Экранирование динамическое

Во-вторых, даже если принять какой-то приближенный и упрощенный закон ядерного взаимодействия, то и в этом случае квантовомеханическая задача о ядре весьма громоздка, число ее независимых переменных равно числу степеней свободы (ЗЛ, не учитывая спиновой переменной). Здесь возникают значительно большие трудности по сравнению с теми, с которыми мы встречаемся при решении задачи об атоме. В атоме имеется динамический центр — ядро, взаимодействие электронов с которым играет основную определяющую роль. Взаимодействие электронов друг с другом может быть сведено к эффекту экранирования действия заряда ядра. Электроны атома движутся в сферически симметричном поле ядра, которое удается представить некоторым скалярным потенциалом V (г), являющимся функцией только расстояния г от ядра. Сферическая симметрия поля ядра и сравнительно простой вид потенциала V (г) существенно облегчает решение квантовомеханической задачи (например, решение уравнения Шредингера) об атоме, основанное на оболочечной модели атома. В атомном же ядре, учитывая совокупность известных фактов, нет выделенного центрального тела, так как все нуклоны, входящие в ядро, равноправны. [c.170]

Уровень случайных помех. Кроме частных случайных погрешностей, обусловленных нерегулярными колебаниями воздействий влияющих факторов, уровень помех, ограничивающих возможность измерения малых сигналов, вызывается также тепловыми шумами в активных резистивных элементах и уровнем случайных пульсаций тока в измерительных цепях, индуцированных переменными электромагнитными полями. Снижение уровня электромагнитных помех достигается соответствующим экранированием измерительных цепей. Однако уровень шумов радиоэлектронной аппаратуры не всегда удается снизить до требуемой величины, и минимальное его значение приходится учитывать при определении динамического диапазона измерений. [c.80]

Существуют и другие подходы к исключению сингулярностей в интеграле столкновений для плазмы. Некоторые из них, основанные на введении эффективных экранированных потенциалов, рассмотрены в книге [35]. Тем не менее, приходится отметить, что в настоящее время не существует последовательного метода построения сходящегося интеграла столкновений, который правильно учитывал бы близкие столкновения частиц и динамическое экранирование. Мы кратко остановимся на основных чертах проблемы, используя диаграммный метод. [c.232]

Экранирование кулоновского взаимодействия возникает из-за флуктуаций концентрации электронов. Фурье-компоненты динамических переменных, описывающих эти флуктуации, в представлении вторичного квантования имеют вид [c.21]

Как отмечалось в параграфе 3.4, пока не существует последовательного вывода сходящегося интеграла столкновений, который правильно учитывал бы эффекты динамического экранирования и близкие столкновения частиц в плазме. Фактически эта проблема связана с трудностями вычисления парной корреляционной функции для неравновесной плазмы. [c.283]

Отличия атомно-электронной структуры поверхностных слоев. Они могут проявляться во влиянии поверхностного пространственного заряда и дебаевского радиуса экранирования на величину и форму барьеров Пайерлса, а также, как показали данные по дифракции медленных электронов и эффекту Мессбауэра, в различии координационных чисел, параметров решетки, характера и типа межатомных связей и, как следствие этого, в различии динамических параметров кристаллической решетки вблизи поверхности и внутри кристалла (частоты и амплитуды колебаний атомов, температуры Дебая и др.). [c.27]

Площадь экранированная 125 Подобие динамическое 60 Порядок дифференциального уравнения 252 Потенциал силы 99 Предел скорости 26 Пробег свободный 53 Протяженность ударного фронта 155 [c.271]

Известно, что процессы схватывания твердых тел происходят при взаимодействии между тонкими приповерхностными слоями, энергетические и структурные характеристики которых при любом состоянии поверхности (ювенильная, химически адсорбировавшая атомы другого вещества или покрытая слоем оксида) существенно отличны от таковых в объеме твердого тела. В связи с большим различием в электронном строении атомов, статических и динамических параметрах решетки эти приповерхностные слои на глубине дебаевского радиуса экранирования имеют принципиально другие количественные соотношения, характеризующие способность к взаимной растворимости веществ и ее предельные ограничения. [c.8]

Работа в динамических режимах с периодом менее 0,1 сек, необходимость тщательного экранирования [c.177]

Автомат с пьезоэлектрическими датчиками 0,005—0,0] 5I0 — - 25-10" До 5 > Высокая чувствительность до 10 и без-инерционность возможность визуального отсчета Работа в динамических режимах с периодом менее 0,1 сек, необходимость тщательного экранирования Контроль ше роховатости поверхности (профилометры) [c.561]

Важный частный случай — ионы в металле, К роли динамического экранирования мы вернемся в гл. 26. [c.337]

Сказанное представляет собой, конечно, лишь грубое описание результатов, полученных в формализме линейного отклика, в котором все эффекты экранирования учитываются с помощью диэлектрической проницаемости е (5 ), зависящей от волнового числа экранируемого поля. Строго говоря, эта функция должна также зависеть и от частоты однако все динамические перемещения ионов в жидком металле происходят столь медленно по сравнению с откликом электронной подсистемы, характеризуемом временами порядка обратной плазменной частоты, что (без особого риска заметно ошибиться) можно использовать статическую диэлектрическую проницаемость. [c.458]

Наиболее яркий пример такой физической системы — это система с кулоновским взаимодействием частиц друг с другом (полностью ионизованная плазма), для которого радиус взаимодействия вообше равен бесконечности, так что мы даже не можем использовать отношение v/Rq в качестве что-либо значащего малого параметра. Однако формальная бессмысленность этого отношения не изменяет существующей в такой системе характерной для случая дальнодействия физической ситуации. Из самых общих соображений (см. том 1, 1) ясно, что в термодинамической системе взаимодействие частиц должно иметь конечный эффективный радиус взаимодействия Rq, причем масштаб его должен быть микроскопическим по отношению к линейным размерам системы L IV (иначе при делении системы на макроскопические части для нее не выполнялся бы принцип термодинамической аддитивности). В системе с кулоновским взаимодействием такая экранировка исходного динамического взаимодействия обусловлена, во-первых, тем, что в природе существуют два рода электричества и рассматриваемая нами в целом нейтральная система состоит из сбалансированного числа положительных и отрицательных ионов во-вторых, тем, что эти заряженные частицы или диполи не закреплены в пространстве, а смещаются, поворачиваются, участвуют в тепловом движении и т. д., что и приводит к появлению поляризационных э<Й>ектов в таких системах и, в частности, эффекта экранирования электростатического поля отдельного заряда. Характерно, что в возникновении этой экранировки участвует сразу много, порядка RI/v > 1. частиц, и это один из специфических коллективных эффектов в системах с дальнодействием (см. также том 3, гл. 5. 5). [c.312]

В (46,15) входит проницаемое,ть при отличной от нуля частоте (o = kV имея в виду это обстоятельство, иногда говорят, что эта формула учитывает эффект динамического экранирования. [c.229]

В некоторых случаях учет динамического экранирования кулоновского взаимодействия частиц в плазме приводит не только к уточнению аргумента кулоновского логарифма, но и к качественно новым эффектам. Для их изучения представим интеграл столкновений в виде, точно учитывающем вклад от рассеяния на малые углы и лишь с логарифмической точностью — вклад от рассеяния на большие углы. [c.236]

I— )/1/ (иначе при делении системы на макроскопические части для нее не выполнялся бы принцип термодинамической аддитивности). В системе с кулоновским взаимодействием такая экранировка исходного динамического взаимодействия обусловлена, во-первых, тем, что в природе существуют два рода электричества и рассматриваемая нами в целом нейтральная система состоит из сбалансированного числа положительных и отрицательных ионов во-вторых, тем, что эти заряженные частицы или диполи не закреплены в пространстве, а смещаются, поворачиваются, участвуют в тепловом движении и т. д., что и приводит к появлению поляризационных эффектов в таких системах и, в частности, эффекта экранирования электростатического поля отдельного заряда. Характерно, что в возникновении этой экранировки участвует сразу много, порядка частиц, и это один из специфических коллективных эффектов в системах с дальнодействием (см. также ТД и СФ-П, гл. V, 5). [c.640]

Данные, приведенные в табл. 5, показывают, что среди щелочных металлов особое положение занимает натрий, у которого отношенне наблюдаемого сопротивления к вычисленному имеет самое низкое значение. (Калий находится на втором месте, но очень близок к натрию.) Этот результат можно рассматривать как доказательство того, что у натрия относительная энергия взаимодействия имеет минимальное значение. По-видимому, он свидетельствует также о том, что натрий лучше всех других металлов соответствует идеализированной модели свободных электронов . Бардин [97, 98] несколько улучшил модель рассеяния и показал, что результаты исследования натрия хорошо согласуются с развитой им теорией. Данные, относяш иеся к калию, находятся в удовлетворительном согласии с теорией, в то время как рубидий и цезий обладают сопротивлением, которое значительно превосходит теоретическое значение. Бардин учел тот факт, что когда поны смеш ены из своих положений равновесия упругими волнами, распространяющимися в решетке, то они создают при этом возмущенное распределение зарядов, которое в свою очередь вызывает рассеяние электронов проводимости aMif электроны проводимости имеют тенденцию группироваться таким образом, чтобы компенсировать нарушенное распределение зарядов. Это явление можно назвать динамическим экранированием. Конечно, и в статических условиях электроны имеют тенденцию экранировать заряды ионов, а с этой точки зрения модель Блоха соответствует но существу почти полному экранированию зарядов ионов. Действительно, ири полном отсутствии экранирования иона, рассматриваемого как точечный заряд, потенциальная энергия электрона вблизи него была бы равна—е 1г при наличии экранирования потенциальная энергия электрона убывает с расстоянием быстрее, а именно по закону—(е //-)й [48,37] (стр. 86). В модели Блоха подразумеваетс>], что ири этом получается формула (17.1). Из приближенной теории [c.195]

В работе [51 ] изучали экранирующий эффект кадмия при облучении газотронов. Были облучены шесть тиратронов типа 5727/2D21W. В процессе выдержки под облучением половина ламп была защищена кадмием. Для оцен1си радиационных эффектов в тиратронах до, во время и после облучения измерялись время деионизации, пик анодного напряжения и выходные напряжения. Один тиратрон с кадмиевым экраном разрушился при интегральном потоке быстрых нейтронов 2,4-10 нейтрон/см . Из результатов этого опыта следует, что динамическое сопротивление, пики анодных напряжений и время деионизации защищенных и незащищенных тиратронов заметно не различаются, однако ограниченное количество данных не дает возможности ответить на вопрос о направлении влияния экранирования кадмием на радиационную стойкость газотронов (в сторону повышения или, наоборот, понижения). [c.337]

Способы выполнения проводки между датчиками и измерительной аппаратурой а) прокладка медного провода ф0,5—1,0 мм в хлорвиниловой изоляции б) многожильные жгуты (на 20— 40 датчиков) с концами для подпайки или разъемами для соединения в) двужильные провода с ртутными контакторами г) прокладка высокочастотного и экранированного провода (при динамических измерениях, высокой частоте питания и для помехоустойчивости). [c.554]

Для измерения потока магнитной индукции использовали малогабаритные индуктивные датчики, которые устанавливали в зоне контакта, например, вivfe TO. одного из игольчатых роликов подшипника шарнира карданной передачи. Для измерения поверхностных потенциалов сопряженных деталей к каждой из них были припаяны изолированные провода. Электрическое сопротивление в контакте сопряженных деталей измеряли при постоянных нагрузках с точностью до третьего знака. Появление электрйческих разрядов в контакте под действием динамических нагрузок оценивали с помощью малогабаритной антенны в виде отрезка изолированного провода, размещенного в зоне контакта и соединенного с помощь]о экранированного и заземленного кабеля с входом транзисторного радиоприемника. При подготовке к испытанию были приняты меры против сетевых помех и влияния внешнего фона электромагнитных волн. [c.116]

Для современной техники актуальным является вопрос экранирования и уменьшения динамических воздействий на конструкции [107], для этого используют слоистые элементы конструкций из материалов с резко различающимися импедансами. Отличительной особенностью ударно-волновых процессов является существенная нелинейность зависимости амплитуд отраженных и проходящих волн на границе двух сред от их характеристик. Анализ результатов серии расчетов удара со скоростью 200, 400, 80О, 2000 м/с по трехслойной пластине при следующих параметрах алюминиевый ударник шириной 0,0075 м (6 элементов) слой алюминия шириной 0,0175 м (14 элементов) слой низкомодульного материала типа резины шириной 0,005 м (10 элементов) слой алюминия шириной 0,02 м (10 элементов) — показал, что средний мягкий слой является экранирующим для прохождения волны давления в третий слой при скоростях удара от 200 до 800 м/с и утрачивает свойство экранирования при более высокой скорости удара [88]. Например, при ударе со скоростью 2000 м/с в первом слое алюминия создается сжимающая волна давления с амплитудой —18 ГПа, которая ири взаимодействии со вторым слоем ниэкомодульного материала частично отражается волной растяжения с амплитудой порядка 8 ГПа и частично проходит средний мягкий слой, выходя в третий слой алюминия волной растяжения с амплитудой порядка 6 ГПа (в этом расчете разрушение материалов не учитывалось). [c.130]

Заметим, что матрица возникает и и теории, неучптыпающей динамической поляризации плазмы. Это ясно из того факта, что при ней стоит множителем кулоновский логарифм Л. Заметим здесь, что возникновение радиуса дебаевского экранирования в ку-лоновском логарифме при исиоль.човании интеграла столкновений [c.246]

В этой главе мы завершим рассмотрение наиболее важных свойств свободного электронного газа. Наша цель состоит в том, чтобы с максимальной физической ясностью осветить все аспекты поведения свободного электронного газа и сделать это до того, как мы перейдем (в гл. 9) к рассмотрению тех модификаций нарисованной картины, которые вносятся эффектами взаимодействия электронов проводимости с кристаллической решеткой. Мы начнем с рассмотрения реакции свободного электронного газа на воздействие внешнего электрического поля. Статическая реакция электронного газа сводится к электростатическому экранированию кулоновского взаимодействия. Динамическая реакция электронного газа проявляется в типичном для металлов отра-женип света и в возбуждении плазмонов — форме коллективного движения электронного газа. [c.281]

В гл. III после описания модели свободных электронов Зоммерфельда — Хартри обсуждается аппроксимация Хартри — Фока. Затем дается предварительный и, по существу, исторический обзор работ по изучению взаимодействия в плотном электронном газе. Описаны приближения Вигнера, Бома и Пайнса и Гелл-Манна и Бракнера. Элементарным образом вводятся физически важные понятия экранирования и коллективных колебаний (плазмонов). Далее, несколько формально, даются определения динамического форм-фактора и диэлектрической проницаемости, зависящей от частоты и от волнового вектора. Показывается, как с помощью этих величин можно весьма просто вычислить ряд взаимосвязанных характеристик системы электронов. Сюда относятся, в частности, временная функция корреляции для операторов плотности, сечение рассеяния быстрых заряженных частиц, бинарная функция распределения, а также энергия основного состояния. Упор здесь делается на точное определение отклика системы на продольные поля, изменяющиеся как во времени, так и в пространстве. Затем в приближении хаотических фаз находится выражение для диэлектрической проницаемости системы. В этом же приближении вычисляются и все остальные характеристики, перечисленные выше. Заключительный параграф этой главы посвящен рассмотрению взаимодействия между электронами в простых металлах. Показывается, что аппроксимация хаотических фаз здесь неприменима, после чего дается расчет корреляционной энергии, удельной теплоемкости и спиновой восприимчивости щелочных металлов. [c.29]

НОИ составляющей от массы груза на датчик действует ряд возмущающих сил, источниками которых являются продольные и поперечные колебшия грузоприемных устройств и опор, качание троса, а также возмущения, вызываемые неравномерной скоростью подъема измеряемой массы и вибрацией подкрановых конструкций. Кроме этого, могут возникать помехи от электромагнитных наводок, блуждающих токов и Т.Д. Электрические помехи общего вида возникают в цепях заземления, нормального вида — между сигнальными проводами тензодатчиков. Для защиты от таких помех применяют электрическое и магнитное экранирование кабелей и различные типы фильтров, а также помехоустойчивые методы преобразования. Для подавления динамических помех, вызываемых различного вида колебаниями, применяют метод интегрирования сигнала с весовой функцией. При наличии колебаний длительность процесса взвешивания зависит от частоты и амплитуды этих колебаний и составляет 5—30 с. [c.243]

Для функции Рг(-К) характерно, что на интервале О < Д < 2го (го — радиус сферы отталкивания молекул) она равна нулю, при К > Дкорр эта функция равна единице, а в области 2го < Л < Л орр она может быть больше или меньше единицы, может даже осциллировать. Радиус корреляции определяется в зависимости от характера взаимодействия частиц друг с другом, внешних условий и т. д. Например, для неплотных систем нейтральных частиц он оказывается порядка радиуса взаимодействия частиц друг с другом, Лкорр Лвз, Для систем с кулоновским взаимодействием — порядка дебаевского радиуса экранирования Лкорр гв = 1/х = у/ву/ А ке ). Для нас важно, что эта величина, целиком определяющаяся характером динамического взаимодействия частиц и значениями неаддитивных параметров системы, совершенно не зависит от размеров самой системы. [c.23]

Нажмите на коммутаторе сигналов кнопку "Динамическая головка" и отнесите звуковой генератор туда, где расположен проигрыватель грампластинок. Сигнал от генератора нужно подавать непосредственно в начало кабеля или экранированной линии, соединяющей проигрыватель с нашим усилителем. Еще раз подчеркнем не на вход усилителя, а на выход звукоснимателя, чтобы, между генератором и усилителем оказался целиком весь соединительный кабель. И еще одно очень важное напоминание выходное сопротивление генератора должно быть равно (или иметь один порядок) внутреннему сопротивлению источника. Это значит, что если внутреннее сопротивление динамической головки звукоснимателя составляет несколько сотен ом, то переключатель выходного сопротивления генератора должен быть установлен в положение, наиболее близкое к внутреннему сопротивлению источника. Если источником сигнала является пьезоголовка звукоснимателя, имеющая внутреннее сопротивление примерно 0,5 МОм, то между выходом генератора и началом соединительной линии нужно последовательно включить постоянный резистор такого же сопротивления. [c.77]

Баллантайн ) построил трехкаскадный логарифмический вольтметр на экранированных лампах с переменной крутизной с динамическим диапазоном 40 дб. Как видно из скелетной и принципиальной схемы (рис. 6а и 66) вольтметра, авторегулировка достигается за счет обратного действия выпрямленного тока. Применяемые в первых каскадах схемы лампы с переменной крутизной работают как усилительные лампы, но усиление их является экспоненциальной фушцией смещения на сетке. Выпрямленный ток детектора пропускается через фильтр, отфильтровывающий переменную составляющую от постоянной, посылаемой на сетки усилительных каскадов. Логарифмические показания прибора, как результат экспоненциальной зависимости между выпрямленным током (или напряжением смещения) и подаваемым на вход переменным напряжением, читаются по гальванометру или вольтметру постоянного тока, включаемым в цепь автоматического смещения. [c.350]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...