Кремний монокристаллический

Кремний монокристаллический. Искусственно выращенные из расплава монокристаллы с размером в поперечном сечении до 50 мм. Основное назначение — в полупровод- [c.100]

Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей (ТУ 48-4-464—85, ОКП 17 7591), выпускается в виде нелегированных и легированных теллуром или кремнием монокристаллических слитков, выращенных по методу Чохральского. Длина и диаметр слитков не менее 20 мм. Плотность [c.579]

Примечание. Буквы в обозначении марок означают Э — эпитаксиальная структура К — кремний монокристаллический Д лт Э — соответственно дырочная или электронная проводимость легирующие примеси Б — бор С — сурьма Ф — фосфор. [c.339]

Кремний — крупнокристаллический порошок серого металлического цвета, твердый, хрупкий. Сверхчистый кремний (монокристаллический) — полупроводниковый материал. Кремний (табл. 8) используют для легирования цветных сплавов. Для легирования сплавов применяется кристаллический кремний. Поставляется кремний в кусках нерегламентированной формы, размером не менее 20 мм. Содержание ме- [c.136]

Примечание. Условные обозначения Э —эпитаксиальная структура К — кремний монокристаллический Д—дырочная проводимость Э (на третьем месте) — электронная проводимость. Легирование Б — бором С — сурьмой Ф — фосфором. [c.466]

Параметры кремния монокристаллического соответствуют требованиям, указанным в табл. 9.25, [c.472]

СО УДЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ (КРЕМНИЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ п-ТИПА), (КОМПЛЕКТ) [c.110]

Монокристаллические заготовки кремния выращивают нз расплава, медленно вынимая из него зародышевый кристалл (процесс Чохральского). Затем заготовку нарезают на тонкие матрицы толщиной в сотню микрон (поскольку режущий инструмент имеет такую же толщину, то половина кремния обращается в пыль ). После этого матрицы полируют, что также приводит к потерям материала, и, наконец, устанавливают в батарею. [c.101]

Эпитаксиальный метод. Он состоит в осаждении на пластину, например кремния г-типа, монокристаллической пленки кремния р-типа (см. 2.3). На границе этой пленки и пластины образуется р— -переход. [c.219]

В [202 ] приведены экспериментальные результаты маркировки тонкой пластины монокристаллического кремния на двух ее поверхностях. Лицевая сторона пластины имеет лучшее качество поверхности, чем обратная. Следовательно, энергия, необходимая для лазерного печатания цифр, будет различной для обеих сторон. Результаты обработки пластины кремния зависят от наличия окисной пленки с увеличением толщины последней существенно ухудшается качество, обработанная поверхность становится более неоднородной. [c.156]

Система печатания цифр на поверхности монокристаллического кремния, феррита и других неметаллических материалов, поглощающих лазерное излучение, может управляться автоматически и производить печатание как одиночных цифр, так и целого их набора с достаточно большой производительностью. Так, для печатания одной цифры и автоматической ее смены, т. е. на весь цикл, требуется одна секунда [202]. [c.156]

В табл. 75 и 76 приведены некоторые электрофизические параметры слитков монокристаллического кремния. [c.569]

Удельное электрическое сопротивление и ориентация продольной оси монокристаллического слитка для различных марок кремния (ТУ 48-4-466—85) [c.572]

Монокристаллический кремний для фотоприемников (ТУ 48-4-363—75) получают как методом бестигельной зонной плавки (ОКП 17 724 марки КБ), так и методом Чохральского (ОКП 17 7214 марки КЧ), дырочного и электронного типа электрической проводимости (легированы бором и фосфором соответственно). [c.573]

Монокристаллический кремний, полученный методом бестигельной зонной плавки из поликристаллического кремния водородного восстановления (ТУ 48-4-253—73, ОКП 17 7221), предназначенный для производства полупроводниковых приборов, выпускается марки КВД (кремний водородный дырочного типа электрической проводимости). [c.573]

Слитки монокристаллического кремния в зависимости от типа проводимости, удельного электрического сопротивления, диаметра делят на группы и подгруппы (табл. 9.4). [c.338]

Кремний монокристаллический (ГОСТ 19658—74) получается методом Чохрапъского в виде монокристалличе-ских слить ов диаметром, мм, для подгрупп а — 33,5 б — 42,5 в — 52,5 г — [c.181]

Кремний монокристаллический (ГОСТ 19658-81). Кремний изготовляют в виде монокристаллических слитков, получаемых методом Чох-ральского, по требованиям, указанным в табл. 9.18. [c.466]

Кремний моиокристаллический для источников тока (ТУ 48-4-258-73). Кремний монокристаллический, предназначенный для нроизводства полупроводниковых источников тока. [c.472]

Кремний монокристаллический поставляется в виде слитков, леги-рованнЬ1х бором или фосфором. [c.472]

Кремний. Несмотря на исключительное расдространение на земле, в свободном состоянии не встречается. Выделение его в чистом виде представляет сложную техническую задачу. Чистый Кремний — крупнокристаллический порошок серого металлического цвета, хрупкий, твердый. Сверхчистый кремний (монокристаллический) является полупроводниковым материалом. Основное назначение кремния в машиностроении — является легирование стали и сплавов цветных металлов. Для этой цели применяется кремний кристаллический ГОСТ 2169-43, получаемый путем восстановительной плавки кварца или кварцита (табл. 37). Кремний кристаллический марки Кр-0 предназначается для изготовления высококачественных специальных сплавов марки Кр-1 — силуминов и других сплавов марки Кр-2 — для подшихтовки при выплавке алюминиевых и других сплавов, не требующих особой чистоты кремния марки Кр-3 — для химикотермических процессов восстановления, для получения водорода, для пиротехнических и других целей. В кремнии, предназначенном для алюминиевокремниевых сплавов, допускается повышенное содержание алюминия против приведенных форм. Кремний поставляется в кусках разнообразной формы размером не менее 20 мм. Содержание мелочи не должно пре-вшпать 10% партии по весу. [c.143]

Маркировку германия и кремния производят по буквенно-цифровой системе. Германий электронный, легированный сурьмой, обозначают ГЭЛС. За буквами цифры указывают удельное сопротивление ом- см (ом-м), а если их две группы, как, например, 0,3/0,2, то первые (0,3) означают удельное сопротивление, а вторые (0,2) — диффузионную длину неосновного носителя тока, мм. В целом марка выглядит так ГЭЛС 0,3/0,2. Германий дырочный, легированный галлием, обозначают ГДЛГ. Вслед за буквами указывают цифрами удельное сопротивление ом - см и диффузионную длину неосновного носителя тока, мм. Кремний монокристаллический дырочный маркируют КМ-2, где цифра показывает удельное сопротивление ом см кремний монокристаллический электронный маркируют КМЭ-2. [c.154]

Германий поликристаллический зонноочшценный (ГОСТ 16154—70) предназначен для изготовления монокристаллического германия, производства сплавов германия и кремния, заготовок для оптических деталей и других целей. Изготовляется трех марок [c.193]

Минимальные допускаемые отклонения от плоскопараллель-ности на концевых мерах длины первого разряда 0,1 мкм, плоскостности контрольного бруска 0,06 мкм. Минимальные практически полученные отклонения от плоскостности на образцах 050 мм из плавленого кварца и монокристаллического кремния при полировании—(0,01. .. 0,1) Я/2, где = 0,6 мкм — длина волны света. [c.7]

При осуществлении зонной очистки пруток крепится по концам в горизонтально или вертикально расположенной кварцевой трубке, заполненной инертным газом, и нагревается в одном месте. Расплавленный металл сохраняет форму прутка за счет поверхностного натяжения и эффекта удержания его в подвешенном состоянии, создаваемого электромагнитным полем. Этот метод имеет прикладное значение как одна из стадий промышленного производства кремния и Германия очень высокой степени чистоты для полупроводниковой техники. Монокристаллы этих металлов в виде прутков могут быгь получены путем внесения монокристаллической затравки в первую порцию расплавленной зоны с последующим медленным перемещением этой зоны вдоль осн прутка, обычно снизу вверх. На рис. 7 показан монокристалл германия. [c.25]

Слитки монокристаллического кремния, легированные бором (Б) или алюминием (А), изготовляютдырочиого (Д) типа электрической проводимости, и легированные фосфором (Ф), сурьмой (С) или мышьяком (М), а также фосфором и золотом (ФЗ) — электронного типа. Технические требования на слитки могут быть уточнены или изменены по согласованию между изготовителем и потребителем. [c.569]

Пример условного обозначения слитков 1А1КЦ КДБ 7,512,5-76 ТУ 48-4-295—82, Где 1А1 — подгруппа марок кц — индексы дополнительных требований КДБ — монокристаллически й слиток кремния, выращенный по методу Чохральского, дырочного типа электрической проводимости, легированный бором 7,5 — номинал удельного электрического сопротивления. Ом-см [c.569]

Монокристаллический кремний в слитках (ГОСТ 19658—81, ОКП 17, 7930), предназначенный для приготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл—диэлектрик—полупроводник, легированный, бором (Б) (марки ЭКДБ), изготовляют дырочного типа электрической проводимости (Д), и легированный фосфором (Ф) (марки ЭКЭФ) или сурьмой (С) [c.572]

Монокристаллический кремний, предназначенный для производства полупроводниковых источников тока (ТУ 48-4-258—80, ОКП 17 7215), изготовляется в виде монокристаллических слитков, полученных по методу Чох-ральского, диаметром 40—55 мм и длиной ие менее 50 мм. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [111] или по согласованию с [c.572]

Монокристаллический кремний, полученный бестигельной зонной плавкой, легированный фосфором в процессе нейтронной активации, предназначенный для производства силовых полупроводниковых приборов, выпускается либо марки БО — бестигельный однороднолегированный (ТУ 48-4-449—83), либо марки КОФ — кремний однородный, легированный фосфором (ТУ 48-4-443—83, ОКП 17 7222). [c.573]

JGлиткн монокристаллического кремния марки БО имеют диаметр 54 0,05 мм, длину не менее 100 мм. Ориентация продольной осп монокристаллического слитка [111] отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 2°. Слитки имеют электронный тип электрической 1 оводимостн, интервал УЭС 1,30—1,50 Ом м, время жизни неравновесных носителей заряда не менее 70 МКС. Плотность дислокаций не более 10 м 2 Свирлевые- дефекты отсутствуют. Концентрация атомов оптически активного кислорода не более Ь оптически активного углерода не более 4-10- 2 -з [c.573]

Слиткн монокристаллического кремния марки КВД поставляются диаметром 18—23 мм и длиной не менее 30 мм. Ориентации продольной оси монокрнс- [c.573]

Плотность дислокаций в монокристаллических слитках кремния (ГОСТ 19658—81) менее 10 см , что позволяет считать их бездислокаци-онными. Слитки кремния легируют бором (Б), создающим дырочный тип электропроводимости, фосфором (Ф) или сурьмой (С), создающими электронный тип электропроводимости. [c.379]

Основными компонентами этих материалов являются железо (до 70%), алюминий (до 14%), никель (до 25%), медь (до 4%), кобальт (до 42%), титан (до 9%). Металлы обозначаются в марках следующими буквами Ю — алюминий, Н — никель, Д — медь, К — кобальт, Т — титан, С — кремний, Б — ниобий. Цифры после букв в обозначении означают содержание металла в %. Кристаллическая структура сплава обозначается буквой А — столбчатая равноосная, АА — монокристаллическая. Например, сплав марки ЮН 14ДК25БА означает, что он содержит алюминий, никель (14%), медь, кобальт (25%), ниобий и имеет столбчатую кристаллическую структуру. [c.146]

Для производства полупроводниковьж приборов широко применяются элементарные полупроводники, которые обладают поликристаллической или монокристаллической структурой, из которых наибольшее применение нашли германий и кремний. Из легированных монокристаллов германия или кремния вырезают пластины, которые являются основой для изготовления приборов и интегральных микросхем. [c.335]

Для производства полупроводниковых приборов использу-кэтся монокристаллические слитки кремния. В качестве легирующих примесей используются фосфор или бор, которые [c.337]

Монокристаллические слитки кремния, используемые в производстве силовой полупроводниковой техники, в зависимости от способа их получения обозначают либр буквами А, Б, В, Г без индексов и с индексами, либо двумя буквами, одна из которых Б, другие А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И (метод зонной плавки). Сведения о монокристаллическом кремнии, полученном тем или другим способом, приведены в табл. 9.5. [c.339]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...