Подвижность холловская

Произведение постоянной Холла на проводимость определяет подвижность носителей заряда (называемую холловской подвижностью)-. [c.261]

Подвижность носителей и проводимость. Дрейфовая подвижность Цдр = Удр/ , где идр — дрейфовая скорость носителей в электрическом поле Е. Определяется прямыми опытами по времени распространения инжектируемого импульса неосновных носителей в образце. Удельная проводимость а связана с дрейфовой подвижностью Цр электронов и дырок и их концентрацией пир соотношением а = е(пр.,г + рп ). Измерение эффекта Холла позволяет определить холловскую подвижность р,н=1 а1, где R — коэффициент Холла. [c.454]

Холловская подвижность носителей Цд определяется соотношением цн= Ла1. [c.454]

Рис. 22.5. Зависимость холловской подвижности электронов в поликристаллическом р-В от концентрации носителей [7, 14]

Рнс. 22.38. Зависимость холловской подвижности дырок в p-Ge при комнатной температуре от концентрации акцепторов [731 [c.468]

Рис. 22.62. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в чистом и примесных кристаллах

Рнс. 22.67. Температурные зависимости коэффициента Холла (а), удельного сопротивления (6) и холловской подвижности электронов и дырок [c.481]

Рис. 22.106. Температурные зависимости коэффициента Холла (О) и холловской подвижности электронов ( ) в нелегированном кристалле dS [213]

Рис. 22.129. Температурные зависимости концентрации электронов (а) н их холловской подвижности (б) в монокристалле ВР [247]

Рис. 22.135. Температурная зависимость холловской подвижности электронов для двух кристаллов GaN [253] кристаллы те же, что на рис. 22.134

Рис. 22.136. Температурные зависимости холловской подвижности электронов в различных кристаллах GaP [256]

Рис. 22.137. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в различных легированных Zn кристаллах GaP при разной концентрации Zn [256]

Рис. 22.146. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в 1пР [262] п (300 К). 10 см-2 2 (Си) 2-5 (Fe) J-5 (Те, Си) 4- й

Рис. 22.145. Температурная зависимость холловской подвижности электронов 1пР сплошная линия — расчет 1261] п (300 К), Ю см- ф — 2 Д — 1,7 0 — 4 А —6

Рис. 22.147. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в 1пР [263] о (300 К), 10 см- - 1—0.7 2—1 3 - —13 5—30 6—56 7—85

Рис. 22.159. Температурная зависимость холловской подвижности носителей в кристаллах GaS (ток —вдоль слоев, магнитное поле—поперек слоев).

Рис. 22.186. Температурные зависимости холловских подвижностей электронов и дырок в кристаллах PbS [117]

Рис. 22.7. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) полной концентрации носителей (б) и холловской подвижности дырок (в) в ноликристалли-ческом черном фосфоре [17] f — ннзкие температуры II высокие температуры

Рис. 22.39. Зависимость постоянной решетки Si ,Ge,-x Рис. 22.42. Зависимость холловской подвижности элект-от состава [74] ронов в Siд Gel t при Г = 300 К от состава [ЙО

Рис. 22.44. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) и холловской подвижности электронов (б) в sAu (пленочный образец толщиной 130 нм) 1811

Рнс. 22.45. Зависимость холловской подвижности дырок н их концентрации от проводимости пленок sAu толщиной 270 нм с различной степенью окисления [83] [c.469]

Рнс. 22.49. Температурные зависимости электронной проводимости (а), коэффициента Холла (б) и холловской подвижности дырок (в) для различных образцов usSe [921 [c.470]

Рис. 22.61. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в AgjTe [123]

Рис. 22.63. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в AgBr [113]

Рис. 22.72. Температурные зависимости удельного, сопротивления и коэффициента Холла --Mg Sn (а), p-Mg2Sn (б), а также холловской подвижности электронов (в) н дырок (г) в различных образцах п- и р-типа [146] концентрация н-оснтелей, см-= 9-10 ( ) 2 — 1,5-10 ( J

Рис. 22.83. Температурная зависимость холловской подвижности дырок для трех главных направлений в ZnSb [1821

Рис. 22.84. Зависимость холловской подвижности дырок от их концентрации при Т = 300 К в 2п45Ьз [187]

Рис. 22.92. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в dsAsj [187]

Рис. 22.96. Зависимость холловской подвижности дырок от их концентрации в d4Sb3 [187],

Рис. 22.109. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в dSe [138] концентрация доноров Ga. см- Н--1-10 (нелегироаанный образец) И — 1,4-Ю 2,9-10 кривая — расчет

Рис. 22. 112, Температурные зависимости холловской" подвижности э./1ектронов в я- dTe [138]. Обозначения см. в подписи к рис. 22.111 сплошная п пунктирная линии — расчет по разным моделям

Рис. 22,113. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в p- dTe [138]

Рис. 22.122. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в HgTe в области собственной проводимости. Расчет с учетом рассеяния дырок на акустических и неполярных оптических фононах (/), неполярных оптических фононах (2) и суммарного рассеяния (3) [245]

Рис. 22.131. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в AlSb [250]

Рис. 22.139. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в GaAs линии — расчет без учета (-) и с учетом (---) рассеянии электронов на ионизированных примесях точки — данные разных работ [258]

Рис. 22.142. Зависимость холловской подвижности дырок при Г=300 К от концентрации дырок в QaAs

Рис. 22.140. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в GaAs [259] концентрация акцепторов и доноров и Ы10 см- О ,3 и 1,8 Д — 11 и 3 Л — 7 и 5,5

Рис. 22.141. Зависимость холловской подвижности электронов при 7 = 300 К от концентрации электронов в легированных Sn кристаллах GaAs

Рис. 22.148. Температурные зависимости холловской подвижности электронов в InAs сплошная линия — расчет [255] и (300 К), 10 см- Л — 1,7 Рис. 22.151. Зависимость эффективной массы электронов О — 4 i — 0,4 В /г-InSb от концентрации электронов [264]

Рис. 22.149. Зависимость холловской подвижности электронов при 7 = 300 К от концентрации электронов в кристаллах InAs с различной степенью компенсации K=Na No [247] сплошная лнния — расчет О —/(<0,15 А — 0,150,3

Рис. 22.150. Зависимость холловской подвижности электронов при Г = 77 К от концентрации электронов в кристаллах InAs [247]

Цр1.Цл1, t p II l n II холловские подвижности дырок н элек-Тронов вдоль и поперек слоев [c.513]

Рис. 22.167. Температурная зависимость холловской подвижности дырок для кристаллов p-GaTe [278]

Рис. 22.190. Температурная зависимость холловской подвижности электронов п дырок в кристаллах PbSe [117] концентрация носителей, 10 см- /—0,16 ( ) 2—0,11 (р) 3-3,6 (я) 4-. Ъ (р) 5-1,4 (р) 5-3,5 (р) 7-2,4 (п)

Рис. 22.203. Температурные зависимости холловской подвижности (2, и концентрации дырок (2, 3 ) в по-ликристаллических образцах и монокристаллических пленках (/, / ) GeTe [304]

Рис. 22.202. Зависимости холловской подвижности дырок п удельного сопротивления от концентрации дырок в пленках GeTe с различным содержанием Те

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...