Число смещений

ИЗ г В / в среднем будет переходить большее количество частиц, и после достаточно большого числа смещений система приходит в стационарное состояние, при котором [c.184]

Атомный Элемент Переход между термами Длина волны X, Массовые числа смещение линий [c.848]

В отличие от идеального кристалла, в кристалле с дислокациями процесс скольжения протекает не путем одновременного перемещения всех атомов в плоскости скольжения, а только небольших групп, что соответствует движению дислокаций. Легкость перемещения дислокаций объясняется тем, что потенциальная энергия кристалла в зоне дислокаций выше, чем энергия в зонах, где дислокация отсутствует, поэтому напряжение, необходимое для осуществления сдвига, значительно меньше, чем для бездислокационного металла. Так как одна дислокация приходится на 10 атомов, то общее число смещенных атомов при деформации металла будет большое. Схема сдвига в кристалле, обусловленного последовательным перемещением дислокации при приложении силы Р, дана на рис. 56. Возникшая у одной грани кристалла дислокация (рис. 56, б) перемещается вдоль плоскости скольжения АА (рис. 56, в) к противоположной стороне кристалла, образуя на поверхности ступеньку (рис. 56, г). При этом верхняя половина кристалла смещается относительно нижней на расстояние, равное вектору Бюргерса. Упрочнение при пластической деформа- [c.78]

Задача расчета числа смещений решается в два этапа. Во-первых, необходимо рассчитать число атомов отдачи, получившихся при первичных столкновениях бомбардирующих частиц с атомами решетки, и, во-вторых, число смещений, получившихся при вторичных столкновениях атомов отдачи с атомами решетки. Чтобы решить первую задачу, нужно знать пороговую энергию и дифференциальное сечение используемого излучения. Для большинства типов излучения дифференциальные сечения хорошо известны. [c.279]

Скорость образования смещения выражается в единицах см , поскольку это есть число смещений в 1 слг , деленное на число бомбардирующих частиц, падающих на 1 см . Скорость образования смещений была рассчитана в предположении, что пороговая энергия равна 25— 30 эв. Хорошее согласие опытных значений скорости образования смещений с расчетными свидетельствует о том, что эта величина пороговой энергии была выбрана правильно. С другой стороны, непосредственно из опыта получено значение пороговой энергии около 14 эв. Это противоречие объяснить не удалось. [c.280]

Мы видели, что число смещений, вызванных первичными атомами отдачи в случае бомбардировки нейтронами, очень велико. Это обусловлено столкновениями типа твердых шаров, характерного для нейтронов. Таким образом, несмотря на то что вероятность столкновения нейтрона с ядром атома очень мала, в результате таких столкновений атому мишени передается относительно большая часть максимально возможной передачи энергии. При облучении заряженными частицами вероятность смещающих столкновений больше, но в этом случае атому мишени передается в среднем небольшая часть максимально возможной передачи энергии. Исходя из этого, можно полагать, что при нейтронной бомбардировке дефекты должны группироваться главным образом в небольших областях вблизи мест локализации первичных процессов, тогда как в случае других видов облучения пары вакансия — междоузлие должны распределяться более равномерно. Это особенно верно для у-излучения. [c.280]

Число вторично, третично и т. д. выбитых атомов обычно во много раз больше числа первично выбитых. Для оценки всех смещений необходим анализ каскадного процесса, начатого первичным атомом. При расчете такого рода процессов предполагается, что существует некоторая пороговая энергия смещения. Если атом решетки получает энергию больше пороговой, то он смещается из узла решетки, если меньше, то смещения не происходит. Установлено, что для смещения атомов требуется энергия Ed порядка 25 эВ. Тогда может быть рассчитано общее число смещенных атомов Л/а в единице объема при взаимодействии с частицами, проходящими через вещество [c.87]

Температура—один из основных факторов, влияющих на степень радиационных нарушений в материалах. Бомбардировка нейтронами приводит к образованию точечных дефектов, дальнейшая судьба которых определяется температурными условиями. Миграция дефектов к местам стоков, аннигиляция парных дефектов Френкеля, образование комплексов и другие диффузионные (процессы связаны с температурой. Число смещенных атомов в момент взаимодействия излучения с веществом при низкой и высокой температуре одинаково однако, так как подвижность дефектов при высокой температуре больше, они скорее аннигилируют. Это приводит к уменьшению концентрации дефектов, а следовательно, к меньшему изменению свойств при облучении. [c.91]

Однако реальные спектры значительно отличаются от спектра нейтронов деления, поэтому данный метод не решает полностью задачу определения флюенса нейтронов. Применяется также метод оценки повреждающего потока с помощью расчета числа смещенных атомов углерода на единицу эквивалентного потока деления по никелю [c.97]

Число смещений атомов углерода на единицу эквивалентного потока деления [c.97]

Радиационные нарушения в графите и степень изменения свойств в первом приближении определяются числом смещен- [c.97]

Закономерности поведения графита можно качественно-объяснить на основании модели радиационных дефектов. Известно, что в структуре графита при нейтронном облучении создаются два вида дефектов — смещенные атомы и вакансии. Смещенные атомы обладают высокой подвижностью, и большая часть из них занимает вакантные места в решетке, а оставшиеся— образуют молекулярные комплексы. Размеры и число комплексов обусловлены прежде всего температурой облучения. Так, электронномикроскопические исследования показали, что при температуре облучения 150°С образуются равномерно распределенные скопления размером в 40 А. При температуре ниже 500° С, когда вакансии малоподвижны, число смещенных атомов в небольших скоплениях равно примерно числу вакансий. [c.191]

При выборе эквивалента радиационного повреждения исходили из процессов взаимодействия падающей частицы с атомами вещества, не включающих процесс отжига возникающих при этом точечных дефектов, — в экспериментах по ионному и электронному облучению, как правило, имитируется доза, выраженная в числе смещений на атом. Из экспериментальных данных следует, что на развитие радиационного распухания существенно влияют структура первичных повреждений, наличие напряжений в облучаемом образце (под напряжением находятся оболочки твэлов, являющиеся основным объектом исследования реакторного повреждения, и распухающие слои в имитационных экспериментах) и зависимость от интенсивности облучения (т. е. от числа смещений / а с) соотношения скорости создания точечных дефектов и скорости их исчезновения на стоках. [c.117]

В процессе ионной бомбардировки в материал вводятся чужие атомы, пик в распределении которых расположен за пиком повреждения., где концентрация внедренных атомов для потоков, эквивалентных 10 н/см , достигает нескольких атомарных процентов. Этот эффект не имеет последствий в случае облучения собственными ионами мишени, но возможно изменение в химическом составе, когда сорт падающих ионов отличается от сорта ионов мишени. Изменение химического состава в процессе ионного облучения наблюдается в сталях и вообще в сплавах. Следует отметить, что даже бомбардировка собственными ионами представляет собой введение дополнительных межузельных атомов, влияние которых возрастает с уменьшением дислокационной плотности и числа смещений на один внедренный атом (число смещений на один внедренный атом не должно быть меньше 100, иначе необходимо учитывать дополнительное количество межузельных атомов). Влияние внедренных атомов на распухание предполагается наиболее эффективным при температуре максимума распухания [231. [c.119]

Кроме воздействия на пластические свойства и предел ползучести скопления вакансий, возникающих при облучении быстрыми нейтронами, могут вызывать довольно значительное увеличение объема [5] при образовании вакансионных пор, которые можно наблюдать с помощью электронного микроскопа. На рис. 8.2 показано увеличение объема, которое наблюдалось в аустенитной стали 316 и сплавах типа PE Q. Этот эффект можно воспроизвести в ускорителях, и если допустить, что эффекты от обоих видов облучения одинаковы, то при эквивалентном числе смещений на 1 атом можно сделать выводы о распухании материалов активно зоны реакторов на быстрых нейтронах. На рис. 8.3 показана зависимость увеличения объема от температуры для образцов, облученных в ускорителях. Холоднодеформированный материал менее склонен к распуханию, чем отожженный, вероятно, вследствие ограничивающего действия закрепленных дислокаций на переме- [c.95]

С увеличением числа смещение потока в радиальном направлении в ступенях этого типа возрастает, и наоборот, при О эти смещения уменьшаются до нуля. [c.193]

Другими словами, система достигает равновесного канонического распределения. Среднее значение А ) сначала флуктуирует нерегулярно, но по мере увеличения М оно стабилизируется вблизи своего равновесного значения. Число смещений, необходимое для достижения равновесия, зависит от разумности выбора величины а. [c.302]

Существование деформационного упрочнения при ионной имплантации подтверждается, в частности, сходством микроструктур ионно-легированных и деформационно-упрочненных материалов. Вместе с тем ионная обработка приводит к появлению большого числа точечных дефектов, подвижность которых во многом определяет эффективность предложенного механизма упрочнения. Если имплантируемые атомы располагаются преимущественно в замещающих положениях, то при достижении концентрации легирующей примеси в несколько процентов оказывается существенным упрочнение за счет образования растворов замещения. Несоответствие радиусов примесных и основных атомов решетки приводит к появлению полей упругих напряжений, блокирующих движение дислокаций. Такой механизм упрочнения характерен для легирования ионами средних и больших масс. Расчеты показывают, что в большинстве случаев при торможении таких ионов число смещенных атомов в расчете на один имплантированный значительно больше единицы и твердорастворное упрочнение должно проявляться при более высоких концентрациях, чем деформационное. Образование метастабильных твердых растворов и отмеченная выше допустимость значительных отклонений от правила Юм-Розери усиливают значение рассмотренного механизма упрочнения. Твердорастворное упрочнение имеет место и при легировании легкими ионами, [c.91]

Нарушение технологии сварки, в том числе смещение сварочной проволоки или электрода от оси сварочной ванны. [c.213]

Скорость и степень изменения свойств различных твердых тел под влиянием облучения быстрыми нейтронами зависят, очевидно, от двух факторов 1) числа смещенных атомов, 2) доли смещенных атомов, которые не возвращаются в исходное состояние. [c.243]

При охлаждении кристалла с перескакивающими ионами несколько ионов могут одновременно сместиться в одном направлении. При этом возникает внутреннее поле, вызванное смещением этих ионов и их электронных оболочек. При температуре Кюри тепловое движение не очень интенсивно и возникшее внутреннее поле удерживает ионы в смещенном положении. При малейшем понижении температуры число смещенных в одном направлении ионов резко возрастает. Таким образом, возникает спонтанная поляризация Реп- [c.77]

После перехода точки плавления число смещенных атомов и свободных мест возрастает так резко, что правильность размещения атомов в узлах решетки уничтожается. Однако и после разрушения решетки у жидкого металла сохраняется, по крайней мере вблизи точки плавления, тот же характер колебательных движений атомов. Разница будет лишь в том, что центры этих колебаний уже не неподвижны, а периодически перемещаются. [c.31]

В очень упрощенной теории Кинчи- аск см н -Пиза получено выражение для сред-него числа смещенных атомов одним первичным атомом с энергией Еа- [c.96]

Итак, при переходе к модели СЭГФ происходит видоизменение формулы Друде для электропроводности за счет изменения Укв на Vf и начинает просматриваться связь между электропроводностью и характеристиками (в том числе смещением) сферы Ферми. [c.54]

У BI, наряду с термами, которые возникают при возбуждении 2р-элек-трона, имеются термы, соответствующие конфигурациям 2s 2р и 2рЗ. У ионов, сходных с бором (С II, N III, О IV,. . . ), наблюдаются также в большом числе смещенные термы, возникающие при переводе одного из двух 2з-электронов в более высокие s-, р- и т. д. состояния, т. е. соответствующие конфигурациям 2s 2р rts (л 3), 2s 2р др (д 3), 2s 2р rtd (д 3), 2s 2р п (ft 4) и т. д. Эти термы стремятся к пределу, который соответствует электронной конфигурации иона 2s2p, в то время как термы, возникающие при возбуждении р-электрона, стремятся к пределу, соответствующему электронной конфигурации иона 2s . Электронная конфигурация 2s 2р ведет [c.238]

Блевитт [41 ] показал, что все изучавшиеся металлы и сплавы имели линейное увеличение удельного электросопротивления в зависимости от величины интегрального потока быстрых нейтронов до 8-10 нейтронам . На степень увеличения электросопротивления меди не влияли содержание примесей, структура и технология изготовления. Хотя имеются определенные изменения, замечаемые после облучения, число смещенных атомов, соответствующих этим изменениям, определяется приближенно. [c.272]

В модели Кинчина и Пиза для упрощения вводится предположение о наличии резкого порога Ei, при котором прекращается ионизация и наступает область упругих столкновений. При бомбардировке веществ со средними и большими относительными атомными массами в большинстве случаев выбитые атомы обладают энергией, значительно меньшей Ei, и, следовательно, природа порога ионизации не имеет значения. Однако для легких элементов бомбардировка нейтронами деления приводит к образованию большого числа выбитых атомов с энергией, превышающей Ei, и, следовательно, выбору этого параметра необходимо уделить больше внимания. Применение каскадной теории к столкновениям, когда вторично выбитые атомы также достигают области ионизации, оказывается более сложным, и до сих пор для них не проведено достаточно точных расчетов. Однако в большинстве рассматриваемых случаев упругие столкновения, производимые первично выбитыми атомами с энергией выше Ег, очень слабо экранируются и приводят главным образом к образованию вторично выбитых атомов, обладающих значительно меньшей энергией, чем первичные атомы. Предполагается, что энергия вторично выбитых атомов меньше Ей обшее число смещенных атомов становится пропорциональным той части энергии первично выбитого атома, которая расходуется на упругие столкновения эта величина в дальнейшем обозначается G(E) (рис. 2.10). Таким образом, уравнения (2.3) и (2.4) принимают вид [c.88]

Эксперименты по ионному облучению позволяют осуществлять более строгий контроль за величиной дозы облучения, температурой образца и другими параметрами по сравнению с экспериментами на реакторах проводить эксперименты при циклических условиях облучения предварительно, импульсно и непрерывно вводить гелий (или атомы других газов) в любом соотношении с числом смещенных атомов набирать дозы, не достигаемые в действующих ядерных установках проводить исследования по влиянию на радиационное распухание материалов скорости смещения атомов, изменяя ее в широких пределах, в связи с чем ионное облучение широко используется при исследовании закономерностей развития радиационного распухания материалов (построение дозной, дозно-скоростной, температурной зависимостей распухания), а также при изучении механизмов зарождения и роста пор, механизмов подавления или ускорения радиационного распухания металлов и сплавов примесными атомами. [c.116]

Существенное значение для понимания природы радиационного роста а-урана и других анизотропных материалов имела гипотеза Бакли, согласно которой эффект роста есть результат конденсации дефектов с последующим образованием дополнительных атомных слоев в одних направлениях и слоев сконденсированных вакансий в других [23]. В этом случае легко показать (см., например, [7]), что физический смысл коэффициента радиационного роста сводится к полному числу смещенных атомов, захваченных в петли дислокаций с вектором Бюргерса Vj (ПО) на каждый акт деления. Равенство по абсолютной величине коэффициентов Gjoo и Сщо указывает на то, что конденсация вакансий происходит аналогичным образом на каждый акт деления в петли с вектором Бюргерса [100] захватывается такое же количество вакансий. Дальнейшее исследование механизма радиационного роста подтвердили плодотворность гипотезы Бакли. Это обусловлено не только экспериментальным подтверждением данной гипотезы при электронно-микроскопическом исследовании а-урана, облученного осколками деления [24]. Ценностьгипотезы Бакли заключается главным образом в том, что она позволяет связать микроскопическую сторону явления радиационного роста с более общей проблемой образования дислокационных петель в металлах под облучением. [c.197]

Длительность существования пика смещения, согласно оценкам Зейтца и Келлера [32], составляет порядка 100 периодов атомных колебаний (около 10 с). В начальный момент времени пик смещения можно представить в виде вакансионной зоны, окруженной облаком смещенных атомов. По поводу окончательной конфигурации пика смещения в а-уране, образуемом осколком деления или высокоэнергетичным первично выбитым атомом решетки, нет единого мнения. На основе общих представлений о развитии каскада столкновений в твердых телах в условиях облучения атомными частицами (см., например, [4, 251) можно предполагать, что полное число смещенных атомов и их пространственное распределение должны зависеть от фокусировки, каналирования и локальной перестройки атомов. [c.200]

Кинетика перераспределения дефектов под действием диффузионных процессов определяется подвижностью дефектов при данной температуре. Обычно коэффициент диффузии вакансий значительно выше, чем междуузельных атомов, и их подвижность суш,ественна даже при комнатной температуре. По мере накопления точечных дефектов становятся существенными процессы их взаимодействия, в частности, коалесцендия с образованием микропор, вакансионных кластеров, дислокационных нетель [74]. С появлением дефектов строения связано возникновение напряжений в ионно-легированном слое, изменение коэффициентов диффузии, механических свойств твердых тел и т.д. Неравновесная концентрация дефектов строения и высокий уровень напряжений могут изменять характер упорядочения атомов, вызывать аморфизацию поверхностного слоя или фазовые превращения типа мартенситного. Профиль распределения радиационных дефектов в основном повторяет профиль распределения легирующих ионов. Однако максимум концентрации располагается ближе к поверхности, так как при низкой энергии ионов энергии, передаваемой в упругих столкновениях, недостаточно для образования дефектов строения. Распределение числа смещенных атомов для условий легирования, соответствующих данным рис. 3.2, приведены на рис. 3.4. [c.82]

Наблюдая за изменением интенсивности интерференционных линий, можно получить ценные данные о состоянии атомнокристаллической решетки. Следует иметь в виду, однако, что распределение искажений в решетке подчиняется сложному закону поэтому определяемые экспериментально статические и динамические искажения, являясь средними величинами, характеризуют степень искажения решетки в целом и не выявляют действительных отклонений и числа смещенных атомов. Представляет большой интерес определение по изменению интенсивности характеристической температуры, зависящей от сил связи между атомами кристалла. [c.76]

При ко < I, как показывает анализ амплитудного уравнения, сдвиг критического числа определяется формулой Сг Сг (1 - Зт ) возмущения локализованы в широкой части слоя. При ко - 2к имеет место уменьшение порогового числа Сг на величину порядка г неустойчивость приводит к развитию течения с периодом 4тт/ко (см. рис. 164, а). При ко = = 2кт11 (I — нечетное число) смещение критического числа Сг во втором порядке 7 описывается формулой (37.11) в высших порядках, однако, [c.276]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...