Силы валентные

Химической адсорбцией или хемосорбцией называют явление, при котором адсорбированные молекулы удерживаются (на расстоянии порядка 0,1 нм) у поверхности силами химического сродства, аналогичными силам валентной связи между атомами в молекуле адсорбируемого газа, в результате чего происходит распад молекул на атомы и радикалы и обмен электронами с атомами поверхности. [c.81]

Световое давление 93 Сжимаемость изотермическая 74 Силы валентные 236 [c.415]

Для определения вектора узловых сил валентных действию распределенных по поверхности сил, пред- [c.46]

Валентные силы индивидуальных атомов строго направлены в пространстве, и угол между двумя ковалентными связями атома является прежде всего свойством атома общая молекулярная структура только незначительно влияет на него. Обобщенные данные по длинам и углам связей суммированы в табл. 6. [c.137]

Пластическими массами (пластмассами) называют материалы, основу которых составляют природные или синтетические высокомолекулярные соединения. Высокомолекулярные соединения состоят из большого числа низкомолекулярных соединений (мономеров), связанных между собой силами главных валентных связей. Соединения, большие молекулы (макромолекулы) которых состоят из одинаковых структурных звеньев, называют полимерами. Макромолекулы полимеров могут иметь линейную форму, разветвленную и пространственную (сшитую). [c.426]

Согласно современным представлениям, химическая связь атомов возникает в результате движения электронов внешних (валентных) оболочек атома в поле между ядрами. Каждый из этих электронов, проникая, например, в поле двух ядер, принадлежит уже обоим атомам. Химические силы по своей природе электромагнитны и действуют на расстояниях порядка Ю м. [c.8]

Каждая ковалентная связь между атомами образуется при спаривании их валентных электронов (с противоположными спинами). Поскольку валентные возможности атомов ограничены, важнейшее свойство ковалентной связи — насыщаемость химических сил сродства. [c.9]

Эта теорема также является следствием теоремы п. 66 об экви-валентности систем сил, приложенных к твердому телу. [c.111]

Введение обменных ядерных сил позволяет объяснить одно из характерных свойств ядерного взаимодействия — существование явления насыщения . Известно, что в ряду ядер jH , ]Н , аНе и зНе энергия связи, рассчитанная на один нуклон, быстро растет, достигая для последнего ядра 7 Мэе. Однако для остальных ядер периодической системы средняя энергия связи на один нуклон остается примерно постоянной и равной 6—8 Мэе. Это означает, что в ядре нет взаимодействия между всеми парами нуклонов. Каждый нуклон ядра может взаимодействовать только с ограниченным числом других нуклонов, подобно тому как атом в молекуле может взаимодействовать лишь с ограниченным количеством других атомов (валентность и насыщение химических сил связи). [c.530]

В настоящей главе мы примем классификацию твердых тел, основанную на характере межатомных сил взаимодействия, который, как говорилось выше, определяется строением электронных оболочек взаимодействующих атомов. Как правило, в межатомных связях у большинства элементов принимают участие все внешние валентные электроны. У Си, Ag, Au, Eu, Vb, Am [c.55]

Из анализа электрических сил, действующих на носители заряда (см., например, (2.59)), следует, что дырка ведет себя так, как если бы она обладала положительным зарядом - -е и эффективной массой, равной по величине, но обратной по знаку эффективной массе отсутствующего электрона. Надо учесть, что эффективные массы электрона у потолка заполненной (валентной) зоны отрицательны. Следовательно, дырка ведет себя как частица с положительной эффективной массой и положительным зарядом. Как правило, эффективные массы электронов и дырок отличаются друг от друга, поскольку.они относятся к различным зонам. [c.89]

Решение. Разгружение системы, испытывающей действие силы Р, экий-валентно наложению двух состояний системы. Одно из них соответствует нагружению заданной силой Р, а другое — силой, равной Р, но имеющей противоположное направление (-Р). Действительные усилия в элементах системы равны алгебраической сумме усилий при указанных нагружениях. Заметим, что при действии силы —Р на конструкцию, находящуюся в предельном состоянии [усилия во всех элементах равны (рис. б)], стержни деформируются упруго при изменении напряжений в пределах от до —aj при этом максимальное сжимающее усилие в стержнях равно Л/макс = — 2(З Р. [c.32]

Если сравнить коэффициенты Сц для различных классов материалов (см. табл. 8. ), то легко видеть, что соотношения Коши выполняются практически только для щелочно-галоидных кристаллов. Они не выполняются даже для металлов, и это означает, что металлы нельзя рассматривать как связанные центральными силами. Очевидно, что нецентральная часть сил металлической связи обусловлена валентными электронами. Это в еще большей степени относится к ковалентным кристаллам. [c.206]

Дырки. В полностью заполненной валентной зоне с п электронами в каждом из двух противоположных направлений движется одинаковое число электронов с каждой из одинаковых, но противоположно направленных скоростей. Полная сила тока, обусловленная движением электронов, равна нулю. Обозначим заряд электрона (отрицательная величина) v -скорость электрона (алгебраическая величина, имеющая положительное [c.353]

Атомы электрически нейтральны, так как отрицательные заряды электронов, вращающихся вокруг ядра, нейтрализованы его положительным зарядом. В металлах при достаточном сближении атомов возникает возможность отрыва валентного электрона одного атома положительно заряженным ядром другого, у этого — следующим и т. д. Таким образом, часть валентных электронов начинает перемещаться вокруг ядер всех взаимодействующих атомов. Эти электроны называются свободными, поскольку не связаны с определенными атомами. Металл можно представить себе как постройку из нейтральных атомов и ионов, находящихся в атмосфере электронного газа, который как бы стягивает ионы. Связь между атомами, осуществляемая электростатическими силами в результате взаимодействия положительных ионов и электронного газа, называется металлической. Поскольку эти атомы по своей природе одинаковы, то расположиться они должны на таких расстояниях друг от друга и в таких точках пространства, где действующие на них силы притяжения и отталкивания были бы равны. В результате происходит закономерное расположение атомов, наблюдаемое в кристаллической решетке. [c.113]

Межмолекулярные силы разделяют на два типа короткодействующие (или валентные) и дальнодействующие. [c.11]

Равновесное расстояние между ближайшими атомами в кристалле г=г (рис. 1), соответствующее минимуму энергии системы IIq, определяется равенством конкурирующих сил притяжения и отталкивания между валентными электронами и ионами. [c.5]

МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ образуется между атомами, валентные электроны которых слабо связаны с ядром. Экспериментально показано, что электронная плотность валентных электронов в металлах равномерно распределена по объему кристаллов. Это дало основание представить структуру таких кристаллов в виде ионного остова, погруженного в газ из коллективизированных валентных электронов. Взаимодействие электронов такого газа с ионами компенсирует силы отталкивания между ионами. [c.10]

Согласно С.И. Ремпелю поверхность угольного анода чрезвычайно неоднородна. Наиболее активные участки имеют большие ненасыщенные силы валентности, что приводит к сорбции первых порций электрохимически выделяющегося кислорода с большим тепловым эффектом. Получаются достаточно прочные хемосорбированные соединения типа С О [c.107]

Образование полимолекулярных пленок, повидимому, является прямым результатом ориентирования первичной пленки твердой поверхностьн). В дальнейшем молекулы или атомы первичной пленки стремятся ориентировать соседние молекулы или атомы таким образом в случае жидкости эффект распространится дальше до окончательного "заглушения его тепловыми движениями. Поэтому неосновательно предполагать, что силы валентности, котортге вызывают ориентацию, могут действовать лишь в пределах самой молекулы или атома хотя поверхностные силы (поля излученЕЯ и обладают очень малым радиусом действий, однако результат действия их может быть обнаружен на значительном расстоянии от первичной пленки. [c.80]

По своей природе ингибиторы коррозии бывают ионными [катионного типа — катапин, ЧМ анионного типа — тиомочевина S (N112)2] или молекулярными соединениями (например, антра-ниловая кислота). Ингибиторы адсорбируются на поверхности корродирующего металла или электростатически (адсорбция ионов и полярных молекул за счет кулоновских сил при соответствующем знаке заряда поверхности металла) или специфически (адсорбция поверхностно активных ионов и молекул за счет молекулярных ван-дер-ваальсовских сил), или химически (хемосорбция ионов и молекул за счет валентных сил химического сродства) возможна также адсорбция их вследствие одновременного действия разных сил. [c.345]

К полупроводниковым материалам относятся большинство минералов, неметаллические элементы IV, V и VI групп периодической системы Менделеева, неорганические соединения (оксиды, сульфиды), некоторые сплавы металлов. Наибольшее применение получили элементы IV группы — Ое и 51, обладающие тетрагональной кристаллической решеткой типа алмаза. В вершинах тетраэдра раеположены четыре атома, окружающие атом, находящийся в центре. Каждый атом связан с четырьмя ближайшими атомами силами ковалентной связи, поскольку все они обладают четырьмя внешними валентными электронами. [c.387]

Выражение (17) выведено Ланжелье [3], исходя из допущения, что выражения для К и К2 содержат концентрации (в моль/л), а не активности. Если — произведение растворимости, содержащее активности ионов, то где v — среднеионный коэффициент активности СаСОз. Для коэффициента активности Ланжелье с использованием теории Дебая—Хюккеля выведено выражение —Ig у = 0,52 х , где ц — ионная сила, а г — валентность. Следовательно, полученные титрованием концентрации С0 и НСО3 можно приравнять к соответствующим концентрациям этих ионов в выражениях для и F . Значения ЛГ и К. меняются не только с температурой, но и в зависимости от суммарного содержания растворенных солей, так как ионная сила раствора влияет на активность отдельных ионов. [c.408]

Ковалентная связь имеет то же происхождение, что и связь в гамополярных молекулах (Нг, СЬ, Ь,.- ), она обусловлена обменным электронным взаимодействием между атомами. В молекулярных кристаллах (Нг, СЬ, Ь,---) ковалентная связь локализована между ядрами в молекуле, молекулы удерживаются вместе слабыми силами Ван-дер-Ваальса. Однако в случае алмаза или графита несколько валентных электронов являются общими для атома и ряда его соседей, и поэтому невозможно выделить какую-либо группу атомов, которую можно рассматривать как химически насыщенную (рис. 2.7). С этой точки зрения кристалл алмаза представляет собой огромную молекулу. [c.75]

Оговоримся, что в случае уравновешенной системы сил (эквп-валентной нулю) мы будем далее писать равновесие системы сил, хотя правильнее было бы равновесие твердого тела под действием данной системы сил. [c.34]

При сближении ионов до расстояний порядка их собственных размеров валентные эдектроны данного атома вступают в сильное взаимодействие с соседними ядрами и их электронными оболочками, обеспечивающее возникновение химической связи. Поэтому валентные электроны нельзя считать локализованными у данного атома и в некоторых случаях они получают возможность перемещаться по всему кристаллу. Конечно, в молекулярных кристаллах связь между атомами, образующими решетку, имеет характер ван-дер-ваальсовых сил. Однако в подавляющем больщинотве явлений, происходящих в твердых телах, электроны играют самую существенную роль. Поэтому рассмотрим наиболее общий случай, когда в кристалле содержатся ионы и валентные электроны. [c.47]

Модель свободных электронов. Основываясь на модели свободных электронов, можно объяснить целый ряд важных физических свойств металлов. Согласно этой модели наиболее слабо связанные (валентные) электроны составляющих металл атомов могут довольно свободно перемещаться в О бъе.ме кристаллической решетки. Указанные валентные электроны становятся носителями электрического тока в металле, отсюда и их название — электроны гараводимости. В приближении свободных электронов можно пренебречь силами взаимодействия между 1валентными электронами и ионными остовами. Предполагается, что полную энергию электронов проводимости можно считать равной их кинетической энергии, а потенциальной можно пренебречь. [c.103]

Атомы в кристаллической решетке кремния и ряда других полупроводников связаны друг с другом за счет обменных сил, возникающих в результате попарного объединения валентных электронов соседних атомов, при этом каждый из атомов остается электрически нейтральным. Такая связь называется ковалентной. Повышение температуры вызывает колебательное движение атомов кристаллической решетки. В результате ковалентные связи между атомами могут разрываться, что приводит к образованию пары носителей заряда свободного электрона и незаполненной связи - дырки - вблизи того атома, от которого оторвался электрон. Процесс образования электронно-дырочнь1х пар называется генерацией носителей заряда Если этот процесс происходит под воздейст-вие.м теплоты, то его называют термогенерацией. [c.49]

Кристаллы полимеров отличаются от обычных низкомолекулярных кристаллов (атомных или молекулярных), которые в механическом, кинетическом и термодинамическом см1.1сле являются квазиизотроп-ными, так как силы связей между узлами в направлении различных кристаллографических осей практически не различаются. При кристаллизации линейных полимеров ситуация резко изменяется, так как появляется некоторая преимущественная ось, совпадающая с направлением цепи главн .1х валентностей. В этом направлении связи между узлами ковалентные и равнопрочность всей решетки исчезает. [c.91]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...