Осаждение на подложку

Тонкие слои из газовой н паровой фазы наносят на подложку. В первом случае элемент пленки высаживают на поверхность в результате реакции диссоциации химического соединения, в котором связан элемент при высоких температурах, или вследствие реакции восстановления химического соединения наносимого элемента. Тонкий слой из паровой фазы получают путем сублимации элемента в условиях вакуума и последующего его осаждения на подложку. Тонкие слои полупроводникового материала можно наносить также в вакууме в изотермических условиях при переносе парообразного вещества на близкие расстояния. Этот способ основан на разнице скоростей испарения и взаимной диффузии наносимого элемента и материала подложки. [c.287]

Осаждение на подложку может происходить из паров, плазмы или коллоидного раствора. При осаждении из паров металл испаряется в вакууме, в кислород- или азотсодержащей атмосфере и пары металла или образовавшегося соединения (оксида, нитрида) конденсируются на подложке. Размер кристаллитов в пленке можно регулировать изменением скорости испарения и температуры подложки. Чаще всего этим способом получают нанокристаллические пленки металлов [145, 146]. Пленка из оксида циркония, легированного оксидом иттрия, со средним размером кристаллитов 10—30 нм получена с помощью импульсного лазерного испарения металлов в пучке ионов кислорода и последующего осаждения оксидов на подложку с температурой 350—700 К [147]. [c.51]

Оксидные полупроводниковые пленки получают осаждением на подложку из коллоидных растворов. Этот метод включает в себя подготовку раствора, осаждение на подложку, сушку и от- [c.52]

Устройства вычислительной техники из ферритов изготавливают в виде тонких пленок или слоистых матриц, что обеспечивает их малые габариты и высокое быстродействие. Тонкие пленки получают испарением в вакууме или катодным распылением с осаждением на подложке. [c.548]

Счетчик частиц позволяет использовать три метода прямого измерения концентрации частиц. Первый метод состоит в том, что измеряется концентрация частиц, осажденных на подложке ВСО, Если не требуется визуальный контроль типа частиц изнашивания, то для контроля используется проба масла, помещенная в пластмассовую кювету. Этот метод пригоден для контроля механизма, где требуется быстрое прямое определение режима изнашивания. Третий метод используется в системах, где концентрация частиц изнашивания весьма мала, в таких, как гидравлические системы. В этих случаях отбирается фиксированный большой объем пробы (например, 250 мл) и пропускается через фильтр с размером поры 0,5 мкм. Затем фильтр отмывают от смазочного материала, высушивают и подвергают измерению на счетчике частиц . Осадок, полученный на фильтре, может быть проанализирован с использованием микроскопии для получения информации о размере, форме и составе частиц. Счетчик частиц может использоваться как в лабораторных, так и в полевых условиях для экспресс-анализа пробы масла. [c.191]

Размеры частиц аэрозоля с жидкой дисперсной фазой могут изменяться в результате их испарения и конденсации, а также деформации капелек при осаждении на подложку. [c.141]

С помощью электронного луча в слое ИММА, толщиной 0,18 мжм, осажденного на подложке из плавленого кварца, рисуется изображение в соответствии с топологией бинарного фазового элемента (рис. 4.31). [c.266]

Известно, что в прямоточных установках скорость потока парогазовой смеси и характер протекания ее над поверхностью осаждения влияют на внешний вид, качество поверхности покрытия и эффективность процесса [93]. Повышенная скорость потока позволяет получать более гладкие и однородные по толщине покрытия, но эффективность процесса в целом недостаточна. Уменьшение скорости турбулентного потока приводит к повышению выхода осаждаемого металла по соответствующим реакциям, так как система при этом приближается к состоянию равновесия. Однако при малых скоростях и ламинарных потоках выход металла может резко уменьшиться, так как диффузионные процессы в газовой смеси не обеспечивают достаточно быстрого подвода реагентов к активной насыщаемой поверхности и удаления от нее продуктов реакции. Таким образом, при диффузионном насыщении металлов, а также осаждении на подложку из газовой смеси прямоточным методом возникает противоречие при выборе скорости газового потока. При высоких скоростях газовых потоков в прямоточных установках будет значительный расход реагентов. [c.48]

Если в качестве осаждаемого материала используют полупроводник р-типа, то осажденный слой получают тоже р-типа. Германий любого типа проводимости может быть осажден на подложку из Ое, ОаАз или ОаР, кремний любого типа проводимости может быть осажден на кремний, арсенид галия или фосфид галия. [c.60]

В производстве полупроводниковых микросхем используют и метод вакуумного осаждения на подложку различных материалов, так как он обеспечивает точный и ажурный рисунок. [c.186]

Падающие первичные электроны с энергиями в 1500 и 800 эв отражались от чистой поверхности пленки, осажденной на подложку непосредственно перед измерением или во время его. Вся установка помещалась в вакуумную камеру, давление в которой составляло от 10 [c.242]

Рис. 3.9. Схематичное изображение различных типов систем приемных катушек. Для каждого типа буквой с обозначены катушка, связанная по потоку с образцом 5, а с — компенсирующая катушка, имеющая слабую связь по потоку с образцом. а — катушка с плотно намотана вокруг плоского дискообразного образца в его центральной части б — то ) е для цилиндрического образца в — система катушек с образцом малых размеров г — то же, но с иным расположением катушки с (иногда используется вариант типа г, в котором обе катушки разделены надвое, образуя две пары, подобные катушкам Гельмгольца) д — спиральная катушка, осажденная испарением на тонкий образец, нормальный к Н е — то же, что и д, но катушка состоит только из одного кольцевого витка ж — если сам образец (заштрихованная площадь) изготовлен в виде ряда отдельных полосок, осажденных на подложку (показано только четыре полоски, но их число может быть гораздо больше), то катушку можно создать осаждением проводящего слоя вдоль штриховых линий если используются выводы ВВ, то катушка связана по потоку с зазорами между полосками образца, а если АА то она связана по потоку с самими полосками. Заметьте, что для г и ж не показаны виды сбоку и катушки с.

Как видно из табл. 5.28 и 5.29, доля крупных фракций в факеле уменьшается, а мелких - возрастает по мере удаления от источника. Это происходит вследствие осаждения грубодисперсной пыли из факела на всем пути его распространения. Концентрация пыли в факеле и интенсивность её осаждения на подложку убывают при увеличении расстояния от источника до замерного пункта, что объясняется рассеиванием факела. Результаты расчетов интенсивности пылевыделений удовлетворительно согласуются. [c.349]

Многие реальные физические процессы хорошо описываются DLA- моделью. Это прежде всего электролиз, кристаллизация жидкости на подложке, осаждение частиц при напылении твердых аэрозолей. В DLA- процессе на начальном этапе в центре области устанавливается затравочное зерно, затем из удаленного источника на границе области поочередно выпускаются частицы, которые совершают броуновское движение и в конечном итоге прилипают к неподвижному зерну. Таким образом происходит рост DLA- кластера. [c.29]

Тепловой поток на подложке складывается из теплоты конденсации кинетической энергии распыленных атомов и излучения нагревателя. При осаждении из ионизованных и ускоренных в электрических полях атомов тепловой поток определяется уравнением [134] [c.246]

В парогазовой фазе возможно совместное осаждение ниобия и углерода на подложке с образованием карбида ниобия. В этом случае для получения карбида ниобия стехиометрического состава Nb необходимо, чтобы концентрации компонентов в газовой фазе удовлетворяли уравнению (3) [c.49]

В работах Ю. М. Полукарова с сотр. [82] установлено, что увеличение перенапряжения катода при электроосаждении меди вызывает переход от слоисто-спирального роста осадка к образованию и росту двумерных зародышей с появлением дефектов упаковки двойникового типа добавки к электролиту меднения поверхностно активных веществ резко повышают вероятность образования дефектов упаковки, увеличивают искажения кристаллической решетки и плотность дислокаций. Заряд двойного электрического слоя ускоряет процессы возврата в тонких осадках меди (эффект Ребиндера), приводящие к появлению внутренних напряжений растяжения. Влияние электрохимических условий осаждения на состояние кристаллической решетки осадков становится определяющим при достаточно большой толщине осажденного слоя на пластически деформированной монокристал-лической подложке дефектность слоев осадка постепенно уменьшалась при утолщении слоя, а при росте осадка на подложке из граней совершенного монокристалла, наоборот, увеличивалась до значений, соответствующих условиям электролиза. [c.93]

Формирование сплошной пленки на окисных подложках должно происходить при гораздо большей общей толщине пленки. Это согласуется с имеющимися экспериментальными данными по получению пленок металлов, осажденных на различных субстратах. Так, известно, что металлические пленки, осажденные на металлических подложках (адгезия металл — металл высока), становятся сплошными при меньших толщинах, чем пленки, выращенные на подложках из ионных кристаллов (малая адгезия металл — ионное соединение) [1]. [c.24]

Наиболее перспективен метод получения указанных волокон осаждением на углеродную подложку, однако этот способ находится в стадии промышленного освоения. [c.35]

Рис. 22.204. Зависимости холловской подвижности дырок при температурах 77 (О) и 300 К (А) и отношения коэффициентов Холла для тех же температур от концентрации дырок в кристаллических пленках GeTe, полученных осаждением на подложках с различной температурой [304]. Значения (300 К) для различных пленок различаются для объемных поликриеталличес-ких образцов Ru (300 К)= 6,5-см /Кл

Аморфные полупроводники изготовляют в виде тонких пленок напылением или осаждением на подложку. Если температура подложки невысока, попадающие на нее атомы не имеют достаточной энергии для перемещения (миграции) и не могут выстроиться в кристаллическую рещетку. В результате образуются пленки с некристаллической структурой, характерной особенностью которых по сравнению со стеклами является отсутствие эфф< кта размягчения. В процессе нагрева такой материал при некоторой температуре переходит из твердого некристаллического состояния в кристаллическое. [c.13]

Для повышения чистоты осаждаемых пленок применяют геттерное распыление. Сущность его состоит в том, что Б начале процесса подложка закрыта экраном и осаждение производится на этот экран и стенки камеры. При этом пленка осаждаемого материала играет роль газопоглотителя (геттера), сорбируя активные газы (Oj, СО, N2, СН4, СО2, Н2О), уменьшая их парциальное давление до весьма низких значений. Затем отводится экран и производится осаждение на подложку в чистой атмосфере инертного газа. С использованием геттерно-го осаждения можно в обычных установках получить такие же пленки, как и в сверхвысоковакуумной установке. [c.115]

Во второй главе рассмотрены методы получения компактных наноматериалов. Все эти методы, исключая осаждение на подложку, возникли в самое недавнее время и егце мало известны научной обгцественности, поэтому содержание второй главы для больгаинства читателей будет новым и полезным. Следует заметить, что в обзорной и монографической научной литературе можно найти описание каждого из рассмотренных в первой и второй главах методов получения дисперсных или компактных нанокристаллических материалов, однако впервые все они объединены и проанализированы с единой точки зрения. [c.7]

Влияние адсорбционных слоев на степень ориентации показано на рис. 13.24. Кристалл слюды сначала неполностью расщепили на воздухе, а затем окончательно раскололи в сверхвысоком вакууме. Последующее напы-ленне серебром показало различную степень ориентации на обеих половинах плоскости спайности по сторонам от пограничной линии, наличие которой подтверждают также данные электронографии. Осаждение на подложке, где почти не было адсорбции, показывает значительно более высокую степень ориентации. [c.340]

В рассматриваемом случае реакционная камера загружается затравкой и источником Ое, а затем откачивается. Далее в нее вводят пары 2 в количестве, необходимом для создания оптимального давления. Затем реакционная камера запаивается и помещается в печь (рис. 9.9). Вначале температурный профиль в реакционной камере устанавливается таким образом, чтобы при 500-550°С происходило травление материала источника и затравки, а Ое в составе летучего соединения Ое14 удалялся и осаждался в зоне сброса, находящейся при температуре 300°С. В замкнутой системе перенос Ое в составе летучего соединения из области, находящейся при высокой температуре, в более холодную область осуществляется диффузионным образом (молекулярная и (или) конвективная диффузия). Затем газообразный продукт разложения 2 вновь диффузионным образом переносится в зону источника. Далее температурный профиль изменяется так, чтобы температура в области подложки резко падала до 300-400°С. После этого начинается осаждение на подложку при температуре 300-400°С. Скорость переноса, определяемая скоростью диффузии и давлением йода, зависит также от температуры источника и затравки. [c.342]

Многие реальные физические процессы хорошо описываются DLA-моделью. Это прежде всего электролиз, кристаллизация жидкости на подложке, осаждение частиц при напьшеыии твйрдых аэрозолей. В DLA- процессе на начальном этапе в цент области устанавливается затравочное зерно, [c.94]

К настоя1щему времени существуют три основные группы методов получения аморфных материалов а) нанесение на подложку путем распыления (испарение в вакууме, напыление, электролитическое осаждение, осаждение в разряде и т. д.) 6) быстрое охлаждение расплава (превращение капли или тонкой струи расплава в пленку или ленту и охлаждение за счет теплообмена с металлической подложкой, раздробление жидкого металла газовой струей и охлаждение образовавшейся массы в газовом потоке, жидкой среде или на твердой поверхности, вытягивание микропровода в стеклянной оболочке, расплавление поверхности лазерным или электронным пучком и охлаждение за счет теплообмена с нерасплавленной частью материала и т. д.) в) ионная имплантация. [c.274]

Борофосфорно-силикатные и свинцо-в о-с иликатные стекла, используемые для пассивирования поверхностей, можно осаждать на подложки при сравнительно низких температурах (300—500 "С). Процесс размягчения осажденных пленок происходит при температурах ниже КХЮ С. [c.46]

Наиболее важные факторы формирования покрытия - температура подложки, ее тепловое состояние при ионной очистки и напылении. Поэтому при разработке технологии ионно-вакуумной обработки температурные условия рассматриваются как главный оптимизационный параметр. Управление тепловыми условиями осаждения покрытий осуществляют посредством кратковременного подключения высокого напряжения, изменением величины напряжения на подложке, варьированием силы тока, подогревом или охлаждением подложки внешними источниками тепла, а также использованием специальной технологической оснастки с определенной теплоемкостью. В целом изменение температурных условий во время технологического цикла происходит в соответствии с тремя стадиями (рис. 8.10). Завершающий этап технологического процесса - стадия охлаждения, которое должно осуществляться до определенных температур в вакуумной камере. Охлаждение изделия в рабочей камере проводят для предотвра1цения окислительных процессов на его поверхностях. Выбор состава покрытий и конструирование поверхностных слоев с повышенной сопротивляемостью конкретному виду изнашивания материала трибосистемы базируются на экспериментальных результатах исследования триботехнических свойств модифицированных материалов. [c.250]

Обычно пленочные сопротивления изготовляются двух типов с защитными покрытиями и влагостойкие. Сопротивления с защитными покрытиями применяют главным образом в высокочастотных схемах, работающих в отсутствие влажности. Влагостойкие сопротивления представляют собой либо герметически запаянные с помощью серебряного припоя в керамические чехлы стандартные сопротивления с осажденной пленкой, либо сопротивления, спрессованные и герметизированные с помощью эпоксидной смолы. Проводящий слой всех пленочных углеродистых сопротивлений наносится путем пиролитического осаждения углерода на подложки из стеатита, окиси алюминия или стекла. Таким образом, степень радиационных нарушений в пленочных углеродистых сопротивлениях зависит от выбора материала, тина сопротивления и технологии изготовления. При изучении сопротивлений с осажденными пленками можно пренебречь влиянием излучения на керамические чехлы или эпоксидные покрытия. К числу пленочных сопротивлений с защитным покрытием относятся недофор-мованные и герметически запаянные сопротивления с осажденной углеродистой пленкой. [c.348]

Адгезия к окислам металлов и металлических пленок, осажденных на окисную подложку, во многом определяется образованием химических соединений [3], в частности окислов [5, 10, 12L При исследовании тонких пленок молибдена и ванадия, напыленных на подложки SiOj и AlaOg, необходимо обратить внимание на возможность обнаружения на межфазной границе пленка — подложка окислов молибдена и ванадия соответственно. Однако в то время как металл обладает максимально возможным коэффициентом поглощения К Ю —10 смг ) в очень широкой области спектра от жесткого ультрафиолета и до радиоволн включительно, окислы в широких спектральных участках обладают значительно меньшим коэффициентом поглощения [14]. Поэтому сравнительно небольшие по интенсивности полосы поглощения окислов практически невозможно обнаружить на фоне мощного поглощения чистого металла. Лишь в определенных участках спектра, в которых начинаются собственные поглощения, обусловленные междузонными переходами, величина поглощения окисла может в какой-то мере приближаться к коэффициенту поглощения металла. Для обнаружения окислов молибдена и ванадия по оптическому пропусканию тонких пленок, напыленных на окисные подложки, необходимо было выбрать такой спектральный интервал, в котором происходит резкое изменение величины коэффициента поглощения окисла молибдена или ванадия) от сравнительно небольших значений до значений, близких к их металлическому поглощению. Только в этом случае можно обнаружить характерные спектральные изменения пропускания, которые будут указывать на наличие того или иного окисла. Так как при высоких температурах, начиная с 800° С и выше, стабильны только [c.19]

Основным методом получения нитевидных кристаллов карбида и нитрида кремния, окиси и нитрида алюминия и других тугоплавких соединений является осаждение из газовой фазы с использованием химических транспортных реакций, реакций пиролиза, восстановления летучих соединений и др. Промышленное производство нитевидных кристаллов указанным методом стало возможным после детального исследования Вагнером, Элиссом и др. механизма их роста, получившего название пар—жидкость—твердая фаза (ПЖТ). При получении методом ПЖТ нитевидных кристаллов тугоплавких соединений (40 ] в реакционную зону, в которой ведется осаждение соединения, специально вводят примеси некоторых элементов, образующих капельки жидких растворов с элементами соединения, например углерод, железо, кремний, алюминий и др. При получении нитевидных кристаллов карбида кремния используют жидкие тройные растворы железо кремний—углерод. Поверхность жидкой фазы является сильным катализатором участвующих в осаждении химических реакций, поэтому выделение вещества из газовой фазы происходит преимущественно на поверхности присутствующих в ростовой зоне жидких капелек. Далее происходит его растворение в капельке, диффузионный перенос через объем капли к границе раздела с подложкой и кристаллизация под каплей. В результате на подложке образуются вытянутые столбики конденсата, являющиеся нитевидными кристаллами. Ввиду малой скорости осаждения непосредственно на твердой поверхности кристаллы почти не растут в толщину, и отношение длины к диаметру у них достигает 1000 и более. В зависимости от условий получения они имеют диаметр от долей микрона до нескольких десятков микрон и длину до 60—80 мм. [c.40]

Ионное осаждение в вакууме отличается от предыдущего метода тем, что пары осаждаемого металла или сплава ионизируются в плазме тлеющего разряда, в котором катодом слум<ит испаряемый материал, а анодом — подложка. Нагрев производят различными методами. Пары металла попадают в плазму при сравнительно высоком давлении (0,1—1,0 Па) инертного газа (Не, Аг, Кг). При этом происходит ионизация паров, ионы ускоряются электрическим полем, поток ионов осаждается на подложке. Этот метод — разновидность плазменного напыления. [c.140]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...