Атом в кристаллическом поле

Атом в кристаллическом поле 223 [c.223]

Винтовая дислокация в отличие от краевой не создает зон гидростатического растяжения и сжатия, а поэтому не способна притягивать точечные дефекты. Однако если внедренный атом искажает кристаллическую решетку неодинаково в различных направлениях, то искажения и упругое поле напряжений кристаллической решетки не будут обладать чисто сферической симметрией. Такое поле напряжений точечного дефекта уже может взаимодействовать с касательными напряжениями поля напряжений вокруг винтовой дислокации. Например, атомы углерода в а-железе находятся в октаэдрических пустотах, занимая положение посередине ребер или в центре граней. Атом внедрения в центре грани (ПО) находится на расстоянии 0,5а от двух соседей в направлении [010] и на расстоянии а/ от четырех соседей в других направлениях. Внедренные в центре грани (010) атомы углерода удлиняют элементарную ячейку в направлении [010]. Когда внедренный атом, размещаясь в октаэдрической пустоте о. ц. к. решетки, находится в центре грани 100 или посередине ребра <100>, он тетрагонально искажает элементарную ячейку, удлиняя ее в направлении <100>. Такое тетрагональное искажение обусловливает взаимодействие примеси внедрения в о. ц. к. решетке с полем касательных напряжений винтовой дислокации. Результат взаимодействия — уменьшение касательных напряжений и притяжение атомов внедрения к винтовой дислокации. [c.92]

При соприкосновении с водой поверхностные ато.мы твердого тела подвергаются воздействию силового поля молекул воды, которые благодаря своему малому размеру как бы внедряются в кристаллическую решетку твердого тела. Это взаимодействие может быть настолько сильным, что атом твердого тела теряет связь с кристаллической решеткой и переходит в воду — образуется ион-атом, несущий заряд. Если энергия взаимодействия атома с водой (энергия гидратации) больше, чем энергия кристаллической решетки, то в процессе растворения выделяется тепло. Перешедший в раствор ион-атом окружен ориентирующимися вокруг него молекулами воды. [c.10]

Если в веществе свободных электронов значительно меньше, чем атомов в кристаллической решетке, то ионами становятся только некоторые из атомов. Следовательно, в некоторых узлах кристаллической решетки будут находиться атомы без- одного электрона. Эти узлы получили название дырок. При нагревании такого вещества (полупроводника) происходит как бы перескок электронов из соседнего атома в дырку, т. е. в положительный ион. Этот ион становится полноценным атомом, а соседний атом, из которого электрон перескочил, становится ионом. Дырка переместилась с одного места на другое. При отсутствии электрического поля перемещение дырок носит беспорядочный характер. Если полупроводник находится в сфере действия электрического поля, электроны будут перескакивать в направлении, обратном действию поля, а дырки перемещаться в направлении поля, что аналогично перемещению положительных зарядов. Проводимость, связанная с перемещением дырок внутри кристаллической решетки, получила название дырочной проводимости. [c.43]

Атом, расположенный в междоузлии решетки, называется дислоцированным атомом (рис. 231), а узел в кристаллической решетке, не занятый атомом, называется, как уже говорилось в гл. I, вакансией. Для атомов вокруг вакансии или дислоцированного атома нарушается равномерность окружения атомами-соседями по сравнению с бездефектными участками решетки (см. рис. 2). В результате этого вокруг вакансии или вокруг дислоцированного атома возникает поле упругих искажений кристаллической решетки. [c.234]

Различие в энергетическом состоянии атомов железа в кристаллических решетках а и V, а также различие в энергии полей межатомных участков этих кристаллических форм железа приводит к тому, что внедренный атом углерода в аустените и феррите имеет различную энергию связи и по-разному взаимодействует с атомами железа. Экспериментальные и теоретические исследования показали, что в -Fe углерод энергетически закреплен слабее, чем в vFe, и поэтому при определенных условиях (температуре, содержании других элементов и пр.) его активность в феррите намного выше, чем в аустените. В соответствии с этим растворимость углерода в феррите ниже, чем в аустените. Поэтому, если при какой-либо температуре существуют ферритные и аустенитные участки (зерна, поверхности), а это, в частности, может иметь место при нагреве в интервале температур Ас — Асз, то углерод будет перемещаться из феррита в аустенит до установления равновесной концентрации при данной температуре [c.67]

Для описания картины штарковского расщепления уровней атомов переходных элементов и заселенности этих уровней широко используется приближенная теория кристаллического поля, впервые предложенная в 30-х годах Бете. В теоретической модели реальные атомы или молекулы, окружающие центральный парамагнитный атом, заменяются точечными зарядами или диполями. Такие источники полей называют лигандами. Пример расщепления /-уровня в полях лигандов разной симметрии представлен на рис.4.16. Обычно величину расщепления Д определяют из оптических спектров поглощения. [c.143]

Величина локального электрического поля, действующего на атом в узле кристаллической решетки, значительно отличается от величины макроскопического электрического поля. В этом легко убедиться уже при рассмотрении простого случая, когда расположение соседей данной точки решетки имеет кубическую симметрию, а кристалл имеет форму шара ). Для макроскопического электрического поля в образце сферической формы согласно (13.15) имеем [c.472]

На протон в магнитном поле формально похожа другая система — изолированный атом, либо в газе, либо в качестве примеси в кристаллической решетке (рис. 3). Такие атомы характеризуются некоторыми вполне определенными энергетическими состояниями, и между этими состояниями всегда возможны переходы при посредстве какого-нибудь взаимодействия. Примером такой системы является примесь хрома, которая делает кристалл окиси алюминия рубином. Под действием поляризованного по кругу света примесные ионы хрома в рубине возбуждаются. Их можно рассматривать как ансамбль двухуровневых систем, причем переходы между уровнями происходят при взаимодействии электрических дипольных моментов ионов с вектором электрического поля, который у поляризованного по кругу света вращается. Чтобы получить переходы между двумя уровнями, освещают ионы хрома такими резонансными импульсами света, которые должны возбуждать только два из многочисленных уровней энергии иона, и тогда остальными уровнями можно пренебречь. Это формальное соответствие между системами атомов хрома и системами ядер позволяет предсказать явление эха, аналогичное эху ядерных спинов. Эхо, порожденные ионами хрома, должны быть импульсами света, образовавшимися в результате макроскопических колебаний электрических дипольных моментов. При этом не [c.143]

У щелочных металлов приходится по одному электрону на атом). Подвижность электронов при комнатной температуре ограничивается в первую очередь тепловыми колебаниями кристаллической решетки, которые определяют рассеяние электронов и среднюю величину их свободного пробега в электрическом поле. При очень низких температурах, однако, колебания решетки не сказываются на электропроводности можно ожидать, что при 0°К они прекратятся и электропроводность не содержащего примесей идеального кристалла станет бесконечной. Как показано на рис. 36, а, удельное сопротивление р=1/а в таком кристалле вблизи 0°К имеет температурную зависимость [c.71]

Рассмотрим кристаллическую решетку германия с примесью мышьяка — элемента пятой группы, у которого на внешней орбите расположено пять электронов (рис. 8-2, б). Попав в узел решетки германия и связав четыре из своих электронов, такая примесь дает избыточный слабо связанный электрон /, который под влиянием тепловой энергии может начать беспорядочно блуждать по кристаллу, а под воздействием электрического поля он станет направленно перемеш,аться (электропроводность типа п). Атом примеси, потерявший электрон, представляет собой положительно заряженную частицу, неподвижно закрепленную в данном месте решетки полупроводника. В рассмотренном случае примесь элемента пятой группы периодической системы будет донорной. [c.235]

Поверхность твердого тела, по сравнению с его внутренним строением, имеет ряд особенностей. Любой атом, расположенный внутри твердого тела с идеальной кристаллической решеткой, находится в состоянии подвижного устойчивого равновесия, поскольку для него по всем направлениям интенсивность силового поля одинакова. В ином положении оказываются атомы, которые находятся у поверхности они имеют только односторонние связи, — в тело металла, поэтому их состояние неуравновешенное, неустойчивое они более активны, обладают избыточной энергией (свободной) по сравнению с атомами, находящимися в объеме. [c.49]

Электроны в проводниках при наложении электрического поля испытывают тормозящее влияние кристаллической решетки. В идеальном кристалле при температуре абсолютного нуля электроны, обеспечивающие проводимость, должны двигаться беспрепятственно. Такая решетка не должна оказывать сопротивление продвижению электронов проводимости, так как энергетические зоны электронов точно повторяются от атома к атому (рис. 18.3, а). [c.571]

Титанат бария в интервале температур —Ю + 120°С имеет тетрагональную структуру кристаллической решетки. Когда пластинка из этого материала после обжига в печи остынет, она не показывает никакого пьезоэффекта. Это происходит вследствие того, что кристаллы титаната бария состоят из целого ряда отдельных областей — доменов, в каждой из которых электрическая ось ячеек кристаллической решетки ориентирована по-своему . Это оказывается возможным потому, что в ячейке кристалла может существовать шесть положений атома титана между атомами бария и кислорода, расположенными на гранях ячеек, при которых потенциальная энергия ячейки минимальна. При этом атом титана оказывается сдвинутым к одной из граней ячейки. В каждый домен входит большое число ячеек с одинаковой ориентацией и каждый такой домен сам по себе представляет собой электрический диполь. Однако в кристалле домены ориентированы беспорядочно, так что внешнее поле кристалла отсутствует. [c.97]

Механизм упругого взаимодействия описывается следующим образом. Если атом примеси растворяется в бездефектной кристаллической решетке, в которой отсутствует подходящее по размерам и форме место для этого атома, то решетка деформируется. Обозначим работу, необходимую для указанной деформации, через Т о. При размещении атома примеси в районе дислокации необходимо совершить работу причем Wlэнергию упругого взаимодействия V растворенного атома с полем напряжения дислокации. Вполне очевидно, что V будет тем больше, чем больше и меньше Увеличения Wo следует ожидать при переходе от растворов замещения к растворам внедрения, особенно на основе металлов с о. ц. к. решеткой. При этом должна также уменьшаться работа должна также зависеть от величины [c.10]

Твердые растворы. Магнитная восприимчивость твердых растворов плавно изменяется по кривой, обращенной выпуклостью к оси концентрации. Отклонение от закона аддитивности считается следствием изменения сил связи при образовании твердых растворов (рис. 6.7). Минимум восприимчивости обычно близок к 50 ат.% концентрации, что связывают с наибольшими нарушениями периодичности поля кристаллической решетки в неупорядоченных твердых растворах. В сплавах натрий-калий восприимчивость изменяется по линейному закону. [c.91]

ЧАСТОТА (биений циклическая — частота негармонических колебаний, получающихся в результате наложения двух одинаково направленных гармонических колебаний с близкими частотами волны — частота гармоническая (синусоидальная), соответствующая упругой волне колебаний частиц среды вращения — величина, равная отношению числа оборотов, совершенных телом, ко времени вращения линейная— частота гармонических колебаний обращения—частота периодического движения точки по замкнутой траектории несущая — частота модулируемой волны резонансная — частота колебаний, при которой наступает явление резонанса собственная—частота гармонических колебаний системы, не подвергающейся действию внешних сил характеристическая—частота колебаний определенной группы атомов в молекулах, соответствующая определенной химической связи щжлическая — частота гармонических колебаний, умноженная на два пи циклотронная — частота обращения заряженных частиц в постоянном магнитном поле в плоскости, перпендикулярной к вектору напряженности этого поля) ЧИСЛО [Авогадро — число молекул (или атомов) в одном моле вещества (6,022136 10 моль ) волновое — отношение циклической частоты к скорости волны вращательное квантовое определяет энергию ротатора квантовое (главное—целое число, определяющее энергетические уровни водородного атома в стационарном состоянии магнитное— целое число, определяющее проекцию вектора орбитального момента импульса электрона на направление внешнего магнитного поля орбитальное — целое число, определяющее орбитальный момент импульса электрона в атоме спиновое определяет спиновой момент импульса электрона в атоме) координационное — число ближайших к данному атому соседних атомов в кристаллической решетке] [c.296]

В первом приближении микроскопическую структуру магнитных кристаллов можно представлять как систему атомов, расположенных в узлах кристаллической решетки, причем каждый атом обладает спином и связанным с ним магнитным моментом. Атомы взаимодействуют друг с другом посредством сил, зависянщх не только от расстояния между ними, но и от величины и взаимной ориентации спинов. В присутствии внешнего магнитного поля спины "ориентируются преимущественно параллельно направлению поля, но это упорядочение нарушается тепловым возбуждением. В результате типичная изотерма при достаточно высоких температурах ведет себя следующем образом (фиг. 9.1.2). В нулевом поле М = О, так как спины имеют случайную ориентацию. По мере увеличения магнитного поля спины частично ориентируются и появляется отличный от нуля средний макроскопический момент. Его величина растет с ростом SS, пока не будет достигнуто максимально возможное значение, соответствующее полной ориентации [<всех спинов вдоль направления магнитного поля (насыщение). Если продолжить кривую намагничивания в область отрицательных значений ей , то она, естественно, оказывается симметричной относительно начала координат. При низких температурах S-образная форма кривой выражена более резко, поскольку здесь спины легче ориентируются и насыщение достигается в более слабых полях. [c.324]

В самом деле, получение коэффициента диффузии в работе [79] для мембран с d—0,1 м,м в 3-10 раз меньшего по сравнению с коэффициентом диффузии для толстых мембран 0,9 мм), может быть связано с образованием в тонком приповерхностном слое момбран (толщиной с 0,9 мм) микро-и макролунок, заполненных молекулярным (газообразным) водородом под большим давлением. Прохождение водорода через эти лунки в более глубоко лежащие слои металла затруднено, так как лунки являются ловушками водорода, поступающего с поляризуемой поверхности водород в виде протонов по достижении внутренней поверхности лунки приобретает электрон, превращаясь в атом, атомы молизуются на границе метал —газ (в лунке). Ю. А. Нехендзи [86], моделируя этот процесс путем электролитического наводороживания полого герметически закрытого стального цилиндра с толщиной стенки 3 мм, получил давление молекулярного водорода во внутренней полости цилиндра, равное 30 МПа (300 атм). Выход водорода из коллекторов возможен только после его диссоциации на атомы. Для этого необходимо, чтобы давление и температура были такими, что количество диссоциированного водорода было выше равновесной концентрации водорода, растворенного в кристаллической решетке стали. Соседние объемы металла, окружающие коллектор, в результате его роста подвергаются деформации сжатия. Эти области деформированного металла и становятся единственными путями диффузии водорода в глубь металла. [c.25]

В первом приближении атомы лигандов рассматривают как отрицательные ионы то.лько с заполненными оболочками и орбитали центрального атома определяют просто в поле этих зарядов, которые считаются точечными. Химики-неорганики назьшают такой подход теорией кристаллического поля, хотя в действительности он совершенно тот же, что и использованный выше подход теории молекулярных орбиталей (разд. 2), когда определяются различные молекулярные орбитали, получающиеся из атомных орбиталей центрального атома. Для с -орбиталей, в случае если отрицательные ионы расположены не слишком близко к центральному атому, сравнительно просто получить заключения о порядке расположения и расщеплении результирующих орбиталей при условии, что указано расположение ионов [c.420]

До настоящего времени мы рассматривали изменения и расщепления орбиталей центрального атома (или иона) в ноле точечных зарядов. Если воздействие кристаллического поля мало, то лучше рассматривать изменения различных состояний центрального атома, а не изменения орбиталей, используя ранее разобранные правила корреляции состояний молекулы и объединенного атома (разд. 1, а). Такая теория слабого кристаллического поля во многих случаях воспроизводит экспериментальные результаты весьма удовлетворительным образом (Мак-Клур [805], Бальхаузен [3]). С другой стороны, если поле настолько сильно, что величины расщепления сравнимы с разностями энергий состояний одной и той же электронной конфигурации, то орбитальное приближение оказывается более пригодным теория сильного кристаллического поля). В этом случае число варьируемых параметров гораздо больше, в силу чего делать те или иные предсказания труднее. Третья ступень рассматриваемого приближения появляется тогда, когда взаимодействиями с орбиталями атомов лигандов уже пренебрегать нельзя. Как и ранее в обычной молекулярно-орбитальной теории для 2s- и 2р-орбиталей, орбитали лигандов будут комбинировать с орбиталями атома X того же самого типа симметрии, и как следствие при образовании молекулы часть из них будет сдвигаться вниз, а часть — вверх. Это так называемая теория поля лигандов, которая по существу представляет собой не что иное, как теорию молекулярных орбиталей применительно к молекулам, содержащим центральный атом, имеющий d- или /-электроны. [c.422]

В случае свободных радикалов -фактор обычно не сильно отличается от соответствуюшей величины для свободного электрона ge = 2,0023. Отклонение от этого значения, имеющего чисто спиновое происхождение, указывает на вклад спин-орбитальных взаимодействий. В случае примесных ионов переходных элементов -фактор становится анизотропным и определяется симметрией кристаллического поля, внутри которого находится ион. Последнее является результатом дополнительного штарковского расщепления энергетических уровней неспаренных электронов во внутрикристаллических электрических полях — в спектре ЭПР появляется тонкая структура. Благодаря этому -фактор является тензором, характеризующим симметрию этих полей. Неоднородные электрические поля в первой координационной сфере, окружающей примесный парамагнитный атом, могут достигать 10 В см . В сильных кристаллических полях взаимодействие неспаренных электронов атомов (ионов) с полем больше спин-орбитального и обменного взаимодействий. Штарков-ское расщепление Д в этом случае в результате снятия орбитального вырождения может достигать 5 эВ. При этом нарушается правило Хундта и образуются низкоспиновые состояния атома (например, многие ионы с незаполненными 4с1 и оболочками). В средних полях (Д = 1 эВ) энергия взаимодействия атома с полем по-прежнему выше энергии спин-орбитальных взаимодействий, но ниже энергии обменных взаимодействий внутри атома. Этот случай типичен для атомов с недостроенной Ъё оболочкой. И, наконец, слабые поля типичны для редкоземельных элементов с недостроенной / оболочкой Д = 10 2 эВ. В таких полях сохраняется мультиплетная структура изолированного атома. Величина Д определяется не только напряженностью поля, но и его симметрией, зависящей в свою очередь от структуры и химической природы атомов первой координационной сферы. [c.143]

Ближний порядок. Под ним понимается правплыюе располо ке-аие атомов решетки в непосредственной близости от отдельпого рассматриваемого атома. Он определяет кристаллическое поле, в которое внедрен атом. [c.128]

Выше уже было отмечено, что существование электронных соединений связано с определенным отношением числа валентных электронов к числу атомов, т. е. с электронной концентрацией. Строго говоря, это неправильно, и, согласно электронной теории металлов, при анализе необходимо учитывать число электронов на элементарную ячейку кристаллической структуры, потому что энергия электронов в кристаллической решетке зависит от. их вза.имодействия с периодическим полем решетки и, следовательно, определяется элементарной ячейкой. В электронных соединениях с решеткой, у которой все узлы заняты атомами, число электронов на атом связано простым соотношением с числом электронов на элементарную ячейку, и это дает возможность внести простую эмпирическую поправку в пра вило электронной концентрации. Однако имеется много примеров электронных соединений с дефектной кристаллической структурой (т. е. с такой кристаллической решеткой, не все узлы которой заняты атомам.и), и в таких случаях необходимо контролировать число электронов на элементарную ячейку. [c.173]

Когда в твердом теле имеется один электрон на атом (для произвольной кристаллической структуры— один электрон на элементарную ячейку), то ферми-поверхность лежит внутри первой зоны Брил-люэна,. оставляя половину ее объема пустой. Какой бы ни была энергетическая щель на границе зоны, занятый объем в первой зоне никогда не превышает половины полного объема. Поэтому всегда имеются незанятые состояния вблизи ферми-поверхности с энергиями, близкими к энергии Ферми. Следовательно, электроны будут ускоряться электрическим полем, переходя в состояния с большей энергией, что обусловливает электропроводность вещества. Таким образом, кристалл с одним электроном на атом должен быть металлом. [c.181]

Изучение кристаллического состояния является всего лишь первым шагом в исследовании поведения твердых тел. Обычно встречающиеся металлы и сплавы не являются совершенными кристаллами даже монокристаллы могут обладать пороками, сильно влияющими на их свойства, а спектроскопические чистые металлы представляют собой очень сложные структуры. Вследствие чрезмерной близости многих соседей атом или молекула металла в конденсированном состоянии подвергаются действию силового поля нескольких электронных оболочек, в результате чего ок не находится в термодинамическом равновесии со средой. При совершенно определенных условиях температуры и давления чистые металлы могут обладать различными свойствами, существенно зависящими от их предварительной обработки. Это особенно относится к механическим свойствам, в высшей степени зависящим от структуры. Так, например, в зависимости от структуры, полученной при обработке, определенные сорта марганцовистой стали могут быть вязкими, дуктильными и немагнитными или же твердыми, хрупкими и магнитными. Такие термины, как закалка старением, дисперсионная закалка. Механическое упрочнение, упругая деформация и рекристаллизация, легко напоминают многие явления, с которыми металлист встречается при различной обработке металлов. [c.164]

Первый случай разберем на примере кристалла кремния, в котором атомы удерживаются за счет ковалентных или парноэлектронных связей с четырьмя другими себе подобными атомами. На фиг. 153, а показана кристаллическая решетка кремния (элемента 4 группы таблицы Менделеева), не содержащая инородных примесей. На фиг. 153, б изображена решетка кремния с примесью элемента третьей группы — бора, имеющего на внешней орбите три валентных электрона. Такая примесь в решетке кремния представляет собой дырку в случае приложения электрического поля, как показано на фиг. 153, от левого атома кремния будет взят электрон этот атом захватит электрон от следующего атома, т. е. дырка начнет передвигаться справа налево. Такой полупроводник относится к типу р . [c.304]

Гамильтонпап свободного атома инвариантен по отношению кр всем вращениям и отражениям в пространстве, которые оставляют неизменным положение атомного ядра. Группа оператора Гамильтона представляет собой (бесконечную) трехмерную группу вращений. Вырождения энергетических уровней свободного атома определяются неприводимыми представлениями этой группы. Если атом помещен в узел кристаллической решетки, точечная группа решетки определяет вырождения, индуцированные симметрией энергетических уровней атома. Наиболее важным эффектом, который приходится рассматривать, является, таким образом, расщепление атомных термов во внутрикристаллическом поле. [c.78]

В основном измеренные кинетические коэффициенты щелочных металлов хорошо согласуются с наблюдаемой сферичностью их поверхностей Ферми ), т. е. с предсказаниями теории свободных электронов. Однако бывает трудно приготовить образцы, в достаточной мере свободные от кристаллических дефектов, чтобы строго проверить это. Например, хотя измерения магнетосопротивления ясно показывают, что в щелочных металлах оно зависит от поля гораздо слабее, чем в других металлах, тем не менее до настоящего времени не удалось экспериментально убедиться в отсутствии зависимости этой величины от поля при больших СОсТ, как это должно иметь место при сферической поверхности Ферми. Кроме того, результаты ряда недавних экспериментов показывают, что значения постоянной Холла отличаются на несколько процентов от величины —Ппес, которая получается в теории свободных электронов (и которая должна наблюдаться в случае любой замкнутой поверхности Ферми, содержащей по одному электронному уровню на атом). Подобные расхождения привели некоторых исследователей к предположению, что электронная структура щелочных металлов в действительности может быть более сложной, чем описано выше соображения в пользу этого, однако, далеко не убедительны, и сейчас, когда мы пишем эту книгу, преобладает мнение, что поверхности Ферми щелочных металлов представляют собой почти точные сферы ). [c.287]

Одной из хаких возможностей дальнейшего исследования системы является использование идей и приближения самосогласованного поля в теории кристаллического состояния (С. в. Тябликов, 1947 И. П, Базаров, 1966). Действительно, каждый атом рассматриваемой системы даже в случае, когда кристалл не ионный и потенциал Ф(lr, -r ) является короткодействующим, взаимодействует сразу и приблизительно с одинаковой интенсивностью со своими соседями по решетке, которых достаточно много например, в объемно центрированной кубической решетке — 8 ближайших соседей, в фанецентрированной кубической, а также при плотной гексагональной упаковке — 12 (в следующих за ближайшей координационных сферах число частиц значительно увеличивается), т.е. каждая частица находится в поле, создаваемом целым коллективом частиц из близлежащих узлов. Поэтому вир той области, в которой парная корреляционная, функция 2(г ,Г2) равна нулю вследствие конечности размеров самих частиц (эта область значений г2 — Г , сравнимая с диамефом ионов 2го = iio. имеет несколько большую эффективную величину а —Ь см. рис. 138), можно принять приближение самосогласованного поля, причем в нулевом порядке вообше пренебречь индивидуальными корреляциями Частиц щ)уг с другом и использовать мультипликативную аппроксимацию [c.327]

Рассмотрим область кристаллической решетки, содержащую меченый атом, и определим множество I конфигураций меченый атом—дефект, где 1=, ...,М М г. Пусть дефект переходит от одной конфигурации к другой с вероятностью Л /. Здесь величина Ац означает вероятность перехода дефекта из конфигурации тнпа I в конфигурацию типа / за один скачок. В целях общности подхода мы будем использовать матрицу Л, транспонированную к рассматриваемой ранее. Исключим нз матрицы А переходы меченого атома. Важно только, чтобы в числе М конфигураций были учтены все конфигурации, в которых возможен скачок меченого атома. Более того, зеркально-симметричные конфигурации, в которых возможны как а+, так и а скачки меченого атома, должны учитываться в матрицах А и Р дважды первый раз — для скачка в положительном направлении и второй раз — для скачка в отрицательном направлении. К тому же на величину Ац влияет ориентация скачка относительно направления внешнего поля. Введем в рассмотрение (гХЛ1)-матрицу R, задающую начальные вероятности и (МХг)-матрицу С , элементы которой 0 представляют собой вероятности того, что прн следующем скачке дефекта конфигурация типа / может вызвать а-скачок меченого атома. Таким образом, величины (3 оказываются чувствительными к изменению направления внешнего поля. Тогда будем иметь [c.195]

Межузельные атомы, а также примесные атомы внедрения, всегда присутствующие в электролитах, вызывают локальные искажения кристаллической решетки осадка в пределах не менее 5-6 координационных сфер, поскольку атомы, находящиеся в узлах кристаллической решетки, смещаются от своих стабильных положений. Б частности, величина смещения атомов в первой координационной сфере для разных иеталлов колеблется от 12 до 20%. Релаксационное смещение носит немонотонный характер, но й целом межузельный атом вызывает сжатие решетки. С учетом дальнодействия отдельного межузельного атома и уровня их концентрации в осадке - 10 все атомы, находящиеся в узлах решетки, попадают в поля напряжений, обусловленные этим точечным дефектом. Как и в предыдущей вакансионной модели количественную оценку степени влияния концентрации межузельных атомов на ВН в электроосажденных металлах позволяет дать аналитическое описание (41]. [c.62]

Одной из таких возможностей дальнейшего исследования системы является использование идей и приближения самосогласованного поля в теории кристаллического состояния (С. В. Тябликов, 1947 И. П. Базаров, 1966). Действительно, каждый атом рассматриваемой системы даже в случае, когда кристалл не ионный и потенциал Ф( г,—г,-1) является короткодействующим, вза- [c.659]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...