Экранирование электростатическое

Наиболее яркий пример такой физической системы — это система с кулоновским взаимодействием частиц друг с другом (полностью ионизованная плазма), для которого радиус взаимодействия вообше равен бесконечности, так что мы даже не можем использовать отношение v/Rq в качестве что-либо значащего малого параметра. Однако формальная бессмысленность этого отношения не изменяет существующей в такой системе характерной для случая дальнодействия физической ситуации. Из самых общих соображений (см. том 1, 1) ясно, что в термодинамической системе взаимодействие частиц должно иметь конечный эффективный радиус взаимодействия Rq, причем масштаб его должен быть микроскопическим по отношению к линейным размерам системы L IV (иначе при делении системы на макроскопические части для нее не выполнялся бы принцип термодинамической аддитивности). В системе с кулоновским взаимодействием такая экранировка исходного динамического взаимодействия обусловлена, во-первых, тем, что в природе существуют два рода электричества и рассматриваемая нами в целом нейтральная система состоит из сбалансированного числа положительных и отрицательных ионов во-вторых, тем, что эти заряженные частицы или диполи не закреплены в пространстве, а смещаются, поворачиваются, участвуют в тепловом движении и т. д., что и приводит к появлению поляризационных э<Й>ектов в таких системах и, в частности, эффекта экранирования электростатического поля отдельного заряда. Характерно, что в возникновении этой экранировки участвует сразу много, порядка RI/v > 1. частиц, и это один из специфических коллективных эффектов в системах с дальнодействием (см. также том 3, гл. 5. 5). [c.312]

I— )/1/ (иначе при делении системы на макроскопические части для нее не выполнялся бы принцип термодинамической аддитивности). В системе с кулоновским взаимодействием такая экранировка исходного динамического взаимодействия обусловлена, во-первых, тем, что в природе существуют два рода электричества и рассматриваемая нами в целом нейтральная система состоит из сбалансированного числа положительных и отрицательных ионов во-вторых, тем, что эти заряженные частицы или диполи не закреплены в пространстве, а смещаются, поворачиваются, участвуют в тепловом движении и т. д., что и приводит к появлению поляризационных эффектов в таких системах и, в частности, эффекта экранирования электростатического поля отдельного заряда. Характерно, что в возникновении этой экранировки участвует сразу много, порядка частиц, и это один из специфических коллективных эффектов в системах с дальнодействием (см. также ТД и СФ-П, гл. V, 5). [c.640]

Сравнительно высока энергия электростатического взаимодействия для металлов с о. ц. к. решеткой, равная примерно коттреллов-ской. Электростатическое взаимодействие между ионами примеси и дислокацией возникает потому, что около ядра дислокация существует электрический дипольный заряд, который в металлах экранирован электронами проводимости и сохраняется только на малых расстояниях около ядра дислокаций. [c.222]

Замедление процесса коррозии при введении индивидуальных адсорбционных ингибиторов связано, главным образом, с изменением в строении двойного электрического слоя, с возникновением дополнительного положительного адсорбционного скачка потенциала и уменьшением свободной поверхности корродирующего металла в результате экранирования части ее адсорбированным ингибитором. Скопление ингибитора на поверхности корродирующего металла обусловлено преимущественно электростатической адсорбцией, а также специфической адсорбцией I рода, зависящей, в основном, от свойств частиц ингибитора и от заряда металла [12]. [c.36]

В свою очередь, именно низкая концентрация носителей заряда и малая их подвижность приводят к тому, что в диэлектриках может существовать электростатическое поле (в проводниках это поле немедленно экранируется носителями заряда в металлах, например, радиус экранирования практически равен межатомному расстоянию). Таким образом, поляризация способствует возникновению и существованию в диэлектриках сравнительно устойчивого состояния с чрезвычайно малой электронной проводимостью. Но эта устойчивость может быть нарушена нагревом диэлектрика до высоких температур или радиационным облучением высокой интенсивности (в том числе когерентным оптическим — лазер- [c.42]

Обычно электрическая поляризация диэлектриков, индуцированная внешним электрическим полем, после выключения поля исчезает — диэлектрик в равновесном состоянии деполяризован. Однако в некоторых случаях поляризованное состояние сохраняется диэлектриком длительное время после снятия поля — возникает остаточная поляризация. К ней может привести, например, замораживание некоторых механизмов тепловой и миграционной поляризаций, если время релаксации по тем или иным причинам резко возрастает (см. 2.1). Остаточную поляризацию могут создавать также электрические заряды, внедренные в диэлектрик при предварительной электризации и закрепившиеся в нем на поверхностных или объемных ловушках . Если диэлектрик с остаточной поляризацией не экранирован металлическими электродами, то он создает в окружающем пространстве электростатическое поле, подобно тому как постоянный магнит создает магнитное поле. [c.161]

Какой степени электростатического экранирования можно достичь с помощью оболочки из диэлектрической керамики с = = 5000 [c.45]

Над поверхностью ртути в резервуарах расположена электрически изолированная стальная пластинка диаметром 3,5 сж, которая служит для определения высоты ртути в резервуарах. Электростатическая емкость между пластинкой и поверхностью ртути является частью емкости в одной из двух цепей генератора на биениях. В экранированной камере выше резервуара имеется эталонная емкость, которая подбирается так, чтобы ее значение было равно значению емкости между пластинкой и поверхностью ртути для желаемой высоты ртутного столба. Переключение этих двух емкостей производится в течение нескольких секунд пневматическим ртутным переключателем. Установлено, что оптимальное расстояние между поверхностью ртути и пластинкой должно составлять примерно 0,15 мм. Изменение давления на 1 мкм рт. ст. при этой высоте столба вызывает изменение емкости на 0,2 пф, что приводит к изменению частоты биений на 60 гц. Следовательно, чувствительность манометра значительно меньше 0,1 мкм рт. ст. [c.125]

Для измерения расхода агрессивных и загрязненных жидкостей получили распространение магнитные расходомеры с переменным магнитным полем. Они свободны от явления поляризации, но подвержены влиянию различных помех, возникающих как в датчике, так и вне его. Помехи от внешних полей и частично электростатические помехи от сети переменного тока, питающего электромагнит, устраняются тщательным экранированием датчика. Столб жидкости между электродами и выводы электродов, замкнутые через измерительный прибор, образуют контур, в котором, как в обмотке трансформатора, переменное магнитное поле наводит э. д. с., не зависящую от скорости жидкости. Это приводит к возникновению так называемых индукционных (трансформаторных) помех. Паразитная э. д. с. пропорциональна частоте тока и сдвинута по фазе относительно полезного сигнала на 90°. [c.362]

Машиностроительные фирмы Японии при металлообработке в ряде случаев используют газообразные СОТС. При этом наибольшее распространение получило сухое электростатическое охлаждение (СЭО) лезвийного режущего инструмента, заключающееся в подаче в зону резания ионизированного и озонированного воздуха. В этом случае удалось уменьшить температуру рабочей части резца при точении заготовок из коррозионно-стойких сталей и других труднообрабатываемых материалов на высоких скоростях до 110...115 °С, а температуру инструмента на задней поверхности в 1,5 раза [15]. При этом происходит одновременное охлаждение зоны резания сжатым воздухом и экранирование тонкой оксидной пленкой зоны контакта режущего инструмента и обрабатываемой заготовки. Обладая значительно большей, по сравнению с СОТС, находящимся в твердом или жидком агрегатном состоянии, проникающей способностью, ионизированный и насыщенный озоном охлажденный воздух способен оказать определенное влияние на процессы контактного взаимодействия инструмента и материала обрабатываемой заготовки. [c.280]

Фиг.58. Способ электростатического экранирования

Электростатическое экранирование свободными носителями заряда. Область пространственного заряда как-бы "экранирует" электронейтральный объем кристалла от внешнего поля. Из соотношения (1.6) ясно, что чем больше параметр 1д, тем меньше при прочих равных условиях производная dY/dz и, следовательно, на большую глубину проникает электрическое поле в твердое тело. [c.20]

Очевидно, что при любом распределении глубоких центров по энергии участвовать в электростатическом экранировании будут лишь те из них, энергетические уровни которых находятся вблизи уровня Ферми, так что под М, в формуле (1.12) следует понимать плотность именно таких состояний в ОПЗ. [c.21]

В диэлектриках с заметной ионной проводимостью электростатическое экранирование, по крайней мере частично, может осуществляться за счет накопления ионного заряда в приповерхностной области. В итоге дебаевская длина экранирования станет еще меньше. [c.21]

Электростатическое экранирование. Если мы погрузим пробный точечный заряд д в состоянии покоя внутрь металла, то электронная концентрация вблизи этого пробного заряда испытает возмущение, в результате которого электрическое поле заряда окажется в значительной мере скомпенсированным полем, индуцированным нарушением однородности электронной концентрации. В этом случае говорят, что пробный заряд экранируется электронным газом. Для описания этого явления вводится характеристика, именуемая длиной экранирования-, на расстояниях, меньших этой длины, экранирование эффективно не проявляется, а на больших расстояниях становится все бо-лее и более полным. [c.290]

Разумеется, в металле на ион действуют и другие силы. В частности, экранирование проявляется в том, что электростатический потенциал, а следовательно, и сила уменьшаются [в знаменателе появляется диэлектрическая функция е q, о))1. Кроме того, возникают силы, связанные с псевдопотенциалом интересно, однако, проследить, к чему приводит учет только одного экранирования. Мы рассмотрим статическую диэлектрическую функцию, которой, как легко показать, можно пользоваться в случае низких частот. В п. 3 4 гл. III было показано, что в длинноволновом пределе диэлектрическая функция равна 4ле /г Ep) (f. Тогда частота соответствующей моды в системе с экранированием определяется выражением [c.487]

Предположим, что в электронный газ помещена положительно заряженная частица, которая жестко закреплена в некоторой заданной точке. Она будет притягивать к себе электроны, создавая в своей окрестности избыток отрицательного заряда, который уменьшает (или экранирует) ее поле. При рассмотрении такого экранирования удобно ввести два электростатических потенциала. Первый из них, создается только самой положительно заряженной частицей и удовлетворяет поэтому уравнению Пуассона [c.337]

Если поместить электрон в зону проводимости идеального ионного кристалла, то может оказаться энергетически выгодным, чтобы он занимал локализованный в пространстве уровень, образование которого сопровождается локальной деформацией первоначально правильной ионной решетки (т. е. ее поляризацией). Эта деформация обеспечивает экранирование поля электрона и уменьшает его электростатическую энергию. Подобное образование (электрон плюс наведенная поляризация решетки) оказывается значительно более подвижным, чем те дефекты, с которыми мы имели дело до сих пор. Обычно его рассматривают совсем не как дефект, а как нечто существенно усложняющее теоретическое [c.243]

Чтобы лучше понять то, что мы имеем в виду, вернемся к электростатическому потенциалу вида 1/г. Для объяснения такого его вида в квантовой электродинамике принимается, что всякий электрический заряд, например заряд электрона, окружен облаком виртуальных фотонов и виртуальных пар (е+, е ). Эти виртуальные частицы создают эффект экранирования заряда, так что на больших расстояниях одетый заряд воспринимается как более слабый, чем на меньших. Этим и объясняется математическая форма кулоновского потенциала взаимодействия. В квантовой электродинамике предполагается, что голый заряд электрона исключительно велик, а измеряемый заряд есть разность голого заряда и заряда частиц, экранирующих его. Если бы была возможность последовательно измерять заряд электрона на все более малых расстояниях, то мы обнаружили бы, что его величина непрерывно увеличивается по мере нашего погружения в облако виртуальных частиц, образующих экран. Следовательно, постоянная тонкой структуры а на самом деле не является константой. Она растет с уменьшением расстояния, а 1/137 — это лишь ее асимптотическое значение, получаемое на расстояниях порядка диаметра атома. [c.226]

Электростатическое экранирование. Идеальный способ предотвращения возникновения емкостной связи — это защита электрических контуров датчика и всей измерительной системы заземленным металлическим экраном. Но при этом могут возникнуть проблемы с контактным заземлением, например в случае, если датчик и устройство отображения имеют разные точки заземления. Коаксиальный кабель экранирует провода, соединяющие элементы измерительной системы между собой, однако при этом кабель должен иметь заземление только на одном конце для того, чтобы избежать многоконтактного заземления. [c.51]

На больших расстояниях электростатический потенциал ф сводится к кулоновскому члену ej гQr. Сумма ф и на больших расстояниях, конечно, обращается в нуль. Каков же порядок величины длины экранирования 1/ко [c.329]

Так как двухпроводная система легко анализируется элемен тарными электростатическими методами, ее волновое сопротивление может быть просто получено из ее электростатической емкости. Во многих работах волновое сопротивление, полученное таким путей используется для определения волнового сопротивления одиночно, го проводника над заземленной пластиной путем простого умножения на 1/2. Здесь поступим наоборот — удвоим результат, уже пот лученный выше [ур-ние (2.4.2а)]. Тогда волновое сопротивление не экранированной двухпроводной линии будет выглядеть следующие образом (2.1 2.7] [c.28]

В радиоэлектронике металлизацию применяют для обеспечения электростатического и электромагнитного экранирования приборов, для декоративной отделки ручек и кнопок приборов и для других целей. В автомобильной промышленности декоративной отделке подвергают некоторые детали кузова автомобиля дверные ручки, гнезда для антенн, фирменные и номерные знаки и др. [c.56]

Любая Э. п. не только формирует пучок необходимой формы, но и ускоряет электроны пучка до необходимой энергии электрич. полем между анодом и катодом. Магн. поле, не изменяющее энергию электронов пучка, используется для дополнит, формирования (фокусировки) пучка. Поскольку сформированный пушкой электронный пучок на выходе из анодного отверстия за счёт кулоновского расталкивания неограниченно расширяется, получение протяжённого пучка ограниченного сечения возможно лишь при компенсации расталкивающего действия пространств. заряда внеш. электрич. или магн. полями. Ограничить расширение пучка можно с помощью продольного магн. поля (однородного или уменьшающегося в направлении катода) или последовательностью электронных линз (электростатических или магнитных), расположенных вдоль пучка. В Э. п., формирующих пучки с параллельными траекториями, используется продольное однородное магн. поле, силовые линии к-рого совпадают с траекториями, а вблизи катода и с электрич. силовыми линиями, что обеспечивает существование протяжённого устойчивого пучка. В Э. п. с компрессией ограничивающее магн. поле уменьшается в прикатодной области, что обеспечивает примерное совпадение электрич. и магн. силовых линий. Такие пушки с частично экранированным катодом позволяют формировать высокопервеансные пучки. [c.552]

Защитные оболочки сцинтилляционных счетчиков. Ранее (см. 6-2) уже отмечалось, что сцинтклляционный счетчик монтируется в светонепроницаемом кожухе. При металлическом светонепроницаемом кожухе любой минимальной толщины достигается надежное экранирование и от электростатических полей. Значительно сложнее организовать защиту от электромагнитных полей, которые, влияя на траекторию движения электронов, могут нарушить электронно-оптическую систему ФЭУ. Результатом такого влияния является уменьшение эффективности сцинтилляционного счетчика. [c.156]

Для одноименных катионов различия в энергиях их взаимодействия с молекулами SO2 могут определяться степенью экранирования катиона электростатическим полем соседних атомов кислорода, т. е. чем прочнее связан катион с решеткой цеолита, тем менее энергично он должен взаимодействовать с адсорбируемой молекулой. Такое положение можно охарактеризовать степенью катионного обмена исследуемых цеолитов чем больще эта величина, тем меньше теплота адсорбции. [c.120]

Вольтметр типа С502 (ОКП 42 2424 0020) — лабораторный однопредельный прибор электростатической системы, экранированный, предназначенный для измерения напряжений постоянного и переменного тока. Диапазоны измерений (в зависимости от модификации) О—30 О—75 0—150 0—300 0—450 0—600 В 0—1 0—4,5, 0—3 кВ. Класс точности — 0,5. Нормальная область частот 45—Ы0 Гц. Точность вольтметра обеспечивается при любой форме кривой измеряемого напряжения, если частота высших гармоник лежит в нормальной области частот. Входное сопротивление вольтметра 10"> Ом. Время установления показаний не более 6 с. Габаритные размеры 205X290x135 мм, масса 4 кг. [c.391]

При точных измерениях необходима хорошая экранировка. В наших экспериментах экранировка генератора фильтров, трансформаторов и усилителя была электростатической и магнитной. Мост и некоторые из его элементов экранируют электростатически. Магнитное экранирование осуществляют толстостенными железными кожухами (толщина стенки около 1 см). [c.249]

Одной из таких мер является электростатическое экранирование, которое заключается в том, что каждый элемент схемы помещакэт в металлический экран. [c.950]

Большое влияние на равно.мерность и качество покрытий, получаемых в электрическом поле, оказывает форма окрашивае--мых изделий и комплектование их на подвесках. На изделиях слолшой конфигурации создается неравномерное электрическое поле заряды концентрируются на кромках и выступающих частях поверхности, напротив, в углублениях, пазах они отсутствуют или их плотность ниже. Поэтому лакокрасочный материал осаждается в первую очередь на выпуклых и ровных поверхностях, внутренние углы, полости сосудов и различные пазы и узкие щели, как правило, не прокрашиваются в электрическом поле. На конвейере экранирование одних изделий другими вызывает неравномерное распределение лакокрасочного материала на поверхности. Для улучшения равномерности окраски нередко устанавливают дополнительные некоронирующие электроды или сочетают электростатическое распыление с другими способами нанесения лакокрасочных материалов. [c.212]

В этой главе мы завершим рассмотрение наиболее важных свойств свободного электронного газа. Наша цель состоит в том, чтобы с максимальной физической ясностью осветить все аспекты поведения свободного электронного газа и сделать это до того, как мы перейдем (в гл. 9) к рассмотрению тех модификаций нарисованной картины, которые вносятся эффектами взаимодействия электронов проводимости с кристаллической решеткой. Мы начнем с рассмотрения реакции свободного электронного газа на воздействие внешнего электрического поля. Статическая реакция электронного газа сводится к электростатическому экранированию кулоновского взаимодействия. Динамическая реакция электронного газа проявляется в типичном для металлов отра-женип света и в возбуждении плазмонов — форме коллективного движения электронного газа. [c.281]

Волновые функции электронов проводимости в металле являются простыми и достаточно гладкими в области между ионными остовами, однако, как уже отмечалось выше при рассмотрении основного состояния электрона в натрии в связи с рис. 10.17, структура этой функции в узлах решетки, где находятся ионные остовы, становится сложной. Большую часть объема большинства металлических кристаллов занимают именно межионные области (см. рис. 10.22). В этой внешней по отношению к ионам области объема потенциальная энергия электрона проводимости относительно мала это кулоповскнй потенциал положительных зарядов ионов, уменьшенный электростатическим экранированием, обусловленным другими электронами проводимости. Во внешней области волновые функции несколько похожи на плоские волны здесь отсутствует влияние как сильных и резких изменений потенциала вблизи атомных ядер, так и влияние требования ортогональности ) волновых функций электронов самих ионных остовов. Существование узлов (нулей) волновой функции в области ионного остова связано с требованием ортогональности например, волновые функции 35-зоны натрия имеют два узла и в силу этого не могут быть [c.358]

Примечание. При уточнении характера э1фанирования (электростатическое или электромагнитное) под изображением линии экранирования проставляют буквенные обозначения соответственно [c.972]

Для уменьшения уровня помех радиоприему со стороны электрячеоких агрегатов (коллекторов электромашин, преобразователей, контактов реле), установленных на объекте, применяются специальные меры укорочение помехонесущих проводов и их экранирование, магнитная и электростатическая экранировка источников радиопомех и радиоаппаратуры, применение искрогасительных контуров в цепях работающих контактных устройств, применение блокировочных и проходных конденсаторов, а также защитных фильтров во входных и выходных цепях электро- и радиоаппаратуры. На объекте с одноцроводной системой электрической сети к качеству соединения минусового провода электро- и радиоаппаратуры с корпусом объекта предъявляются повышенные требования. Во многих случаях минусовый провод одновременно является также перемычкой металлизации. [c.253]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...