указания, которые рассматриваются ниже, что TlxTei 3 является псевдобинарной смесью Tl-f ТЬТе для всех составов x>2/3. Это наводит на мысль, что электронная структура этого сплава аналогична случаю металла пониженной плотности с той разницей, что нейтральные молекулы ТЬТе заполняют пустое пространство между атомами Т1. Поскольку Т1 имеет три валентных электрона, он должен быть аналогичен s с тем отличием, что щель Мотта—Хаббарда открывается в р-зоне. Поэтому кажется разумным использовать модель электронной структуры металла с пониженной плотностью в качестве начального приближения, а затем учесть дополнительные эффекты, вызванные в электронной структуре присутствием молекул Т Те. Этот подход, принятый в недавних работах автора [53], может быть назван моделью суперпозиции зон, поскольку он основан на объединении кривых плотности состояний приближения сильной связи для двух составляющих Т1 и Т Те. При этом в первом приближении предполагается, что они независимы друг от друга и каждая зона содержит число состояний, пропорциональное концентрации соответствующего компонента. [c.137]

Мы считаем, что в области I зона проводимости и валентная зона сильно перекрываются между собой. При очень высоких температурах (>1125°С) это не кажется неожиданным, поскольку при такой температуре запрещенная зона для ТЬТе, выведенная в гл. 7, 1, составляет примерно — 0,45 эВ. Однако в данном случае мы считаем, что плотность состояний в валентной зоне Nv) растет много быстрее, чем плотность состояний в зоне проводимости N ), возможно, вследствие Зс -состояний меди, так что при составе СигТе Ef) >N Ef), как показано на рис. 8.16. Это является причиной того, что S положительна. Большие температурные коэффициенты S и а объясняются [c.199]

В случае полупроводниковой проводимости, т. е. существования энергетического зазора между зонами, рост концентрации по мере возрастания степени дефектности по углероду может быть следствием действия сравнительно слабо связанных атомов металла как донорной примеси. Таким образом, высокотемпературные электрические свойства Т1Сд. и могут быть интерпретированы как полупроводниковые, однако этот вывод нельзя считать окончательным. В ряде теоретических работ показано, что эти материалы должны быть металлами зона проводимости перекрывается с валентной зоной [5, 6]. Тем не менее нам представляется, что полученные в данной работе экспериментальные результаты не находятся в резком противоречии с этими работами. Действительно, согласно работам Бильтца, плотность состояний в области перекрытия зон (интервал энергий около 3 эв) очень мала. По-видимому, теория не может в этом случае предсказать существование энергетического зазора порядка десятых электрон-вольт или отрицать его существование. [c.86]

Рис 31 Энергетическая диаграмма подзон валентной зоны (а) и плотность состояний в валентной зоне (б) для квантовой ямы ОаА5/А1огОаовАз шириной 80 А для двух направлений в плоскости структуры (110) и (100) [c.92]

Закономерности электронного переноса в неупорядоченных системах определяются особенностями их энергетического спектра, которые мы еще будем обсуждать в разделе 3.9. Здесь же отметим только, что некоторые представления зонной теории можно использовать и для неупорядоченных систем (Андерсон, Мотт, Бонч-Бруевич, Эфрос, Шкловский, Звягин). В частности, под зоной проводимости и валентной зоной аморфного полупроводника понимают свободную и заполненную энергетические зоны делокализованных состояний с высокой плотностью (приблизительно такой же, как в кристаллах). Отсутствие дальнего порядка приводит к появлению дополнительных разрешенных электронных состояний, плотность которых р( ) спадает по мере удаления от зон делокализованных состояний, образуя "хвосты" плотности состояний — рис.2.16, а — в. Если электрон находится в состояниях "хвоста", его волновая функция локализована в области, размер которой Ь называется длиной (или радиусом) локализации. В одномерной неупорядоченной системе все электронные состояния локализованы, каким бы слабым ни был случайный потенциал радиус локализации по порядку величины равен длине свободного [c.74]

Если "хвосты плотности состояний у валентной зоны и зоны проводимости абсолютно одинаковы (а = Ь), то скорость поверхностной рекомбинации вообше не зависит от изгиба зон, при небольшой асимметрии (а ф Ь) получается слабая зависимость 3 и ). Для того, чтобы вероятность туннельных переходов между состояниями "хвостов" была достаточно большой, плотность состояний вблизи середины запрешенной зоны должна быть весьма высокой. [c.107]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...