Радиус экранирования

Сравнительное постоянство характеристической температуры в натрия (см. фиг. 26), вычисленной по формуле Блоха, можно на основании этой теории интерпретировать как свидетельство того, что среднее эффективное экранирование в этом металле является полным, и поэтому его свойства соответствуют модели свободных электронов. Падение в примерно на 50% в случае других металлов при низких температурах означает, что для них Ф 0,50, т. е. что радиус экранирования Ь сравним с постоянной решетки, которая приблизительно равна диаметру иона. Расчеты Мотта, проведенные на основе модели Томаса — Ферми, в предположении, что на каждый атом металла приходится один свободный электрон, приводят к соотношению [c.197]

Ряс. 1. Нарушение квазинейтральности плазмы на длине порядка дебаевского радиуса экранирования го. [c.595]

В каждой из контактирующих сред на нек-рое расстояние от П. простирается слой, в к-ром элементный состав и хим. состояние, атомная и электронная структуры и, следовательно, динамич., электронные, магн. и др. свойства вещества существенно отличаются от его свойств в объёме. Толщина этого слоя зависит от природы соприкасающихся сред и внеш. условий и определяется характерной длиной, присущей рассматриваемому физ. явлению (см. Размерные эффекты. Квантовые размерные эффекты). Напр., толщина слоя со специфич, электронными свойствами определяется длиной экранирования электрич. поля в среде и изменяется от 10 см в металлах до величин 10 — 10" см и более в полупроводниках, плазме и электролитах (см. Дебаевский радиус экранирования). [c.653]

Понятие дислокационного ансамбля включает в себя микронные участки материала, характеризующиеся некоторой критической скалярной плотностью дислокаций, при которой а) силы взаимодействия между отдельными дислокациями/ = Vp) /2 соизмеримы с действием на них сил со стороны внешних напряжений/ = [140] б) протяженность рассматриваемого участка превышает радиус экранирования упругого поля дислокаций [139, 141]. В таких условиях дислокации образуют пространственные квазиравновесные конфигурации (низкоэнергетические дислокационные субструктуры [134]). По мнению авторов [134, 139], в этом случае причиной расслоения изначально однородного распределения дислокаций является их стремление к относительному минимуму полной энергии упругого поля дислокационной подсистемы. [c.86]

Поскольку энергия активации для движения дислокации, согласно [531], равняется энергии активации, необходимой для образования двойного перегиба на расщепленной дислокации t/(r) = U . + RX, где энергия стягивания, R - энергия рекомбинации и X - критическая длина рекомбинирующего сегмента, то вполне естественно ожидать значительно меньшее значение энергии активации вблизи свободной поверхности кристалла (/ (г) < U" (т)) вследствие наличия эффекта уменьшения ширины расщепления, показанного на рис. 94. Тогда и в этом случае свободная поверхность в энергетическом отношении будет являться областью наиболее легкого зарождения перегибов с последующим их стоком по дислокации в глубинные слои кристалла. Кроме того, если даже рассматривать другой возможный вариант локальное повышение электронной плотности и соответствующее снижение барьера Пайерлса вблизи атомов легирующей примеси [519, 520], то и в этом случае максимальное проявление эффекта, по-видимому, следует ожидать вблизи поверхности, так как на глубине дебаевского радиуса экранирования концентрация примеси будет максимальна. [c.162]

В свою очередь, именно низкая концентрация носителей заряда и малая их подвижность приводят к тому, что в диэлектриках может существовать электростатическое поле (в проводниках это поле немедленно экранируется носителями заряда в металлах, например, радиус экранирования практически равен межатомному расстоянию). Таким образом, поляризация способствует возникновению и существованию в диэлектриках сравнительно устойчивого состояния с чрезвычайно малой электронной проводимостью. Но эта устойчивость может быть нарушена нагревом диэлектрика до высоких температур или радиационным облучением высокой интенсивности (в том числе когерентным оптическим — лазер- [c.42]

Другие величины имеют обычное значение. Эта теория применялась только к щелочным металлам с использованием экспоненциальной формы экранированного потенциала рассеяния (обсуждение формы парного потенциала в жидких металлах см. в работе [24]). Это вносит трудность в определение радиуса экранирования, но все же вычисленные значения рь имеют верный порядок величины. [c.104]

Вычислить радиус экранирования в металле со свободными электронами при плотности электронов, соответствующей Ag (см. задачу 11.3). [c.70]

Это утверждение неточно. Длина экранирования определяется дебаев-ским радиусом экранирования гд = 1/а, который для металлов обычно гораздо меньше длины свободного пробега электронов.— Прим. перев. [c.73]

Отличия атомно-электронной структуры поверхностных слоев. Они могут проявляться во влиянии поверхностного пространственного заряда и дебаевского радиуса экранирования на величину и форму барьеров Пайерлса, а также, как показали данные по дифракции медленных электронов и эффекту Мессбауэра, в различии координационных чисел, параметров решетки, характера и типа межатомных связей и, как следствие этого, в различии динамических параметров кристаллической решетки вблизи поверхности и внутри кристалла (частоты и амплитуды колебаний атомов, температуры Дебая и др.). [c.27]

Здесь радиус экранирования (дебаевский радиус) определяется соотношением [c.28]

Отсюда следует, что на расстояниях, больших дебаевского радиуса, кулоновское поле экранируется. Именно этим оиределяется название Гд как радиуса экранирования. [c.105]

Очевидно, что условные вероятности Р ъ, так же как и парная корреляционная функция, являются величинами первого порядка малости. При этом последнее слагаемое правой части (54.4) становится существенно лишь для расстояний между частицами, немалыми по сравнению с радиусом экранирования- [c.234]

Включение в число структурных уровней дислокационного ансамбля требует особого пояснения. Он включает в себя микронные участки материала со значительной плотностью дислокаций, такой, чтобы взаимодействие между отдельными дислокациями и их группами было соизмеримо с действием на дислокации внешнего приложенного напряжения, а протяженность участка была по крайней мере, больше радиуса экранирования упругого поля дислокаций пли их групп. В таких условиях дислокации, стремясь к уменьшению энергии собственного суммарного упругого поля, могут менять свое пространственное расположение и формировать различные субструктуры. Как будет видно из дальнейшего, многие факторы пластической деформации и деформационного упрочнения определяются типом субструктуры, т. о. строением и свойствами дислокационного ансамбля, во многом независимо от того, каким путем эта субструктура возникла. [c.131]

При повышении концентрации примесных атомов электрон, локализованный вблизи одного из атомов примеси, начнет испытывать воздействие и со стороны других примесных атомов. В результате его энергетический уровень, оставаясь дискретным, несколько сдвйнется по энергии. Величина этого сдвига зависит от расположения других примесных атомов относительно центра локализации она тем больше, чем больше атомов примеси отстоит от центра на расстояние, не превышающее примерно Го (го — так называемый радиус экранирования, в случае слабо легированных полупроводников го>ав, где ав — радиус боровской орбиты в ир исталле см. гл. II, 8). Но распределение примеси в решетке никогда не бывает строго упорядоченным. Всегда имеют место локальные флюктуации концентрации. Поэтому и сдвиг энергии примесного уровня относительно дна свободной зоны Ес оказывается случайным и различным в разных точках образца. Это приводит к тому, что в запрещенной зоне вместо одного дискретного уровня появляется некоторый их набор. Такое явление называется классическим уширением уровней (см. рис. 44, б Ес—АЕ — энергия бывшего уровня примеси). Изложенная ситуация отв1бчает промежуточно легированному полупроводнику. [c.120]

Входящая сюда константа экранирования д характеризует систему электронов проводимости матрицы п пропорциональна у Ар (Ар — волновой вектор, соответствующий энергии Ферми). Радиус экранирования д в хороших металлах оказывается порядка меиштомного расстояния. Если па расстоянии г от первого дефекта находится второй с зарядом еД 2, то энергия их взаимодействия Е з согласно (5,23) определяется формулой [c.121]

Изучение структурных и энергетических закономерностей пластической деформации в приповерхностных слоях материалов в сравнении с их внутренними объемными слоями имеет важное значение для развития теории и практики процессов трения, износа и схватывания. При этом следует отметить, что. поверхностные слои кристаллических материалов имеют, как правило, свои специфические закономерности пластической деформации. Так, например, в работе [11 при нагружении монокристаллов кремния через пластичную деформируемую среду силами контактного трения было найдено, что в тонких приповерхностных слоях на глубине от сотых и десятых долей микрона до нескольких микрон величины критического напряжения сдвига и энергии активации движения дислокаций значительно меньше, чем аналогичные характеристики в объеме кристалла. Было также показано [2], что при одинаковом уровне внешне приложенных напряжений по поперечному сечению кристалла в радиусе действия дислокационных сил изображения эффективное напряжение сдвига значительно выше, чем внутри кристалла. Поэтому поверхностные источники генерируют значительно большее количество дислокационных петель и на большее расстояние от источника по сравнению с объемными источниками аналогичной конфигурации и геометрии при одинаковом уровне внешних напряжений. Высказывалось также предположение, что облегченные условия пластического течения в приповерхностных слоях обусловлены не только большим количеством легкодействующих гомогенных и различного рода гетерогенных источников сдвига [3], но и различной скоростью движения дислокаций у поверхности и внутри кристалла [2]. Аномальное пластическое течение поверхностных слоев материала на начальной стадии деформации может быть обусловлено действием и ряда других факто-зов, например а) действием дислокационных сил изображения 4, 5] б) различием в проявлении механизмов диссипации энергии на дислокациях, движущихся в объеме кристалла и у его поверхности причем в общем случае это различи е, по-видимому, может проявляться на всех семи фононных ветвях диссипации энергии (эффект фононного ветра, термоупругая диссипация, фонон-ная вязкость, радиационное трение и т. д.) [6], а также на электронной [71 ветви рассеяния вводимой в кристалл энергии в) особенностями атомно-электронной структуры поверхностных слоев и их отличием от объема кристалла, которые могут проявляться во влиянии поверхностного пространственного заряда и дебаевского радиуса экранирования на вели- [c.39]

ДЕБАЕВСКИЙ РАДИУС ЭКРАНИРОВАНИЯ — характерный пространственный масштаб в плазме, электролитах или полупроводниках, на к-ром экранируется поле заряж. частицы за счёт накапливающегося вокруг неё облака зарядов противоположного знака. Д. р. э. впервые был введён в 1923 П. Дебаем (Р. Debye) в развитой им теории сильных электролитов. С учетом экра-ппровки электрич. потенциал ф (г), создаваемый вокруг заряж. частиц с зарядом Ze е — заряд электрона, [c.571]

Д. с. п. заряженных частиц (электронов и ионов). При класспч, рассмотрении понятия полного эффективного сечения и Д. с. п. по отношению к упругим столкновениям ааряж. частиц теряют смысл, поскольку за-ряж. частицы взаимодействуют между собой на сколь угодно бо,1ьших расстояниях г. Квантован механика, основываясь на соотношениях неопределенностей, даёт конечное значение для о и если взаимодействие убывает быстрее, чем 1/г . В плазме существен эффект экранирования кулоновского поля заряда на расстояниях, определяемых дебаеоспи.ч радиусом экранирования. [c.704]

К важнейшим свойствам П. относится квазинейтраль-яость. Она соблюдается, если линейные размеры области, занимаемой П., много больше дебаевского радиуса экранирования [c.595]

Пристеночная проводимость с диффузным рассеянием. Если поверхность гладкая (т. е. размер неровности б Гд — дебаевского радиуса экранирования) и скорость электрич. дрейфа параллельна ей, то П. п. создают те электроны, к-рые пронизывают дебаевский слой и диффузно рассеиваются непосредственно на поверхности. Это имеет место, напр., в осесимметричных системах с внешними (полоидальными) магн. и электрич, полями. [c.118]

Элементарный объем, в котором ближайшие соседи— противоионы — нейтрализуют электрический заряд центрального иона, называется ионной атмосферой заряда, а радиус этой атмосферы — дебаевским радиусом экранирования [c.70]

Интеграл, входящий в это выражение, логарифмически расходится при больших р, что говорит о проявлении дальнодействующего характера кулоновских сил. Естественно поэтому ввести обрезание этого интеграла на расстояниях порядка дебаевского радиуса экранирования го=[Т 4л Пае1] -. Так как основной вклад в интеграл вносят [c.518]

Следует также отметить, что поверхность имеет свои специфические особенности не только на уровне атомарной, но и электронной подсистемы [385-391]. Последнее особенно ярко проявляется на полупроводниках и диэлектриках и выражается в наличии дебаевского радиуса экранирования, обусловленного энергетическими уровнями Тамма или Шокли [385-387], а также уровнями, связанными с примесями, дефектами и адсорбционными процессами на поверхности кристалла [388—391]. В полупроводниках с концентрацией носителей п = 10 см глубина дебаевского радиуса Lp — 10 см, при этом = (е kTjlne n) , где е — диэлектрическая постоянная кристалла, е — заряд электрона. М.А. Кривоглаз [427] показал, что изменение потенциала и концентрации дефектов (примесей, вэ, . кий и пр.) в приповерхностном слое толщиной порядка дебаевского радиуса оказывает весьма существенное влияние на некоторые термодинамические и кинетические свойства кристаллов и тонких пленок (изменение термодинамического потенциала, растворимость примесей, скорость диффузии, температурный сдвиг кривых фазового равновесия и др.). [c.133]

Возможное изменение механических свойств кристалла на глубине дебаевского радиуса экранирования также предполагалось рядом авторов, например, М.Г. Мильвидским с сотр. [423] при анализе условий проявления фотомеханического, электромеханического и концентрационного эффектов (уменьшение микротвердости при пропускании тока, освещении и увеличении концентрации носителей при легировании соответственно), Т.А. Конторовой [430] при объяснении концентрационного эффекта [431], а также в ряде наших работ [108, 109, 309-312]. При этом Т.А. Конторовой [430] было введено понятие о частичной металлизации исходных ковалентных связей при легировании кристалла донорной смесью, что косвенно подтверждается данными по снижению упругой постоянной С44 [432] и температуры Дебая [433] при легировании. [c.133]

Поскольку длины волн колебаний нлазмы не малы но сравнению с радиусом экранирования, то можно говорить, что интересующие нас эффекты возникают из-за взаимодействия частиц, когда среднее расстояние между ними больше дебаевского радиуса (или сравнимо с ним). В газе заряженных частиц со слабым взаимодействием выполняется неравенство [c.232]

Остановимся далее на вопросе о пределах применимости асимптотических законов (26), (27). Первый из них теряет силу на лондоновской глубине оор (в обычных единицах с/сс , где с — скорость света), определяющей радиус экранирования магнитного поля,где [c.239]

Результаты исследования экспериментально наблюдаемых отражений от деформированных монокристаллов [102] показали, что во многих случаях происходит экранирование полей упругих напряжений от дислокаций, причем радиус экранирования не намного превышает среднее расстояние между дислокациями. Проведенный Адлером и Хаустка [103] анализ многочисленных экспериментальных данных деформированных поликристаллических материалов показал, что для коэффициентов Л , полученных хметодом гармонического анализа, справедлива эмпирическая зависимость [c.255]

Смотреть страницы где упоминается термин Радиус экранирования : [c.266] [c.283] [c.328] [c.608] [c.98] [c.139] [c.447] [c.466] [c.534] [c.352] [c.539] [c.601] [c.616] [c.502] [c.670] [c.200] [c.373] [c.500] [c.93] [c.288] [c.216] [c.52] [c.149]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...