Напряжение смещения

Акустическое поле преобразователя определяет зависимость акустической величины (давления, напряжения, смещения и т, н.) от положения исследуемой точки в пространстве. Поле, возникающее в результате действия излучающего преобразователя, называют полем излучения. [c.72]

Характеристика ветви убывания выходного напряжения гистерезисной петли зависит от экспериментального значения входного напряжения, поскольку запирающие напряжения на диодах определяются теперь не только напряжениями смещения, но и зарядами на конденсаторах. [c.355]

При отсутствии метана транзистор Т, открыт, а закрыт, реле Р обесточено. Задний порог устойчивого состояния мультивибратора устанавливается величиной напряжения смещения на транзисторе с помощью резистора (установкой срабатывания сигнализации). [c.229]

Рассмотрим, для примера, работу усилителя- на транзисторах ПП1 и ПП2. Напряжение смещения, подаваемое на базу транзистора ПП2, подбирается так, чтобы он был закрыт (ток в цепи коллектора отсутствует). Реле Р1, служащее нагрузкой для ПП1, находится под током. [c.397]

Пороговое напряжение зависит от очень многих технологических причин. Прежде всего, рассмотрим влияние концентраций СН4 в Н2 и напряжения смещения [255] при микроволновом процессе осаждения. [c.201]

Рис. 5.3. Зависимость пороговой напряженности электрического поля от концентрации СН4 для пленок, выращенных при напряжении смещения — 100 В в смеси газов СН4, 1 % N2 и соответствующее количество Н2

Влияние напряжения смещения на пороговое электрическое поле демонстрируется рис. 5.4. В этом эксперименте газовая смесь состо- [c.202]

Рис. 5.4. Зависимость пороговой напряженности электрического поля от напряжения смещения подложки для пленки, выращенной в плазме. Состав газовой смеси 10% СН4, 1% N2, 89% Нз

Нанотрубки синтезируются в дуговом разряде постоянного тока в атмосфере гелия при давлении 360 мм рт. ст., напряжении смещения на подложке 20 В, токе дугового разряда 50—70 А. Полученные нанотрубки очищаются обычным способом с помощью ультразвука в этаноле. Аморфный и графитированный углерод удаляется отжигом в инертной атмосфере при температуре 300—800 °С в течение 40 минут. Далее из нанотрубок приготавливается суспензия на основе органических растворителей, которая используется непосредственно для печатания катодных структур. [c.208]

Предпринимаются достаточно широкие попытки использовать для создания плоских дисплейных экранов и алмазоподобные пленки [349, 350]. Алмазоподобные пленки наносятся, как правило, на кремниевую подложку методом газофазного осаждения (см. гл. 5) в дуговом разряде. Катод представляет собой графитовый диск диаметром 50 мм (содержание углерода 99,99%). Ток дуги, поддерживаемый на уровне 60 А, позволяет получать скорость осаждения алмазоподобной пленки до 1,2 мкм/час. Осаждение производится на подложку п-типа монокристаллического Si (111) (р< 0,01 ом/см) при напряжении смещения —200 В. [c.259]

Фиксация напряжения смещения через блокирующий конденсатор позволяет включить повышающую обмотку импульсного [c.293]

Регулировка ширины импульса электронного луча производится изменением напряжения смещения модулятора или изменением напряжения питания преобразователя. [c.295]

Напряжение смещения устанавливается регулировкой плунжера датчика давления с таким расчетом, чтобы при давлении, равном нулю, на выходе датчика было напряжение U M- [c.48]

Датчиком температуры пара служит термометр сопротивления Ri, включенный в одно из плеч моста Afi. Питание моста осуществляется напряжением, пропорциональным давлению и изменяющимся по закону уравнения (2-9а). Такой закон изменения напряжения можно получить первоначальным смещением плунжера диф-трансформаторного преобразователя датчика давления 1 типа МЭД или включения напряжения смещения с помощью задающего преобразователя 2 последовательно с преобразователем датчика давления, как это выполнено в схеме на рис. 2-6,а. Конденсатор С служит для подгонки фаз напряжений. Напряжение на измерительной диагонали аб моста Mi равно [c.54]

Для получения от датчика давления напряжения U=k29—плунжер датчика МЭД соответствующим образом сдвигается, а у датчика ИДФ подбирается необходимое соотношение напряжений смещения и рамки может быть также подано напряжение смещения от постороннего источника. Если ограничить угол поворота 84 [c.84]

Применение для моделирования нелинейностей нелинейных электрических сопротивлений ставит перед исследователем в числе других еще одну, достаточно важную проблему. Дело в том, что на характеристику нелинейного элемента обычно оказывает влияние ряд параметров (напряжения смещения, величины дополнительных сопротивлений, ток базы транзистора и т. п.). Подбор необходимого режима работы элемента является трудоемким процессом, так как требуется снятие большого количества характеристик. Для упрощения этого процесса разработан прибор, функциональная схема которого показана на рис. 30. В ней с генератора линейно-нарастающего напряжения ГЛН пилообразное напряжение подается на НС. Между катодом и сетками лампы включены регулируемые источники смещения E i и а параллельно лампе — магазин сопротивлений R типа РЗЗ. Между катодом лампы и землей включено калибровочное сопротивление R , на котором создается падение напряжения f/к, пропорциональное току, текущему через НС. Напряжение подается на вход У осциллографа ЭО типа С1-13, на экран которого нанесена эталонная парабола у = Поскольку ток /не яв- [c.109]

После получения требуемой характеристики значения напряжений смещения на сетках лампы и значение сопротивления R фиксируются, с тем, чтобы воспроизвести их при использовании данного НС на модели. [c.111]

Исходя из уравнения (Х.18), по известному закону изменения а (т) определяется зависимость коэффициента А (т). Поскольку этот коэффициент является параметром анодной характеристики лампы, то сама характеристика также должна изменяться во времени. Для этого Б схеме предусмотрено управление характеристикой лампы с помощью изменения напряжения смещения U на одной из ее сеток. Это осуществляется каналами блоков ФФ и ГУ- . [c.131]

После включения кнопки пуска КнП на управляющие сетки ламп JI1 и Л2 подается первоначальное напряжение смещения и , в граничную точку модели поступает ток и на ПМ формируется некоторое потенциальное поле. Сигнал из узловой точки пассивной модели ПМ поступает на вход сумматора-вычитателя См, на второй вход которого подается потенциал ПДН, соответствующий функции 0 в указанной выше узловой точке. С выхода См сигнал рассогласования поступает на вход сумматора См1, где суммируется с аналогичными сигналами, поступающими с других сумматоров-вычитателей См. [c.170]

На выходе См2 формируется напряжение смещения U i, которое изменяется до тех пор, пока потенциалы в узловых точках модели не будут равны потенциалам ПДН, соответствующим функции 0 в этих точках. Вольтметр, включенный между катодом лампы Л1 и ее управляющей сеткой, покажет напряжение смещения, которое с точностью до постоянного множителя даст значение а. Если шкалу вольтметра проградуировать с учетом переходных коэффициентов в Вт/(м -град), то можно сразу получать значение а. [c.171]

В туннельных переходах сверхпроводник — изолятор — сверхпроводник (СИС) при напряжении смещения V — 2Д/е, где А — ширина энергетич. щели сверхпроводника, начинается туннелирование отд. электронов, к-рому соответствует резкий рост тока через переход (рис. 4). Большая нелинейность ВАХ такого одно- [c.444]

В качестве примера нелинейной консервативной колебательной системы с одной степенью свободы рассмотрим электрический колебательный контур без затухания с конденсатором, в котором нет линейной зависимости напряжения от заряда. Подобными нелинейными свойствами обладают конденсаторы, в которых в качестве диэлектрика используются материалы, имеющие сег-нетоэлектрические свойства, и емкости, возникающие в р п-переходах (например, в полупроводниковых диодах) при обратном напряжении смещения. [c.29]

Найденное выражение дает величину постоянного нгпряжения смещения, образующегося на емкости за счет несимметрии нелинейного сопротивления. Появление этого напряжения на радиотехническом языке называется детектированием воздействующего гармонического сигнала. Отметим, что величина постоянного напряжения смещения для заданной амплитуды воздействия связана лишь с коэффициентом р, [c.118]

В малой но сравнению с размерами тела и тpeн ины окрестности произвольной точки контура трещины среда находится в условиях плоской задачи, и при изучении процесса деформирования можно рассматривать трещину как полубесконечную и прямолинейную. При этом для напряжений, смещений, электрического потенциала и электрического поля можно использовать соответствующие асимптотические распределения в малой окрестности точки контура трещины. [c.72]

Таким образом, напряжения, смещения и компоненты электрического поля можно получить в каждой точке среды в явном виде. В частности, разность смещений берегов трещины wix) и нормальные напряжения azzix, 0) представимы следующими выражениями [c.398]

Этот ток имеет в основном три составляющие. Первая обусловлена попаданием во время работы на сетку лампы некоторого количества электронов из катода. Для устранения этого на сетку подают отрицательное напряжение смещение. Вторая составляющая вызвана ионизацией остатков газа в лампе или распылением катода, а третья—электронной эмиссией самой сетки. Для уменьшения второй составляющей сетка внутри лампы крепится на особых стеклянных держателях, защищающих от попадания на ее поверхность проводящих частиц. Уменьшение термоэлектронной эмиссии достигается снижением температуры внутри лампы, для чего понижают температуру катода, применяя специальные материалы. Электрометрическая лампа закрывается экраном от доступа света с целью устранения фотоэлектрс. шого эффекта от внешних источников. [c.41]

Эксперименты проводили на циклотроне Вашингтонского университета, материаловедческом исследовательском реакторе (MTR) и импульсном реакторе Годива-П [2, 35]. В циклотроне в результате бомбардировки бериллиевых мишеней дейтронами с энергией 22 Мэе получали нейтроны с энергией в несколько миллионов электронвольт, которые использовали для облучения транзисторов. Реактор Годива-П давал 1,4-10 нейтронов в импульсе. Интегральный поток нейтронов [нейтронIсм ) определяли для нейтронов с энергией выше 400 кэе. В этих работах для различных транзисторов были получены значения коэффициента р, соответствующие передаче слабых и сильных сигналов, в.зависимости от тока эмиттера /<= при различных интегральных потоках нейтронов. Кроме того, определены коллекторные характеристики в области малых токов эмиттера, а также зависимость от интегрального потока нейтронов при различных напряжениях смещения. В табл. 6.1 и 6.2 приведены значения для необлученных транзисторов, рассчитанные значения постоянной К для некоторых из этих транзисторов, а также значения р для случая слабых сигналов пос.ле облучения быстрыми нейтронами при указанных значе- [c.285]

Усиленное напряжение подают на следующий каскад через разделительную емкость g, напряжение смещения иа последу1эщую лампу подается через утечку сетки R . Напряжение смещения образуется на сопроти- SUa [c.568]

Электронное реле представляет собой два однокаскадных усилителя (первая и третья позиции контроля) или просто однокаскадный усилитель (вторая позиция контроля). Усилители собраны на лампах 6П6С в режиме триодов, в анодные цепи которых включены реле. В сеточные цепи усилителей включены электроконтакт-ные датчики КД1, КД2, КДЗ. Отрицательное напряжение смещения, снимаемое со специальной обмотки трансформатора,, ,запирает лампу. При замыкании контактов датчика потенциалы сетки и катода лампы уравниваются — лампа, ,отпирается . При этом срабатывает электромагнитное реле, контакты которого замыкают цепь питания соответствующего испытательного элемента — электромагнита или цепь питания сигнальных лампочек. Цепь сигнальных лампочек включается только в режиме настройки. В рабочем режиме автомата цепь размыкается переключателем В4, и только лампочка Л14 дает сигнал о подаче питания в электронный блок. [c.392]

Хорошо известно, что взаимодействие ионов с поверхностью растущей пленки приводит к увеличению числа дефектов кристаллической решетки, влияющих на микроструктуру поверхности, и, следовательно, на авто-эмиссионные свойства пленок [256]. Было установлено, что отрицательное смещение меняет ориентацию алмазоподобной пленки. Однако механизм, по которому напряжение смещения подложки в течение роста пленки влияет на автоэмиссию, еще не известен. Тем не менее, пленки с минимальной величиной порогового электрического поля имеют примерно такую же ровную поверхность, как и пленки с большей величиной порогового поля. Это предполагает, что наблюдаемые низкие значения порогового электрического поля не связаны с увеличением локального электрического поля. [c.202]

Напряжение смещения U 2 на второй сетке, а также значения сопротивлений R2 и R3, соответствующие определенной характеристике лампы, определяются на специальном приборе, о котором речь шла в гл. VIII. [c.131]

Для того чтобы через лампу Л2 шел ток Vее катод соединен с узловой точкой, а на анод подается суммарный сигнал (Vm+ V(.) с выхода сумматора См4, входы которого соединены с ПДН и с граничной точкой модели. Коэффициент А в анодной характеристике 1 = AVлампы Л2 оказывается равным аналогичному коэффициенту в характеристике лампы Л1, благодаря тому что напряжения смещения на управляющих сетках обеих ламп относительно своих катодов оказываются равными. Это достигается за счет юго, что на сетку лампы Л2 подается напряжение с сумматора СмЗ, где складывается напряжение U с потенциалом граничной узловой точки. [c.171]

Во всё время работы на электродах, непосредственно ie подключённых к потенциалам U p или U , поддер-яИ1 И 1(1е Я небольшое напряжение смещения U m. (1—3 В), < беопёчивающее обеднение носителями заряда всей по-kktix Ho ni полупроводника и ослабление на ней реком-бияаЦ. эффектов. [c.109]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...