Поверхность кристаллическая

Описанный механизм возникновения и распространения сдвига является первопричиной пониженной реальной прочности металлов по сравнению с теоретической. Перемещение площадки облегченного скольжения продолжается до тех пор, пока дислокация не выйдет на поверхность кристаллического блока или не встретится с препятствием. [c.172]

Как показал И. Е. Тамм, вблизи поверхности кристаллического образца возникают дополнительные энергетические уровни, обусловленные нарушением трансляционной симметрии кристаллической решетки вследствие ее обрыва поверхностные состояния или, иначе, уровни Там-ма). В полупроводнике эти состояния локализуются внутри запрещенной зоны. Они могут либо отдавать, либо принимать электроны, в результате чего на поверхности полупроводника образуется заряд того или иного знака, приводящий к изгибу энергетических зон в приповерхностном слое. Если полупроводник содержит донорные примеси (п-полупроводник), то в этом случае электроны будут переходить от примесей на поверхностные уровни в результате поверхность полупроводника зарядится отрицательно, а внутри полупроводника вблизи его поверхности возникнет положительный объемный заряд. Это приводит к изгибу зон, показанному на рис. 7.5, б. Изгиб происходит в пределах слоя толщиной обычно не более 10 м значительная же часть фотоэлектронов зарождается глубже — на расстояниях примерно до 10 —10 м от поверхности. Для таких электронов энергия электронного сродства х и соответственно порог фотоэффекта W увеличиваются на некоторую величину ЬЕ (см. рисунок). Более интересен в практическом отношении случай, когда полупроводник содержит акцепторные примеси (р-полупроводник). В нем электроны будут переходить с поверхностных уровней на примеси, поверхность будет заряжаться положительно, изгиб зон будет иметь вид, показанный на рис. 7.5, в. В данном случае благодаря изгибу зон происходит снижение порога внешнего фотоэффекта. [c.166]

Жидкая фаза обычно полностью смачивает поверхность кристаллической фазы того же вещества. Поэтому для образования жидкого слоя на поверхности плавящегося кристалла нет необходимости затрачивать работу. Плавление кристалла происходит без перегрева, если только поверхность кристалла открыта. Процесс плавления состоит в беспрепятственном образовании слоя жидкой фазы на поверхности плавящегося кристалла. Таким образом, при плавлении кристалла стадия образования зародышей жидкой фазы отсутствует. Наоборот, кристаллизация жидкости сопровождается переохлаждением, причем размер зародыша кристаллической фазы на основании формулы (5.13). [c.391]

Дислокации способствуют кристаллизации жидкой фазы. Действительно, вышедшие на поверхность кристаллического зародыша дислокации обусловливают уменьшение энергии поверхностного натяжения и играют роль центров кристаллизации. Наибольшее влияние оказывают винтовые дислокации, на ступенях которых происходит отложение молекул. Так как геометрия при этом не меняется, процесс отложения продолжается сколь угодно долго. [c.392]

Прежде всего остановимся на получении оксида кремния непосредственным термическим окислением поверхности кристаллического кремния. Этот процесс применяют в ходе всего технологического цикла изготовления современных интегральных схем. Термическое окисление является сложным физико-химическим процессом и состоит из диффузии окислителя из газовой фазы к поверхности кремния, химической реакции окисления кремния с образованием пленки оксида, диффузии окислителя через образовавшийся слой оксида и химической реакции на границе раздела ЗЮз — 31. [c.40]

Как уже было сказано ранее, поверхность кристаллических веществ в химическом отношении неоднородна и в некоторых ее участках образование пассивирующей пленки затруднено. На таких [c.275]

Для аморфных стеклообразных полимеров вид деформационных кривых сохраняется как при растяжении в активных жидкостях, так и при хрупком разрушении на воздухе. Разрушение этих полимеров в жидкости происходит при меньших напряжениях, чем на воздухе, и сопровождается интенсивным растрескиванием поверхности. Кристаллические эластомеры, характеризующиеся большими деформациями растяжения, более чувствительны к действию жидких сред различной химической природы. Изменение их деформационного поведения в жидкостях может выражаться в уменьшении начального модуля при растяжении (только в растворителях), в снижении предела вынужденной эластичности и напряжения развития шейки, в увеличении или уменьшении предельной деформации при разрыве. [c.163]

Отражательная способность является функцией состояния поверхности, кристаллического строения, плотности и т. д., почему значения коэффициентов отражения могут даваться только средние. Я представляет собой коэффициент отражения (в процентах) полного потока излучения, а Я —коэффициент отражения (в процентах) только инфракрасных излучений, выделенных с помощью стеклянного фильтра, пропускающего лишь излучения с длиной волны [c.94]

Приведенные в табл. 23 средние значения коэффициента отражения могут значительно изменяться в зависимости от состояния поверхности, кристаллического строения, тонкости, влажности. Так для глинозема в таблице указан коэффициент отражения, равный 84%, но эта цифра действительна лишь для некоторых чистых форм продукта. Значения коэффициента отражения, дифференцированные по различным видам глинозема, указаны ниже [c.95]

Гауссов пучок с длиной волны излучения X падает на линзу, расположенную в плоскости г = / (рис. 2.9). Вычислите фокусное расстояние линзы /, при котором перетяжка выходного пучка оказывается на передней поверхности кристаллического образца. Покажите, что при данных / и L существуют два решения. Дайте графическое изображение пучка на входе и выходе в каждом из этих случаев. [c.61]

Довольно высокая плотность дислокаций наблюдается у поверхности кристаллического слитка, что связано, вероятно, с деформациями кристаллической решетки, вызываемыми осаждением частиц платины, распыленных с по- [c.147]

Предполагается, что ось г ортогональна к поверхности кристалла. Для создания в кристалле внешнего поля используется пара прозрачных электродов, расположенных на поверхностях кристаллической пластины. Кристалл освещается записывающим и считывающим светом через эти электроды. [c.130]

Самое большое количество серы связывается на наименее плотных поверхностях кристаллической решетки (рис. 7). [c.303]

Из литературных данных [84] следует, что на поверхности кристаллических тел активированные комплексы, определяющие образование вакансий, возникают чаще, чем в объеме тела, что обусловливает повышенную термодинамически равновесную концентрацию вакансий в слоях, прилегающих к свободной поверхности. [c.116]

Четвертая стадия гидратации, до влажности, несколько превышающей соответствующую нижнему пределу пластичности , примерно определяемую максимальной влагоемкостью образца, характеризуется заполнением водой капилляров диаметром больше 3-10- м. Она характеризуется также заметным поступлением в поры глины части воды, связанной силовым полем ионного слоя вокруг глинистых частиц. Все больше увеличивается диссоциация глин на ионы, т. е. происходит отщепление ионов с поверхности кристаллической решетки глинистых частиц и ионы переходят в раствор пор. В диффузный слой воды вокруг частиц в свою очередь проникает часть воды путем осмоса , т. е. выравниваются концентрации за счет проникновения молекул воды из слоев с более низкой концентрацией обменных катионов, расположенных у поверхности частиц, в слои с более высокой концентрацией. При этой стадии гидратации порошок глинистого материала способен уже спрессовываться в пресс-форме при приложении давления. [c.246]

Совершенно очевидно, что материалы, обладающие разными свойствами, по-разному сопротивляются кавитационному воздействию. Из широкого разнообразия физических, химических, электрических и термодинамических свойств материалов такие свойства, как предел упругости, твердость, пластичность, упрочнение наклепом, зависимость свойств материала от температуры, модуль упругости, плотность, предел усталости, энергия деформации при разрушении, предельная работа деформации, теплопроводность, температура плавления, химическая инертность, сцепление окислов с поверхностью, кристаллическая структура и электропроводность, изучались исследователями ранее. Сочетая эти свойства с разными видами кавитационного воздействия, можно видеть, что число различных возможных комбинаций может быть огромным. Поэтому естественно сделать вывод, что вряд ли удастся найти единое объяснение всех причин кавитационного разрушения. Другой вывод состоит в том, что разрушение в конкретной системе твердое тело—жидкость начинается с наиболее слабого звена. Наконец, третий вывод состоит в том, что степень воздействия разных факторов, определяющих кавитационное разрушение, может меняться с изменением параметров течения жидкости. Следовательно, данный материал при разных условиях может подвергаться совершенно различным типам кавитационного разрушения. [c.429]

При погружении металла в воду или в нейтральные водные растворы энергия отрыва ион-атомов от поверхности кристаллической решетки резко снижается в результате гидратации, благодаря чему становится возможным переход ион-атомов в раствор. [c.31]

Проявление неосвещенного кристалла. Через несколько секунд после того, как полированная поверхность кристаллического диска приводилась в контакт с проявляющим раствором, на ней появлялись зерна серебра, видимые под микроскопом. Эти зерна [c.154]

После охлаждения производят повторное оловянирование в кислом электролите при плотности тока 0,2—0,3 А/дм в течение 10—20 мин. Внешний вид узора зависит и от материала основы изделия в случае нанесения олова на стальную и алюминиевую поверхности кристаллический узор получается крупным, а при нанесении олова на подслой цинка, кадмия, меди образуется мелкий узор. Полученное покрытие покрывают бесцветным или окрашенным лаком. [c.79]

Приемом декоративной отделки алюминия является также выявление его текстуры. Этот метод основан на рекристаллизации деформируемого алюминия, что позволяет получать декоративные рисунки на его поверхности. Кристаллическая структура искрит приведена на рис. 51. Технология получения текстурированной поверхности искрит состоит из механической деформации, термообработки, выявления текстуры и нанесения защитной 5) Кристаллическая структура анодной пленки. Решающее искрит [c.121]

В своих фундаментальных исследованиях по усталостному разрушению металла под действием переменных напряжений Г. Гаф ) и Г. Мур нашли, что поверхности кристаллических зерен вблизи треш ин усталости в разрушенных образцах большей частью густо покрыты параллельными линиями скольжения. Из этих наблюдений они сделали следующее заключение так как трещины усталости ориентированы в направлении, параллельном полосам скольжения, то наиболее важные типы разрушения при усталости металлов должны быть обусловлены скольжением внутри кристаллических зерен или же связаны каким-либо образом с ним. (На фиг. 45 и 46 приводятся два примера развития трещин усталости, заимствованные из двух статей Мура и его сотрудников. В первом примере трещина идет вдоль линий скольжения, а во втором—по границам зерен. Первый пример относится к прочному, а второй— к очень слабому материалу.) [c.67]

Если при заданном внешнем давлении откладывать по оси ординат наибольшую разность главных напряжений а по оси абсцисс—относительное укорочение в осевом направлении, то мы получим кривые деформации при разных значениях всестороннего давления. На фиг. 181 представлены указанные кривые для мрамора, построенные на основании результатов Кармана. На этой фигуре мы видим характерные для хрупкого, отчасти хрупкого и пластичного материалов типы кривых напряжений—деформаций, которые получены для одного и того же материала. Когда диаграмма напряжений—деформаций мрамора имела резкий перегиб, соответствующий определенному пределу текучести, с последующим уменьшением напряжений (см. на фиг. 181 кривую для давления 235 ат), то на материале можно было заметить резко выраженные линии скольжения. При высоких поперечных давлениях образцы утолщаются более равномерно, чем. прп низких, когда они выпучиваются лишь посередине. После обычного испытания на сжатие в микроструктуре материала оказались многочисленные мелкие трещины и щели, причем на поверхностях кристаллических зерен также образовались трещины. С другой [c.268]

Характер разрушения образцов при растяжении также свидетельствует о пониженных пластических свойствах металла литых заготовок. Шейка на таких образцах слабо выражена. Изломы ударных образцов смешанные, т. е. имеются участки с отсутствием видимых следов пластической деформации и их поверхность состоит Из множества фасеток. А так как поверхность кристаллических фасеток не искажена пластической деформацией, то она имеет блестящий вид. Поверхность фасеток, по-видимому, представляет собой определенную кристаллографическую плоскость зерна стали. Одновременно имеются и участки с очагами пластической деформации, которые не имеют явно выраженного кристаллического блеска. [c.128]

Алитирование Отложение на поверхности кристаллической пленки А12О3. Образование в поверхностном слое а -твердых растворов А1 и алюми-нидов Выдержка в смеси порошков ферроалюминия и AI2O3 при 900 — ЮОО С (6-8 ч) Повьппение горячей коррозионностойкоети [c.167]

Движение вакансий задерживается скоплениями примесных атомов, границами фаз и структурных составляющих, поверхностями кристаллических блоков (внутрпзеренные кристаллические образования размером в несколько сотых долей микрона). Распространение первичных трещин эффективно блокируют включения пластичных фаз, расположенные на пути трещины, в которых происходит релаксация напряжений. Измельчение кристаллических блоков, увеличение степени нх разориентировки, а также искажения атомно-кристаллической решетки, вносимые при.чесями и возникающие при наклепе, выделении вторичных фаз и образовании неравновесных (закалочных) структур, сокращая пробег дислокаций, повышают [c.290]

Предел текучести олова, например, снижается вдвое, уменьшается также коэффициент деформационного упрочнения при испытании в масле, содержап1ем олеиновую кислоту (поверхностно-актив-нос вещество). Благодаря адсорбированному слою поверхностно-активных B nie TB снижается уровень поверхностной энергии, что приводит к облегчению выхода дислокации на поверхность кристаллических тел. [c.57]

Я. Е. Гегузин, И. О. Кулик. Исследование некоторых физических процессов, происходящих на поверхности кристаллических тел нри высокой температуре. IV. Расчет кинетики самозапечивания преднамеренно созданных дефектов на поверхности твердых тел.— Физика металлов и металловедение, 1960, 9, вып. 3. [c.59]

Я. Е. Гегузин, Н. Н. Овчаренко. Исследование некоторых физических процессов, происходящих на поверхности кристаллических тел при высокой температуре. V. О процессе самозалечивания дефектов, преднамеренно созданных на поверхности поликристаллической меди.— Физика металлов и металловедение, 1960, 9, вып. 4. [c.59]

Анализ экспериментальных данных показал, что при образовании поверхности методом среза величина нормальных и ка сательных напряжений, действующих на металл, превышает предел текучести в 1,5—5 раз. При этом не только разрываются атомные связи в плоскости среза или в направлении сдвига слоя металла, но и происходит всесторонняя упруго-пластическая деформация. Поэтому вид, количество и размер поверхностных дефектов (величина выступов и впадин) после механической обработки зависят от соотношения пластической деформаций Ттах И напряжений хрупкости Отах. Специальными исследова- ниями было установлено, что если Ттах>сТтах, то более вероятна пластическая деформация, если 0тах >Ттах, происходит хрупкое разрушение материала. Поэтому в зависимости от вида и режима механической обработки (точения, фрезерования, шлифования) схема напряженного состояния материала может быть различной и, следовательно, будут изменяться текстура деформированных слоев металла, вид, размер и характер макро- п микрогеометрии поверхности (рис. 78, 79). В соответствии с современными представлениями, механизм образования поверхности кристаллических тел методом среза имеет свои особенности. Энергия кристаллов, находящихся на поверхности, превышает энергию кристаллов в объеме. Дело в том, что под воздействием тангенциальных напряжений поверхностный слой сжимается, а глубинные слои оказывают ему сопротивление. Поскольку поверхностный слой очень тонкий, во многих случаях он не выдерживает и разрывается. Кроме того, на вновь образованной поверхности имеются некомпенсированные химические связи, компенсация которых идет за счет адсорбции, образования плен и др. Вот почему поверхность, образованная механической обработкой, всегда имеет повышенное количество суб-микроскоппческих двумерных и точечных дефектов — вакансий, дислокаций, примесных атомов, микротрещин и др. (рис. 80, а). [c.117]

Копируя анодно-катодное строение и дефекты металлической поверхности, кристаллический слой образующейся накипи покрыт воронками и рисунком трещин. Возникающие с ростом толщины отложений полости образуют каналы, в которых, поглощая тепло их стенок, может циркулировать раствор. Сольваты, для которых циркуляционные микроконтуры непроходимы, оседают в порах, образуют пересыщенные комплексы, и кристаллизуются. Это вызывает уплотнение накипи и повышение ее теплопроводности. [c.60]

Приведенная структура граничного слоя состоит из связанного с поверхностью кристаллической решетки стали слоя сервовитной пленки меди и металлополимерного слоя (1. .. 16 нм), ориентированного в направлении трения, закрепление которого на поверхности сёрвовитной пленки осуществляется в результате комплексообра-зования. [c.279]

До настоящего времени была выполнена лишь одна работа, в которой рентгеновское изображение строилось с помощью фокусирующего многослойного зеркала нормального падения 1,80]. Это была вольфрамуглеродная МИС, нанесенная на плоскую поверхность кристаллического кремния (111). Затем подложка закреплялась по окружности в четырех точках и на1ружалась таким образом, чтобы ее поверхность образовывала бы вогнутую поверхность, близкую к сферической. С помощью этого зеркала получалось изображение сетки в пучке излучения с энергией фотонов 277 эВ. Разрешение составило от 50 мкм до 100 мкм. Оно ограничивалось шероховатостью подложки, размерами источника и совершенством формы изгиба поверхности. [c.446]

Проведенные измерения относительных изменений параметра а по длине кристаллического слитка обнаружили аномалии там, где на поверхности кристаллической були 150 [c.150]

При изготовлении модулятора ПРОМ пластина вырезается из кристалла так, чтобы нормаль к ее поверхности совпадала с осью кристалла [100]. Пластины такого среза дают возможность использовать для модуляции света продольный электрооптический эффект см. раздел 7.3). Как правило, пластины изготавливаются не плоскопараллельными, а в виде клина, с углом между поверхностями порядка Г. Это делается, чтобы избежать попадания отраженного от поверхности кристаллической пластины света в область, где формируется считываемое изображение. Пластины могут быть изготовлены различной средней толщины, как правило, от 0.25 до 1 мм. После обработки поверхностей до оптического качества пластина покрывается изолирующими диэлектрическими слоями полипараксилилена. Их толщина Зч-lO мкм. Затем на слои диэлектрика с двух сторон наносятся прозрачные электроды. Они изготавливаются вакуумным напылением Pt или 1ПзОз. [c.161]

На рис. 8.27 показаны конструкции модуляторов, которые позволяют производить одновременно запись нескольких электрических сигналов. В первом варианте модулятор представлял пластину кристалла BSO, с одной стороны которой нанесены электроды в виде прозрачных проводящих полосок, а с другой — один сплошной рбщий электрод. Количество одновременно записываемых электрических сигналов соответствует количеству полосковых электродов. Электроды создают в кристалле в основном продольное электрическое поле. Во втором варианте (рис. 8.27, б) напряжения записываемых сигналов прикладываются к паре полосковых электродов, расположенных на одной поверхности кристаллической пластины. Для экспериментальных образцов электроды изготавливались фотолитографическим способом с расстоянием между ними 125 мкм. Причем величина управляющих сигналов ограничивалась пробоем по воздуху и не превышала 200 В, что ограничивало дифракционную эффективность ПВМС. При записи все электроды одновременно сканировались узкой полосой записывающего света. Считывание осу- [c.202]

Легко видеть, что перечисленные причины энергетической неравноценности атомов на поверхности металла не имеют связи с теорией местных элементов, ибо ее основой служит представление о существовании разности электродных потенциалов между участками поверхности. Но ни соседство двух разных по природе атомов в твердом растворе, ни различное расположение их на поверхности кристаллического рельефа, ни флуктуация энергии вследствие теплового движения не могут привести к разности электродных потенциалов. Само понятие электрод неприменимо к отдельным атомам, и два атома не могут образовать гальванический элемент, т. е. макроскопическую систему. [c.191]

Охлаждение изделий. В начальный период охлаждения, как и в процессе выдержки при оптимальной температуре обжига, вследствие относительно малой вязкости жидкой фазы и большой ее химической активности в ней интенсивно растворяются мельчайшие зерна кварца и вновь образовавшиеся субмикроскопиче-ские кристаллы (муллита — для фарфора, клипоэнстати-та — для стеатита и т. д.). Одновременно происходит рост вновь образовавшихся кристаллов. Указанные процессы сильно влияют на соотношение поверхностей кристаллической и стекловидной фаз, а следовательно, и на конечные свойства изделий. [c.365]

Предлагаемая читателю книга К. Мейера, в настоящее время профессора Иенского университета им. Ф. Шиллера (ГДР), рассчитана на широкий круг читателей, желающих ознакомиться с основными представлениями о физических и химических свойствах кристаллов, в том числе с явлениями, происходящими на поверхности кристаллических тел. Книга состоит по существу из двух частей, примерно равных по своему объему. [c.11]

Нами неоднократно изут1алось влияние состояния поверхности на процесс образования и свойства фосфатной пленки. Установлено, то из минеральных кислот наиболее сильное действие на повышение шероховатости и бпд, а также на увеличение продолжительности выделения водорода во время фосфатирования оказывает предварительная обработка металла в азотной кислоте. Предварительное травление образцов стали в 10—15%-ной НКОд в течение 15 мин способствует образованию фосфатной пленки толщиной в 100—150 мкм. На увеличение б л микрогеометрию ее и продолжительности выделения водорода оказывает влияние продолжительность обработки металла в кислоте с увеличением времени травления значения указанных характеристик сначала возрастают, а затем уменьшаются. Для 10% раствора Н2804 (50 °С) оптимальная продолжительность предварительного травления составляет 20 мин, а для азотной кислоты 10—15 мин. Наблюдаемый максимальный эффект травления, по-видимому, является следствием постепенного уменьшения числа активных участков и центров кристаллизации на его поверхности, что способствует формированию крупнокристаллической фосфатной пленки. При более длительном травлении металла на его поверхности начинает увеличиваться количество выделяющихся при этом нерастворимых частиц — карбидов, неметаллических включений, образующих так называемые фильмы загрязнений , способствующие образованию пленки с меньшей толщиной и микрогеометрией поверхности (кристаллической структуры). [c.101]

В первом случае наблюдают обычно равномерно распределенную по поверхности кристаллической пластины ту или иную окраску или общее просветление илп потемнение поля зрения, тогда как во втором случае, при использовании сходящихся пучков, наблюдают так называемые коноскопические интерференционные фигуры, характерные для кристаллов определенной сингонин в ориентировки их оптических осей. [c.798]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...