Локальное электрическое поле

Одно из распространенных объяснений явления активизации состоит в том, что при активизации происходит превращение некоторого количества sp -связанного углерода вдоль узких каналов в sp -свя-занный углерод. Этот углерод имеет лучшую электропроводимость, чем окружающая sp -матрица, что способствует увеличению локального электрического поля, и, как следствие, автоэмиссионного тока. [c.198]

Свойства симметрии и система обозначений. В двухатомной молекуле существуют компоненты сильного электрического поля вдоль межъядерной оси, которые определяют симметрию электронных волновых функций. В атомных волновых функциях при связи Ь — суммарный орбитальный момент импульса электронов Ь является константой движения и, следовательно, квантуется. В атомах компонента Ь вдоль некоторого направления, т. е. М, не влияет на уровень энергии, за исключением тех случаев, когда имеется внешнее магнитное (эффект Зеемана или Пашена — Бака) или электрическое ноле (эффект Штарка). Даже при самых сильных полях, получаемых в лабораторных условиях, расщепление энергетических уровней (для различных значений М при фиксированном Ь) меньше, чем 10" эв. В противоположность этому энергии молекулярных электронов почти полностью определяются компонентой момента импульса электронов вдоль оси молекулы и эти энергетические уровни отделены друг от друга на несколько электрон-вольт. Такое различие получается из-за того, что локальные электрические поля в пределах молекулы значительно пре- [c.103]

ЛОКАЛЬНОЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ [c.83]

Локальное электрическое поле, как отмечалось выше, есть электрическое поле, реально воздействующее на молекулы в диэлектрике. В тех случаях, когда расстояния между молекулами велики, как, например, в разреженных газах, когда взаимодействием между молекулами можно пренебречь, допустимо считать, что напряженность локального поля Е равна напряженности внешнего поля Е, хотя обычно они различаются. [c.83]

Пусть под действием локального электрического поля с напряженностью Е центр отрицательных зарядов смещается на расстояние А. Электрический заряд в промежутке от О до х [c.413]

На атомное ядро, находящееся в точке х, действует сила +еЕх, однако она уравновешивается силой локального электрического поля еЕ. Индуцированная электронная поляризация те=—ех = аеЕ, следовательно, [c.413]

Следующий этап в описании поверхности — рассмотрение статистического распределения локальных электрических полей на поверхности и их влияния на макроскопические поверхностные электронные характеристики. Определенные перспективы в этом направлении открывает современная электронная теория неупорядоченных систем. [c.12]

Мало что дают и эксперименты с внесением хемосорбированных примесей. Они создают свою систему размытых пиков, но слабо влияют на пики собственных состояний. Помимо прямого влияния на параметры ПЭС, новые примесные состояния образуют систему флуктуационных локальных электрических полей, которые должны влиять на параметры собственных состояний (см. гл.8). [c.176]

Протяженность хвостов существенно изменяется в процессах гидратации и дегидратации оксидных пленок, а также при их легировании путем ионной имплантации или термодиффузии ионов. Причиной этого, скорее всего, являются изменения амплитуд локальных электрических полей Едок а также их распределения в пленке. [c.188]

В гл. 13 показано, что локальное электрическое поле в узле кубической решетки равно Е+ 4лР/3 в системе СГС или Е Р/Эец в системе СИ. [c.194]

Локальное электрическое поле на атоме. . . ............472 [c.465]

ЛОКАЛЬНОЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ НА АТОМЕ [c.472]

Величина локального электрического поля, действующего на атом в узле кристаллической решетки, значительно отличается от величины макроскопического электрического поля. В этом легко убедиться уже при рассмотрении простого случая, когда расположение соседей данной точки решетки имеет кубическую симметрию, а кристалл имеет форму шара ). Для макроскопического электрического поля в образце сферической формы согласно (13.15) имеем [c.472]

Поляризуемость а атома определяется через локальное электрическое поле [c.477]

Поляризация кристалла может быть приближенно записана в виде суммы произведений поляризуемостей атомов на соответствующие локальные электрические поля, а именно [c.477]

Запишем уравнение движения электрона в локальном электрическом поле E o sin (at [c.481]

Ядро в кристалле будет подвергаться действию электростатического поля со стороны своего окружения (см. схему на рис. 17.16). Если симметрия этого поля ниже, чем кубическая, то наличие в ядре квадрупольного момента приведет к тому, что-в системе энергетических уровней возникнет расщепление, определяемое взаимодействием квадрупольного момента с локальным электрическим полем. В Приложении М рассмотрен именно такой эффект, только для случая электронного квадрупольного момента. Хотя термин квадрупольный момент там не используется, но электрон в р-состоянии (L = 1) обладает квадруполь-ным моментом, который ответственен за расщепление линий, связанных с внутрикристаллическим полем в излучаемом образце. [c.614]

Локальное электрическое поле 26, 436 [c.551]

Хорошо известно, что взаимодействие ионов с поверхностью растущей пленки приводит к увеличению числа дефектов кристаллической решетки, влияющих на микроструктуру поверхности, и, следовательно, на авто-эмиссионные свойства пленок [256]. Было установлено, что отрицательное смещение меняет ориентацию алмазоподобной пленки. Однако механизм, по которому напряжение смещения подложки в течение роста пленки влияет на автоэмиссию, еще не известен. Тем не менее, пленки с минимальной величиной порогового электрического поля имеют примерно такую же ровную поверхность, как и пленки с большей величиной порогового поля. Это предполагает, что наблюдаемые низкие значения порогового электрического поля не связаны с увеличением локального электрического поля. [c.202]

Туннельная инжекция заряда в диэлектрик может осуществляться как в режиме постоянного тока, так и в режиме постоянного напряжения. В первом случае в процессе инжекции постоянным остается катодное электрическое поле, а во втором — анодное. Поскольку на процес- an/n сы накопления зарадов диэлектрика существенное влияние оказывают локальные электрические поля и их изменение в ходе инжекции, то в общем случае изменение зарядового состояния диэлектрика должно зависеть от режима инжекции носителей. В МДП-структурах с [c.127]

Таким образом, неоднозначность приводимых в литературе экспериментальных данных, характеризующих зарядовую деградацию МДП-си-стем на основе двуокиси кремния при инжекционных нагрузках, затрудняет их анализ и создание общей теоретической модели, описывающей эти процессы. Исследования в данной области находятся лишь в стадии накопления экспериментальных данных и разработки модельных представлений. Несмотря на обилие работ, посвященных экспериментальным исследованиям зарядовой нестабильности и определению механизмов накопления зарядов в системе Si-Si02, и на широкое использование данных систем в микроэлектронике в качестве подзатворных диэлектриков, до настоящего времени отсутствует физико-математическая модель зарядового состояния системы Si-Si02, учитывающая в полной мере основные механизмы захвата носителей в двуокиси кремния, положения центроидов зарядов, напряженности локальных электрических полей, миграцию атомов и ионов водорода и т.д. [c.135]

В последние годы были разработаны несколько физико-математических моделей зарядовой деградации МДП-структур в условиях туннельной инжекции. Эти модели описьшают процессы накопления заряда в диэлектрике на основе механизмов захвата носителей, учитывающих новые данные о распределении электронов по энергии в диэлектрических пленках в сильных электрических полях, и позволяют проводить сравнение зарядовой стабильности МДП-структур с различной толщиной двуокиси кремния (в том числе и многослойных), учитывать влияние изменений характеристик центров захвата, локальных электрических полей. Применение таких моделей позволяет оптимизировать параметры МДП-систем применительно к конкретным структурам МДП-ИС и БИС в рамках действующих типовых технологических процессов, а также совершенствовать технологии получения диэлектрических слоев с целью повышения устойчивости схем к токополевым, электронным и ионизационным воздействиям. [c.136]

Другим механизмом неоднородного уширения, приводящим опять-таки к гауссовой форме линии, может быть любое явление, которое вызывает случайное распределение частот атомных переходов. Например, если локальное электрическое поле кристалла случайным образом изменяется от точки к точке вследствие, скажем, дефектов кристаллической решетки, то благодаря эффекту Штарка возникнут локальные сдвиги энергетических уровней, а вместе с ними и частот атомных переходов. Аналогичное явление имеет место также и в резупорядоченных [c.51]

Напряженность локального электрического поля Е выражается суммой папряженности приложенного электрического поля Е и члена, пропорционального поляризоваппости Р, т, е. Е = Е- - Р = E-i NayE, или Е /Е= /(1—Nay). В каких случаях величина Nay [c.142]

Рассчитайте коэффициент преломления света для каменной соли (Na l), пользуясь табл. 2-4-1 и принимая во внимание, что постоянная решетки равна 5,63-10 м, а локальное электрическое поле условно соответствует полю Лорентца. [c.143]

В ферромагнетиках домены даже при отсутствии внещнего магнитного поля характеризуются намагниченностью насыщения. При подсчете с помощью формулы (3-4-1) напряженности магнитного поля, обеспечивающей спонтанную намагниченность железа, равную 1,8Х Х10 A/M при комнатной температуре 300 К, получается значение порядка 10 А/м. Так как наибольшая напряженность, которую можно получить в сердечниках современных электромагнитов, равна около 10 А/м, то понятно, какое сильное магнитное поле действует в атомах реальных ферромагнитных веществ. Впервые о существовании этого поля сделал предположение Вейсс, и поэтому магнитное поле, действующее в реальных атомах, называют магнитным полем Вейсс а. Оно также носит название молекулярного поля. Это магнитное поле, характеризующее напряженностью Н, определяется по аналогии с локальным электрическим полем, имеющим место в диэлектриках [c.180]

Таким образом, напряженность локального электрического поля Е больще напряженности приложенного поля Е. [c.413]

ПО направлению локальные электрические поля, которые дадут вклад в потенциальную энергию этих ядер. Напомним, что энергия точечного заряда в электрическом поле определяется потенциалом поля ф в выражение для энергии электрического диполя входят производные потенциала по координатам, т. е. составляющие напряженности поля наконец, энергия квадрупо-ля зависит от производных составляющих поля по координатам, неудачно названных градиентом поля таким образом, в последнем случае энергия определяется неоднородностью поля. Эта неоднородность существует даже в чистых металлах, где она создается деформациями вокуг дислокаций [c.273]

В случае реальной поверхности это соотношение требует введения дополнительных поправок, учитывающих распределение локальных электрических полей на поверхности. В настояшее время для изучения диффузии стал широко использоваться наноскоп. Получена обширная информация о миграции ионов щелочных металлов и ионизированных атомов самой подложки (81+). [c.273]

Заметим, что при со = сог наблюдается резонанс. Электрическое поле Е, входящее в уравнения (5.41) — (5.44), есть локальное электрическое поле ) и оно не обязательно совпадает со средним макроскопическим электрическим полем, входящим в уравнения Максвелла. Этот вопрос будет обсуждаться в гл. 13. Однако уравнение (5.44) всегда приводит к частотной зависимости диэлектрической ьтюницаемости, которую в общем виде можно записать так [c.194]

Рис. 13.10. Характерное расположение локального электрического поля ос и поляризации Р при распространении поперечных и продольных оптических фононов. Локальное электрическое поле (обусловленное взаимодействием на больших расстояниях) обнаруживает тенденшно способствовать деформации, сопровождающей распространение поперечных оптических фононов (случай а), но в то же время препятствует деформации, сопровождающей распространение продольных оптических фононов (случай б). Поэтому ш/. > Шг. Значения локального поля (нропорциональные длине стрелок) относятся к структуре, в которой ионы находятся в окружении кубической симметрии. Горизонтальные линии соответствуют атомным цепочкам (или атомным плоскостям).

Электрическое ноле, действующее на атом с номером /, расположенный в точке Г/, мы называем локальным электрическим полем и обозначаем q . Поле fio вычисляется как сумма полей, создаваемых всеми электрическими зарядами частиц кристалла поля, формирующие io , объединяются по группам, каждая из которых отвечает одному члену в сумме [c.488]

При первом подходе считается, что локальное электрическое поле, обусловленное поляризацией, возрастает быстрее, чем упругие тормозяш,ие силы, действующие на ионы в кристалле, что 1 приводит к асимметричным смещениям ионов из их равновесных положений. Величины смещений жестко ограничены, конечны, что обусловлено участием тормозящих сил высших порядков. Происхождение сегнетоэлектричества в большинстве кристаллов со структурой перовскита связано именно с тем, что эта структура особенно склонна к поляризационной катастрофе . Расчеты локальных полей, выполненные Слэтером [18] и другими авторами, позволили выяснить физические причины этой склонности перовскитовых структур 2). [c.498]

Поперечная звуковая волна, распространяющаяся направо, вызывает локальные электрические поля, изображенные стрелками. Если магнитное поле приложено перпендикулярно направлению распространения звука, то электроны движутся по орбитам, например А и В. Поскольку ускорения на обон. С продольных участках каждой из орбит складываются, отклик электронов иа электрическое поле волны велик. Если магнитное поле уменьшается вдвое, ускорения иа продольных участках орбит вычитаются и отклик становится слабым. а — магнитное поле перпендикулярно плоскости фигуры и направлено вниз 6 — магнитное поле уменьшено в 2 раза. [c.138]

Полностью обратимое поведение намагниченности, описываемое таким способом, связано с предположением о наличии свободных спинов, сделанным в гл. II. В реальном образце на спины действуют внутренние магнитные поля, возникающие в результате связей с соседними едерными спинами или с электронными спинами, если вещество не является идеально диамагнитным. Кроме того, на квадрупольные моменты ядер действуют локальные электрические поля. В жидкостях все эти поля хаотически и быстро изменяются вследствие броуновского движения молекул. В гл.VIII будет показано, при каких вполне общих условиях влияние этих полей вызывает необратимое экспоненциальное затухание поперечной намагниченности с постоянной времени Т - Считая, что эти условия удовлетворяются, рассмотрим последовательность опытов, каждый из которых начинается с поворота равновесной ядерной намагниченности Мо 90°-импуль-сом, за которым через время т, различное в каждом опыте, следует 180°-им-пульс. Амплитуда эха, наблюдаемого в момент времени 2т, должна быть пропорциональна ехр (—2т/Гг) что может быть использовано для операционного определения и измерения времени релаксации Гг- Этот метод (метод А) [31 отнимает много времени, так как между каждым измерением должно проходить время, в несколько раз большее Г чтобы ядерная намагниченность вновь успела достигнуть своего равновесного значения Мо- Другой метод (метод В) [3] состоит в наблюдении после Ш°-импульса в момент г = О амплитуд f n) эха в моменты времени 2т, 4т,. . ., 2лт,. . при наложении 180°-импульсов в моменты временит, Зт,..(2ге—1)т,. . . [c.58]

В некоторых рассмотренных выше примерах мультиплетных структур, в частности наблюдаемых в в дихлорацетальдегвде H I2—СНО и т. д., не было обнаружено влияния ядерных спинов хлора и брома. Ото обусловлено тем, что указанные ядра имеют спины большие Уг, и обладают квадрупольными моментами, которые сильно взаимодействуют с локальными электрическими полями посредством релаксационного механизма, описанного в гл. VIIL Поэтому времена жизни различных состояний / = М малы. Ранее было показано, что если два взаимодействующих мешду собой спина I ж I принадлежат к различным сортам, то резонансный спектр спина I является мультиплетом с частотами [c.462]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...