Неравновесная концентрация дефектов

При нагреве металла с неравновесной концентрацией дефектов кристаллической решетки свыше температуры 0,2 Г л [c.510]

Во всех случаях при отжиге кристаллов в свободном состоянии вследствие наличия большого числа эквивалентных кристаллографических плоскостей и напряжений в решетке распределение петель и других вторичных образований в объеме кристалла беспорядочное. Одноосное же деформирование металлов с неравновесной концентрацией дефектов решетки или пересыщенного твердого раствора способствует разделению энергетических состояний в расположении комплексов на группы с меньшей симметрией, чем симметрия решетки в свободном состоянии [67]. Теория процесса ориентированного перераспределения дислокационных петель при отжиге металлов с неравновесной концентрацией точечных дефектов под нагрузкой приведена в работе [69]. Она позволяет получить зависимость пересыщения точечных дефектов и пластической деформации от времени. [c.94]

При нагреве металла с неравновесной концентрацией дефектов кристаллической решетки свыше температуры Гв — л 0,27 пл К Тпл — температура плавления) в нем развиваются процесы возврата. Первая его стадия, протекающая без изменения ячеистой структуры, называется отдыхом, вторая — связанная с формированием и миграцией малоугловых границ — полигонизацией. [c.120]

При пластической деформации также возрастает концентрация точечных дефектов — вакансий и междоузельных атомов и дефектов упаковки решетки. Неравновесная концентрация образовавшихся вакансий С приближенно может быть оценена по соотношению [c.510]

На концентрацию дефектов типа Шоттки и Френкеля, кроме температуры, резко влияют облучение и пластическая деформация. Концентрация вакансий в первом приближении растет пропорционально деформации и может быть определена зависимостью 4-10 )е, где е выражено в процентах. Такие вакансии называются деформационными. Наибольшая их концентрация соответствует знакопеременному нагружению. При совместном влиянии высоких температур и большой степени пластической деформации концентрация вакансий может достигать (5—10) 10 , что дает концентрацию атомов, смещенных со своих мест, 2,5—5%. По-видимому, в этом случае вакансии могут оказывать влияние на процесс и механизм пластической деформации. Однако обычно влияние деформационных вакансий на прочность и пластичность металла невелико. Точечные дефекты, внесенные пластической деформацией и облучением, являются термодинамически неравновесными. [c.30]

Поскольку основным механизмом упрочнения при программном нагружении является взаимодействие дислокаций с точечными дефектами и их компонентами, можно ожидать, что создание неравновесной концентрации точечных дефектов или их непрерывное генерирование должно увеличить эффекты программного упрочнения. Действительно, опыты с закаленными металлами[61,67, 681 при [c.93]

При радиационно-термомеханической обработке роль облучения заключается в создании неравновесной концентрации точечных дефектов, а роль последующего отжига под нагрузкой — в направленном перераспределении дефектов решетки в энергетические выгодные положения. [c.94]

II этап. Активация диффузии определяется мгновенным значением неравновесной концентрации вакансий, количеством и скоростью выхода на поверхность элементов скольжения и увеличением подвижности атомов и дефектов структуры. [c.37]

Повышенная, по сравнению с равновесной, концентрация дефектов при низких температурах может получаться в результате закалки (быстрого охлаждения) кристалла. Закалка может резко изменить механические и электрические свойства материала. Экспериментальные данные показывают, что резкое охлаждение материала от высоких температур до комнатной сохраняет некоторую часть избыточных тепловых вакансий. Чем больше скорость охлаждения и чем совершеннее кристалл, тем большая часть вакансий сохраняется в метастабильном состоянии. При сильно неравновесных условиях охлаждения возможно пересыщение кристалла вакансиями, тогда они могут объединяться и образовывать поры, перерастающие иногда в отрицательные кристаллы. [c.94]

В металлах третьей группы вследствие крупнокристаллического строения осадка представление о доминирующей роли вакансий, как причине ЗН, лишено оснований. Однако в этих металлах превалирует эффект от точечных дефектов "обратного знака" по отношению к вакансиям - межузельных атомов, неравновесная концентрация которых фиксируется после электроосаждения [16]. [c.62]

Дефекты могут быть собственными, если они образуются вследствие теплового движения в кристалле, находящемся в условиях теплового равновесия при температурах выше 0°К. В дальнейшем мы коротко рассмотрим несколько примеров. Другие дефекты, такие, например, как химические примеси, могут появиться в твердом веществе случайно или в результате преднамеренного введения добавок. Собственные дефекты могут присутствовать в концентрациях, отличных от тех, которые можно ожидать в чистых кристаллах в состоянии равновесия. Это может быть результатом случайного или намеренного введения в кристалл различного рода дефектов, взаимодействия между дефектами или следствием неравновесных условий. Нам необходимо прежде всего описать и классифицировать различные типы дефектов, поскольку они определяют многие химические свойства твердых веществ, которые будут рассмотрены в последующих главах, а также и физические свойства. В гл. 5 говорится о концентрации дефектов. [c.50]

В случае быстрого понижения температуры (закалка) концентрация точечных дефектов может быть зафиксирована, если при этой более низкой температуре подвижность атомов уже достаточно мала. При этом получаются пересыщенные дефектами неравновесные состояния кристалла, в которых концентрация точечных дефектов мо- кет сильно превышать равновесную концентрацию. [c.36]

Очевидно, избыточная энергия и увеличение объема наноструктурных материалов могут быть связаны с другими дефектами, не производящими дальнодействующих напряжений. Это прежде всего неравновесные вакансии, поры, микротрещины и свободные объемы, связанные с границами зерен. Например, концентрация неравновесных вакансий порядка 3 х 10 наблюдалась в Си на стадии V деформационного упрочнения [217]. Тем не менее скорость релаксации неравновесных вакансий очень высока и наиболее вероятно, что вклад вакансий во время дилатометрических исследований не удается зафиксировать [143]. К сожалению, в литературе отсутствуют данные о влиянии пор и микротрещин, однако можно предположить, что их роль незначительна в материалах, деформированных под высоким давлением. Следовательно, есть все основания полагать, что избыточная энергия границ зерен и изменение объема в наноструктурных материалах, полученных методами ИПД, в основном обусловлена наличием высоких внутренних напряжений неупорядоченных ансамблей дислокаций и дисклинаций. [c.112]

Конвективное движение, в свою очередь, связано с борьбой между внешними условиями охлаждения (вынужденная конвекция) и внутренними процессами (естественная конвекция). При критических скоростях охлаждения она может стать нерегулярной, что приводит к случайным изменениям температуры и концентраций. Это обусловливает порождение дефектов кристаллической структуры и формирование промежуточного слоя между твердым телом и жидкостью. В результате на границе раздела поддерживается неравновесная фаза вещества (называемая [c.277]

Резкое понижение электрического сопротивления диэлектрика на участке 4 (область отрицательного сопротивления ) иногда трактуется как электрический пробой. Такому представлению соответствует также повышение туннелирования в области контактов, поставляющих неравновесные носители заряда. Действительно, в диэлектрике в неустойчивой области не только проявляется ударная ионизация, повышающая концентрацию носителей заряда, но и наблюдается активизация фотопроцессов за счет интенсивной рекомбинации электронов и дырок. Однако в отличие от настоящего пробоя (см. 2.3), прн котором рост тока неограничен и происходит разрушение кристалла, рост тока в электроннодырочной плазме, образующейся за счет двойной инжекции, ограничен. Во-первых, росту тока препятствует рекомбинация электронов и дырок, которой способствуют определенные дефекты кристаллической решетки — центры рекомбинации. Во-вторых, рост тока в плазме все-таки ограничивается объемными зарядами, действие которых лишь частично нейтрализуется носителями заряда противоположного знака. [c.50]

Наиболее существенные изменения, происходящие при термической обработке ферритов химическая гомогенизация и аннигиляция неравновесных дефектов типа дислокаций формирование керамической структуры (для поликристаллических материалов) образование структуры с определенной концентрацией кислорода и обусловленной ею степенью дефектности кристаллической решетки перераспределение ионов по подрешеткам. [c.8]

Перезарядка ПЭС в результате освещения. Нарушение термодинамического равновесия сопровождается изменением концентраций не только свободных, но и локализованных на повер,хностных дефектах носителей заряда. Изменение заряда поверхности приводит к возникновению дополнительной разности потенциалов между поверхностью кристалла и объемом. Величина этой составляющей фотоэдс зависит от исходного изгиба зон, уровня инжекции неравновесных носителей заряда и параметров ПЭС. В отличие от фотоэдс ОПЗ, она может возникать и при плоских зонах. [c.33]

Учет экранирования в теории локальных уровней представляется существенным не только (и не столько) в чисто количественном, сколько в принципиальном отношении. Действительно, радиус экранирования в силу (21.7) и (21.12) зависит от концентрации свободных зарядов и от температуры. Последняя неявно входит и в выражение (21.12), ибо от нее зависит концентрация п. Это означает (в полном соответствии с общей дискуссией 16), что энергия ионизации примеси в полупроводнике есть не чисто механическая, а термодинамическая величина. То же относится, очевидно, и к энергиям возбуждения (если кроме основного примесного уровня есть и возбужденные), к числу уровней, создаваемых данным структурным дефектом, и вообще ко всем без исключения характеристикам примесных состояний они зависят от Т и п, т. е. от положения уровня Ферми в кристалле (в частности, и от концентрации как данной, так и посторонней примеси). Таким образом, оказывается возможным, меняя значения Т и п, в известной мере управлять энергетическим спектром полупроводника. При этом существенно, что в экранировке принимают участие не только равновесные, но и неравновесные носители тока. Действительно, время жизни последних определяется процессами рекомбинации, экранировка же, очевидно, устанавливается полностью, коль скоро достигается равновесное распределение свободных зарядов (при заданном общем их числе) и устанавливается статическое значение поля. Первый из названных процессов характеризуется временем свободного пробега, второй—максвелловским временем релаксации. Оба [c.208]

Кинетика перераспределения дефектов под действием диффузионных процессов определяется подвижностью дефектов при данной температуре. Обычно коэффициент диффузии вакансий значительно выше, чем междуузельных атомов, и их подвижность суш,ественна даже при комнатной температуре. По мере накопления точечных дефектов становятся существенными процессы их взаимодействия, в частности, коалесцендия с образованием микропор, вакансионных кластеров, дислокационных нетель [74]. С появлением дефектов строения связано возникновение напряжений в ионно-легированном слое, изменение коэффициентов диффузии, механических свойств твердых тел и т.д. Неравновесная концентрация дефектов строения и высокий уровень напряжений могут изменять характер упорядочения атомов, вызывать аморфизацию поверхностного слоя или фазовые превращения типа мартенситного. Профиль распределения радиационных дефектов в основном повторяет профиль распределения легирующих ионов. Однако максимум концентрации располагается ближе к поверхности, так как при низкой энергии ионов энергии, передаваемой в упругих столкновениях, недостаточно для образования дефектов строения. Распределение числа смещенных атомов для условий легирования, соответствующих данным рис. 3.2, приведены на рис. 3.4. [c.82]

Для объяснения наблюдаемой линейной зависимости рассмотрим поведение образца на первом цикле. При быстром охлаждении в результате происходящей пластической деформации (обратного знака) возникает неравновесная концентрация дислокаций. Кроме того, возможно повышение концентрации точечных дефектов (например, вакансий). Эти дефекты приводят к сильному наклепу молибдена. При нагревании образца происходит отдых , связанный с частичной аннигиляцией дислокаций, переползанием их из одной плоскости скольжения в другую и выходом на границы зерен [6]. На этот процесс ускоряюще действуют зкспо-ненциальный рост с температурой подвижности вакансий и движение дислокаций как под влиянием обратных упругих напряжений, так и в результате постоянно приложенной нагрузки. Движение дислокаций приводит к образованию субструктуры [7 ], причем образование последней проходит так быстро, что за цикл успевает практически завершиться первая стадия ползучести, а в структуре обнару-щиваются характерные для термоусталости следы скольжения в зер- [c.205]

Перейдем теперь к рассмотрению неравновесных границ зерен, т. е. границ, содержащих избыточные дефекты в структуре, обычно привнесенных при различных воздействиях на материал. Термин неравновесные границы был введен Грабским и Кор-ским еще в 1970 г. [189], но его стали использовать в научной литературе значительно позже [106, 111, 146, 190-201], причем им обозначали самые разные состояния границ. Этим термином называют, например, границы с неравновесной концентрацией точечных дефектов [190, 191], границы с искривленной поверхностью [191], границы, содержащие захваченные решеточные дислокации и внесенные ЗГД [111, 146, 190-201] и т. д. При этом нужно учитывать, что любая граница сама по себе является неравновесным дефектом в кристалле, поэтому понятие о термодинамическом равновесии границ зерен в известной мере условно. Более строгое описание неравновесных границ было предложено Р. 3. Валиевым с соавторами [111, 146, 172]. [c.93]

Взаимодействие с др. Д. может быть как упругим, так и контактным, когда при скольжении пересекается лес Д. разных ориентаций. Пересечение двух разных систем порождает изломы на линиях Д., не способные к скольжению при том же характере внеш. нагрузки и неремещающиеся путём переползания. В результате включается диффузионное взаимодействие Д. с точечными дефектами. В случае переползания большого числа участков Д. в кристалле может возникнуть неравновесная концентрация вакансий. Наоборот, при [c.638]

О возможности переползания дислокаций при малых величинах напряжений указывалось в ряде работ. Например, А.Л. Ройтбурд [618] отмечает, что неконсервативное движение дислокаций, по-видимому, является основным механизмом пластической деформации при повышенных температурах или малых нагрузках . О принципиальной возможности перемещения ростовых дислокаций за счет образования неравновесной концентрации точечных дефектов при электронном и ионном облучении свидетельствуют также работы [619—620]. Некоторые расчетные подходы, описывающие модель стока точечных дефектов на дислокации, были рассмотрены также в [621]. Обработка экспериментальных данных на рис. 141 показала, что низкотемпературная ползучесть Ge и Si подчиняется логарифмическому закону е = а1пт,+ 5, где a=kTjqh — коэффициент, равный углу наклона прямых е Inr для каждой ступени нагружения В — некоторая постоянная q = kT/ah — активационный объем h = AajAe — коэффициент упрочнения Да — величина ступени нагружения Де — величина ступени деформации е - величина микропластической деформации на переходной стадии ползучести. [c.213]

Кристаллические структуры, обладающие трансляционной инвариантностью, удовлетворяют в состоянии равновесия требованиям минимума свободной энергии и максимума энтропии твердой фазы. Поэтому в идеальных равновесных условиях образуется монокристалл определенной симметрии, обеспечивающий минимальное значение свободной энергии с термодинамически-равновесной концентрацией дефектов [9]. Отклонение процесса кристаллизации от условий идеальной равновесности обусловливает нарущение трансляционной инвариантности формируемой структуры на масштабах Ls Lo. Это проявляется в образовании поликри-сталлических структур материалов, кристаллизующихся в квазиравновес-ных условиях. Размер зерен Ls определяется степенью неравновесности системы (подсистемы) [16]. При этом вследствие масштабной инвариантности неоднородных флуктуаций и сдвига в конденсированных средах, обладающих жесткостью, конфигурации межзеренных и межфазных фаниц в поликристаллах имеют мультифрактальную структуру [16]. [c.133]

Для дефектных нестехиометрических окислов концентрация дефектов может гть оценена в 101 —к)20 а Концентрация неравновесных носителей в окисле тешцняой 10 при освещенности 5 -10 не более 101 -з. [c.38]

Следовательно, после приложения поля концентрация дес ктов данного типа iV(.T, существовавшая в кристалле при отсутствии поля, оказывается неравновесной и будет изменяться со временем в соответствии с (4-15), стремясь к новой равновесной концентрации Если в какой-то момент времени t= снять поле, то концентрация дефектов должна уменьшаться в соответствии с (4-11), стремясь к прежнему значению (рис. 4-6, б). [c.151]

Линейные и двумерные дефекты по всем признакам представляют собой метастабильные конфигурации в кристалле. Однако установление термодинамического равновесия может происходить столь медленно, что эти дефекты практически можно считать замороженными. Легко также создать неравновесную концентрацию точечных дефектов, которая может быть весьма стабильной (например, быстро охладив кристалл, находившийся в состоянии термодинамического равновесия). Путем медленного нагревания и охлаждения можно восстановить равновесное максвелл-больцма-новское значение концентрации точечных дефектов, концентрация же линейных и двумерных дефектов уменьшается при этом до нуля. Такой способ восстановления равновесной концентрации дефектов называется отжигом. [c.238]

Точечные дефекты (вакансии, междоузельные атомы, комплексы вакансий, антиструктурные дефекты) образуются в кристаллах в равновесных концентрациях в тех случаях, когда условия роста не сильно отличаются от равновесных. В то же время при выращивании кристаллов в неравновесных условиях кристалл может захватывать точечные дефекты в неравновесных концентрациях. Поэтому для получения при [c.239]

Таглм образом показано, что неравновесные точечные дефекты -вакансии и межузельные атомы являются главной причиной обргазова-ния ВН в электролитических осадках [43-44]. Превалирующий в структуре осадка тип дефекта кристаллического строения обусловлен свойствами металла и условиями электролиза и определяет знак ВН, Очевидно, что изменяя соотношение дефектов в осадке или уменьшая их концентрацию, можно регулировать ВН и получать малонапряженнне гальванопокрытия. [c.66]

L Концентрация вакансий. В литературе обсуждаются вопросы равновесной концентрации вакансий. Терминологически задача сформулирована не совсем удачно, поскольку в реальном металле всегда присутствуют дефекты кристаллического строения, создающие поля внутренних напряжений. Такое состояние системы можно считать стационарным (по Пригожину), но никак не равновесным. В окружающем мире найти равновесную систему практически невозможно, поскольку все реальные системы структурированы, а это может считаться признаком их неравновесности. [c.101]

JGлиткн монокристаллического кремния марки БО имеют диаметр 54 0,05 мм, длину не менее 100 мм. Ориентация продольной осп монокристаллического слитка [111] отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 2°. Слитки имеют электронный тип электрической 1 оводимостн, интервал УЭС 1,30—1,50 Ом м, время жизни неравновесных носителей заряда не менее 70 МКС. Плотность дислокаций не более 10 м 2 Свирлевые- дефекты отсутствуют. Концентрация атомов оптически активного кислорода не более Ь оптически активного углерода не более 4-10- 2 -з [c.573]

В неравновесной структуре метастабильный аустенит обнаружить легче, чем в равновесной. При наличии дефектов кристаллического строения термодинамический потенциал системы повьш1ается (см. рис. 3, б) . Это приводит к тому, что при реализации а -> 7-превращения в объектах, содержащих несовершенства, устанавливается квазиравновесное состояние, описывающееся конодой а [dl. Это соответствует гораздо меньшей концентрации углерода в аустените (точка d ) по сравнению с равновесной (точка d). Чем более неравновесно состояние исходной ферритокарбидной матрицы, тем меньшей должна быть концентрация углерода в аустените, находящемся в состоянии квазиравновесия с исходной искаженной а-фазой. Это эквивалентно смещению температуры до Т - Следовательно, чем больше степень неравновесности исходной структуры, тем выше эквивалентная температура превращения и тем большим должно быть количество аустенита, образующегося при данной температуре. [c.15]

Основную роль в образовании ростовых микродефектов в выращиваемых монокристаллах играют СТД — вакансии и межузельные атомы. В реальных условиях выращивания монокристаллов, уже на достаточно малых расстояниях от фронта кристаллизации возникают значительные пересыщения по СТД, обусловленные резкой температурной зависимостью их равновесных концентраций в алмазоподобных полупроводниках. Образующиеся избыточные неравновесные СТД аннигилируют на стоках, в качестве которых выступают боковая поверхность слитка и присутствующие в его объеме более крупномасштабные дефекты, прежде всего, дислокации. По отношению к СТд дислокации являются практически ненасыщаемыми стоками. С учетом высокой подвижности СТД при высоких температурах сток на дислокации (при достаточно высокой плотности последних в кристалле) играет основную роль в снятии пересыщения. Однако бездислокационные монокристаллы лишены такого рода эффективных внутренних стоков, а боковая поверхность слитка в силу чисто диффузионных ограничений не может обеспечить снятия пересыщения. В результате, в объеме кристалла образуются пересыщенные твердые растворы СТД, которые в процессе посткристаллизацион-ного охлаждения распадаются с образованием специфических агрегатов, получивших название микродефекты . Следует отметить, что в литературе отсутствует единая точка зрения по поводу определения понятия микродефект . Под этим термином мы будем понимать локальные нарушения периодичности кристаллической решетки, представляющие собой скопления точечных дефектов (собственных или примесных), не нарушающие фазового состояния основного вещества, а также дисперсные выделения второй фазы микронных и субмикронных размеров. [c.48]

Постепенное снижение может быть обусловлено уменьшением концентрации неравновесных вакансий в приповерхностных слоях сплавов из-за падения скорости растворения электроотрицательного компонента. Не исключено, тем не. менее, и искажающее влияние на диффузию в сплаве неэлектрохимических гетерогенных стадий растворения — поверхностной диффузии ад атомо"в, декристаллизации и т. д. Остается вероятным, кроме того, перераспределение во времени массо потоков в теле образца, связанное с проявлением тех или ИНЫХ структурных дефектов. Так, хроноамперометри-ческое изучение СР е- и -латуней в неводных средах показало [80J, что кривые спада тока во времени линеаризуются в координатах описывающих совместный [c.59]

Резкие изменения — скачки проводимости в зависимости от изменяющейся напряженности электрического поля — могут наблюдаться не только в области фазовых переходов или при электрическом пробое, но и при инжекции электронов и дырок в диэлектрик. Процессы инжекции происходят в сравнительно сильных электрических полях и приводят к различным неравновесным явлениям, наиболее важные из которых обусловлены током, ограниченным пространственным зарядом (ТОПЗ). Избыточные электроны или дырки, введенные в кристалл при инжекции из электродов, позволяют получить важную информацию о концентрации и структуре дефектов в диэлектриках и широкозонных полупроводниках. Миогие структурные дефекты в кристаллах оказываются своеобразными ловушками , которые захватывают инжектированные носители за- [c.46]

Перечисленные выше факторы интенсифицируют процесс спекания главным образом увеличением концентрации равновесных дефектов. Гораздо большими возможностями располагают материалы с высокой концентрацией неравновесных и отруктурно-чув- [c.32]

Формирование твердых фаз в неравновесных условиях. Порошки окислов и ферритов, полученные в результате топохимического процесса, характеризуются высокой концентрацией неравновесных дефектов [223], существенно влияющих на скорость спекания. Так, например, окись магния, полученная разложением Mg Os, спекается настолько интенсивно, что при горячем прессовании (600°С) пористость практически падает до нуля. В то же время кристаллическая окись магния, не имеющая указанных выше дефектов, начинает спекаться лишь при 1400°С [224]. [c.36]

В работе [70] особенности поведения таких механических свойств как микротвердость и модуль упругости при уменьшении размера зерен рассмотрены в рамках статистической модели ансамбля зернограничных дефектов. Ансамбль дефектов типа микросдвигов и микротрегцин на развитых стадиях деформации обладает явными признаками коллективного поведения. Концентрация таких дефектов очень высока и достигает 10 -10 см , поэтому причину появления кооперативных эффектов можно рассматривать как чисто термодинамическую. Вместе с тем каждый из элементарных дефектов (межзеренная граница или микротрегцина) в обгцем случае является термодинамически неравновесной системой. [c.160]

При заданной скорости световой генерации неравновесных носителей заряда их стационарная концентрация пропорциональна врбмени жизни носителей, т. е. времени пребывания их в свободном состоянии до захвата на уровни дефектов или примесей [c.38]

При пластической деформации возрастает концентрация точечных дефектов — вакансий и межузельных атомоз. Точечные дефекты генерируются порогами скользящих винтовых дислокаций, при аннигиляции краевых дислокаций противоположного знака в соседних параллельных плоскостях скольжения и возникают по другим причинам. С повышением температуры деформирования неравновесный избыток точечных дефектов уменьшается из-за ускорения стока их к дислокациям и границам зерен, происходящего в процессе деформирования. [c.40]

В сильно неравновесных условиях формирования структуры возникновение метастабильных нанометрических заряженных кластеров может оказаться вполне реальным процессом. В ряде случаев генезис поверхности протекает при сильном нарушении термодинамического равновесия, как между полупроводником и окружающей средой, так и между формирующейся поверхностной фазой и объемом кристалла. Эти процессы часто протекают при высоких температурах и значительных градиентах концентрации реагирующих ве-шеств. В этой ситуации часть дефектов в силу синергетических принципов может самоорганизовываться в ассоциаты и метастабильные кластеры. При быстрой стабилизации системы — резком охлаждении, затвердевании и т.д. часть дефектов "замораживается" и, находясь в достаточно глубоких потенциальных ямах, обладает малой подвижностью в охлажденной матрице. Они могут длительное время существовать как метастабильные состояния, в том числе и в заряженной форме. Такие дефекты часто называют "закалочными". Это могут быть кластеры гидроксильных групп на поверхностях оксидов, нанометрических фрагментов 81 и 8102 на межфазной границе [c.204]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...