Эффективная плотность состояний валентной зоны зоны проводимости

Вывести закон действующих масс для концентраций основных и неосновных носителей в полупроводнике, предполагая, что для носителей тока в зоне проводимости и в валентной зоне, так же как для классических свободных частиц, применима статистика Максвелла — Больцмана и что функция плотности состояний параболическая для обеих зон. Эффективные массы т% (для электронов) и т р (для дырок) считать известными и постоянными. [c.77]

Цель этой главы — изложить электронную теорию металлов с квантовомеханической точки зрения. В разд. 2 будет показано, как из отдельных свободных атомов образуется твердый металл при этом особое внимание уделяется тому факту, что валентные электроны свободного атома при образовании металлического состояния становятся нелокализованными. В разд. 3 и 4 рассматриваются свойства нелокализованных электронов (электронов проводимости) и модели, применяемые для описания их поведения в твердом теле. Подробно обсуждаются две модели 1) модель свободных электронов, из которой можно получить основные выражения для плотности состояний, теплоемкости, магнитной восприимчивости ИТ. д., и 2) модель почти свободных электронов, с помощью которой можно найти величины, определяющие ширину запрещенной зоны. В разд. 5 вводится понятие поверхности Ферми, а в разд. 6 излагаются наиболее эффективные методы определения параметров, характеризующих эту поверхность. Последние три раздела этой главы посвящены анализу роли электронов проводимости в сплавах (разд. 7), ферромагнетизму (разд. 8) и сверхпроводимости (разд. 9). [c.55]

Ка рис. 3.4.1, б приведены эти плотности состояний для значений эффективных масс, использованных при построении графиков на рис. 3.4.1, а. В валентной зоне р = 1-10 см , а в зоне проводимости п= СМ . Кривые на рис. 3.4.1, б, соответ- [c.152]

Н1э, — гл. компоненты тензора эффективной массы электрона и дырки, е — заряд электрона, Р — вектор поляризации света, е — матричные элементы операторов импульса электронов (дырок). Множитель (Йш—отражает зависимость плотностпи состояний в зоне проводимости (валентной зоне) от энергии кванта. Матричные элементы е слабо зависят от давления (как и постоянная решётки). Незначительно меняются и эфф. массы носителей, т. е, М. Осн, влияние давления связано со сдвигом электронных уровней, определяющих плотность состояний. Давление позволяет не только сдвигать электронные уровни, но и изменять электронный спектр. [c.188]

Предложена двухзонная модель энергетического спектра электронов бинарных соединений V5SI3 и УбОез с тетрагональной структурой. С помощью этой. модели рассчитаны некоторые параметры переноса и электронного спектра эффективные массы электронов и дырок, их подвижность и концентрацил, а также плотность состояний вблизи уровня Ферми при О К. энергия частичного перекрытия валентной зоны и зоны проводимости. При расчетах указанных параметров использовались данные о коэффициентах электропроводности, абсолютной термоЭДС, Холла, магнитной восприимчивости, а также их температурных зависимостях. [c.118]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...