Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Экранирование

Экранирование а—экран, охватывающий группу элементов (общее о< значение) б — линия электрической связи, провод и др.  [c.315]

Целесообразность перегрева пара для энергетических установок (см. 6.4) потребовала размещения специальных поверхностей нагрева — пароперегревателей. Так, к середине XX века оформилась принципиальная схема конструкции барабанного вертикально-водотрубного котла с многократной естественной циркуляцией, имеющего экранированную топку (рис. 18.2).  [c.148]


Если при погасании факела топливовоздушная смесь продолжает поступать в топку, то она, вытесняя продукты сгорания, накапливается в объеме топки и соприкосновение ее с любым источником зажигания (раскаленной обмуровкой в месте ее неполного экранирования, налипшим шлаком, преждевременно зажженным и введенным в топку запальником) приведет к взрыву. Поэтому в случае погасания факела следует прекратить  [c.217]

Если поверхность металла заряжена отрицательно (т, е. ф< О, например, у Zn, А1, Mg, Ее), это способствует адсорбции катионов, которые способны замедлять коррозию вследствие повышения перенапряжения катодного и анодного процессов, а также экранирования поверхности (например, ингибиторы катапин К, ЧМ).  [c.348]

Пленка ие содержит нор н полностью изолирует металл от действия коррозионной среды (механическое экранирование). Электродный потенциал металла при этом не может быть измерен обычными методами.  [c.63]

Обеспечивать надежное экранирование изделий. Все современные краски в той или иной степени проницаемы для воды и кислорода. Некоторые связующие менее проницаемы, чем другие, но их способность создавать лучший диффузионный барьер проявляется только при нанесении обладающих хорошим сцеплением многослойных покрытий, которые эффективно закрывают поры и другие дефекты. Диффузия через слой покрытия обычно затрудняется при введении в него пигментов. Особенно эффективны в этом отношении пигменты, имеющие форму чешуек (например, слюдяной или чешуйчатый гематит, алюминиевый порошок) ориентированных параллельно поверхности металла (например, при окрашивании кистью). С другой стороны, диффузия имеет  [c.249]

Коэффициент экранирования учитывает неодинаковое положение частиц относительно потока газа-окислителя. Так, при сжигании угля на колосниковой решетке ti 0,2, а при сжигании пылевидного топлива в потоке, воздуха т1->1. Решение уравнения  [c.306]

С помощью выражения (2-64) можно отыскать Тн для любого (й/)-состояния атома водорода, а затем с учетом экранирования определить величину а для валентного электрона рассматриваемого атома согласно (2-63). Заметим, что (Я/)-состояния валентного электрона атома исследуемого и водорода должны быть одинаковыми. Зная г, можно определить кинетическую энергию валентных электронов атомов, составляющих данную молекулу, после чего вычислить энергию связи по выражению (2-53), а затем квазиупругую постоянную, используя (2-55). Далее составляется система уравнений типа (2-30), в результате решения которой находится собственная частота колебаний.  [c.58]


Композиционные резисторы отличаются высокой надежностью, но величина их сопротивления зависит от напряжения, времени эксплуатации (старения) и частоты, имеют высокий уровень шумов выпускаются следующих типов 4-I — повышенной теплостойкости, ТВО —тепло- и влагостойкие, КОИ — с органической связкой, КИМ — изолированные малогабаритные, КЛМ — лакированные, КВМ — вакуумные (в стеклянном баллоне), КЭВ — экранированные высоковольтные.  [c.131]

Катушки индуктивности классифицируют по типу намотки, способам настройки и подгонки индуктивности, виду сердечников в виду защиты (экранированные и неэкранированные).  [c.134]

Рассматриваем излучение из трубы, представляющей собой линейный источник. Протяженность его вне участка, экранированного насосом, =150 с.м. Выберем точку детектирования напротив середины линейного участка на расстоянии от оси его й=200 см. Решаем задачу по методике 7.8. Значения исходных и вспомогательных величин  [c.321]

Анализ результатов расчета показывает, что мощность дозы за защитой по направлению / полностью определяется у-излучением из теплоносителя-Интенсивность захватного излучения оказалась равной 30 Мэв [см сек). Щп этом соверщенно не учитывалось экранирование захватного у-излучения парогенератором.  [c.326]

Во-вторых, даже если принять какой-то приближенный и упрощенный закон ядерного взаимодействия, то и в этом случае квантовомеханическая задача о ядре весьма громоздка, число ее независимых переменных равно числу степеней свободы (ЗЛ, не учитывая спиновой переменной). Здесь возникают значительно большие трудности по сравнению с теми, с которыми мы встречаемся при решении задачи об атоме. В атоме имеется динамический центр — ядро, взаимодействие электронов с которым играет основную определяющую роль. Взаимодействие электронов друг с другом может быть сведено к эффекту экранирования действия заряда ядра. Электроны атома движутся в сферически симметричном поле ядра, которое удается представить некоторым скалярным потенциалом V (г), являющимся функцией только расстояния г от ядра. Сферическая симметрия поля ядра и сравнительно простой вид потенциала V (г) существенно облегчает решение квантовомеханической задачи (например, решение уравнения Шредингера) об атоме, основанное на оболочечной модели атома. В атомном же ядре, учитывая совокупность известных фактов, нет выделенного центрального тела, так как все нуклоны, входящие в ядро, равноправны.  [c.170]

Однако, с ростом фрактального кластера все большее число его узлов лишается возможности присоединения частиц жидкой фазы, то есть экранируется. Под экранированием понимается прекращение процесса роста на отдельных участках поверхности кластера. Экранированными узлами чаще всего являются узлы, расположенные во впадинах извилистой фрактальной поверхности кластера, куда вероятность проникновения частицы из соседней  [c.87]

Схема рефлектора простейшего типа в том виде, в каком она была предложена Ньютоном, изображена на рис. 14.16. В — отражательное зеркало. Плоское отклоняющее зеркало 5 служит для того, чтобы иметь возможность помещать окуляр и голову наблюдателя вне основного пучка и не вносить слишком большого диафрагмирования. Для огромных современных рефлекторов помещение наблюдателя целиком внутри трубы привело бы к относительно небольшому и вполне допустимому экранированию. Однако тепловые токи от тела наблюдателя в области основного хода световых лучей приводят к сильному понижению качества изображения. Поэтому сохраняют отклоняющее зеркало.  [c.334]

При рассмотрении эффекта от многих ядер на первый взгляд может показаться, что действия ядер, расположенных по разные стороны относительно линии полета частицы, будут компенсировать друг друга. На самом деле это неверно, так как значения р ограничены сверху величиной рмакс, при которой заряд ядра полностью экранирован атомными электронами. Если частица пролетает от ядра на расстоянии р > Рмакс, то она с ним не взаимодействует (рмакс -/ ат). при введении понятия макроскопического эффек-  [c.222]

На больших расстояниях такая система будет вести себя как нейтральная, так как отрицательное облако полностью экранирует центральный положительный заряд. Однако вблизи от центра нейтрона (внутри мезонного облака) экранирования не будет и должно проявляться действие центрального положительного заряда.  [c.264]


Заметим, что разогрев электронного газа наблюдается в полупроводниках и практически не имеет места в металлах. Причиной этого является невозможность создать в металле сильные поля из-за высокой концентрации свободных электронов и эффекта экранирования.  [c.256]

В состав пакета включены подпрограммы (п/п), реализующие следующие основные возможности создание геометрических объектов (ГО) путем описания произвольных плоских изображений с помощью таких графических примитивов, как точка, отрезок (пря-мая), ломаная линия, окружность, дуга окружности и текст создание иерархически организованных структур графических данных путем объединения нескольких ГО в геометрические комплексы (ГК) выполнение аффинных преобразований над ГО и ГК выполнение логических операций над ГО (операций экранирования операций над контурами, адекватных операциям булевой логики) штриховку областей, ограниченных контурами, и вычисление их площади архивацию и восстановление ГО из архива выполнение операций, связанных с геометрическими вычислениями (нахождение точек пересечения, вычисление расстояний и др.) формирование линейных и угловых размеров.  [c.31]

ДКВР (рис. 18.8) — двухбарабанные котлы с естественной циркуляцией и экранированной топочной камерой. Бара-(>аны расположены вдоль оси котла, между ними размещен коридорный пучок кипятильных труб. Движение топочных газов — горизонтальное с поперечным омыванием труб и поворотами. Повороты топочных газов обеспечиваются установкой перегородок, первая из которых выполнена из шамотного кирпича, вторая — из чугуна. Боковые экранные тру-()ы верхними концами закреплены в верхнем барабане, нижние концы экранных -руб приварены к нижним коллекторам. Передние опускные трубы, расположенные в обмуровке, являются также дополнительной опорой верхнего барабана. Пароперегреватель, если он имеется, размещается вместо части труб кипя-"ильного пучка (обычно первого газохо-/1,а). Вход пара в пароперегреватель — непосредственно из барабана, выход —  [c.155]

Если поверхность металла не заряжена (ф яа 0), это способствует наибольшей адсорбции молекулярных (незаряженных) частиц, которые могут замедлять коррозию металла в результате механического экранирования его поверхности или (в зависимости от дипольного момента) создания энергетического барьера (например, антраниловая кислота). В этих условиях применимы и катионные добавки с малым удельным зарядом, действующие замедляюще, так как они создают тормозящее процесс электрическое поле или вытесняют с поверхности металла анионы.  [c.348]

В кинетической теории разреженных газов, когда а Z, можно принять отсутствие экранирования частиц (молекул), а именно принять, что за время dt элементарную площадку dS достигают все частицы, находящиеся в параллелепипеде высотой W2 df l, а длина свободного пробега молекул Iq гораздо больше расстояний между hhmh(Zo Z). Такое предположение не проходит в подавляющем большинстве дисперсных смесей не очень малой концентрации, используемых, например, в виде кипящих слоев в технологических процессах. Действительно, уже при объемных концентрациях дисперсной фазы 2 0,1 расстояния между поверхностями частиц или размеры проходов между частицами становятся меньше их диаметра (I — 2а 2а) и частица не может свободно проскакивать между двумя другими. Таким образом, для не очень разреженных дисперсных смесей более характерным  [c.212]

На практике катодную защиту можно применять для предупреждения коррозии таких металлических материалов, как сталь, медь, свинец и латунь, в любой почве и почти всех водных средах. Можно предотвратить также питтинговую коррозию пассивных металлов, например нержавеющей стали и алюминия. Катодную защиту эффективно применяют для борьбы с коррозионным растрескиванием под напряжением (например, латуней, мягких и нержавеющих сталей, магния, алюминия), с коррозионной усталостью большинства металлов (но не просто усталостью), межкристаллитной коррозией (например, дуралюмина, нержавеющей стали 18-8) или обесцинкованием латуней. С ее помощью можно предупредить КРН высоконагруженных стрей, но не водородное растрескивание. Коррозия выше ватерлинии (например, водяных баков) катодной защитой не предотвращается, так как пропускаемый ток протекает только через поверхность металла, контактирующую с электролитом. Защитной плотности нельзя также достигнуть на электрически экранированных поверхностях, например на внутренней поверхности трубок водяных конденсаторов (если в трубки не введены вспомогательные аноды), даже если сам корпус конденсатора достаточно защищен.  [c.215]

Отмечено [27], что при анодной защите достигается необычно высокая рассеивающая способность (защита на удаленном от катода расстоянии и защита электрически экранированных поверхностей), намного превосходящая рассеивающую способность при катодной защите. Причину этого приписывали высокому электрическому сопротивлению пассивирующей пленки, что, по всей видимости, неверно, так как ее измеренное сопротивление обычно невелико. Другое объяснение может быть связано с антикоррозионными ингибирующими свойствами анодных продуктов коррозии, образующихся в малых количествах на поверхности нержавеющих сталей (например, ЗгОз , , Fe " ), которые  [c.230]

Возникающие в защитном слое у-кванты испускаются сферически симметрично. Выберем в качестве точки отсчета центр активной зоны и введем обозначения г—растояние до сферического слоя и До—расстояние до детектора. Условием нашей задачи является До—r R.i. Это означает, что все ТОЧКИ поверхностного источника удалены от детектора на расстояния, равные или мало отличающиеся от До—г. Примерно одинаково и экранирование защитой распределенных источников. Число пробегов у-квантов в защите вне объема с источниками захватных у-квантов Ь, а число пробегов у-квантов в пределах этого объема р(го—г). Линейный коэффициент ослабления у-квантов р, относится к композиции материалов внутри объема с источниками.  [c.322]


Интересно отметить, что фрактальная размерность модельног о кластера, полученного в процессе агрегации частиц ограниченной диффузией на квадратной решетке (d 2 модель Виттена-Сандера кластер - частица, случай броуновского движения частиц), имеет значение df l,68 0,07 [9]. При применении к указанной модели приближения среднего ноля, связанного с учетом среднего масштаба экранирования, ограничивающего глубину проникновения частиц вглубь кластера, в [18] получено общее для фрактальной размерности кластеров выражение  [c.105]

Однако с ростом фрактального кластера все большее число его узлов лишается возможности присоединения частиц жидкой фазы, то есть экрана руется. Под экранированием понимается прекращение процесса роста на отдельных участках поверхности кластера. Экранированными узлами чаще всего являются узлы, расположенные во впадинах извилистой фракгальной поверхности кластера, куда вероятность проникновения частицы из соседней макрофазы очень мала. Обычно частицы присоединяются к тем узлам роста кластера, которые более доступны для контакта в первые моменты попадания частицы на кластер. Такие узлы роста оказываются расположенными на выступах поверхности кластер Поэтому экранированные узлы роста фрактального кластера остаются незадействованными. Они трансформируются в процессе роста кластеров во внутренние замкнутые поры и служат причиной  [c.130]

При Е, < 5тес2 и Е-1 > 50/Пес2 сечение растет с энергией медленнее. В частности, при > БОШеС рост сечения ограничивается экранированием кулоновского поля ядра атомными электронами. В предельно релятивистском случае сечение не зависит от энергии. Ход сечения в области малых и больших энергий рассчитывается численным интегрированием выражения для дифференциального сечения. Общий характер изменения сечения с энергией у-квантов представлен на рис. 89.  [c.252]

На больших расстояниях такая система будет вести себя как нейтральная, так как отрицательное облако полностью экранирует центральный положительный заряд. Однако вблизи от центра нейтрона (внутри мезонного облака) экранирования не будет и должно проявляться действие центрального положительного заряда. В связи с этим можно ожидать, что на расстояниях г<Н1т с между нейтроном и электроном будет проявляться взаимодействие в форме притяжения. Расчет показывает, что оно может быть охарактеризовано потенциальной ямой, глубина которой в несколько тысяч раз меньше глубины ямы, характе-ризуюшей потенциал нуклон-нуклонного взаимодействия (который, как указывалось в 70, равен 20 Мэе при ширине Ге =  [c.654]

Понижение энергии t/сим связано с повышением электронной плотности между ядрами взаимодействующих атомов из-за значительного перераспределения электронной плотности по сравнению с плотностями в изолированных атомах. Это легко установить, поскольку электронная плотность пропорциональна ф . В случае понижения энергии электронная плотность пропорциональна ф сим= ( фa+tь) = фo + 2 фa Vl)Ь+ l5й ОтСЮДа ВИДИМ, ЧТО В ПрО-странстве между ядрами электронная плотность повышается по сравнению с суммарной плотностью, которая могла бы получиться при простом сложении плотностей изолированных атомов. В возбужденном состоянии t/ант электронная плотность ант — (фа—113ь)2 в межъядерном пространстве значительно понижается, а в случае одинаковых атомов и вовсе становится равной нулю. Ядра оказываются менее экранированными электронами, и силы отталкивания между ними превышают силы притяжения. Молекула не образуется.  [c.80]

На рис. 2.15 иллюстрируется работа п/п 1LG L0, которая выполняет операцию произвольного экранирования. Результирующий ГО (на рисунке он заштрихован) получен путем логического преобразования исходного ГО относительно замкнутого контура. В данном примере использовалась МЛП = 100. Ненулевое значение первого элемента МЛП в данном примере озна-  [c.44]

Команды преобразования позволяют выполнять самые различные операции над ГИ, такие, как аффинные преобразования щтриховка контуров экранирование ГИ и логические операции над контурами простановка размеров на чертежах.  [c.55]


Смотреть страницы где упоминается термин Экранирование : [c.270]    [c.388]    [c.323]    [c.230]    [c.446]    [c.173]    [c.306]    [c.246]    [c.57]    [c.179]    [c.47]    [c.756]    [c.314]    [c.427]    [c.37]    [c.118]    [c.22]    [c.23]    [c.44]   
Смотреть главы в:

Элементарные возбуждения в твёрдых телах  -> Экранирование

Элементарные возбуждения в твёрдых телах  -> Экранирование

Электропитающие устройства электроакустической и кинотехнической аппаратуры  -> Экранирование


Испытание электроизоляционных материалов и изделий (1980) -- [ c.72 ]

Физическая теория газовой динамики (1968) -- [ c.95 ]

Техническая энциклопедия Том15 (1931) -- [ c.0 ]

Техническая энциклопедия Том 11 (1931) -- [ c.0 ]

Задачи по оптике (1976) -- [ c.366 ]

Теория твёрдого тела (1972) -- [ c.314 , c.351 ]

Физика твердого тела Т.2 (0) -- [ c.142 , c.145 , c.337 , c.344 ]

Физическая кинетика (1979) -- [ c.164 , c.205 ]

Накопители энергии (1991) -- [ c.0 ]

Справочник авиационного техника по электрооборудованию (1970) -- [ c.0 , c.274 , c.294 ]

Физика твердого тела Т.1 (0) -- [ c.142 , c.145 , c.337 , c.344 ]



ПОИСК



Влияние центрального экранирования, растяжек и виньетирования на характер дифракционного изображения точки

Волна спиновой плотноети и экранирование

Дебаевская длина экранирования

Дебаевский радиус экранирования

Дебая длина экранирования

Дебая константа экранирования

Дублеты экранирования

Индукторы для закалки торцовых поверхностей. . Индукторы для закалки шестерен большого модуля. . — Электромагнитное экранирование

Ионное экранирование

Кельвина 483 теория кабелей Хевисайда 485 электромагнитное экранирование

Константа экранирования

Металлизация алюминием оснований корпусов радиоаппаратов (экранирование)

Металлизация для экранирования и нанесения электропроводящих покрытий на непроводники

Мотта константа экранирования

Наводки электростатическое экранирование

Некоторые теоретические обосноваиня допустимых остаточных аберраций и центрального экранирования зрачка в объективах микроскопа

Область Дебая-Хюккеля экранирования заряда поры

Однокорпусные котлы с негерметичным экранированием

Определение качества экранирования электрической сети

Параметр экранирования

Плазма. Дебаевское экранирование

Псевдопотенциалы экранированны

Радиус экранирования

См. также Дальнодействующее взаимодействие Экранирование

См. также Диэлектрическая проницаемость Экранирование

Степень экранирования

Степень экранирования и степень заполнения водоотталкивающих поверхностей

Степень экранирования топки

Теория квантовая экранирования

Томаса — Ферми константа экранирования

Требования к экранированию

Узлы преобразования энергии и экранирования

Уравнения Хартри — Фока, Экранировани

Экранирование бортовой электрической сети объекРАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ ОБЩИЕ СПРАВОЧНЫЕ СВЕДЕНИЯ

Экранирование в плазме

Экранирование в приближении Хартри — Фока

Экранирование в р — «-переходе

Экранирование высокочастотных катушек

Экранирование динамическое

Экранирование заряда

Экранирование зарядов попов

Экранирование зарядов попов примеси

Экранирование ионов свободными электронам

Экранирование квадратного проводника брусом из диэлектрика

Экранирование локализованными носителями заряда

Экранирование местного отсоса приточными струями

Экранирование на высоких частотах.(д — 0,j - велика)

Экранирование низкочастотных кагушек и трансформаторов

Экранирование потенциалов гибридизации

Экранирование проводов

Экранирование псевдо потенциалов

Экранирование псевдопотенциалов и потенциалов гибридизации . 5. Учет обмена и корреляции

Экранирование статического (uj 0) поля в проводниках

Экранирование статического поля свободными зарядами

Экранирование термонягружеииых поверхностей и зов

Экранирование термонягружеииых поверхностей и зов с пониженной циклической прочностью

Экранирование топки

Экранирование топочной камеры и определение паропроизводительности отдельных экранных панелей

Экранирование электрон-фононного

Экранирование электрон-фононного действия

Экранирование электронов

Экранирование электростатическое

Экранирование ядерного реактора

Экранирование. Плазмоны

Экранирования величина

Экранирования температура

Экраны барабанных котлов с негерметичным экранированием

Экраны прямоточных котлов с негерметичным экранированием

Электронный газ как квантовая плазма. Экранирование и плазменные колебания

Электростатическое экранирование свободными носителями заряда

Эффект экранирования

Эффект экранирования при эрозии затупленного тела в сверхзвуковом запыленном потоке



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте