См. также Кристаллические системы

См. также Кристаллические системы Типы решеток Бравэ Решетка обратная см. Обратная решетка Решетка прямая 195 Решетка с базисом 186, 87 [c.438]

См. также Кристаллические системы Кристаллы, прочность II 252, 253 [c.399]

См. также Ангармонические члены Колебания решетки Фононы Гексагональная кристаллическая система 1126, 127 Гексагональная плотноупакованная структура I 86—91 [c.404]

См. также р — п-переход Точечные группы см. Кристаллографические точечные группы Точечные дефекты П 234. См. также Дефекты в кристаллах Трехвалентные металлы 1300—304 Тригональная кристаллическая система 1126, 135 связь с гексагональной системой 1133 (с) [c.446]

См. также Ангармонические члены Колебания решетки Фононы Гексагональная кристаллическая система I 126, 127 [c.394]

См. также Инертные газы твердые Моноатомная решетка Бравэ I 87 Моноклинная кристаллическая система I 125, 126 МТ-потенциал I 203 Мультиплет II 267 Мультиплетность II 267 Мультипольное разложение I 354 Мягкие моды II 83 (с) [c.402]

Точечные группы см. Кристаллографические точечные группы Точечные дефекты II 234. См. также Дефекты в кристаллах Трехвалентные металлы I 300—304 Тригональная кристаллическая система I [c.412]

Как мы уже отмечали, основные переходы иона Nd + —это переходы, совершаемые тремя электронами, принадлежащими оболочке 4/. Эти электроны экранируются восемью внешними 5s-и 5р-электронами, Соответственно уровни энергии в стекле с неодимом в основном располагаются так же, как и в кристалле Nd YAG. Поэтому и наиболее интенсивный лазерный переход имеет длину волны % ж 1,06 мкм, Однако в стекле из-за неоднородного уширения, обусловленного локальными неоднородностями кристаллического поля стеклянной матрицы, линии лазерных переходов намного шире. В частности, основной лазерный переход с Х=1,06 мкм примерно в 30 раз шире, поэтому максимальное сечение перехода приблизительно в 30 раз меньше, чем в кристалле Nd YAG. Разумеется, более широкая линия благоприятна для работы в режиме синхронизации мод, в то время как меньшее сечение необходимо для импульсных высокоэнергетических систем, поскольку пороговая инверсия для паразитного процесса УСИ (усиление спонтанного излучения) [см. (2.153)] соответственно увеличивается. Таким образом, по сравнению с Nd YAG в стекле с неодимом до включения УСИ может быть запасено в единичном объеме больше энергии. Наконец, поскольку полосы поглощения в стекле с неодимом также много шире, чем в кристалле Nd YAG, а концентрации ионов Nd + обычно вдвое больше, эффективность накачки стержня из стекла с неодимом приблизительно в 1,6 раза больше, чем в стержне из Nd YAG тех же размеров (см. табл. 3.1). Однако наравне с этими преимуществами стекла с неодимом по сравнению с кристаллом Nd YAG стекло обладает весьма серьезным ограничением, связанным с его низкой теплопроводностью, которая приблизительно в десять раз меньше, чем в Nd YAG. Это существенно ограничивает применения лазеров на стекле с неодимом импульсными системами при небольшой частоте повторения импульсов (с 5 Гц), чтобы избежать проблем, связанных с нагревом стержня. [c.338]

Процессы диффузии определяют, например, образование зародышей, рост кристаллов, образование осадков, фазовые превращения в твердых телах, процессы спекания и протекание твердофазных реакций. При разрушении материалов (например, вследствие образования окалины или коррозии) явления диффузии также играют существенную роль. Стойкость различных материалов при повышенных температурах и в присутствии реакционноспособных газов (О2, Н2О) зависит в значительной степени от диффузии этих газов в основное кристаллическое вещество. Причины диффузии, т.е. ее движущие силы, можно объяснить законами термодинамики. Процессы диффузии возможны, если при этом уменьщается свободная энергия системы или повышается энтропия. Так как диффузионные процессы связаны с повышением энтропии, они необратимы (см. 6.3.1). Если система находится в равновесии, т.е. энтропия максимальна, то диффузия не может происходить самопроизвольно. Таким образом, процессы диффузии всегда происходят при отклонении от термодинамического равновесия. [c.232]

Коэффициенты расширения вдоль кристаллографических направлений измерялись также на литых образцах, состоявших почти из чистого соединения №5813(7 /). Параметры решетки указывают на более сильное расширение по оси а, чем по оси с (см. табл. 3). При длительных выдержках (около 50 час) уже при 600° становится заметным превращение кристаллической формы Т1 в Т2. При этом кристаллы Т1 окончательно исчезают при 900°, а форма Т2 полностью еще не успевает образоваться. Создается впечатление, что здесь должна возникнуть еще и другая кристаллическая фаза. Гольдшмидт. [18] считает, что фаза Т1 является высокотемпературной формой, которую можно закалить и которая в течение некоторого времени может быть стабильной при температурах до 1000°. Другое объяснение этого обстоятельства было дано при исследовании системы ЫЬ-5-81—В [19], в которой появление двухфазного поля Т1 +Т2 связывалось с присутствием в соединении ниобия или металлоида. [c.144]

УЗ-вые волны затухают значительно быстрее, чем волны более низкочастотного диапазона, т. к. коэфф. классического поглощения звука (на единицу расстояния) пропорционален квадрату частоты. В низкочастотной области коэфф. релаксационного поглощения также растёт пропорционально квадрату частоты, однако при повышении частоты этот рост замедляется и коэфф. поглощения стремится к постоянной величине. Область, где наблюдается такое изменение хода коэфф. поглощения, наз. релаксационной, а средняя её частота — частотой релаксации. Величина, обратная частоте релаксации,— время релаксации — характеризует процесс перераспределения энергии внутри вещества. Помимо характерного хода коэфф. поглощения УЗ, в релаксационной области наблюдается рост скорости звука с частотой — дисперсия, обусловленная физич. процессами в веществе и отличающаяся от дисперсии скорости звука, характерной для любых частот и связанной с геометрич. условиями распространения волны. Дисперсия УЗ в релаксационных областях обычно не превышает нескольких процентов. В многоатомных газах релаксация связана с обменом энергии между поступательными и внутренними степенями свободы, и характерные частоты лежат в среднем и даже низкочастотном диапазонах. В жидкостях к основным релаксационным процессам относятся, напр., внутримолекулярные превращения, структурная и химич. релаксации соответствующие частоты лежат чаще всего в области частот 10 —10 Гц. В твёрдых телах имеются релаксационные процессы различной природы, обусловленные, напр., взаимодействием ультразвука с электронами проводимости, со спиновой системой (см. Спин-фононное взаимодействие), С колебаниями кристаллической решётки. Влияние этих процессов проявляется в частотной зависимости поглощения УЗ. Резонансные явления типа акустического парамагнитного резонанса (область частот 10 —11 Гц) и акустического ядерного магнитного резонанса (10 —10 Гц) дают соответствующие пики поглощения. Резонансный характер может иметь также и дислокационное поглощение в кристаллах. Все эти особенности поглощения УЗ в твёрдых телах обусловлены взаимодействием УЗ-вых и гиперзвуковых волн с внутренними возбуждениями в твёрдых телах. Возникновение же такого взаимодействия связано с тем, что средние и высокие УЗ-вые частоты становятся сравнимы с характерными частотами процессов в веществе на молекулярном и атомном уровне, а длины волн сравнимы с параметрами внутренней структуры вещества. Последнее обстоятельство объясняет также увеличение рассеяния упругих волн на УЗ-вых частотах, наблюдаемое в микронеоднородных средах, в поликристаллич. телах сечение рассеяния на неоднородностях возрастает, если их размеры становятся порядка длины волны.. Связь характера распространения УЗ и, в частности, его высокочастотной области — гиперзвука — со структурой вещества и элементарными возбуждениями в нём является одной из важнейших особенностей УЗ-вых волн. Она позволяет судить о строении вещества на основании измерений скорости и погло- [c.11]

Однако сам факт удачного применения суперпозиционного приближения к тройной функции распределения показывает, что за пределами первой координационной сферы в жидкости не может быть никакого локального кристаллического порядка. Это вытекает из формулы (2.27) как видно из рис. 2.22, к совокупности маленьких кристалликов суперпозиционное приближение неприменимо. В модели Бернала регулярные ряды из десятков или сотен атомов наблюдаются, лишь если имеется плоская граница [69] в этом случае поверхностный слой с гексагональной плотной упаковкой вызывает распространение кристаллизации на значительное расстояние в глубь системы. Интересно отметить, что типичная структура двумерной жидкости твердых дисков, получающаяся по методу Монте-Карло, очень похожа (рис. 2.40) на пример поликристаллического беспорядка ( 2.6) отнюдь не очевидно, что в двумерной системе вообще существует ясно выраженная жидкая фаза (см., например, [27, 62, 64]). Это обстоятельство очень важно для теории поверхности жидкости, а также для теории образования ядер кристаллизации при замерзании. [c.102]

Законы, определяющие образование зародышей в объеме, применимы также к процессу образования зародышей на поверхности и росту уже образованной кристаллической поверхности. Уравнения, описывающие образование зародышей, можно видоизменить так, чтобы они описывали образование зародышей на поверхности, а не в объеме кристалла. Изменение свободной энергии зависит от степени пересыщения, т. е. отклонения системы от состояния равновесия, и так как степень пересыщения входит в показатель экспоненты (см. [c.201]

Разложение величины / по степеням смещений u,j содержит гармонические, т. е. квадратичные, а также ангармонические—кубические и более высокие формы по этим векторам с соответствующими коэф. упругости. Простейшее приближение является квадратичным (см. Динамика кристаллической решётки). Оно диагонализуется в нормальных координатах, что приводит к определению 3v ветвей частот ш.(Л) и ортов, определяющих направления нормальных кол аний системы. Т. к. каждая величина к принимает N дискретных значений, то в гармонич. приближении имеем дело с 3vN независимыми гармонич. осцилляторами, описывающими в данном приближении колебания кристаллич. решётки. Энергия независимых ос-[щлляторов имеет вид [c.586]

Кубическая кристаллическая система I 123 обозначения точечных групп I 132 связь с тригональной системой I 126. См. также Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ Объемноцентри-)ованная кубическая решетка Бравэ Гростая кубическая решетка Бравэ Кулоновский потенциал и ионная плазма II 139 и когезионная энергия ионных кристаллов II 33—37 [c.399]

Как уже отмечалось, работы Ланжевена показали возможность применить ультразвук для обнаружения подводных лодок. В качестве излучателя он использовал конденсаторный преобразователь. Ланжевен также первым применил пьезоэлектрический эффект для генерирования ультразвуковых колебаний в сконструированном им подводном излучателе. Кристаллические вибраторы Ланжевена частично уже были описаны. Такой вибратор представлял собой мозаику из отдельных кристаллов толщиной 2 мм, зажатых между стальными плитами диаметром 25 см и толщиной 3 см. Вся эта система обладала резонансной частотой около 40 кгц. Подобное устройство широко используется в настоящее время как в качестве излучателя, так и в качестве приемника, причем в первом случае преобразователь связан с генератором, а во втором — с приемным усилителем. [c.155]

При проведении практических расчетов теплонапряженных конструкций для описания поведения конструкционного материала можно воспользоваться упрощенным вариантом модели, который также базируется на механическом аналоге системы скольжения в кристаллическом зерне (см. рис. 2.25). Но в отличие от условий, описанных в 3.1, когда этот аналог соответствовал отдельным структурным элементам модели, в условиях, рассматриваемых в этом параграфе, он описывает сво йства материала в целом. Рассмотрим более подробно возможности такой упрощенной модели применительно к одноосному нагружению. [c.128]

Добавки 15—20—25% Сг к никелю сравнительно мало повышают жаропрочность сплава, но безусловно упрочняют твердый раствор и повышают межатомные связи в кристаллической решетке. Кроме упрочняющего действия, хром сильно повышает окалиностойкость никеля и железа. Поэтому все сплавы на железоникелевой и никелевой основе содержат, как правило, много хрома (см. табл. 9). Жаропрочность сплавов системы Сг—N1— —Ре и особенно N1—Сг сильно повышается при введении в них титана и алюминия, что обусловлено образованием упрочняющих дисперсных фаз (типа Ы1зТ1 и Ы1зА1) и их взаимодействием с твердым раствором. Поэтому все новые сплавы на основе никеля и ряд сплавов на железоникелевой основе обязательно содержат также титан и алюминий (см. табл. 9). Еще большую жаропрочность эти сплавы приобретают при введении, кроме титана и алюминия, также следующих элементов У, Мо, N5, В и др. [c.37]

Расстояния а, Ьис называют параметрами или периодами кристаллической решетки и выражают их в ангстремах (1 А = 10 см) или килоиксах кХ (1 кХ = 1,00202 X 10 см). У металлов параметры кристаллических решеток находятся в пределах 0,2—0,6 нм (2—6 А). Чтобы полностью охарактеризовать кристаллическую решетку какой-либо системы, достаточно указать ее параметры, а также и три угла между осями а, р, 7. [c.88]

Интересно отметить, что при некоторых видах деформации (прокатке, циклическом растяжении) вытянутые участки локализации дислокаций, обнаруживаемые в состоянии СН, могут приводить к самоорганизации системы в виде макроскопически протяженной полосовой структуры (рис. 3.23, а также рис. 3.8—3.10). В случае прокатки вольфрама (см. рис. 3.10) кристаллическая структура темных полос дифракиионньши методами не выявляется. Особенно характерна такая структура для поверхностных слоев усталостно нагруженных монокристаллов (рис. 3.24). При снятии нагрузки в таких кристаллах обнаруживается поверхностный рельеф, соответствующий рассматриваемым полосам. Однако в большинстве случаев наличие направленных микрополос в состоянии СН приводит к направленности границ формирующихся структурных элементов, что неоднократно отмечалось при наблюдениях фрагментированной структуры [7]. [c.95]

Развитие химической и электрохимической коррозии, механического и коррозионно-механического износа (механохимической коррозии) определяется энергетическими взаимодействиями в системе металл-1 — металл-2 — нефтепродукт — ПАВ — вода (электролит) (см. рис. 1). К важнейшим энергетическим характеристикам, определяющим эти процессы, относятся прежде всего характеристики самих металлов, связанные с их свойствами (пластичностью, твердостью, хрупкостью, коррозионной стойкостью и др.) работа выхода электрона из 1металла поверхностный потенциал металла Уд, контактная разность потенциалов (КРП),, нормальный электродный потенциал V нэп, потенциал нулевого заряда металла (Унз), свободная поверхностная энергия металла ( поверхностное натяжение металла) ме, энергия кристаллической решетки металла кр и др. [44—53]. Эти характеристики для одного и того же металла существенно отличаются в зависимости от состояния его внешней (видимой) и внутренней (микротрещины, совокупность внутренних дефектов) поверх ности. Эти характеристики различны также для зоны ювенильного металла и внешней зо ны наклепа — слоев деформированного металла, образующегося в результате механической обработки. Для стали зона наклепа может распространяться па глубину от 0,01 мм (при протяжке) и до 3—4 мм (при точении, прессовании) [44]. [c.18]

При необходимости более тщательного исследования питьевой воды производится полный количественный анализ ее в лаборатории. При Этом производятся следующие определения 1) Цвет устанавливается по амер. платино-кобальтовой шкале цветности [смесь раствора 1,245 г хлороплатината и 1,009 г кристаллического хлористого кобальта ( o lj бНаО) в 100 см воды и 100 см НС1, уд. в. 1,19 доводят до 1 л] цветность этого раствора принимается равной 500°. 2) 3 а п а х холодный запах определяется при 20° для определения горячего запаха 150 В. нагревают почти до кипения и дают остывать в течение 5 мин. Различают запахи ароматный, свободного хлора, неприятный, землистый, рыбный, травяной, затхлый, плесени, болотный, сладковатый, сероводородный интенсивность запаха оценивается по пятибальной системе. 3) Вкус определяется описательно и также оценивается по пятибальной системе. [c.445]

Одной из хаких возможностей дальнейшего исследования системы является использование идей и приближения самосогласованного поля в теории кристаллического состояния (С. в. Тябликов, 1947 И. П, Базаров, 1966). Действительно, каждый атом рассматриваемой системы даже в случае, когда кристалл не ионный и потенциал Ф(lr, -r ) является короткодействующим, взаимодействует сразу и приблизительно с одинаковой интенсивностью со своими соседями по решетке, которых достаточно много например, в объемно центрированной кубической решетке — 8 ближайших соседей, в фанецентрированной кубической, а также при плотной гексагональной упаковке — 12 (в следующих за ближайшей координационных сферах число частиц значительно увеличивается), т.е. каждая частица находится в поле, создаваемом целым коллективом частиц из близлежащих узлов. Поэтому вир той области, в которой парная корреляционная, функция 2(г ,Г2) равна нулю вследствие конечности размеров самих частиц (эта область значений г2 — Г , сравнимая с диамефом ионов 2го = iio. имеет несколько большую эффективную величину а —Ь см. рис. 138), можно принять приближение самосогласованного поля, причем в нулевом порядке вообше пренебречь индивидуальными корреляциями Частиц щ)уг с другом и использовать мультипликативную аппроксимацию [c.327]

Во-вторых, из уравнения (8.15) вытекает, что величина До связана с частотой атомных скачков (или с частотой колебаний рещетки V 10 з Гц) и величиной скачка атома примеси. Кроме того, из уравнения (8.15) следует, что в области температур, где диффузия идет с заметной скоростью, коэффициент Оо должен быть постоянным, не зависеть от температуры и по порядку величины составлять от 10см /с до 10 3 см /с. В ряде случаев эксперимент дает близкие значения Оо, но чаще они отличаются от расчетных на несколько порядков. Причины этого несоответствия до конца не ясны до сих пор, однако существует ряд предположений, с помощью которых делались попытки объяснить это расхождение [41]. Например, предполагалось, что на величине Оо может сказаться изменение механизма диффузии в том или ином температурном интервале и соответственно изменение величины Q, то есть появление температурной зависимости Q. Кроме того, существует предположение, что величина Оо может изменяться с изменением энергии образования вакансий. С повыщением температуры уменьшается энергия образования вакансий за счет увеличения расстояния между атомами. В результате Q может убывать с ростом температуры в первом приближении по закону, близкому к линейному Q = Qo — Т, где Qo — энергия активации, экстраполированная к нулю абсолютной температуры, а 7 — численный коэффициент, связанный с ангармоничностью колебаний атомов твердого тела, которая в свою очередь зависит от их массы. Рядом авторов было показано, что элементарный акт диффузии изменяет термодинамический потенциал некоторой области кристаллической рещетки. Поэтому диффузия сопровождается не только изменением энергии системы за счет преодоления энергетического барьера, но и изменением энтропии системы. Это также ведет к изменению предэкспоненциально- [c.293]

Время Т2, наз. временем спин-спиновой релаксации, характеризует скорость восстановления равновесия в спиновой системе и от темп-ры практически не зависит. Время спин-решёточнойре-лаксации характеризует скорость восстановления равновесия между СПИН0В011 системой и решёткой Тх определяется вз-ствием магн. моментов ч-ц с колебаниями кристаллической решётки. Т. к. при понижении темп-ры амплитуда тепловых колебаний уменьшается, то при этом также уменьшается и спин-решёточное вз-ствие. Для ионов переходных металлов с большим вкладом орбитального момента, определяющего величину спин-решёточного вз-ствия, линию ЭПР удаётся наблюдать только при низких темп-рах. В сильных переменных эл.-магн. полях (Ю- —1 Вт) релаксац. процессы не в состоянии восстановить равновесное распределение, и населённость уровней выравнивается (насыщение). Наблюдающееся при этом уменьшение поглощения используется для измерения времён парамагн. релаксации. Экспериментальные методы. Для измерения ЭПР используют радиоспектрометры (спектрометры ЭПР), в к-рых при постоянной частоте и медленном изменении магн. поля Н регистрируется изменение поглощаемой в образце мощности (рис. 4), В ЭПР прямого усиления высокочастотные колебания от клистрона по волноводному тракту подаются в объёмный резонатор (размером ), помещённый между полюсами электромагнита. Прошедшие через резонатор или отражённые от него эл.-магн. волны попадают на детектор. Изменение поглощаемой в образце мощности регистрируется по изменению тока детектора. Для повышения чувствительности поле Я модулируют с частотой 30 Гц—1 МГц (см. Мо- [c.890]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...