Коэффициент Холла

Подвижность носителей и проводимость. Дрейфовая подвижность Цдр = Удр/ , где идр — дрейфовая скорость носителей в электрическом поле Е. Определяется прямыми опытами по времени распространения инжектируемого импульса неосновных носителей в образце. Удельная проводимость а связана с дрейфовой подвижностью Цр электронов и дырок и их концентрацией пир соотношением а = е(пр.,г + рп ). Измерение эффекта Холла позволяет определить холловскую подвижность р,н=1 а1, где R — коэффициент Холла. [c.454]

Рис. 22.18. Температурные зависимости удельной проводимости а), коэффициента Холла (б) и собственной концентрации носителей (а) в Те [30

Рнс. 22.67. Температурные зависимости коэффициента Холла (а), удельного сопротивления (6) и холловской подвижности электронов и дырок [c.481]

Рис. 22.68. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) и коэффициента Холла (6) в п- и

Рис. 22.85. Температурные зависимости удельного сопро Т1 вления (1, 2) и коэффициента Холла (3) в dP, [189]

Рис, 22.100. Температурные зависимости проводимости (а), коэффициента Холла [c.493]

Рис 22 105 Температурные зависимости проводимости (а), коэффициента Холла (б) и подвижности дырок [c.495]

Рис. 22.106. Температурные зависимости коэффициента Холла (О) и холловской подвижности электронов ( ) в нелегированном кристалле dS [213]

Рис. 22.130. Температурные зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления п-А1Р [248]

Рис. 22.3. Темиературная зависимость коэффициента Холла и концентрация дырок в 5-В при высоких температурах [293]

Рнс. 22.49. Температурные зависимости электронной проводимости (а), коэффициента Холла (б) и холловской подвижности дырок (в) для различных образцов usSe [921 [c.470]

Рис. 22.57. Температурные зависимости коэффициента Холла в различны.х образцах AggSe при низких ("а) и высоких (6) температурах [101]

Рис. 22.59. Температурная зависимость коэффициента Холла для различных образцов AgjTe [93]

Рис. 22.71. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) и коэффициента Холла (6) для различных образцов n-MgjSn с концентрацией носителей, меняющейся от 3-10 до 610 см (I—6) в области смешан-

Рис. 22.72. Температурные зависимости удельного, сопротивления и коэффициента Холла --Mg Sn (а), p-Mg2Sn (б), а также холловской подвижности электронов (в) н дырок (г) в различных образцах п- и р-типа [146] концентрация н-оснтелей, см-= 9-10 ( ) 2 — 1,5-10 ( J

Рис. 22.74. Температурная зависимость сопротивления (а) и коэффициента Холла (б) различных поликристал-лических образцов МдзАзг [1601

Рис. 22.76. Температурная зависимость удельного сопротивления р, коэффициента Холла и подвижности дырок (Хн В 2пзР2[165]

Рис. 22.80. Температурные зависимости коэффициента Холла и подвижности дырок в ZnaAsj [177]

Рис. 22.82. Температурные зависимости ко.мпонент тензора удельного сопротивления (а) и коэффициента Холла

Рис. 22.87. Температурные зависимости коэффициента Холла (а) и удельного сопротивления (б) в монокристал-лических (1) и поли ристаллических (2) образцах I3P2 [190]

Рис. 22.89. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) и коэффициента Холла (б) для монокрис-таллических образцов n- dAs2 [195]

Рис. 22.94. Температурные зависимости компонент тензора удельного сопротивления и коэффициента Холла в n- dSb, легированном Ga [205]

Рис. 22.95. Температурная зависимость компонент тензора удельного сопротивления и коэффициента Холла в Л- dSb [205]

Рис. 22.119. Температурные зависимости коэффициента Холла (а) и проводимости (б) в HgTe [239]

Рис. 22.143. Температурные зависимости коэффициента Холла (а) и проводимости (б) кристаллов GaSb [170]

Рис. 22.161. Температурные зависимости коэффициента Холла для различных кристаллов p-GaSe (ток — вдоль слоев, магнитное поле — поперек слоев) [275]

Рис. 22.174. Температурные зависимости удельного сопротивления и коэффициента Холла для поликристалли-ческого образца Т Те [284]. При Г=172 К происходит фазовый структурный переход от тетрагона.вьной (при 7 >172 К) структуры к орторомбической

Рис. 22.173. Температурные зависимости коэффициента Холла для различных кристаллов TlSe в поле В=13 кГс (ток — вдоль оси с, магнитное поле — поперек оси с в направлении [110]) [283]

Рис. 22.189. Температурные зависимости проводимости (а) и коэффициента Холла (б) кристаллов n-PbSe с различной концентрацией доноров [117]

Рис. 22.200. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) вдоль осей а ( ) и Ь (О) и коэффициента Холла (б) в плоскости (001) для GeSe [302]

Рис. 22.199. Температурные зависимости удельного сопротивления (а), коэффициента Холла (б) и подвижности дырок (а) поперек оси с для различных кристаллов p-GeSe стехиометрического состава [301]

Рис. 22.204. Зависимости холловской подвижности дырок при температурах 77 (О) и 300 К (А) и отношения коэффициентов Холла для тех же температур от концентрации дырок в кристаллических пленках GeTe, полученных осаждением на подложках с различной температурой [304]. Значения (300 К) для различных пленок различаются для объемных поликриеталличес-ких образцов Ru (300 К)= 6,5-см /Кл

Рис. 22.225. Температурная зависимость удельного сопротивления (а) вдоль (рзз) и поперек (рц) оси с и коэффициентов Холла (б) в геометрии I LB (Rm) и /1с В ( ,2з) для ЗЬгТез [206]

Рис. 22.227. Температурные зависимости коэффициента Холла в геометрии I LB для кристаллов n-BijS a (а)

Рис. 22.232. Температурные зависимости коэффициента Холла для BijTea в геометрии / L S ( ) и IL .B (О) [174]

Рис. 29.16. Температурная зависимость удельного электросопротивления р, нормального коэффициента Холла Ru и коэффициента термо-ЭДС а для образца d r2Se4 (примесь— 1% In) [77]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...