Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Подложка

Такая ориентация может иметь место и при хемосорбции окислителя с последующим образованием соединения на поверхности металла, когда реакция идет с такой (достаточно малой) скоростью, что образующееся соединение имеет возможность ориентироваться в соответствии с подложкой. Это облегчает протекание окисления на первых его стадиях. Часто такое упорядочение структуры образующегося соединения сопровождается заметным изменением параметров его решетки.  [c.42]


Лазерную резку материалов осуществляют как в импульсном, так и в непрерывном режиме. При резке в импульсном режиме непрерывный рез получается в результате наложения следующих друг за другом отверстий. Наиболее широкое применение получила резка тонкопленочных пассивных элементов интегральных схем, например, с целью точной подгонки значений их сопротивления или емкости. Для этого применяют импульсные лазеры на алюмо-иттриевом гранате с модуляцией дробности, лазеры на углекислом газе. Импульсный характер обработки обеспечивает минимальную глубину прогрева материала и исключает повреждение подложки, на которую нанесена пленка. Лазерные установки различных типов позволяют вести обработку при следующих режимах энергия излучения 0,1. .. 1 МДж, длительность импульса 0,01. .. 100 мкс, плотность потока излучения до 100 мВт/см, частота повторения импульсов 100. .. 5000 импульсов в 1 G. В сочетании с автоматическими управляющими системами лазерные установки для подгонки резисторов обеспечивают производительность более 5 тысяч операций за 1 ч. Импульсные лазеры на алюмо-иттриевом гранате применяют также  [c.299]

Например, пусть надо определить трассу, соединяющую две БИС на подложке. Различные возможные пути, соединяющие БИС 1 и БИС 2, будут вариантами. Пользователь или ЭВМ в соответствии с алгоритмом учитывает длину, стоимость, число изгибов, число пересечений и т. п. Значение длины трассы можно выразить числом, длину считать критерием.  [c.13]

На рис. 4.7, б представлена эквивалентная схема МДП-транзистора, а которой li является функцией потенциалов на электродах прибора, а емкости между затвором и стоком Сз.с, затвором и истоком С .н, истоком и подложкой Си п, стоком и подложкой Сс п считаются либо постоянными, либо зависящими от потенциалов электродов.  [c.172]

Теперь можно записать выражение для Q,,, потока излучения от поверхности слоя стекла, который находится на подложке с коэффициентом излучения гь=1—рь при той же температуре, что и у стекла  [c.394]

Если нужно учесть еще излучение, которое претерпевает многократные отражения от подложки и верхней поверхности стекла, то (7.105) принимает вид  [c.395]

Если, с другой стороны, подложка близка к черному телу, то рь- -О и имеем  [c.396]

Наиболее экономичны подшипники с двухслойной заливкой, состоящей из слоя баббита толщиной в несколько сотых миллиметра, нанесенного электролитически на подслой из пористой бронзы. Отложение баббита в порах бронзовой подложки обеспечивает прочное сцепление баббита с бронзой и создает в бронзовом подслое промежуточную структуру, близкую по антифрикционным качествам к оловянистой бронзе.  [c.610]

В качестве подложки прн.меняют свинцовые бронзы, алюминиевые сплавы и бронзы. Наилучшие результаты дают пористые подложки из спеченных сплавов Си — А1 и Си — N1 (60% Си, 40% Хй), обеспечивающие прочную связь баббита с вкладышем.  [c.378]


Вызвать из падающего меню подложку кристалла, соответствующую варианту задания.  [c.578]

Пороговое иапряжение изменяется в зависимости от разности потенциалов между истоком и подложкой. Эта зависимость задается выражением  [c.92]

Каталитическое влияние готовых поверхностей раздела фаз на возникновение зародышей зависит от действия факторов, усиливающих или ослабляющих этот эффект. На процесс гетерогенной кристаллизации влияет краевой угол между подложкой и находящимся на ней зародышем твердой фазы, так как от значения этого угла зависит соотношение поверхностных энергий между зародышем и сосуществующими фазами. Значение краевого угла определяется такими факторами, как близость структур кристаллических решеток подложки и твердой фазы зародыша, а также химическая природа поверхности подложки.  [c.440]

Еще один фактор, влияющий на условия гетерогенной кристаллизации,— вид межфазной поверхности, разделяющей зародыш и твердую подложку. В реальных случаях она может быть выпуклой или вогнутой, что вызывает соответственно ослабление или усиление катализирующего влияния подложки.  [c.440]

При сварке с применением присадочного материала—ручной, сварке под флюсом, в аргоне и др. — химический состав металла шва и особенности его кристаллизации определятся долей участия основного и присадочного металла и схемой кристаллизации, зависящей как от условий затвердевания и химического состава, так и от структуры основного металла, служащего подложкой, на которой кристаллизуется шов.  [c.487]

Адге.зию лакокрасочных покрытий определяют методом решетчатого надреза. Острием лезвия делают несколько (четыре-пять) параллельных надрезов с промежутками 1 мм н столько же надрезов перпендикулярно первым, на таком же расстоянии один от другого. Надрезы должны проникать до подложки. При хорошей адгезии решетка должна быть равномерная, нигде пе отстающая от металла. Если адгезия плохая, пленка отстает от металла почти по всей решетке.  [c.365]

Встречаются различные ситуации, в которых слой горячего стекла (или другого твердого или жидкого материала) поддерживается на горячей жцдкой или твердой подложке. Излучение, испущенное стеклом, представляет собой смесь излучения от стекла и излучения от подложки. Это иллюстрируется рис. 7.44, где рассматривается тепловое излучение, покидающее слой стекла толщиной (1, в пределах которого помещены две воображаемые полости черного тела, одна из которых выступает из поверхности, а другая погружена.  [c.393]

В этом выражении первый член описывает излучение из толщи стекла, испущенное по направлению к поверхности. Второй член описывает излучение из толщи стекла, испущенное вниз, отра-.женное от подложки, а затем вышедшее через поверхность вверх. Третий член описывает излучение, испущенное подложкой и прошедшее вверх через стекло и его верхнюю поверхность. Это выражение упрощается, если использовать результат, приведенный в уравнении (7.102),  [c.395]

Если величина рь близка к единице, т. е. подложка является высокоотражающей чисто металлической поверхностью, такой, как поверхность жидкого металла, уравнение (7.109) становится очень близким к уравнению (7.102), за исключением значения толщины, которая в этом случае должна быть 2й-.  [c.395]

Толщина слоя заливки в полшнпника.х обычной конструкцкн 1 — 3 м.м. Циклическая прочность баббитовой заливки повышается с уменьшением толщины слоя заливки, а также с увс-лнчение.м жесткости системы вкладыш-постс.ть. В последнее вре.мя толщину заливки доводят до 0,25-0,4 мм. Еще лучшие результаты дает электролитическое нанесение слоя баббита толщиной 10 — 20 мк.м на подложку из пористой бронзы.  [c.375]

При многослшйноп заливке топкий слой оловянного баббита наносят на подложку из аптпфрикцпопио о сплава толщиной 0,2 —0,5 мм. Позволял использовать ценные качества оловянных баббитов, этот способ резко сокращает расход олова и вместе с тем увеличивает циклическую прочность п сопротивляемость заливки ударным нагрузкам.  [c.378]

Технологичнее электролитическое осаждение баббита слоем толщиной 15 — 20 мкм па поверхности подложки, обработанной начисто. При этом способе обязательно применять пористую подложку, которая, будучи проншапа баббитом, образует антифрикционный подслой, обеспечива-гошпй правильную работу нодшпшшка при местно.м или общем износе поверхностного баббитового слоя.  [c.378]

Этот метод интенсификации позволяет с помощью однофазного теплоносителя охлаждать сплошную стенку, подверженную воздействию больших тепловых потоков, например при конвективном охлаждении стенок ракетных двигателей (рис. 1.8) и лопаток их газовых турбин, элементов электронной аппаратуры и других теплонапряженных устройств. В частности, за счет охлаждения прокачкой воды через проницаемую подложку может быть обеспечена надежная рабрта лазерного отражателя. Такой способ охлаждения в настоящее время - единственный при малых размерах или сложной форме нагреваемых конструкций, в которых невозможно выполнить каналы для охладителя. Например, лопатки малых газовых турбин ракетньи двигателей с максимальной толщиной профиля порядка 3 мм, хордой около 2 см и длиной от 1 до 2 см обычно не охлаждаются, что ограничивает температуру газового потока и эффективность таких турбин. Изготовление лопаток из волокнистого металла 1 (рис. 1.9), покрытого снаружи тонким герметичным слоем керамики 2 и охлаждаемого продольным потоком газа, вытекающего через вершину, позволяет снять эти ограничения.  [c.12]


Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие, называют элементом интегральной микросхемы (резисторы, конденсаторы, диоды и др.).  [c.538]

Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС) - микросхемы, представляющие собой подложку, на которую напыляют резисторы и проводники в виде пленки, получая таким образом плату. Конденсаторы и другие приборы, изготовленные отдельно, прикрепляют к подложке и присоединяют к предусмотренным на ней контактным площадкам.  [c.538]

Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС) формируются из элементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) внутри подложки. Подложка изготавливается из полупроводниковых материалов, обычно кремния или германия, и межэлементных соединений (проводников) на поверхности подложки. Размеры ПИМС порядка 1-5 мм .  [c.538]

Чертеж, определяющий взаимное расположение всех элементов микросхемы и их соединение на плате (подложке) согласно принципиальной электрической схеме с з етом технологии изготовления, называют топологическим (изображение в одной проекции).  [c.538]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в создании элементов микросхемы и их соединений в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). Технология изготовления ПИМС строится на сочетании двух основных методов диффузии и фотолитографии. С помощью диффузии (введение примесей) создаются объемные структуры элементов ПИМС, фотолитография позволяет получать необходимые конфигурацию и размеры этих структур  [c.538]

Кристалл лоз 2 крепить к ситаллобоО Q подложке поз. 3 и подложку крепить  [c.563]

Остальные детали, входящие в микросхемы - крышки, подложка, прокладка, представлены на рис. 25.36а-д. Кристалл следует поместить в середине корпуса, как показано на рис. 25.23-25.25, 25.27-25.29 и соединить проволочками его контактные площадки с выводами корпуса, имеющими те же номера. От всех деталей провести линии-выноски с точкой на одном конце и полкой на другом и написать шрифтом 5 позиции согласно спецификации. Оформить основную надпись и технические требования, как показано на рисунках. Спецификацию можно в учебных условиях поместить на сборочном чертеже микросхемы. Вместо первых двух цифр обозначения вписать номер варианта (например, варианта 4 - 04М7.088.000СБ).  [c.573]

В высокотемпературных водных средах на железе и его сплавах образуется характерная двухслойная оксидная пленка, состоящая в обескислороженных растворах, из магнетита Рез04 [38, 39]. Внешний слой состоит из неплотно упакованных кристаллов диаметром I мкм, внутренний защитный слой — из плотноупакованных кристаллитов диаметром 0,05— ,2 мкм, которые прочно связаны с металлической подложкой. Однако в растворах с очень высокими или очень низкими значениями pH защитный магнетитовый слой растворяется или разрыхляется, в результате чего скорость коррозии увеличивается. Влияние растворенного кислорода более сложно.  [c.288]

Гетерогенный катализ происходит на границах раздела твердое тело — газ или твердое тело — жидкая фаза (раствор). Механизм каталитического воздействия поверхности твердого тела заключается в адсорбции на поверхности катализатора реагирующих между собой молекул, в результате чего их концентрация в поверхностном слое возрастает на несколько порядков, а под действием энергии адсорбции ослабляются связи между частицами, составляющими молекулы, и, следовательно, снижается энергия активации. Не исключено и химическое взаимодействие между молекулами реагирующих веществ и адсорбента, т. е. катализатора (топохимические соединения). Высокоактивные катализаторы этого типа — тонко раздробленные металлы, нанесенные на какую-либо подложку, например, платинированный асбест, серебро или палладий, нанесенные на цеолиты, тонко раздробленный никель и т. д.  [c.298]


Смотреть страницы где упоминается термин Подложка : [c.391]    [c.392]    [c.392]    [c.159]    [c.159]    [c.224]    [c.120]    [c.120]    [c.380]    [c.382]    [c.194]    [c.194]    [c.539]    [c.542]    [c.544]    [c.552]    [c.563]    [c.572]    [c.579]    [c.92]   
Теплообмен при конденсации (1977) -- [ c.11 ]

Электролитические покрытия металлов (1979) -- [ c.22 , c.23 ]

Температуроустойчивые неорганические покрытия (1976) -- [ c.0 ]

Электротехнические материалы (1952) -- [ c.91 , c.171 ]

Металлургия стали (1977) -- [ c.95 ]



ПОИСК



Underpaint (холст, подложка)

АЭ ГЛ-201 с генераторами паров меди на молибденовой подложке

Антифрикционные покрытия на основе ПТФЭ, бронзы и графита, приклеиваемые к подложке эпоксидными клеями

Вакуумные условия на подложке

Влагопо на подложке

Влияние структуры подложки и температуры выращивания

Выбор подложки

Выбор режима нанесения покрытий по заданной допустимой температуре подложки

Джавукцян С. Г. Стальные эмалированные подложки для гибридных интегральных схем

Диффузия подложки в покрытие

Диэлектрические подложки

Допустимая температура нагрева подложки

Емельянов Ю. В., Елисеев Ю. Г. Закономерности формирования пленки псевдопластического противокоррозионного покрытия на плоской подложке

Капельная конденсация в подложке

Катодное распыление в инертном газе на нагретую подложку

Кварцевые пленки-подложки

Коробление подложек

Материалы для подложек гибридных интегральных схем

Материалы для подложек ограниченного применения

Металлическая подложка

Металлические пленки-подложки

Метод I. Определение влагопоглощения пленкой на подложке

Метод III. Получение свободной пленки на стеклянной подложке

Метод IV. Получение свободной пленки на подложке из фторопласта

Метод общесенситометрического испытания многослойных цветофотографических материалов на прозрачной подложке

Метод общесенситометрического испытания черно-белых фотоматериалов на прозрачной подложке

Методика нахождения оптимальной формы подложки

Механическая прочность сцепления покрытия с подложкой

Моды излучения подложки

Найдич Ю. В., Костюк Б. Д., Колесниченко Г. А., Ш а й к е в и ч С. С. Смачиваемость в системе металлический расплав — тонкая металлическая пленка — неметаллическая подложка

Нанесение металлических пленок на металлическую подложку испарением в вакууме

Напыление на нагретую подложку

Обсуждение влияния подложки и температуры роста

Оксидные пленки-подложки

Определение влагопоглощаемости пленки па подложке

Определение зависимости адгезионной прочности грунтовочного слоя от природы подложки

Определение морозостойкости покрытий методом выдавливания подложки

Определение прочности покрытий при выдавливании металлической подложки (прочность пленок при растяжении)

Осаждение на подложку

Особенности интерференции лучей, рассеянных запыленным зеркалом на двоякопреломляющей подложке (теория явления и опыты)

Отрыв тонкой балки, скрепленной с жесткой подложкой

Параметры полупроводниковой подложки

Планарный полосковый лазер с каналом в подложке

Пластические пленки-подложки

Пленка поглощающая на прозрачной подложке

Пленки-подложки

Подготовка поверхности подложки к электроосаждению магнитных пленок

Подложка активная

Подложка инертная

Подложка полуизолирующая

Подложка проводящая

Подложки для осаждения магнитных

Подложки для осаждения магнитных материалов

Подложки для осаждения магнитных пленок

Подложки из берлинита

Подложки из берлинита боросиликатного стекла

Подложки из берлинита германата висмута

Подложки из кварца кремния

Подложки из кварца кристаллическог

Подложки из кварца кристаллическог плавленого

Подложки из кварца кристаллическог пленками

Подложки из кварца ниобата лития

Подложки из кварца с тонкими пьезоэлектрическими

Подложки из кварца сапфира

Подложки из кварца силиката висмута

Подложки из кварца танталата лития

Подложки из ситаллов

Подложки керамические

Подложки монокристаллические

Подложки с тонкими пьезоэлектрическими слоями

Подложки ситалловые

Подложки стеклянные

Подложки — Подготовка к поверхности 458 — Требования к материалам

Подложки, используемые для фильтров, генераторов и линий задержки на ПАВ

Получение пленок на ориентирующих подложках

Прибор для определения адгезии покрытий к мягкой подложке ОАНМО

Применение пассивных экранов между испарителем и подложкой для улучшения равномерности толщины покрытий

Принципы получения полупроводниковых монокристаллов для подложек интегральных микросхем

Распределение толщины покрытий на движущейся подложке

Роль поверхности полупроводниковой подложки

Роль подложки

Свободные лакокрасочные пленки на алюминиевой подложке

Свободные подложке из фторопласта

Свободные полиэтилентерефталатной подложке

Свободные стеклянной подложке

Согласование свойств покрытия и материала подложки

Стационарное освещение термоизолированной подложки

Схема гибридная на полуизолирующих подложках

Схема гибридная на проводящих подложках

ТЕПЛОВОЙ РЕЖИМ ПОДЛОЖКИ ПРИ НА НЕСЕНИИ ПОКРЫТИЙ

Температура движущейся подложки при нанесении на нее покрытий

Температура неподвижной подложки при нанесении покрытий

Технология резки подложек интегральных схем ультратонкими кругами

Токопроводящая паста для жестких подложек

Угольные пленки-подложки

Удары кварца о подложку

ФОТОГРАФИЧЕСКАЯ ЭМУЛЬСИЯ. ОСНОВЫ (ПОДЛОЖКИ) МАТЕРИАЛОВ И ПОЛИВ ЭМУЛЬСИИ

Фотолитография 457 — Нанесение фоторезиста на подложку 458 — Последовательность процессов фотолитографии

Чувствительность ширинылиний на плоских подложках

ШХ15 60. 61 — Метод сменных подложек

Электронномикроскопические исследования веществ с помощью пленочных подложек и реплик

Энергия, выделяющаяся при конденсации паров металла на подложке



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте