Осаждение пленок

Рассмотрим методы осаждения диэлектрических пленок из парогазовой смеси термический при атмосферном и пониженном давлении и плазмохимический. Эти методы позволяют широко изменять условия осаждения пленок температуру от 100—1000 °С и давление парогазовой смеси от атмосферного до 7 Па. [c.41]

Основным достоинством этого реактора является низкая температура осаждения пленок. Однако он имеет и недостатки — небольшой объем, трудность автоматизации загрузки и разгрузки и возможность загрязнения подложек рыхлым осадком. Основные реагенты для осаждения пленок оксида и нитрида кремния плазмохимическим методом приведены в табл. 2. [c.43]

Плазмохимическое осаждение пленок происходит при сле- [c.45]

Прецизионные проволочные сопротивления обычно применяют в тех случаях, когда от них требуется исключительно высокая стабильность, нечувствительность к температуре и высокая точность —1% и выше). Конструкция прецизионных проволочных сопротивлений существенно отличается от конструкции объемных угольных и пленочных сопротивлений с осажденными пленками. [c.355]

Из (2.1) следует, что с повышением температуры время жизни адсорбированных атомов резко падает и выше некоторой критической, температуры Ткр, зависящей от природы пленки и подложки, может оказаться столь малым, что рост пленки прекратится. При этом высокую скорость испарения могут приобрести атомы самой подложки и загрязнений, находящихся на ее поверхности. Это используется для очистки подложки перед осаждением пленки. [c.61]

Рассмотренному механизму конденсации полностью соответствует структура пленок. При осаждении пленки на слабо нагретую подложку скорость миграции адсорбированных атомов невысока, [c.61]

Тугоплавкий металл рений применяется для создания тонкопленочных резисторов с высоким удельным поверхностным сопротивлением (до 10 Ом/а). Резистивные пленки рения находятся в стадии агломерации, в которой добавочное сопротивление появляется вследствие конечного расстояния между частицами пленки. Тугоплавкость рения позволяет использовать его даже при толщинах порядка 4 нм. Пленки получаются чаще всего посредством электронно-лучевого разогрева гранул рения в вакууме I ч-бПО Па. Осаждение пленок осуществляется при температуре подложки порядка 350°С. Пленки рения нуждаются в защите от воздействия атмосферы, поэтому их обычно покрывают защитным диэлектрическим слоем моноокиси или окиси кремния. Анализ характеристик резистивных пленок рения с удельным поверхностным сопро- [c.435]

Осаждение пленок методом электрофореза [c.295]

Осаждение пленок из газовой фазы и методом гидролиза [c.297]

Кроме этих основных методов разработаны другие методы специально для изготовления изделий определенной формы и размеров. Такими методами являются, например, электрофоретическое осаждение, плазменное напыление, осаждение пленок из газовой среды. Однако эти методы имеют ограниченное применение для изготовления некоторых видов керамических изделий. Выбор того или иного метода зависит главным образом от формы, требуемой точности размеров изделий, их свойств, масштаба производства, а иногда и от других технологических и экономических факторов. Универсального метода изготовления изделий нет. Для изготовления любого изделия наиболее рационален и экономичен всегда будет какой-либо один метод. [c.50]

Для наглядной демонстрации возможностей метода ПЭМ ВР на поперечных срезах рассмотрим несколько примеров. Известно, что рост пленок может сопровождаться формированием слоистой структуры, параметры которой можно выявить только путем проведения ПЭМ на поперечных срезах. Так, на рис. 7.7 видно, что при осаждении пленки кремния на кремниевую подложку сначала образуется тонкий аморфный слой, который далее трансформируется в мелкокристаллический слой, состоящий из равноосных зерен, и далее в слой с колонной структурой с боковым размером зерен 0,3... 1 мкм. [c.499]

Рис. 7.7. Электронно-микроскопическое ТП изображение (поперечное сечение), показывающее образование слоистой структуры при осаждении пленки кремния

Эти значения получены в результате моделирования на ЭВМ, однако за каждой из моделей стоят реальные процессы химической или физической агрегации. Так, агрегация типа частица — кластер с броуновским движением частиц приводит к структурам, наблюдающимся у аэрозольных агрегатов. Химическая модель реализуется в коллоидах, когда электростатическое отталкивание не полностью экранировано. Агрегация типа кластер — кластер наблюдается при некоторых видах процессов напыления и осаждения пленок на поверхности и подложки. [c.43]

При измерении больших токов в качестве датчиков повышения температуры, когда требуется очень небольшая мощность генератора электрического тока (порядка 10 —10 вт), можно применять пленочные термоэлектрические генераторы, для изготовления которых используется вакуумное испарение и осаждение пленки на подложку. [c.140]

Для формирования пучка высокоэнергетических ионов используется источник с холодным катодом, позволяющий генерировать пучок с энергией 5-10 Дж и плотностью до 10 мА/см . Изменяя плотность ионного потока этого источника, можно регулировать скорость осаждения пленки. [c.154]

Электроизоляционные неорганические пленки (ЭНП) в отличие от большинства остальных электроизоляционных материалов не получаются в свободном состоянии, а образуются в процессе изготовления на подложке, являющейся элементом той или иной электро-или радиотехнической конструкции. По своим показателям химической и радиационной стойкости, нагревостойкости, электрической прочности — ЭНП превосходят почти все известные материалы. Методы получения неорганических пленок весьма разнообразны, но все их можно объединить в две группы А — химические или электрохимические реакции вещества подложки с активным веществом среды — такими методами могут быть получены оксиды, нитриды, фториды и другие соединения, образующиеся на поверхности металлов и полупроводников Б — осаждение пленок из газовой или жидкой среды, не вступающей в реакцию с веществом подложки, испарение, ионное распыление, газофазные реакции и др. [c.256]

В большинстве случаев для газофазного осаждения не требуется вакуумное оборудование, что является большим достоинством метода. Другим достоинством можно считать сравнительно большую скорость осаждения пленок (десятые доли нанометра в секунду) и возможность получения больших толщин — до 400—500 нм. При осаждении тугоплавких материалов не требуются высокие температуры. К недостаткам метода следует отнести загрязнение пленок продуктами реакции и возможность ее к( розии газами, выделяющимися при пиролизе. В литературе описаны способы получения пленок пиролизом жидкостей, но практического применения эти методы пока не получили. [c.258]

Для устранения этих зависимостей и повышения надежности термометрии при наличии электромагнитных помех необходимы методы, в которых сам исследуемый объект играет роль термочувствительного элемента, а его показания непосредственно считываются зондирующим световым пучком. В этом случае полностью устраняется проблема ненадежности теплового контакта между чувствительным элементом и объектом, поскольку наличие контакта оптического пучка с поверхностью определяется визуально, и его надежность не уменьшается со временем из-за вибраций, деформаций, температурных воздействий или химической активности среды. Световой пучок не подвержен влиянию электрических наводок и имеет ряд характерных признаков (длина волны, поляризация, направление распространения, модуляция интенсивности и т. д.), позволяющих достоверно различать его на фоне оптических помех. Ряд таких методов разработан применительно к исследованиям в газоразрядной плазме и контролю процессов осаждения пленок и травления микроструктур в технологии интегральных схем [c.22]

При обработке кристаллов в плазме возможно немонотонное изменение температуры в случае, когда производится осаждение пленок на подложку. Процесс длится десятки минут, при этом может колебаться температура нагревателя, встроенного в держатель подложки. Если же в плазме проводят травление микроструктур, вероятность немонотонного изменения температуры во времени невелика травление длится примерно 2 мин и заканчивается обычно раньше, чем достигается стационарная температура. Исключением здесь является случай, когда реакция травления верхнего слоя является экзотермической и характеризуется большой теплотой реакции, а нижний слой травится с низкой скоростью и с малым тепловыделением. После того, как заканчивается интенсивное тепловыделение при травлении верхнего слоя, может происходить уменьшение температуры кристалла при включенном разряде. [c.153]

Метод ЛИТ применяется также для термометрии подложек при осаждении пленок в разряде [6.14, 6.21, 6.38, 6.66]. Создаются автоматизированные установки для измерения температуры монокристаллов в технологических процессах [6.67]. [c.179]

В-третьих, метод активно применяется для контроля температуры полупроводниковых и диэлектрических подложек в процессах осаждения пленок и травления структур в плазменной микротехнологии. Наличие развивающейся и широкой области применения является наиболее важным стимулом для дальнейшего усовершенствования метода. [c.180]

Чэмберс [134] сделал подробный обзор экспериментов, посвященных измерению сопротивления тонких пленок и тонких проволок, и пришел к заключению, что, хотя известно большое количество работ по этолгу вопросу (в частности, работа Ловелла [135] по исследованию тонких осажденных пленок щелочных металлов), опыты Эндрю ]136] с тонкими оловянными пленками, полученными путем проката, и тонкими ртутными проволоками были, вероятно, первыми, которые удается сопоставить с теорией (см. также работы Эйкена и Форстера [137, 138]). В целом если предположить диффузный характер рассеяния ( > = 0), то результаты Эндрю могут быть удовлетворительно интерпретированы, а найденные mi значения I находятся в довольно хорошем согласии со значениями, oirpe- [c.206]

Термическое осаждение пленок SigN4 происходит при протекании следующих реакций [c.45]

Борофосфорно-силикатные и свинцо-в о-с иликатные стекла, используемые для пассивирования поверхностей, можно осаждать на подложки при сравнительно низких температурах (300—500 "С). Процесс размягчения осажденных пленок происходит при температурах ниже КХЮ С. [c.46]

ОСН2СНз)з на нержавеющей стали и стекле из разбавленных растворов в 1-хлорнафталине. Результаты [54] определения смачиваемости этих поверхностей показали, что адсорбированная пленка представляет собой ориентированный монослой с хорошо воспроизводимыми свойствами поверхности. Полученная величина 14 дин/см служит доказательством того, что наружный слой адсорбированной пленки обогащен плотноупакованными СРз(Ср2)е-группами. Тем не менее, согласно эллипсометрическим измерениям, осажденная пленка является полимерной и ее толщина приблизительно равна 400 А. Даже после промывания этих пленок очищенным фреоном TF (I I2FG I2F2) оставшаяся адсорбированная пленка имеет толщину приблизительно 230 А. [c.23]

Обычно пленочные сопротивления изготовляются двух типов с защитными покрытиями и влагостойкие. Сопротивления с защитными покрытиями применяют главным образом в высокочастотных схемах, работающих в отсутствие влажности. Влагостойкие сопротивления представляют собой либо герметически запаянные с помощью серебряного припоя в керамические чехлы стандартные сопротивления с осажденной пленкой, либо сопротивления, спрессованные и герметизированные с помощью эпоксидной смолы. Проводящий слой всех пленочных углеродистых сопротивлений наносится путем пиролитического осаждения углерода на подложки из стеатита, окиси алюминия или стекла. Таким образом, степень радиационных нарушений в пленочных углеродистых сопротивлениях зависит от выбора материала, тина сопротивления и технологии изготовления. При изучении сопротивлений с осажденными пленками можно пренебречь влиянием излучения на керамические чехлы или эпоксидные покрытия. К числу пленочных сопротивлений с защитным покрытием относятся недофор-мованные и герметически запаянные сопротивления с осажденной углеродистой пленкой. [c.348]

Электрохимическое осаждение пленок. Для получения антикоррозионных, износостойких, декоративных и других покрытий на металлических деталях РЭА широко используется гальванический метод, основанный на осаждении метадла из соответствующих растворов при пропускании через них электрического тока. Так можно получать пленки меди, цинка, серебра, золота, кадмия, хрома и других металлов, а также многокомпонентные ме-талличгские сплавы. [c.72]

Химическое осаждение пленок. Этот метод широко применяется для металлизации плат, получения пленочных резисторов и других изделий РЭА. Перед металлизацией на плату сначала наносят раствор хлорного олова (Sn la), ионы которого прочно адсорбируются на плате. После промывки на поверхность наносится раствор хлористого серебра (Ag l). В результате протекающей реакции ионы серебра замещают ионы олова. Плата с подготовленной таким образом поверхностью помещается в раствор соли того металла, которым собираются металлизировать поверхность. В раствор добавляют восстановитель, вытесняющий металл из раствора. Реакция ускоряется и катализируется под действием находящегося там серебра. Так можно получать пленки меди и никеля (в последнем случае предварительную обработку поверхности производят раствором хлористого палладия). Толщина пленок составляет обычно I—2 мкм. Дальнейшее увеличение толщины производят гальваническим методом. [c.72]

До настоящего времени в промышленности применяется анодное электроосаждение, однако интенсивно начинает внедряться катодное электроосаждение. При этом защитные свойства возрастают в 1,5—2 раза при меньшей толщине покрытия за счет отсутствия процессов электрохимического растворения металла на катоде отсутствия или уменьшения содержания в осажденной пленке карбоксильных групп, снижающих водо- [c.86]

Для предупреждения выгорания и сдувания частиц твердой смазки (M0S2) при образовании плазменного покрытия они предварительно капсулировались химически осажденной пленкой медь—олово толщиной 5— 10 мкм. [c.249]

Наклеп образца проводили в условиях, максимально приближенных к фрикционному латунированию. Однако для предотвращения осаждения пленки латуни обрабатываемая поверхность покрывалась не глицерином, а консистентной смазкой АФ-70 (смазка УНМА). [c.149]

В литературе имеется большое число экспериментальных работ по осаждению капель в дисперсно-кольцевом режиме течения. Л. Кусин и Дж. Хьюитт [2.78] использовали метод осаждения на сухую стенку, т. е. непосредственно измеряли расход жидкости из ядра потока. Опыты были проведены в длинных вертикальных трубах диаметром 9,52 и 31,8 мм при давлениях от 2 до 5 МПа, скорость воздуха изменялась от 20 до 40 м/с. Длина гидравлической стабилизации изменялась от 0,6 до 2,2 м, а длина участка осаждения — от 0,15 до 2 м. В конце участка осаждения пленка отсасывалась полностью и измерялся ее расход. [c.77]

Рис. 2.4. Влияние продолжительности осаждения пленок СсЗЗ на толщину пленки (1) и размер зерен (2) [20]

На рис. 2.4 показано влияние продолжительности осаждения пленок СбЗ из аммиачного раствора, содержащего ацетат кадмия, тиомочевину и триэтокси-амин, при температуре 75 °С на толщину пленки и размер зерен. [c.16]

Биркбэк и др. [13] определяли экспериментально диффузную составляющую отражательной способности для металлических поверхностей с заданной однородной шероховатостью. Испытуемые поверхности подготавливались путем осаждения пленок чистого алюминия, золота, платины и никеля на образцы из стекла и никеля. Отношения полусферически-направленной отражательной способности шероховатой поверхности к полусферически-направленной отражательной способности идеальной поверхности (Л = 0,003 мкм) Tdro же материала измерялись при значениях параметра шероховатости h/X как меньше, так и больше единицы и при различных углах падения излучения. [c.86]

Вопрос о сущ,ествовании спонтанной намагниченности поверхности, тонкой пленки и очень малых частиц дискутируется уже длительное время (см. [8]). Либерман и др. [1056, 1057] стимулировали интерес к этому вопросу, сообщив о наличии на поверхности электро-осажденных пленок Ni, Со, Fe магнитно мертвых слоев толщиной в 2—4 атомных диаметра. Последующие эксперименты [1058—1067] дали противоречивые результаты частично из-за трудности приготовления идеально чистой поверхности, а частично из-за сложности интерпретации результатов при зондировании только нескольких атомных слоев. Резкое ослабление поверхностной намагниченности пленок Ni, Со, Ее в опытах Либермана и др. [1056, 1057] Градман [1059] отнес за счет адсорбции водорода и воды при электролитическом осаждении пленок. [c.320]

Кроме того, ЛПМ используется в качестве усилителя яркости изображения микрообъектов, для создания телевизионных проекционных систем на больших экранах, для травления и осаждения пленок, в ли-дарных установках для зондирования атмосферы и морских глубин, в навигационных системах для проводки морских и посадки воздушных судов, в высокоскоростной фотографии, для обработки в водной среде, для визуализации газовых потоков, лазерного ускорения микрочастиц, в голографии, криминалистике и шоу-индустрии и т.д. [8-26], в таких разделах медицины, как дерматология и косметология, ангиопластика, онкология и др. [27-36]. [c.6]

Термометрию по пропусканию света с фиксированной длиной волны разрабатывали для использования в процессах газофазной эпитаксии полупроводниковых пленок [5.21], быстрых термических процессах [5.4, 5.5], плазмохимических процессах [5.6]. Быстрые термические процессы (rapid thermal pro esses) в последние годы широко распространены в микротехнологии [5.22, 5.23]. Эти процессы основаны на нагревании подложек под действием мощных (до 1004-1000 Вт/см ) световых потоков до температур 10004-1200 °С для быстрого проведения необходимой обработки поверхности (окисление, осаждение пленки, травление и т. д.). [c.127]

Метод спектроскопии диффузного отражения применялся для термометрии и управления температурой подложек (монокристаллов Si, InP и т. д.) при осаждении тонких пленок In aAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии [5.28]. Процесс осаждения пленки толщиной 400 нм при температуре около 440 °С длился примерно 1 ч. Определение температуры проводилось периодически через 54-30 с, что позволило поддерживать температуру подложки с точностью примерно 1 °С. [c.129]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...