Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Атом электронные оболочки

Атом- Электронные оболочки К Ь М N 0 Р Р  [c.8]

Ковалентная (или гомеополярная) связь возникает обычно у одинаковых атомов. Внешние электронные оболочки завершаются в результате слияния электронов двух или более атомов Электронные пары принадлежат обоим ато  [c.5]

В настоящее время твердо установлено, что атом любого химического элемента состоит из положительно заряженного тяжелого ядра, расположенного в его небольшой центральной области, и более легкой электронной оболочки-облака. Электроны оболочки обращаются вокруг ядра и удерживаются вблизи его электрическими силами. Однако при таком криволинейном движении в атоме  [c.5]


Исследования строения атома и атомного ядра показали, что J3 состав атома входят электроны, протоны и нейтроны. Z протонов и (А — Z) нейтронов, вступая в сильные взаимодействия между собой, образуют атомное ядро Х , а Z электронов, обращающихся вокруг ядра, образуют электронную оболочку атома. В связи с этим вполне естественно было назвать эти частицы (е , р, п) элементарными частицами. Фотон (7), позитрон (е ) и нейтрино (v), имеющие самое непосредственное отношение к атому и ядру, также стали называть элементарными частицами.  [c.337]

Атом, теория Бора 6 —, электронные оболочки 7, 31 Атомная бомба 13, 319  [c.392]

Атом водорода в изолированном состоянии во внешней оболочке имеет Is электрон, так что ему не хватает одного электрона для того, чтобы получилась полностью заполненная оболочка ближайшего к нему инертного газа гелия. При постепенном сближении двух атомов водорода возможно перекрытие электронных оболочек и переход электрона от первого атома ко второму, а второго—к первому. При этом перекрытие может происходить без перехода электронов на более высокие энергетические уровни — электронные оболочки не полностью заполнены и принцип запрета Паули разрешает такое перекрытие.  [c.76]

Механизм электронной упругой поляризации проще всего понять на примере водородоподобного атома. Если внешнее поле =0, то центр положительного заряда в атоме совпадает с центром отрицательного (рис. 8.2,а). Под действием электрического поля электронная оболочка сместится на некоторое расстояние, т. е. сместится геометрический центр отрицательного заряда. Обозначим смещение л (рис. 8.2,6). Атом находится в равновесии, если  [c.278]

Простейшим после атома водорода является атом гелия, электронная оболочка которого состоит из двух электронов. Однако, несмотря на сравнительную простоту атома гелия, попытки построить его теорию в рамках старой теории Бора не увенчались успехом. В дальнейшем стало ясно, что старая теория Бора в принципе не могла дать решения проблемы атома гелия. Это обусловлено главным образом двумя обстоятельствами. Во-первых, квантовая теория Бора не позволяет учесть наличие обменной энергии, существование которой является чисто квантовым эффектом. А обменная энергия в многоэлектронных системах, в том числе и в атоме гелия, играет существенную роль. Во-вторых, старая теория Бора не учитывает наличие спина у электрона. Эффекты, связанные со спином, существенны для многоэлектронных систем, и без их учета невозможно полное объяснение многих особенностей этих систем.  [c.270]


Каждый атом обладает отрицательно заряженной электронной оболочкой и положительно заряженным атомным ядром. В ядре сосредоточена почти вся (более 99,95%) масса атома. Сточки зрения атомных масштабов ядра обладают ничтожно малыми размерами и колоссальной прочностью. Размеры ядер имеют порядок — — 10 см, Б то время как для внешних электронных оболочек атомов характерны длины порядка 10" см. Для отрыва обоих электронов от атома гелия достаточно энергии 79 эВ, а для разрыва ядра гелия на составные части необходима в сотни тысяч раз большая энергия 28 МэВ = 28-10 эВ.  [c.30]

Такая пара электронов, из которых один принадлежит одному. атому, а второй с противоположным спином соседнему, связывает эти два соседних атома. Такие связи возникают между атомами, у каждого из которых внешняя электронная оболочка заполнена не менее чем наполовину. В результате образования пар валентных электронов внешняя электронная оболочка каждого атома оказывается достроенной до восьми электронов.  [c.8]

Наиболее распространенным видом упругой поляризации является электронная поляризация, которая заключается в упругой деформации электронных оболочек. В результате атом приобретает дипольный момент, направленный согласно с напряженностью внешнего электрического поля и пропорциональный напряженности поля, Такой диполь называется упругим. Электронная поляризация существует у всех диэлектриков.  [c.146]

Атомы в кристалле размещаются на таком расстоянии, при котором различные силы, действующие на атом, находятся в равновесии эти силы слагаются а) из сил притяжения между электронами и положительными ионами б) из сил отталкивания между заполненными электронными оболочками положительных ионов в) из сил отталкивания между положительными ионами.  [c.16]

Чтобы понять это, надо вспомнить строение атомов. Известно, что атом любого металла состоит из положительно заряженного ядра и окружающих его, несущих отрицательный заряд нескольких электронных оболочек. Каждая оболочка заполнена строго определенным количеством сильно связанных с ядром электронов, и только на последней оболочке находится несколько электронов, слабо связанных с ядром. Их число равно валентности металла.  [c.7]

Представим себе атом в состоянии с J = 0 тогда магнитный момент его электронной оболочки равен нулю, и полный магнитный момент совпадает с ядерным моментом  [c.568]

К сожалению, современное состояние теории не позволяет однозначно связать скорость диффузии с концентрацией и физикохимическими свойствами примесей из-за сложности и многообразия факторов, влияющих на ату зависимость. По-видимому, наиболее плодотворным в этой области будет применение теории химической связи и физики твердого тела. Систематика свойств, металлических систем, проводимая на основе метода физикохимического анализа Н. С. Курнакова, показывает, что главнейшим фактором, определяющим эти свойства, является положение элементов в периодической системе [32], которое определяется строением электронных оболочек атомов. При этом физико-химические свойства металлов и сплавов обусловлены главным образом строением и изменением периферийных электронных оболочек.  [c.25]

Орбитальный магнитный момент атома. Атом любого элемента состоит из положительно заряженного ядра и электронной оболочки. Каждый электрон, движущийся вокруг ядра, создает замкнутый ток I = qv, где q — заряд электрона v — частота обращения его по орбите. Магнитный момент тока М. = IS = qvS, где S — площадь орбиты. Так как 5 = яг и v =  [c.289]

Классификация магнитных материалов. При суммировании орбитальных и спиновых магнитных моментов может произойти полная их компенсация и тогда результирующий магнитный момент атома будет равен нулю. Такая картина имеет место, в частности, у атомов и ионов с заполненными электронными оболочками. Если же такой компенсации не происходит, то атом будет обладать постоянным магнитным моментом В соответствии с этим магнитные свойства тел будут различными.  [c.290]


Рассмотрим эти вопросы по порядку. Характер молекулярной шероховатости определяется, естественно, формой атомов и их взаимным расположением. Доказано, что представление об атомах как о шариках определенного радиуса является лишь некоторым приближением. Однако возможность такого приближения зависит от того, что на близких расстояниях между центрами атомов появляются силы отталкивания, которые чрезвычайно быстро возрастают по мере дальнейшего сближения атомов. Эти силы отталкивания объясняются тем, что атом состоит из центрального, положительно заряженного ядра, окруженного электронной оболочкой , образованной одной или несколькими отрицательно заряженными частицами — электронами  [c.148]

Индукцией насыщения большей, чем у чистого железа, обладают сплавы железа с кобальтом, образующие твердые растворы. Уменьшение параметра решетки железа в сплаве приводит здесь к тому, что электронные оболочки 34 у обоих металлов приходят в контакт с оболочками 4х. Это вызывает увеличение числа магнетонов Бора на атом. В твердом растворе у железа три, а у кобальта два магнетона на атом, в то время как у чистых железа и кобальта соответственно по 2,2 и 1,8 магнетонов на атом.  [c.211]

Как известно, по своей структуре атом состоит из двух сфер внешней— электронной оболочки и внутренней — атомного ядра. Открытия рентгеновских лучей и электрона позволили исследовать оболочку атома открытие радиоактивности — изучать атомное ядро, хотя само ядро было открыто много позднее. В итоге атом предстал как сложная электрическая система, образованная из элементов, несущих отрицательный заряд, и из положительного заряда, расположение которого внутри атома оставалось пока еще неизвестным.  [c.446]

Металлы первой подгруппы периодической системы (Си, Ag и Аи) тоже имеют, в основном, один электрон проводимости на каждый атом, что, в частности, можно заключить по их слабому диамагнетизму. Однозарядные ионы с четным числом электронов не имеют магнитного момента. Так как электронная оболочка ионов отлична от оболочки атомов инертного газа, то электроны проводимости могут проникать весьма далеко вглубь ионов, на что указывает высокая энергия ионизации атомов Си, Ag и Аи. Следовательно, каждый из этих ионов представляет собой значительно более глубокую потенциальную яму для электронов проводимости > чем ионы щелочных металлов. Благодаря относительно большой вероятности нахождения электронов в этой потенциальной яме>  [c.9]

Рассеяние рентгеновских лучей атомом. Атомный фактор. Ясно, что интенсивность рентгеновских отражений должна быть про-лорциональна рассеивающей способности атома в кристаллической решетке. Рентгеновские лучи — электромагнитные волны — рассеиваются электронными оболочками атомов. Падающая на атом плоская монохроматическая волна возбуждает в каждом его элементе объема dv элементарную вторичную волну. Амплитуда этой рассеянной волны, естественно, пропорциональна рассеивающей способности данного элемента объема, которая, в свою очередь, пропорциональна /(r)dv, где U г) —выражаемая в электронах на функция распределения электронов вдоль радиуса г, от- считываемого от центра покоящегося атома со сферически симметричным распределением в нем электронной плотности, простирающимся от О до оо. Расчеты, проведенные в предположении о сферической симметрии атома, т. е. о сферической симметрии функции и (г), приводят к выражению для амплитуды суммарной волны, рассеиваемой атомом  [c.42]

Перед инертными газами располагаются галогены (элементы VII группы периодической системы со значением первого ионизационного потенциала от 10 до 18 эВ) —F, С1, Вг, J, у которых не хватает одного электрона для образования устойчивых электронных оболочек ближайших к ним атомов инертных газов, поэтому они легко присоединяют к себе электрон, образуя соответствующие отрицательные ионы — анионы F , С1 , Вг- J-. Энергию Э, освобождаюш,уюся при присоединении электрона к нейтральному невозбужденному атому с образованием аниона, называют энергией сродства атома к электрону. Наибольшим сродством к электрону обладают атомы галоидов F — 3,4 эВ, С1 — 3,6 эВ, Вг — 3,4 эВ, J — 3,1 эВ. С понятиями потенциала ионизации и энергии сродства к электрону тесно связана ионная валентность, определяемая как число электронов, которое может терять или приобретать атом. Щелочные металлы положительно одновалентны, поскольку они содержат на один электрон больше, чем атомы соответствующих ближайших инертных элементов, например ионная валентность атома Na равна -f 1. Атомы галоидов отрицательно одновалентны, у них не хватает одного электрона для образования устойчивой оболочки ближайших атомов инертных газов. Так, для атома С1 ионная валентность равна —1. Аналогично атомы II группы, теряя два электрона, могут также образовывать ионы с электронной структурой ближайших атомов инертных газов Be +, Mg-+, Са2+, Sf2+, и, следовательно, эти атомы обладают положительной валентностью, равной +2 атомы III группы, теряя три электрона, могут образовывать ионы с валентностью +3 и т. д.  [c.57]

Объяснение особенностей рентгеновских спектров. Все эти особенности рентгеновских спектров объясняются механизмом их испускания, который находится в полном согласии со строением электронных оболочек, изложенным в предыдущих параграфах. Электрон, падающий на материал антикагода, сталкиваясь с атомами ан1Икатода, может выбить электрон с одной из внутренних оболочек атома. В результате этого получается атом, у которого отсутствует электрон на одной из внутренних оболочек. Следовательно, электроны более внешних оболочек могут переходить на освободившееся место. В результате этого испускается квант, который и является квантом рентгеновского излучения.  [c.293]


Гибридизация. Пространственная структура атомных орбиталей в комбинации с представлением о валентных связях позволяет во многих случаях получить довольно удовлетворительное представление о структуре молекулы и молекулярных орбиталях. СЗднако при образовании химического соединения происходит перестройка электронной оболочки атома и поэтому валентные состояния атома в химическом соединении отличаются от состояния изолированного атома, причем иногда значительно. Например, изолированный атом углерода, имеющий конфигурацию s 2s 2р , двухвалентен. В химических соединениях он выступает как четырехвалентный атом и образует такие соединения, как СН4, I4 и т. д. Это объясняется тем, что энергии 2s- и 2/7-состояний в атоме углерода мало отличаются и при образовании химического соединения образуется суперпозиция этих состояний, содержащая четыре валентных электрона. Это явление называется гибридизацией орбиталей.  [c.315]

Ковалентные связи являются направленными, причем углы между связями зависят от числа и типа электронов, принимающих участие в образовании связи. Так, у элементов IVB подгруппы (С, Si, Ge) электронные оболочки s-орбиталей имеют сферическую форму, а электронные оболочки трех р-орбиталей вытянуты в трех взаимно перпендикулярных направлениях. Образующиеся в кристаллической рещетке этих элементов гибридные sp-орбитали имеют одинаковую форму и направлены к вершинам правильного тетраэдра. У элементов подгруппы VB только три неспаренных электрона каждый атом связан ковалентными связями только с тремя ближайшими соседями (рис. 3,6), при этом образуются двух-  [c.8]

В плазме в результате электростатического взаимодействия ато MOB и заряженных частиц, окружающих атом, происходит снижение энергии (потенциала) ионизации на какую-то величину АЕ. Объясняется это тем, что электростатическое взаимодействие приводит к ослаблению связи электронов внешних электронных оболочек атома с ядром и они могут в припципе оказаться даже свободными. Таким образом, действителышя или, как принято называть, эффективна, энергия (потенциал) ионизации в плазме  [c.387]

Все реальные тела неоднородны. В одних случаях это очевидно, например, в бетоне отчетливо различимы включения крупного заполнителя и цементный камень, связывающий его куски в некоторых видах горных пород легко обнаруживаются отдельные компоненты — минералы, образующие породу, например, в граните полевой шпат, кварц, слюда. В других случаях для выявления неоднородности приходится прибегать к микроскопу, при помощи которого видна, например, неоднородная кристаллоидная (зернистая) структура стали или других сплавов. Экспериментально доказано неоднородное, дискретное строение материи. Все реальные, в том числе твердые, тела образованы из отдельных частиц — молекул, состоящих из атомов, которые имеют сложную структуру. Атом состоит из ядра и электронной оболочки. В свою очередь структура ядра атома также сложна, и нет предела для дальнейшего познания неоднородности материи. Вместе с тем все перечисленные тела, начиная от стали и кончая бетоном, в некотором смысле и при некоторых условиях, ограничивающих общность, можно рассматривать как однородные. Речь идет об однородности в среднем, обнаруживаемой в том случае, когда объем рассматривае-люго элемента тела намного превосходит объем структурных единиц, его составляющих.  [c.21]

В. К. Григорович [4] на основании изучения данных о полиморфизме металлов всей системы Менделеева пришел к выводу, что перестройка кристаллических решеток металлов происходит вследствие изменения симметрии электронных оболочек атомов при изменении температуры. Естественно предположить, что в субмикроскопических участках, обедненных легирующими элементами, т. е. обогащенных титаном, при низких температурах будет устанавливаться такая симметрия в расположении атомов, которая свойственна низкотемпературной модификации. Действительно, из схемы перемещения атомов в плоскости (ОП) 3 при перестройке р-чгг , предложенной Ю. А. Багаряцким (рис. 1), видно, что в результате перестройки каждый атом оказывается окруженным шестью атомами, расположенными на равных расстояниях, как в гексагональной а-фазе, а не четырьмя, как в объемноцентрированной решетке р-фазы. Так как такие перемещения атомов титана происходят в весьма малых зонах, когерентно связанных с решеткой исходного р-твердого раствора, кристаллическая решетка го-фазы имеет промежуточное строение между строением а и р-фаз.  [c.69]

В. атома связана с ого электронной структурой, а следовательно, и с его положением в периодической системе элементов, т. к., отдавая или нрисоединяя электроны, атом стремится иметь заполненную, наиб, устойчивую внеш. электронную оболочку. Так, макс. В. атома С, имеющего во внешней (валентной) оболочке  [c.238]

Исторически понятие В, сложилось на основе сформулированного в нач. 19 в. Дж. Дальтоном (J, Dalton) закона кратных отношений. В сер. 19 в. стало известно, что допустимы далеко не все возможные кратные отношения напр., атом F способен соединиться лишь с одним атомом Н, атом О — с двумя, атом N — с тремя, атом С — с четырьмя атомами Н. Эта способность связывать или замещать определ. кол-во атомов и была названа В. После возникновения первой теории атома Г. Льюис (G. Lewis) в 1916—17 сформулировал правило, по к-рому каждый элемент стремится иметь в разл, соединениях заполненную внеш. электронную оболочку, и теоретически обосновал ковалентность, а В. Кос-сель (W. Kossel) дал теорию ионной В. Понятие Б. приобрело новое содержание, к-рое затем существенно обогатилось и усложнилось благодаря развитию квантовой химии II синтезу соединений, обладающих необычными свойствами.  [c.239]

С понятием В. тесно связано понятие валентного со-сталная атома, т. е. такого гипотетич, состояния, в к-ром атом находится в молекуле. Это состояние определяется типом и числом занятых и вакантных валентных атомных орбиталей (т. е. таких, к-рые соответствуют внеш. электронным оболочкам), числом электронов, заселяющих каждую атомную орбиталь, и относит, ориентацией спинов электронов. Очевидно, в рассмот-  [c.239]

ВАНАДИЙ (лат. Vanadium), V,— хим. элемент V группы периодич. системы элементов, ат. номер 2.3, ат. масса 50,9415. Природный В. состоит из 2 изотопов V (0,25%) и (99,75%). слабо радиоактивен (К-захват, Г,, =6-10 лет). В качестве радиоактивного индикатора используют искусственно полученный V (К-захват и р- --раснад. Г,, =16 сут). Конфигурация внеш. электронных оболочек . Энергии после-  [c.239]

ГЕРМАНИЙ (Germanium), Ge,— хим. элемент IV группы периодич. системы элементов, ат. номер 32, ат. масса 72,59. Природный Г. состоит из 5 стабильных изотопов с массовыми числами 70, 72, 73, 74, 76. В качестве радиоакт. индикатора чап е всего используют (электронный захват, = 11,2 сут). Конфигурация внеш. электронных оболочек 4 Энергии последоват, ионизаций соответственно равны 7,899 15,934 34,2 45,1 эВ. Металлич. радиус 0,139 нм, радиус ионов G02 + —0,065 нм, Ge + —0,044 нм. Значение электроотрицательности 2,02.  [c.442]


ГОЛЬМИЙ (Holmium), Ио, химический элемент III группы периодич. системы элементов, ат. номер 67, ат. масса 164,9304, входит в семейство лантаноидов. Имеет один стабильный нуклид Но. Конфигурация трёх внеш. электронных оболочек (возможна также конфигурация s p d f 5s p d Gs ). Энергии последоват. ионизаций соответственно равны 6,02, 11,80 и 22,8 эВ. Металлич. радиус 0,176 нм, радиус иона Но + 0,086 нм. Значение электроотрицательности 1,10.  [c.515]


Смотреть страницы где упоминается термин Атом электронные оболочки : [c.324]    [c.121]    [c.274]    [c.199]    [c.227]    [c.28]    [c.41]    [c.123]    [c.152]    [c.158]    [c.229]    [c.337]    [c.375]    [c.392]    [c.185]   
Основы ядерной физики (1969) -- [ c.7 , c.31 ]



ПОИСК



Атомы невозбужденные — Электронные оболочки—Строение

Атомы со многими электронами в валентной оболочке

Атомы, электронные конфигурации оболочки

Мир атома

Рассеяние рентгеновских лучей различных энергий электронными оболочками и ядрами атомов

Спектры атомов с замкнутой электронной оболочкой

Строение атомов электронных оболочек невозбужденных атомов

Тон электронный в атоме

Электронные оболочки

Энергия связи электронов во внутренних оболочках атомов



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте