Дебаевский радиус экранирования

Ряс. 1. Нарушение квазинейтральности плазмы на длине порядка дебаевского радиуса экранирования го. [c.595]

В каждой из контактирующих сред на нек-рое расстояние от П. простирается слой, в к-ром элементный состав и хим. состояние, атомная и электронная структуры и, следовательно, динамич., электронные, магн. и др. свойства вещества существенно отличаются от его свойств в объёме. Толщина этого слоя зависит от природы соприкасающихся сред и внеш. условий и определяется характерной длиной, присущей рассматриваемому физ. явлению (см. Размерные эффекты. Квантовые размерные эффекты). Напр., толщина слоя со специфич, электронными свойствами определяется длиной экранирования электрич. поля в среде и изменяется от 10 см в металлах до величин 10 — 10" см и более в полупроводниках, плазме и электролитах (см. Дебаевский радиус экранирования). [c.653]

Поскольку энергия активации для движения дислокации, согласно [531], равняется энергии активации, необходимой для образования двойного перегиба на расщепленной дислокации t/(r) = U . + RX, где энергия стягивания, R - энергия рекомбинации и X - критическая длина рекомбинирующего сегмента, то вполне естественно ожидать значительно меньшее значение энергии активации вблизи свободной поверхности кристалла (/ (г) < U" (т)) вследствие наличия эффекта уменьшения ширины расщепления, показанного на рис. 94. Тогда и в этом случае свободная поверхность в энергетическом отношении будет являться областью наиболее легкого зарождения перегибов с последующим их стоком по дислокации в глубинные слои кристалла. Кроме того, если даже рассматривать другой возможный вариант локальное повышение электронной плотности и соответствующее снижение барьера Пайерлса вблизи атомов легирующей примеси [519, 520], то и в этом случае максимальное проявление эффекта, по-видимому, следует ожидать вблизи поверхности, так как на глубине дебаевского радиуса экранирования концентрация примеси будет максимальна. [c.162]

Отличия атомно-электронной структуры поверхностных слоев. Они могут проявляться во влиянии поверхностного пространственного заряда и дебаевского радиуса экранирования на величину и форму барьеров Пайерлса, а также, как показали данные по дифракции медленных электронов и эффекту Мессбауэра, в различии координационных чисел, параметров решетки, характера и типа межатомных связей и, как следствие этого, в различии динамических параметров кристаллической решетки вблизи поверхности и внутри кристалла (частоты и амплитуды колебаний атомов, температуры Дебая и др.). [c.27]

Известно, что процессы схватывания твердых тел происходят при взаимодействии между тонкими приповерхностными слоями, энергетические и структурные характеристики которых при любом состоянии поверхности (ювенильная, химически адсорбировавшая атомы другого вещества или покрытая слоем оксида) существенно отличны от таковых в объеме твердого тела. В связи с большим различием в электронном строении атомов, статических и динамических параметрах решетки эти приповерхностные слои на глубине дебаевского радиуса экранирования имеют принципиально другие количественные соотношения, характеризующие способность к взаимной растворимости веществ и ее предельные ограничения. [c.8]

Ут 1 ппе — дебаевский радиус экранирования. При Т- 0,1 эа и т4.=й 10 0 скорость электронно-дырочного звука равна 10 см/сек. [c.25]

Квадрат дебаевского радиуса экранирования Яд пропорционален средней энергии тепловых колебаний ионов и обратно пропорционален плотности Уо носителей тока, которая увеличивается при возрастании температуры. [c.98]

Это известная формула Л.Д.Ландау (1946) для затухания плазменных колебаний. Условие 7 < П, обеспечивающее корректность нашего рассмотрения при получении результатов для П и 7, как видно из рис. 195, выполняется только в области к <к. к = 1/гк или для волн, длина которых значительно превышает дебаевский радиус экранирования, А > гд. [c.308]

Величина а есть дебаевский радиус экранирования в растворе электролита. [c.141]

Изучение структурных и энергетических закономерностей пластической деформации в приповерхностных слоях материалов в сравнении с их внутренними объемными слоями имеет важное значение для развития теории и практики процессов трения, износа и схватывания. При этом следует отметить, что. поверхностные слои кристаллических материалов имеют, как правило, свои специфические закономерности пластической деформации. Так, например, в работе [11 при нагружении монокристаллов кремния через пластичную деформируемую среду силами контактного трения было найдено, что в тонких приповерхностных слоях на глубине от сотых и десятых долей микрона до нескольких микрон величины критического напряжения сдвига и энергии активации движения дислокаций значительно меньше, чем аналогичные характеристики в объеме кристалла. Было также показано [2], что при одинаковом уровне внешне приложенных напряжений по поперечному сечению кристалла в радиусе действия дислокационных сил изображения эффективное напряжение сдвига значительно выше, чем внутри кристалла. Поэтому поверхностные источники генерируют значительно большее количество дислокационных петель и на большее расстояние от источника по сравнению с объемными источниками аналогичной конфигурации и геометрии при одинаковом уровне внешних напряжений. Высказывалось также предположение, что облегченные условия пластического течения в приповерхностных слоях обусловлены не только большим количеством легкодействующих гомогенных и различного рода гетерогенных источников сдвига [3], но и различной скоростью движения дислокаций у поверхности и внутри кристалла [2]. Аномальное пластическое течение поверхностных слоев материала на начальной стадии деформации может быть обусловлено действием и ряда других факто-зов, например а) действием дислокационных сил изображения 4, 5] б) различием в проявлении механизмов диссипации энергии на дислокациях, движущихся в объеме кристалла и у его поверхности причем в общем случае это различи е, по-видимому, может проявляться на всех семи фононных ветвях диссипации энергии (эффект фононного ветра, термоупругая диссипация, фонон-ная вязкость, радиационное трение и т. д.) [6], а также на электронной [71 ветви рассеяния вводимой в кристалл энергии в) особенностями атомно-электронной структуры поверхностных слоев и их отличием от объема кристалла, которые могут проявляться во влиянии поверхностного пространственного заряда и дебаевского радиуса экранирования на вели- [c.39]

ДЕБАЕВСКИЙ РАДИУС ЭКРАНИРОВАНИЯ — характерный пространственный масштаб в плазме, электролитах или полупроводниках, на к-ром экранируется поле заряж. частицы за счёт накапливающегося вокруг неё облака зарядов противоположного знака. Д. р. э. впервые был введён в 1923 П. Дебаем (Р. Debye) в развитой им теории сильных электролитов. С учетом экра-ппровки электрич. потенциал ф (г), создаваемый вокруг заряж. частиц с зарядом Ze е — заряд электрона, [c.571]

К важнейшим свойствам П. относится квазинейтраль-яость. Она соблюдается, если линейные размеры области, занимаемой П., много больше дебаевского радиуса экранирования [c.595]

Пристеночная проводимость с диффузным рассеянием. Если поверхность гладкая (т. е. размер неровности б Гд — дебаевского радиуса экранирования) и скорость электрич. дрейфа параллельна ей, то П. п. создают те электроны, к-рые пронизывают дебаевский слой и диффузно рассеиваются непосредственно на поверхности. Это имеет место, напр., в осесимметричных системах с внешними (полоидальными) магн. и электрич, полями. [c.118]

Элементарный объем, в котором ближайшие соседи— противоионы — нейтрализуют электрический заряд центрального иона, называется ионной атмосферой заряда, а радиус этой атмосферы — дебаевским радиусом экранирования [c.70]

Интеграл, входящий в это выражение, логарифмически расходится при больших р, что говорит о проявлении дальнодействующего характера кулоновских сил. Естественно поэтому ввести обрезание этого интеграла на расстояниях порядка дебаевского радиуса экранирования го=[Т 4л Пае1] -. Так как основной вклад в интеграл вносят [c.518]

Следует также отметить, что поверхность имеет свои специфические особенности не только на уровне атомарной, но и электронной подсистемы [385-391]. Последнее особенно ярко проявляется на полупроводниках и диэлектриках и выражается в наличии дебаевского радиуса экранирования, обусловленного энергетическими уровнями Тамма или Шокли [385-387], а также уровнями, связанными с примесями, дефектами и адсорбционными процессами на поверхности кристалла [388—391]. В полупроводниках с концентрацией носителей п = 10 см глубина дебаевского радиуса Lp — 10 см, при этом = (е kTjlne n) , где е — диэлектрическая постоянная кристалла, е — заряд электрона. М.А. Кривоглаз [427] показал, что изменение потенциала и концентрации дефектов (примесей, вэ, . кий и пр.) в приповерхностном слое толщиной порядка дебаевского радиуса оказывает весьма существенное влияние на некоторые термодинамические и кинетические свойства кристаллов и тонких пленок (изменение термодинамического потенциала, растворимость примесей, скорость диффузии, температурный сдвиг кривых фазового равновесия и др.). [c.133]

Возможное изменение механических свойств кристалла на глубине дебаевского радиуса экранирования также предполагалось рядом авторов, например, М.Г. Мильвидским с сотр. [423] при анализе условий проявления фотомеханического, электромеханического и концентрационного эффектов (уменьшение микротвердости при пропускании тока, освещении и увеличении концентрации носителей при легировании соответственно), Т.А. Конторовой [430] при объяснении концентрационного эффекта [431], а также в ряде наших работ [108, 109, 309-312]. При этом Т.А. Конторовой [430] было введено понятие о частичной металлизации исходных ковалентных связей при легировании кристалла донорной смесью, что косвенно подтверждается данными по снижению упругой постоянной С44 [432] и температуры Дебая [433] при легировании. [c.133]

Будем считать, что толщина 26 переходного слоя много меньше длины рэлеевской волны Яд в кристалле. Под переходным слоем в полупроводнике обычно иопимают приповерхностную область кристалла толщины порядка дебаевского радиуса экранирования /д [c.198]

Дебаевский радиус экранирования в плазме вводим так же, как это было сделано для слабононизованного газа (см. (2.37)) [c.44]

Показать, что зависящая от k поправка к частоте продольных плазменных колебаний (o=fie имеет относительный порядок величины каеУ, где йе — дебаевский радиус экранирования для электронов, т. е. а — t T jNe . [c.56]

Для функции Рг(-К) характерно, что на интервале О < Д < 2го (го — радиус сферы отталкивания молекул) она равна нулю, при К > Дкорр эта функция равна единице, а в области 2го < Л < Л орр она может быть больше или меньше единицы, может даже осциллировать. Радиус корреляции определяется в зависимости от характера взаимодействия частиц друг с другом, внешних условий и т. д. Например, для неплотных систем нейтральных частиц он оказывается порядка радиуса взаимодействия частиц друг с другом, Лкорр Лвз, Для систем с кулоновским взаимодействием — порядка дебаевского радиуса экранирования Лкорр гв = 1/х = у/ву/ А ке ). Для нас важно, что эта величина, целиком определяющаяся характером динамического взаимодействия частиц и значениями неаддитивных параметров системы, совершенно не зависит от размеров самой системы. [c.23]

ДЕБАЕВСКИЙ РАДИУС ЭКРАНИРОВАНИЯ [по имени голл. физика П. Дебая (Р. Debye)], характерное расстояние, на к-рое в плазме, электролите или ПП распространяется действие электрич. поля отд. заряда. В вакууме электростатич. потенциал Ф уединённой ч-цы с зарядом q на расстоянии г определяется по ф-ле —q/r. В среде, содержащей положит, и отрицат. заряды, напр, в плазме, эл-ны в нек-рой окрестности иона притягиваются к нему и экранируют его электростатич. поле. Точно так же неподвижный эл-н отталкивает др. эл-ны и притягивает ионы. В результате поле вокруг заряж. ч-цы становится очень слабым на расстояниях, превышающих Д. р. э. Выражение для потенциала заряда, покоящегося в плазме, принимает вид [c.145]

Д. с. п. заряженных частиц (электронов и ионов). При классическом рассмотрении понятия эффективного сечения и Д. с. п. по отношению к упругим столкновениям заряж. ч-ц теряют смысл, т. к. вз-ствие ионов (эл-нов) с атомами (молекулами) может происходить и на расстоянии. В рамках квант, механики, рассматривая упругие вз-ствия заряж. ч-п, получают конечные значения для эфф. поперечного сечения и, следовательно, для Д. с. п., если вз-ствие убывает быстрее, чем 1/г . В плазме можно определить Д. с. п. для упругих вз-ствий, считая, что радиус действия поля рассеивающих центров не превышает дебаевского радиуса экранирования. По отношению к неупругим процессам Д. с. л. определяется ср. расстоянием, к-рое проходит ион (эл-н) при данной скорости, прежде чем примет участие в процессе. ДЛИННЫЕ ЛЙНИИ, см. в ст. Линии передачи. .. [c.180]

Смотреть страницы где упоминается термин Дебаевский радиус экранирования : [c.266] [c.283] [c.608] [c.98] [c.466] [c.534] [c.539] [c.601] [c.616] [c.670] [c.200] [c.500] [c.434] [c.347] [c.56] [c.246] [c.97] [c.98] [c.637] [c.49] [c.58] [c.157] [c.300] [c.148] [c.22] [c.88] [c.17] [c.248]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...