Собственные дефекты

В силу линейности системы томографическое изображение собственно дефекта описывает разность [c.442]

В широком диапазоне температур график зависимости логарифма удельной проводимости у от обратной величины абсолютной температуры Т должен состоять из двух прямолинейных участков с различными значениями угла наклона к оси абсцисс (рис. 1-22). При температуре выше точки излома (А) проводимость определяется в основном собственными дефектами. Это — область высокотемпературной или собственной электропроводности. Ниже излома, [c.46]

Верхним пределом низких температур для данного соединения следует считать температуру, при которой концентрация собственных дефектов равна концентрации примесей. [c.47]

В некоторых случаях даже фирменная прокладка может подвести. Во-первых, если у нее собственные дефекты, это прежде всего, повреждения уже упомянутой окантовки. Поэтому, покупая прокладку, обратите внимание на то, чтобы окантовка была ровной, без забоев, трещин, разрывов. Каждый такой дефект может стать впоследствии причиной местного перегрева, прогара прокладки, калильного зажигания и Т.Д. [c.40]

Несмотря на то что зеркальную поверхность можно получить, изменяя отношение плотностей потока Аз—Оа в широких пределах, можно ожидать, что это отношение влияет на процесс введения примесей и концентрацию собственных дефектов. Концентрация примесей и собственных дефектов может в свою очередь влиять на оптические и электрические свойства выращенных слоев. При выращивании ОаАз отношение Аз—Оа в молекулярных пучках влияет и на введение Ое как амфотерной примеси [141], и на введение Мп и С [170]. Германий является примесью Аг.-типа для поверхностей ОаАз, стабилизированных по Аз, и примесью р-типа для поверхностей, стабилизированных по Оа. При большом отношении Аз—Оа концентрация акцептора Мп в узлах Оа увеличивается, а концентрация акцептора С в узлах Аз уменьшается. [c.162]

Рассеяние обусловливается тем, что материал не является строго однородным. В нем имеются граничные поверхности, на которых звуковое сопротивление внезапно изменяется, поскольку там соприкасаются по сути два вещества с различной плотностью или скоростью звука. Такими неоднородностями могут быть, во-первых, просто посторонние включения, например неметаллические включения в поковках или поры. Во-вторых, ими Могут быть собственно дефекты материала — естественные или намеренно полученные, как пористость в материалах, изготовленных методами порошковой металлургии. Однако возможны и материалы, неоднородные по самой своей природе, например литейный чугун, который представляет собой конгломерат зерен феррита и графита, совершенно различных по своим упругим свойствам. В других случаях кристаллиты различной структуры и разного химического состава как бы пронизывают друг друга, как в латуни и сталях. Но даже если материал состоит только из кристаллов одного вида, он может быть неоднородным для ультразвуковых волн, если зерна расположены беспорядочно, поскольку отдельные кристаллы всегда имеют различные упругие свойства в различных направлениях, а следовательно, и разные скорости звука. Такие материалы называют анизотропными. Упругая анизотропия является обязательным свойством металлов только у разных металлов она проявляется более или менее резко. [c.129]

Из-за высокой концентрации собственных дефектов (5 10 см ) соединения этого типа имеют устойчивый тип проводимости, не меняющийся при введении в кристалл атомов компонентов в концентрациях выше стехиометрических физические свойства этого типа соединений слабо зависят от примесей, а подвижности носителей заряда низки. [c.81]

ДЕФЕКТЫ I [СОБСТВЕННЫЕ ДЕФЕКТЫ>- [c.88]

Рассмотрим сначала собственные дефекты, а затем примеси. [c.89]

До сих пор речь шла о химической чистоте вещества. Однако понятие чистоты вещества значительно шире. В частности, в электронной технике при использовании полупроводников важна не только степень химической чистоты, но и отсутствие собственных дефектов в кристаллической решетке. Эти дефекты, так же как и химические примеси, сильно влияют на свойства полупроводников. Следует отметить, что концентрации собственных дефектов ( физическая чистота) и примесей (химическая чистота) взаимосвязаны, поскольку структурное совершенство кристаллов во многом зависит от наличия примесей в кристаллической решетке, а предел химической чистоты кристалла часто определяется типом и количеством собственных дефектов, образующихся при выращивании. [c.191]

Для полупроводниковых соединений характерен тот же интервал значений Ко, что и для Ое и 51, но большее количество примесей имеет Ко > I я корреляция коэффициентов разделения с ковалентными радиусами примесей более слабая. Очистка полупроводниковых соединений сопряжена с большими трудностями, чем очистка элементарных полупроводников. Поэтому обычно очистку соединений начинают с очистки входящих в соединение компонентов, а затем производят синтез предварительно очищенных компонентов. Суммарное содержание остаточных примесей в исходных материалах обычно составляет величину и10 -10 %. Часто синтез совмещают с последующей дополнительной очисткой соединения путем направленной или зонной кристаллизации расплава (см. ниже). Однако, как правило, даже в чистом с химической точки зрения соединении остаются собственные дефекты, возникающие из-за отклонения состава от стехиометрического (неточности в соотношении числа атомов компонентов в соединении относительно формульного состава). К таким соединениям относятся, например, соединения [c.200]

Основными недостатками бестигельной зонной плавки являются трудность управления величинами температурных градиентов вблизи фронта кристаллизации и трудность управления распределением температур вдоль слитка, что ведет к достаточно высокой концентрации собственных дефектов в выращиваемых кристаллах. [c.234]

Градиенты температуры (в основном осевой), кроме того, зависят от скорости кристаллизации вследствие выделения скрытой теплоты кристаллизации. С увеличением скорости выращивания осевой градиент температуры уменьшается. Следует иметь в виду, что на процессы роста вытягиваемого из расплава кристалла значительное влияние оказывает также характер распределения температуры в расплаве. Большие градиенты температуры в расплаве приводят к конвективным потокам в нем, что, в свою очередь, приводит к хаотическим колебаниям температуры на фронте кристаллизации и скорости роста кристалла, а следовательно, к увеличению количества собственных дефектов в кристалле. [c.242]

Помимо перечисленных собственных дефектов при выращивании полупроводниковых материалов могут возникать и неоднородности состава кристаллов, обусловленные технологическими причинами. Рассмотрим основные факторы, приводящие к таким неоднородностям. [c.245]

Таким образом, в сильно легированном полупроводнике электрически активная примесь может существовать в нескольких формах одиночные примесные атомы (ионы) ассоциации примесных атомов различного типа ассоциации, состоящие из примесных атомов и собственных дефектов. [c.280]

Важнейшим следствием, вытекающим из приведенной зависимости, является высокая чувствительность скорости диффузии по вакансионному механизму к наличию собственных дефектов. Наличие дефектов облегчает установление равновесной концентрации вакансий, способствует ускорению диффузии и уменьшению ее энергии активации. По этой причине в поликристаллических образцах диффузия примесей происходит в основном по межкристаллитным границам. [c.290]

Диффузия в полупроводниковых материалах имеет ряд особенностей. Важнейшей из этих особенностей является наличие в полупроводниках электрически активных примесей и собственных дефектов, прежде всего вакансий. Кулоновское взаимодействие между ними изменяет подвижность, концентрацию и характер распределения дефектов и соответственно условия и скорость диффузии. Важно также, что влияние примесей в полупроводниках проявляется при весьма малых концентрациях. Кроме того, на процессы диффузии в полупроводниках сказывается и низкая компактность решеток последних. [c.309]

Квантовая диффузия — диффузия собственных дефектов (типа вакансий или примесей), происходящая посредством квантового тупнелирова Н1я дефекта из одного равновесного положения в другое. [c.281]

Таким образом, дефектообразование при распаде пересыщенных твердых растворов избыточных компонентов носит достаточно сложный характер и может сопровождаться появлением в кристаллической решетке соединения микродефектов различной природы. В связи с тем, что существенные пересыщения в твердых растворах избыточных компонентов достигаются при относительно невысоких температурах (в сравнении с пересыщением по равновесным собственным дефектам), образующиеся при их частичном распаде в процессе посткристаллизационного охлаждения монокристалла микродефекты должны иметь существенно меньшие размеры. Тепловые условия выращивания (в первую очередь темп охлаждения выращиваемого кристалла) должны оказывать существенное влияние на характер микродефектообразования. Последующие термообработки таких кристаллов могут приводить к укрупнению микродефектов и изменению их объемной концентрации. [c.58]

Основные продукты окисления — высшие оксиды МеОа. Основной механизм массопереноса — диффузия ионов О " в МеОа — полупроводники -типа (собственные дефекты — кислородные вакансии). Окисление титана во влажном воздухе сопровождается образованием наряду с рутилом фаз TiO, TiaOa и TigOa. Выше 850 С кинетика окисления титана описывается сначала уравнением (19) с последую- [c.408]

Яимая для их дрейфа, сравнительно низка (см. табл. Ь2). Нали -чием примесей и вакансий и определяется в основном область так называемой низкотемпературной проводимости кристаллов. Как уже-отмечалось, энергия которая требуется для образования дефекта,, значительно больше, чем энергия, необходимая для его дрейфа Поэтому собственные дефекты, возникшие из-за тепловых флуктуаций в кристалле, определяют проводимость кристалла лишь при температурах, довольно близких к температуре плавления кристалла (для многих щелочно-галогенидных кристаллов при температуре выше 500—600 °С). [c.46]

Как указывалось выше, видимое проявление эмульсионных зерен протекает по автокаталитическому закону (60), справедливому, начиная лишь с некоторого критического размера зародыша. До этого размера зародыш существует в виде субцентра и может проявляться в виде собственного дефекта кристаллической решетки (вуали), аналогично некаталитической химической реакции [95], с энергией активации приблизительно 40 ккал молъ (не экспонированный фотослой). [c.552]

Селенид олова не кристаллизуется в структуре каменной. соли, поэтому в этой системе не существует непрерывного ряда твердых растворов во всей области составов. В зависимости от температуры максимально достижимая величина х лежит между 0,4 и 0,5. Имеются данные только по фазовым диаграммам конденсированных фаз бинарных соединений [93], псевдобинарным равновесиям между жидкой и твердой фазами и кривым метасолидуса [87, 91]. Сообщений об исследовании легирования этих. соединений нет, по-видимому, вследствие большой концентрадии собственных дефектов (10 —10 см- ). Контроль концентрации носителей путем введения примеси может быть осуществлен только в материале, который был выращен или отожжен при. низких температурах (с 650°С), а также при условии, что имеется примесь, растворимая в больших количествах. [c.127]

Дефекты могут быть разделены на две основные группы собственные дефекты и примеси (рис. 3.1). Если за основу классификации принять размеры и протяженность областей рещетки кристалла, на которые распространяется действие дефектов, то все дефекты могут быть разделены на [c.87]

В ряде случаев рост эпитаксиальных пленок GaAs может сопровождаться нежелательным легированием глубокими примесями или появлением уровней собственных дефектов. Наличие глубоких примесей в полупроводнике может приводить к захвату носителей заряда и уменьщению их времени жизни. Эти эффекты оказывают влияние на многие характеристики полупроводниковых приборов, изготовленных из этого материала, например, на токи утечки, щумы диодов и транзисторов они проявляются при переходных процессах во всех транзисторах, диодах и источниках света на основе GaAs. В транзисторах, изготовленных из GaAs, эффекты захвата связываются с примесью кислорода. [c.137]

РЬТе и РЬ1 5п Те. В состав установки входят несколько (обычно два) реакторов, которые используются для получения слоев разных материалов или слоев разного типа проводимости, а также подвижный подлож-кодержатель, перемещение которого между реакторами позволяет сформировать сверхрещетку. Выращивание слоев производится в вакууме порядка 10 мм рт. ст. Условия роста определяются температурами двух источников-испарителей, стенок и подложки. Для управления типом проводимости отдельных слоев используют два способа регулируемое отклонение состава от стехиометрии, то есть легирование электрически активными собственными дефектами, и легирование примесями [53]. В первом случае в дополнительные резервуары реакторов загружают чистый теллур, давлением паров которого и определяется тип проводимости материала, так как избыток халькогена в РЬТе дает дырочную проводимость, а избыток свинца — электронную. Уровень легирования при этом определяется температурой резервуара с теллуром и существенно зависит от температуры подложки. [c.355]

Смотреть страницы где упоминается термин Собственные дефекты : [c.99] [c.128] [c.23] [c.124] [c.186] [c.128] [c.192] [c.547] [c.89] [c.89] [c.91] [c.93] [c.95] [c.97] [c.99] [c.101] [c.103] [c.105] [c.109] [c.111] [c.113] [c.115] [c.224] [c.245]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...