Спектры атомов и ионов с одним валентным электроном

СПЕКТРЫ АТОМОВ И ИОНОВ С ОДНИМ ВАЛЕНТНЫМ ЭЛЕКТРОНОМ 17. Основные представления квантовой механики [c.87]

СПЕКТРЫ АТОМОВ и ионов с одним ВАЛЕНТНЫМ ЭЛЕКТРОНОМ [гл. II [c.88]

СПЕКТРЫ АТОМОВ И ИОНОВ С ОДНИМ ВАЛЕНТНЫМ ЭЛЕКТРОНОМ [c.100]

Как мы видели в 12, для объяснения дублетной структуры спектров атомов и ионов с одним валентным электроном и ряда других явлений, пришлось принять гипотезу, что электрон, кроме присущих ему заряда и массы, характеризуется еще постоянным моментом количества движения (спиновым моментом) и связанным с ним магнитным моментом. По этой гипотезе спиновый момент электрона численно равен [c.119]

Во многих спектрах атомов и ионов с одним валентным р-электроном наблюдается возмущение серий. Для дублетных термов 2D и бора и сходных с ним ионов квантовые дефекты не остаются постоянными, но меняются с изменением главного квантового числа п. Особенно характерно поведение [c.242]

В сложных спектрах атомов и ионов со многими валентными электронами линии расположены зачастую без всякой видимой закономерности. Если даже и удается в спектрах поглощения в ультрафиолетовой области обнаружить группу сбегающихся линий, образующих одну серию, то связать эти линии с остальными линиями спектра очень трудно. Поэтому первой задачей анализа сложного спектра является выражение частот наблюдаемых линий через разности термов и нахождение относительных значений этих термов. Эта задача решается путем разыскивания в спектре постоянных разностей частот. Поясним сказанное примером. [c.79]

Гетерополярная (ионная) молекула -образуется при переходе валентных электронов от одного атома к другому, обладающему большей электроотрицательностью. Связь между ионами в такой молекуле осуществляется за счет кулоновского притяжения. При этом анион и катион имеют замкнутые устойчивые внешние электронные оболочки, сходные с электронными оболочками инертных газов. При колебании ядер такой молекулы (рис. 40, а) внешние электронные оболочки аниона и катиона практически не деформируются и, следовательно, поляризуемость молекулы не изменяется. В этом случае (da/dq)q=q = 0 и комбинационного рассеяния не возникает. Однако ионная молекула обладает большим дипольным моментом, который изменяется при ее колебаниях. Поэтому величина эффективного заряда dp dq)g q у нее значительна, что приведет к появлению интенсивного поглощения в ИК-области спектра. [c.101]

При анализе спектров многократно ионизованных атомов появляются добавочные трудности — при возбуждении ионов обычно одновременно возникают спектры, принадлежаш,ие ионам, находяш,имся в различных стадиях ионизации. В этом случае наблюдаемый спектр представляет собой наложение спектров, соответствующих иону данного элемента, ионизованному в различных степенях. Для нахождения линий, принадлежащих иону в какой-либо определенной степени ионизации, пользуются закономерностями, характерными для спектров изоэлектронных рядов атомов и ионов. Эти закономерности были нами указаны в 10 для случая простейших атомов и ионов с одним валентным электроном и будут рассмотрены для более сложных случаев в дальнейшем. Таким образом, при анализе сложных спектров используются общие теоретические представления о сериальных схемах и о расположении электронов в оболочке данного атома или иона. Наоборот, возможность разобрать весь [c.84]

У. с. используется при исследовании спектров атомов, ионов, молекул и твёрдых тел с целью изучения их уровней энергии, вероятностей квантовых переходов и др, характеристик. В УФ-области спектра лежат резонансные линии нейтральных, одно- и двукратно ионизованных атомов, а также спектральные линии, испускаемые возбуждёнными конфигурациями высокоионизованных атомов (многозарядных ионов). Электронно-колебательно-вращательные полосы молекул в осн. также располагаются в ближней УФ-области спектра. Здесь же сосредоточены полосы поглощения в спектрах большинства полупроводников, возникающие при прямых переходах из валентной зоны в зону проводимости. Многие хим. соединения дают сильные полосы поглощения в УФ-области, что создаё преимущества использования У. с. в спектральном анализе. У. с. имеет большое значение для внеатм. астрофизики при изучении Солнца, звёзд, туманностей и др. (см. Ультрафиолетовая астрономия). [c.221]

В последние годы выявились новые возможности метода локального рентгеноспектрального анализа, связанные с открытиями новых эффектов при взаимодействии электронов с кристаллическим веществом. Разработано много новых локальных физических методов исследования и анализа, в которых используют информацию, получаемую при исследованиях характеристических рентгеновских и электронных спектров, спектров вторичных и первично рассеянных ионов. В отличие от способа локального рентгеноспектрального анализа все эти методы имеют высокую локальность лишь в одном измерении (по глубине) это методы вторичной ион-ионной эмиссии, рентгенофотоэлектронной спектроскопии, оже-электронной спектроскопии и др. Перечисленные методы позволяют проводить локальный анализ тонких слоев толщиной 0,2—4 нм с целью количественного элементного анализа, определения валентного состояния атомов на поверхностях соединений, сплавов, получения сведений о распределении электронных состояний по энергиям [1, 63]. [c.84]

Этот метод является одним из наиболее эффективных, и с его помощью может быть проведен детальный расчет спектра разрешенных энергетических состояний в металлах. Если для описания валентной зоны и зоны проводимости пользоваться линейными комбинациями плоских волн, то будет нелегко учесть быстрые колебания волновой функции электрона вблизи ионов, поскольку должны учитываться высокие частоты, и, следовательно, ряд Фурье в этом случае будет сходиться медленно. Херринг [151 показал, как можно обойти эту трудность. Для описания электронов ионных остовов он взял набор функций Блоха (Ть, к), где к — обычный волновой вектор, а индекс Ъ указывает энергетическую зону (Is, 2р и т. д.). При этом энергетические состояния свободного атома предполагаются уже известными. Затем берется обычная плоская волна ( р, к), после чего ортогонализованная плоская волна (ОПВ) определяется следующим образом [c.86]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...