Валентные частоты

А—Н и неподеленной парой электронов атома В А—Н--- В. Такая модель является упрощенной и не позволяет объяснить аномально большую интенсивность смещенной при образовании водородной связи валентной частоты А—Н, а также вычислить вели- [c.161]

В недиагональных элементах матриц силовых коэффициентов наблюдается большой разброс значений. Это вызвано в основном низкой точностью определения этих величин. Исследования показали, что коэффициенты Hj, А —В , 2а —а - -Ъ -—2Ъ весьма чувствительны к величине разности между валентными частотами колебаний X—Н и X—D. При вариации этих частот в пределах 5--7 их значения могут измениться даже в два раза. Недиагональный элемент в значительной сте- [c.191]

Валентные частоты колебаний молекулы зависят от масс атомов и возвращающих сил, действующих на смещенные из равновесных положений части молекулы. Точные выражения этих величин могут быть найдены в [52], а здесь существенно отметить два результата анализа [c.183]

С помощью выражения (2-64) можно отыскать Тн для любого (й/)-состояния атома водорода, а затем с учетом экранирования определить величину а для валентного электрона рассматриваемого атома согласно (2-63). Заметим, что (Я/)-состояния валентного электрона атома исследуемого и водорода должны быть одинаковыми. Зная г, можно определить кинетическую энергию валентных электронов атомов, составляющих данную молекулу, после чего вычислить энергию связи по выражению (2-53), а затем квазиупругую постоянную, используя (2-55). Далее составляется система уравнений типа (2-30), в результате решения которой находится собственная частота колебаний. [c.58]

В отличие от металлов полупроводники имеют довольно сложный спектр оптического поглощения. В металле фотоны поглощаются электронами проводимости, совершающими переходы внутри энергетической зоны. Поэтому спектр поглощения металла непрерывен металлы поглощают излучение любой частоты. В полупроводниках фотоны могут поглощаться электронами валентной зоны (с последующим переходом в зону проводимости или на примесные уровни, находящиеся внутри запрещенной зоны), электронами на примесных уровнях (с переходом в зону проводимости или на другие примесные уровни), электронами проводимости (с последующими внутризонными переходами). Переходам электронов из валентной зоны в зону проводимости отвечает так называемая полоса собственного поглощения полупроводника она характеризуется наиболее высоким коэ-ф-фициентом поглощения. Частота о) р, соответствующая [c.164]

Квантовый выход внутреннего фотоэффекта. Предположим теперь, что полупроводник освещается монохроматическим светом, частота которого выше пороговой частоты для внутреннего фотоэффекта. Последняя определяется шириной запрещенной зоны в собственных полупроводниках и энергией ионизации донорных или акцепторных примесей в примесных полупроводниках. При поглощении фотонов электронами валентной зоны или примесных уровней будут происходить соответствующие квантовые переходы, приводящие к образованию дополнительных (неравновесных) носителей заряда, которые и обусловливают фотопроводимость. [c.176]

Собственное поглощение обусловлено переходами элект- ронов из валентной зоны в, зону проводимости с поглощением фотона. Длина волны Ло и частота ио, соответствующие краю собственного поглощения, приближенно определяются условием [c.157]

При колебаниях сложных молекул обычно наблюдается ряд закономерностей. Валентные колебания имеют большие частоты, чем деформационные. При этом частоты антисимметричных колебаний превосходят частоты симметричных. В каждом нормально колебании в той или иной степени одновременно участвуют мно- [c.94]

Характеристичность колебаний. Несмотря на то, что в каждом нормальном колебании сложной молекулы участвуют все атомы, во многих практически важных случаях удается выделить группу атомов, колебания которых и будут определять частоту данного нормального колебания. При наличии этой группы атомов у других молекул частота выбранного нормального колебания может сохраняться. В этом случае говорят о характеристической частоте колебания для данной группы атомов (валентной связи или валентного угла). Например, группы атомов СН, СНз и СНз в любых молекулах характеризуются валентными колебаниями связей С—Н в области частот 2600—3100 см и деформационными колебаниями углов Н—С—Н в области 1350—1500 см . [c.96]

Интенсивности линий (полос) более чувствительны к форме колебания, чем частоты. При отсутствии характеристичности колебаний по форме характеристичность линий по интенсивности может нарушаться, а характеристичность по частоте — сохраняться. Следовательно, наиболее устойчивые характеристические признаки в спектрах молекул наблюдаются в том случае, когда имеет место характеристичность колебаний по форме. Особенно для таких колебаний, в которых изменяется лишь одна валентная связь или один валентный угол. [c.97]

Фотоэмиссия из полупроводников, в полупроводниках ФЭ может быть обусловлена возбуждением электронов из валентной зоны, с уровней примесей, дефектов, поверхностных состояний и из зоны проводимости (в вырожденных полупроводниках п-типа). Для каждого из этих случаев пороговая частота имеет свое значение. Обычно, если иное не оговорено, под фотоэлектрической работой выхода понимают минимальную энергию фотонов, при которой начинается ФЭ из валентной зоны полупроводника (табл. 25.15). Это значение, как правило, превосходит работу выхода. Спектральная зависимость квантового выхода ФЭ вблизи порога в полупроводниках имеет вид [c.575]

Из вида вектора К1 следует, что колебание с частотой (О1 полносимметрично (рис. 8.2, а), т. е. симметрия молекулы при колебаниях не меняется. Это колебание носит название валентного, так как при нем меняется расстояние между атомами углерода и [c.292]

В сложных спектрах атомов и ионов со многими валентными электронами линии расположены зачастую без всякой видимой закономерности. Если даже и удается в спектрах поглощения в ультрафиолетовой области обнаружить группу сбегающихся линий, образующих одну серию, то связать эти линии с остальными линиями спектра очень трудно. Поэтому первой задачей анализа сложного спектра является выражение частот наблюдаемых линий через разности термов и нахождение относительных значений этих термов. Эта задача решается путем разыскивания в спектре постоянных разностей частот. Поясним сказанное примером. [c.79]

Инверсию в полупроводниках возможно получить и при возбуждении потоком фотонов — оптическое возбуждение. При этом применяются люминесцентные кристаллы. Под воздействием фотонов, энергия которых hv больше ширины запрещенной зоны, в полупроводнике происходит переход электронов из валентной зоны в зону проводимости с образованием электронно-дырочных пар. Наиболее целесообразно производить накачку в узком интервале частот, когда энергия кванта лишь немногим больше АИ7. В этом случае инверсия электронов и дырок образуется в основном между уровнями, залегающими у потолка валентной зоны и дна зоны проводимости. [c.63]

У соединений, имеющих химические группы СО, СК (например, у ацетофенона и ацетонитрила) в адсорбированном состоянии при заполнениях порядка 0.5 слоя в СКР наблюдаются смещения (—10-—15 см ) валентных частот колебаний этих групп по сравнению со спектрами конденсированной фазы, существующей при комнатной температуре. Аналогичные смещения были получены в инфракрасных спектрах поглощения этих адсорбированных молекул [ ]. Однако при изучении СКР адсорбированных ацетонитрила и ацетофенона были получены и новые результаты эти частоты при увеличении заполнения смещаются и иногда размываются (ацетонитрил), и при больших заполнениях их значения приближается к значению в жидкости. [c.329]

Аналогично, в случае NH3, СН3 и других групп или молекул типа XYj с /Яу< отх имеются три колебания, при которых атомы Y двигаются приблизительно в направлениях X — Y, и три колебания, при которых они двигаются перпендикулярно к этим направлениям. В каждо/i группе колебаний два из них взаимно вырождены. В молекуле NH3 валентные частоты равны 3337 и 3414 см , а деформационные частоты — 950 и 1628 см Соответствующие частоты молекулы H3 I равны 2966, 3013 и 1355, 1453 см . [c.215]

Если цепочка атомов рассматриваемого типа содержит две или большее число эквивалентных связей, то, как и прежде, будет существовать резонанс, в результате которого произойдет расш,епление характеристических частот. Величина расщепления, как и раньше, тем больше, чем сильнее взаимодействие двух эквивалентных связей. Так, например, валентная частота С С, значение которой в молекуле равно 1974 см расщепляется в молекуле диаце- [c.217]

Остальные основные частоты нельзя идентифицировать однозначно. В таблице дана пробная интерпретация. Все шесть частот деформационных колебаний групп СНд, повидимому, накладываются друг на друга в области 1450 см , все валентные частоты С—Н, активные в инфракрасном спектре, сливаются в широкую полосу с частотой 2914 см Ч Особенно неопределенна идентификация двух частот чц и крутильных колебаний групп СН им может соответствовать пара комбинационных частот 160 и 300 см (Питцер [696]), или пара комбинационных частот 702 и 583 см , или ни одна из них. Косвенную информацию о частотах крутильных колебаний можно извлечь из термодинамических данных. Основываясь на интерпретации частот, приведенной в табл. 111 (за исключением частот и Vj,), Кистяковский и Райс [513] из величины теплоемкости (СНз)гО вычислили величину потенциального барьера, препятствующего свободному вращению. Их значение равно 2500 кал/моль. Кеннеди, Загенкан и Астон [498] вычислили величину барьера из энтропии (СН.,)аО и получили значенне 3100 кал/моль (см. раздел 1 гл. V). Следовательно, частота крутильных колебаний ни в коем случае не равна нулю и имеет величину одного порядка с частотой молекулы этана (см. табл. 105). [c.381]

В табл. 119 приведены наблюденные комбинационные и инфракрасные частоты вплоть до 3400 см . Некоторые инфракрасные полосы с более высокими частотами были наблюдены Б толоме [119] и Ву и Баркером [965], две инфракрасные полосы в фотографической области спектра — Генсвейном и Мекке [346]. Восемь валентных частот С— Н должны лежать в области 2700-3100 см , частоты внешних деформационных колебаний групп СНа и СНз-—в области 1200—900 см , две валентные частоты С—С —-близко к 900 см , деформационная частота цепочки С—-С—С и частота крутильного колебания — ниже 500 см . Дальнейшего успеха в идентификации частот можно достигнуть с помощью правила (имеющего много исключений), что частоты пол-носимметричных колебаний (А ) проявляются в виде наиболее интенсивных комбинационных линий. Далее, следует учитывать, что острый центральный максимум в неразрешенных инфракрасных полосах табл. 119 отмечены буквой О) свидетельствует о том, что дипольный момент перпендикулярен оси, соответствующей наименьшему моменту инерции (см. раздел 4 гл. IV). В данном случае это означает, что дипольный момеит [c.389]

Спектр поглощения ацетальдегида в области вакуумного ультрафиолета исследован Уолшем [1263] и Лейком и Гаррисоном [714]. В этой области находятся две отчетливые системы полос с довольно развитой колебательной структурой, каждая из которых начинается очень сильной парой полос одна при 1818 А, другая при 1662 А. В обеих системах отчетливо видна колебательная разность, равная 1200 м и, по-видимому, соответствующая валентной частоте С = О в этих возбужденных состояниях. В более коротковолновой области находится большое число дискретных полос, которые легко относятся к трем ридберговским сериям (Уолш [1263]). Первая из них (табл. 77) является одной из самых длинных ридберговских серий, наблюдавшихся до сих пор для многоатомной молекулы, и приводит к очень точному значению ионизационного потенциала (10,229 эв). Ни один из членов ридберговской серии, кроме двух систем при 1818 и 1662 А, не показывает каких-либо признаков колебательной структуры. Система, начинающаяся при 1662 А, которая представляет собой самое сильное поглощение выше 1200 А, имеет значение /, равное 0,13 (Лейк и Гаррисон [714]), и отнесена Уолшем к V 7V-переходу С = 0-связи (в том смысле, как принимает Малликен см. гл. Ill), т. е. к такому переходу, в котором один электрон переходит с я-связывающей на соответствующую разрыхляющую орбиталь. В то же время опа образует первый член длинной ридберговской серии. Это означает, что разрыхляющая (я ) орбиталь может рассматриваться так же, как ридберговская орбиталь (3s или Зр). [c.551]

Нами рассматриваются неметаллические материалы, имеющие температуру плавления более 1600°С. Эти материалы представляют софй согласно [31] кристаллические структуры, которые Можно представить в виде множества структурных единиц причем взаимодействие внутри такой единицы значительно сильнее, чем между ними. Поэтому сложные соединения, состоящие из нескольких сортов атомов, разбивают на структурные ком плексы и рассматривают взаимодействие внутри полу ченных комплексов, причем структурная группа должна быть симметричной. Последнее требование хорощо со гласуется с опытами по исследованию инфракрасньп спектров поглощения при частотах до 1000 см [32] Действительно, колебания симметричных комплексов цо добны колебаниям молекулы идеального газа такой же симметрии. Следовательно, симметричный комплекс мож но рассматривать как молекулу, состоящую из двух разных или одинаковых ядер, связь в которой осуществляется исключительно за счет взаимодействия валентных электронов обоих атомов. [c.51]

Выше уже упоминалось, что задача о движении электрона в поле световой волны может рассматриваться квантово-механически. В результате этого получается почти такое же выражение, как и классическая формула (4.13), однако смысл сходных f6o3-начений будет в этом случае совсем иным. Здесь символ aik означает уже не частоты свободных колебаний различных квазиупругих электронов, а круговые частоты, соответствующие разрешенным переходам в атоме для одного и того же оптического (валентного) электрона, которые можно опре- " Л.с ниТпГборГ делить по известным правилам, впервые сформулированным Бором. Так, [c.145]

Итак, нормальные колебания многоатомных молекул различаются не только по частоте, но и по типу симметрии (симметричные и антисимметричные), а также по форме (валентные и деформационные). По типу симметрии колебания многоатомных молекул разделяются также на неполносимметричные и полносимметричные. Так, колебание, симметричное относительно какого-либо-одного или нескольких (но не -всех) элементов симметрии, называется неполносимметричным. Полносимметричные колебания сим- [c.93]

Процесс диссоциации затрудняет образование сложных ас-социатов, состоящих из большого числа мономерных молекул. Поэтому в обычных условиях для не очень высоких концентраций наблюдается возникновение простейших ассоциатов — димеров. Образование ассоциатов легко обнаруживается по характерным изменениям частоты, ширины и интенсивности полосы колебаний группы А—Н. Например, гидроксильная группа О—Н обладаег характеристической частотой валентных колебаний, расположен- [c.162]

Природа рентгеновых и оптических спектров испускания, как мы видели, достаточно сходна. Возникновение же рентгеновых и оптических спектров поглош,ения имеет существенные различия. Атомный оптический спектр поглощения возникает при переходах наиболее внешнего (валентного) электрона с нормального на возбужденные уровни. Например, при прохождении пучка света через одноатомные пары натрия поглощается свет тех частот, которые вызывают переходы с нормального уровня натрия 3s на возбужденные уровни яр2ру. Таким образом, здесь линии поглощения совпадают с линиями [c.322]

Электрохимический пробой. Электрохимический пробои элек1ротехнических материалов имеет существенное значение при повышенных температурах и высокой влажности воздуха. Этот вид пробоя наблюдается при постоянном и переменном напряжениях низкой частоты, когда в материале развиваются процессы, обуою-влипающие необратимое уменьшение сопротивления изоляции (электрохимическое старение). Кроме того, электрохимический пробой может иметь место при высоких частотах, если в закрытых порах материала происходит ионизация газа, сопровождающаяся тепловым эффектом и восстановлением, например в керамике, оксидов металлов переменной валентности [c.72]

С точки зрения квантовой механики колебание в ИК-спектре проявляется в том случае, если изменяется дипольный момент молекулы. Условием же получения спектра комбинационного рассеяния является изменение поляризуемости при колебании молекулы. Колебания подразделяются на два вида - валентные, при которых происходит изменение длины связи между атомами в молекулах, и деформационные, вызывающие изменение угла между связями. Однако на практике к деформационным колебаниям часто относят все невалентные колебания. Колебания молекул, происходящие с одной и той же частотой в различных плоскостях, называются вырожденными, а колебания атомных группировок в целом - скелетными. [c.199]

Аморфная непористая двуокись кремния, которую получают газофазным гидролизом тетрахлорсилана, не содержит заметного количества химически связанной воды, и, следо(вательно, инфракрасное поглощение в области частот 4000—3000 см может быть связано с валентным колебанием трупп О—Н адсорбированной воды. Для спектрО[акопического исследования двуокись кремния готовят либо в виде тонких прозрачных таблеток путем прессо- [c.89]

Различные виды фотонного излучения имеют единую электромагнитную природу и отличаются только энергией фотонов, а следовательно, и частотой излучения [см. уравнение (5.21)]. Спектр электромагнитных излучений представлен на рис. 14.1. Фотоны самых высоких энергии составляют гамма-излучение. На противоположном конце энергетического спектра находится радиоволновое излучение. Все виды фотонов возникают в результате ускорения электрических зарядов. В случае гамма-излучения это — заряды частиц, составляющих атомное ядро. Поскольку по атомной шкале энергия связи нуклонов в ядре очень велика, внутриядерные колебания приводят к возникновению фотонов высоких энергий. Электроны, которые находятся на окружающих ядро атома оболочках, также могут порождать фотоны. При переходах электронов во внутренних оболочках, где энергии связи ве- лнки, возникает рентгеновское излучение. Колебания валентных электронов приводят к возникновению фотонов ультрафиолетового (УФ), видимого или инфракрасного (ИК) излучения. Ускорения зарядов в электрических цепях или электрические разряды в атмосфере служат источником фотонов еще более низких энергий — радиоволнового излучения, кото- [c.333]

Иная ситуация имеет место в вырожденных полупроводниках. Слабое вырождение приводит к уменьшению коэффициентов поглощения на частотах, близких к краю собственного поглощения. Сильное же вырождение вообще сдвигает край поглощения в сторону более коротких волн. Этот эффект называют сдвигом Бурштейна. Он отчетливо проявляется в полупроводниках с малой плотностью состояний у дна зоны проводимости (или у потолка валентной зоны), в которых сильное вырождение достигается при сравнительно малых уровнях легирования. Так, в InSb легирование донорами (концентрация 5 10 м ) приводит к сдвигу длинноволновой границы собственного поглощения с 7,1 до 3,5 мкм. Во многих же случаях сдвиг Бурштейна маскируется другим эффектом сильного легирования — изменением плотности состояний у краев энергетических зон. Это изменение происходит вследствие размытия примесных уровней в примесную зону и слияния последней с зоной проводимости или с валентной зоной. [c.322]

При течении газа или жидкости с трением и теплообменом условие изоэнтропийности процесса колебаний нарушается. Однако при сравнительно высоких частотах вблизи поверхности канала образуется колеблющийся пограничный слой если толщина колеблющегося пограничного слоя 6 много меньше, чем экви валентный радиус канала (6, < г ), то в основном ядре потока колебания практическия вляются изоэнтропическими. В этом случае можно предположить, что условие (108) выполняется для каждого сечения канала, однако скорость звука в условиях теплообмена является величиной переменной по длине канала и зависит от характера изменения средней температуры или плотности. Таким образом, при наличии теплообмена в канале модель изоэнтропических колебаний может быть использована для расчета колебаний потока жидкости или газа при сравнительно высоких частотах влияние теплообмена в этом случае определяется характером изменения скорости звука по длине канала. При такой постановке задачи достаточно рассмотреть уравнение движения и непрерывности (107) и уравнение процесса малых колебаний (108). [c.42]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...