Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Гексагональная кристаллическая система

См. также Ангармонические члены Колебания решетки Фононы Гексагональная кристаллическая система 1126, 127 Гексагональная плотноупакованная структура I 86—91  [c.404]

См. также Ангармонические члены Колебания решетки Фононы Гексагональная кристаллическая система I 126, 127  [c.394]

Следующие три кристаллические системы отличаются наличием единственной особенной оси 3 (тригональная), 4 (тетрагональная), 6 (гексагональная). В литературе иногда считают три-  [c.142]


Способность кубических кристаллов деформироваться одновременно по нескольким системам скольжения является причиной более высоких скоростей деформационного упрочнения, экспериментально установленных для этих металлов по сравнению с металлами гексагональной кристаллической структуры.  [c.119]

Рений и технеций в периодической системе занимают положение между типичными тугоплавкими металлами и металлами платиновой группы и частично обладают благородными свойствами последних. Впрочем, о технеции вообще нельзя сказать ничего определенного - он практически не исследован. Этот элемент получен только искусственно и в таком малом количестве, что обстоятельных исследований провести не удалось. Известно, что технеций имеет гексагональную кристаллическую решетку.  [c.4]

Изучение параметров кристаллической решетки стали 18-8 после закалки с высоких температур (1400° С в воде) и подвергнутых 75%-ной деформации при —67° С позволило установить наличие новой фазы (0) с гексагональной кристаллической решеткой, которая аналогична S-фазе в системе железо—марганец.  [c.309]

Технические металлы и сплавы представляют собой кристаллические тела, В металлах наиболее распространёнными являются кубическая, тетрагональная, гексагональная и ромбическая кристаллические системы.  [c.59]

Для выбора состава сплава В. М. Жогина и Б. Я. Казначей [21 изучили зависимость между химическим составом осаждаемого сплава и его магнитными свойствами, для чего были исследованы сернокислые и хлористые электролиты. Установлено, что при малом содержании никеля в сплаве коэрцитивная сила меньше 200 э, при содержании никеля в сплаве 15—38% (для хлористых электролитов 15— 30%) коэрцитивная сила колеблется в пределах 200—300 э, и при дальнейшем увеличении количества никеля в сплаве магнитные свойства резко ухудшаются. Максимум коэрцитивной силы соответствует осадкам, содержащим около 30% N1. По-видимому, это связано с возникновением двухфазной системы, так как именно вблизи концентрации в сплаве никеля —30% происходит переход от сплавов с гексагональной кристаллической решеткой, характерной для кобальта, к сплавам с кубической гранецентрированной решеткой. Для сравнения были измерены магнитные свойства чистых кобальтовых и никелевых покрытий, полученных из ванн различного состава. Оказалось, что магнитные свойства чистых металлов значительно ниже, чем магнитные свойства сплава, а никель, полученный из ванн разного состава, обладает различными магнитными свойствами отсюда можно заключить, что разница в магнитных свойствах определяется структурой осадка, включением в осадок каких-либо примесей, либо и тем и другим.  [c.223]


Магний — металл белого цвета, имеющий температуру плавления 650° и удельный вес 1,7. Магний является самым легким из всех имеющихся в настоящее время конструкционных материалов. Порядковый номер магния в периодической системе Менделеева 12. Магний имеет гексагональную кристаллическую решетку (Г12)  [c.234]

Идеализированное строение кристаллического тела графически изображается в виде периодически повторяемой пространственной решетки, состоящей из элементарных ячеек, которые зависят от кристаллической системы. Установлено семь кристаллических систем (сингоний) кубическая, тетрагональная, гексагональная, тригональная, ромбическая, моноклинная и триклинная. Простейшим видом кубической системы является простая кубическая решетка, изображенная на рис. 1.1.  [c.9]

См. также р — п-переход Точечные группы см. Кристаллографические точечные группы Точечные дефекты П 234. См. также Дефекты в кристаллах Трехвалентные металлы 1300—304 Тригональная кристаллическая система 1126, 135 связь с гексагональной системой 1133 (с)  [c.446]

Магний — щелочноземельный металл, II группы Периодической системы элементов, порядковый номер 12 (см. табл. 1), атомная масса 24,312. Цвет светло-серый. Характерным свойством магния является малая плотность 1,74 г/см , температура плавления магния 650 °С. Кристаллическая решетка гексагональная (с/а = 1,62354). Теплопроводность магния значительно меньше, чем у алюминия 125 Вт/(м-К), а коэффициенты линейного расширения примерно одинаковы (26,1 10 при (20—100 С) I. Технический магний Мг1 содержит 99,92 % Mg. В качестве примесей присутствуют Ре, Si, Ni, Na, Al, Мп. Вредными примесями являются Ре, Ni, Си и S1, снижающие коррозионную стойкость магния. Механические свойства литого магния сГв = 115 МПа, о ,., = 25 МПа, б 8 %, Е = = 45 ГПа, НВ 300 МПа, а деформированного (прессованные прутки) Оц 200 МПа, ст ,., = 9 МПа, б =-- 11,5 %, НВ 400 Л Па. На воздухе м, 11 ит легко воспламеняется. Используется в пиротехнике и химической промышленности.  [c.337]

Цирконии (Zr) - температура плавления 1852°С, температура кипения 3600°С, атомная масса 91,22, в Периодической системе элементов Д. И. Менделеева расположен под номером 40, является аналогом титана. Плотность 6,49 г/см . Он имеет, как титан, две модификации а н fi. При температуре 20 - 862°С кристаллическая структура а-фазы гексагональная плотноупакованная, а = 0,323 нм, с = 0,5133 нм, атомный радиус г = 0,160 нм.  [c.83]

Диаграмма состояния Dy-Pm экспериментально не построена. Dy и Pm достаточно близко расположены в Периодической системе в ряду лантаноидов и имеют идентичное электронное строение с тремя коллективизированными валентными электронами 5(1 bs , сходные кристаллические плотные гексагональные структуры и одинаковые кубические структуры высоко- и низкотемпературных модификаций этих элементов с близкими значениями параметров решеток и атомными радиусами, отличающимися всего на 2,1 %. Согласно работам [1, М] можно предположить образование непрерывных рядов твердых растворов, почти идеальных при высоких температурах.  [c.389]

Диаграмма состояния Ег—Рг экспериментально не построена. Рг и Ег имеют идентичное электронное строение с тремя коллективизированными валентными электронами 5d 6s , близкие по симметрии плотные гексагональные структуры и мало отличающиеся (всего на 4,0 %) атомные радиусы [1]. В табл. 169 приведены кристаллические данные элементов системы Рг—Ег.  [c.432]

Во втором столбце приведены сведения о структурах соединений. Обозначения систем /( — кубическая, Т — тетрагональная, Г — гексагональная, М — моноклинная, Р —ромбоэдрическая, О — орторомбическая, ГР — тригональ-ная, ГЯ/С —триклинная. В ряде случаев кроме кристаллической системы указан неструктурный тип. Прочерк означает отсутствие данных о структуре.  [c.39]

В системе образуется сульфид ZnS, который известен в двух модификациях цинковая обманка (сфалерит) (pZnS) с кубической кристаллической решеткой и вюрцит (aZnS) с гексагональной кристаллической решеткой РС, Э, Ш]. Имеются также сведения об образовании третьей модификации ZnS с ромбоэдрической решеткой yZnS [Э], но они, по-видимому, требуют проверки.  [c.226]


V—гексагональная Существует в а- и (3-модифнкациях. Кристаллическая система модификаций а — кубическая (3 — тетрагональная  [c.38]

Одна из семи групп, составляющих все кристаллические системы триклинная, моноклинная, ор-торомбическая, гексагональная, ромбоэдрическая, тетрагональная и кубическая.  [c.931]

Кристаллический кварц SiOo — одноосный положительный кристалл (природный и синтетический) гексагональной кристаллографической системы. В поляризационных приборах применяют его водянопрозрачную, бесцветную разновидность.  [c.184]

РеЗ Кристаллическая система — гексагональная, встречаются обычно в виде глобулей (капель) или эвтектики Случайное как внутри, так и по границам зерен в виде сетки Хорошая Легко деформируются, вытягиваются в направлении деформации  [c.144]

Рис. 1.1.1. Кристаллические системы I — триклинная (афЬфс, а=Р=т ф у ф 90°) II — моноклинная (а ф Ь Ф с, а = у = 90°, Ф90°) III — ромбическая (а Ф Ь ф с, a=P = Y = 90°) IV — тетрагональная (а — Ь Ф с, а = р = Y = 90°) V — трехгранная (а = Ь = с, а = у ф 90°) VI — гексагональная (а = Ь Ф с, а = Р = 90°, у = 120°) VII — кубическая (а — = 6 = с, a=p = Y = 90°) [Тареев, 1974]. Рис. 1.1.1. <a href="/info/16474">Кристаллические системы</a> I — триклинная (афЬфс, а=Р=т ф у ф 90°) II — моноклинная (а ф Ь Ф с, а = у = 90°, Ф90°) III — ромбическая (а Ф Ь ф с, a=P = Y = 90°) IV — тетрагональная (а — Ь Ф с, а = р = Y = 90°) V — трехгранная (а = Ь = с, а = у ф 90°) VI — гексагональная (а = Ь Ф с, а = Р = 90°, у = 120°) VII — кубическая (а — = 6 = с, a=p = Y = 90°) [Тареев, 1974].
Фиг. 7.3. Объекты с симметриями точечных групп решеток Бравэ, принадлежаш их семи кристаллическим системам кубической (а), тетрагональной б), ромбической (в), моноклинной (г), триклинной (д), тригональной (е), гексагональной (ж). Фиг. 7.3. Объекты с <a href="/info/361601">симметриями точечных групп</a> решеток Бравэ, принадлежаш их семи <a href="/info/378587">кристаллическим системам кубической</a> (а), тетрагональной б), ромбической (в), моноклинной (г), триклинной (д), тригональной (е), гексагональной (ж).
Рений (Re) имеет плотность 21,02 г/см , температуру плавления 3180°С, кипения 5627°С, теплопроводность при 20°С составляет 170 Вт/(м -К), модуль нормальной упругости 469 МПа, твердость 2.50 НВ. При 90°С рений переходит в сверхпроводящее состояние. Он расположен в V11A группе Периодической системы элементов Д. И. Менделеева под номером 75, имеет весьма тяжелую массу, равную 186,31, кристаллическая решетка гексагональная, плотноупакованная (ГП), атомный радиус л = 0,138 hmi. Параметры кристаллической решетки и = 0,2758 нм, с = 0,45 нм, с а = = 1,615  [c.96]

Состояние магнитного иона может быть найдено с помощью уравнения Шредпнгера Жф = 1>,где Ш—гамильтониан. Для свободного иона уровни могут быть вырождены если же ион находится в поле кристалла, то степень вырождения в общем случае уменьшается но-разному для различной симметрии поля. При повороте координат на заданный угол (например, тс/2 вокруг оси четвертого порядка я/3 вокруг гексагональной осп) или отран<е-нии в плоскости и т. д. результирующее состояние системы должно совпадать с исходным. Этим свойством должны обладать и собственные функции уравнения Шредингера. Решения уравнений Шредиигера образуют группы с помощью теории групп можно выяснить некоторые особенности решений в кристаллическом поле, даже не зная точно формы потенциальной функции и ее величины. Так, например, состояние с /= /2, которое для свободного иона шестикратно вырождено в кристаллическом поле с кубической симметрией, расщепляетсм на один дублет и один четырехкратно вырожденный уровень. Взаимное расположение уровней и расстояние между ними нельзя определить, ие зная подробно функции V.  [c.386]

Известен ряд кристаллических пьезоэлектриков здесь рассматриваются кварц, этнленд 1аминтартрат и турмалин. Кристалл кварца (рис. 11.6, а) представляет собой гексагональную (шестигранную) призму, увенчанную двумя пирамидами. Кроме того, кристаллы могут иметь, ряд дополнительных граней. Для оценки свойств кварца применяется прямоугольная система координат х, у, z. Ось г — оптическая ось она проходит вдоль кристалла через вершины пирамиды. В решетке кварца каждый ион кремния окружен четырьмя ионами кислорода, расположенными по вершинам тетраэдра. Вдоль оси z  [c.160]

Углерод С ( arboneum). Порядковый номер 6, атомный вес 12,010. Углерод существует в трёх аллотропических формах две кристаллические— графит и алмаз, третья аморфная — уголь. Рассмотрение угля как аллотропической формы углерода в настоящее время подвергается сомнению. Графит образует хорошо выраженные гексагональные кристаллы, плотность которых 2,5 графит в отличие от алмаза очень мягок и обладает заметной величиной электропроводности. Температура плавления графита выше 3500 , Графит химически инертен и вступает в химические реакции с кислородом, галогенами и т. д. лишь при повышенной температуре. Алмаз образует кристаллы кубической системы, наиболее твёрдые среди всех кристаллов. Плотность алмаза 3,5 температуры плавления и кипения предполагаются равными соответственно 3500° и 4830°. В химическом отношении алмаз весьма инертен и вступает в реакции с кислородом, галоидами лишь при очень высокой температуре.  [c.350]

В. К. Григорович [4] на основании изучения данных о полиморфизме металлов всей системы Менделеева пришел к выводу, что перестройка кристаллических решеток металлов происходит вследствие изменения симметрии электронных оболочек атомов при изменении температуры. Естественно предположить, что в субмикроскопических участках, обедненных легирующими элементами, т. е. обогащенных титаном, при низких температурах будет устанавливаться такая симметрия в расположении атомов, которая свойственна низкотемпературной модификации. Действительно, из схемы перемещения атомов в плоскости (ОП) 3 при перестройке р-чгг , предложенной Ю. А. Багаряцким (рис. 1), видно, что в результате перестройки каждый атом оказывается окруженным шестью атомами, расположенными на равных расстояниях, как в гексагональной а-фазе, а не четырьмя, как в объемноцентрированной решетке р-фазы. Так как такие перемещения атомов титана происходят в весьма малых зонах, когерентно связанных с решеткой исходного р-твердого раствора, кристаллическая решетка го-фазы имеет промежуточное строение между строением а и р-фаз.  [c.69]


Поскольку поверхностная энергия является заметной величиной по сравнению с объемной, то из условия (3.1) следует, что для понижения полной энергии системы более выгодна такая деформация кристалла, при которой поверхностная энергия будет понижаться. Подобное понижение может быть реализовано изменением кристаллической структуры наночастицы по сравнению с массивным образцом. Поверхностная энергия минимальна для плотноупакованных структур, поэтому для нанокри-сталлических частиц наиболее предпочтительны гранецентри-рованная кубическая (ГЦК) или гексагональная плотноупако-ванная (ГПУ) структуры [7, 8], что и наблюдается экспериментально. Так, электронографическое исследование нанокристаллов ниобия, тантала, молибдена и вольфрама размером 5—10 нм показало [199], что они имеют ГЦК- или ГПУ-структуру, тогда как в обычном состоянии эти металлы имеют объемно центрированную кубическую (ОЦК)-решетку. В наночастицах бериллия и висмута найдены кубические фазы, хотя в массивном состоянии эти элементы имеют ГПУ-решетку [200]. Массивные кристаллические образцы гадолиния, тербия и гольмия имеют ГПУ-структуру. Авторы [201, 202], изучившие структуру частиц Gd, ТЬ и Но размером от 110 до 24 нм, обнаружили в них следы ГЦК-фазы и показали, что с уменьшением размеров в частицах растет содержание ГЦК-фазы и уменьшается количество ГПУ-фазы. В нанокристаллах Gd размером 24 нм ГПУ-фаза, характерная для массивных образцов, вообш е отсутствовала. Однако в [10] высказано сомнение в правильности выводов [201, 202] о ГПУ—ГЦК-переходе, так как наблюдавшиеся на рентгенограммах наночастиц Gd, Td и Но дифракционные отражения могли принадлежать низкотемпературным кубическим модификациям оксидов этих металлов. Уменьшение размера частиц некоторых элементов (Fe, Сг, d, Se) приво ило к потере кристаллической структуры и появлению аморфной [200, 203]. В обзоре [198] отмечено, что понижение поверхностной энергии частицы может происходить путем не только полного изменения ее кристаллической структуры, но и некоторой деформации структуры. Например, малые частицы могут иметь  [c.63]

Фазовые соотношения в бинарных системах с попарным участием элементов, входящих в состав рассматриваемых ТР, хорошо известны [92] в системах Al—N, Si—С — это (в том числе) изост-руктурные гексагональные фазы A1N, Si , в системах Si—N, Al— С — ромбоэдрические Si3N4, AI4 3, в системе А1—Si индивидуальных фаз нет (эвтектика). В системе С—N кристаллические нитриды углерода , по крайней мере при равновесных условиях синтеза, не возникают. С учетом этих данных, становится понятной установленная [86] тенденция примесных атомов Si, С в A1N (и А1, N в Si ) к объединению, когда для примеси в кристалле реализуется элемент структурного и химического окружения в собственной гексагональной фазе (Si или A1N, соответственно) — как системе с наиболее благоприятным структурным типом для образования максимально химически стабильного состояния. Все иные рассмотренные типы локальной координации примесей ока-  [c.58]

Кристаллические структуры фаз, образующихся в системе Fe-Ge приведены в табл. 195. Для соединения FeGe, согласно работе [3], характерна только одна гексагональная модификация. В это же время в работе [V- ] приводятся сведения о других типах кристаллической решетки для этого соединения, которые также включены в таблицу.  [c.495]

Диаграмма состояния Но—Pm экспериментально не построена. Pm и Но в металлическом состоянии изоэлектронны, имеют три коллективизированных валентных 5d 6s электрона. Плотные гексагональные структуры ДГПУ аРт и ГПУ Но имеют близкие параметры решеток. Атомные радиусы Но и Pm отличаются на 2,5 %. Близость электронно-кристаллического строения и атомных радиусов предопрс деляет образование при высоких температурах твердых растворов ДГПУ—ГПУ, переходящих друг в друга по механизму дефектов упаковки. Система Но—Pm благодаря большому различию температур плавления компонентов должна подобно системе Nd—Ег относиться к перитектическому типу. В приближении идеальных растворов пересечение прямых линий, соединяющих температуры плавления (1042 и 1474 °С) и превращения (890 и 1485 °С) Pm и Но опрс-  [c.988]

Х)нальные структуры ДГПУ аРг и ГПУ Но имеют близкие параметры решеток, атомные радиусы их различаются на 3,5 %. Вследствие фшзости электронного и кристаллического строения, Но и Рг должны образовывать при высоких температурах ряды плотных гексагональных твердых растворов, образующихся по перитектической реакции, как в системе Ег—Nd [1]. В приближении идеальных растворов перитектическая точка отвечает -1400 °С и -85 % (ат.) Но [2]. При температуре ниже -735 °С вблизи концентрации 40 % (ат.) Но возникает промежуточная фаза 5 со структурой типа aSm (рис. 536).  [c.991]

При низких температурах -1400 °С в твердом состоянии обнаружены две фазы, границы существования которых требуют уточнения. Фаза у по химическому составу и кристаллической структуре аналогична фазе p(Pt3Mo) в системе Pt-Mo, имеет тетрагональную решетку с параметрами а = 0,3895 с 0,3943 нм (в спеченном сплаве) ца = 0,3896 с = 0,3933 нм (в сплаве дуговой плавки) при 35 % (ат.) W. Фаза е аналогична фазе 6(Pt3Mo2) и имеет гексагональную решетку типа Mg (символ Пирсона hPl, пр.гр Рв- /ттс) с параметрами а = 0,2796 с - 0,4493 нм в спеченном сплаве при 50 % (ат.) W и а = 0,279 с = 0,450 нм в сплаве дуговой плавки при 70 % (ат.) W [1].  [c.75]

Вледствие близости электронного кристаллического строения и атомных радиусов можно предположить, что Sm и S должны образовывать непрерывные ряды низкотемпературных гексагональных плотноупа-кованных и высокотемпературных объемно центрированных кубических твердых растворов. Тем не менее имеющееся различие в атомных радиусах обоих металлов приводит к возникновению минимума на линии сольвуса, как и в системах Nd-S и Gd-S [1, М] (рис. 567). При температуре ниже 734 °С можно предполагать образование области ограниченных твердых растворов на основе aSm.  [c.259]

Образующийся при взаимодействии алюминия с кислородом безводный оксид АЬОз (глинозем) может существовать в двух модификациях а-АгОз и 7-AI2O3 первая из них кристаллизуется в гексагональной системе, а вторая—в кубической. При нагреве 7-AI2O3 выше 900 °С начинается его превращение в а-А Оз, которое полно-ст зю завершается выше 1200 °С. Кристаллическая модификация 7-AI2O3 обладает высокой гигроскопичностью, а а-А Оз практически совсем влагу не впитывает. Оксиды алюминия амфотерны.  [c.316]

Магний (Mg) — химический элемент II группы периодической системы, атомный номер 12, атомная масса 24,305 металл серебристо-бе-лого цвета. Кристаллическая решетка магния гексагональная плотно упакованная. Температура плавления =65ГС. Плотность магния — 1739 кг/м  [c.218]


Смотреть страницы где упоминается термин Гексагональная кристаллическая система : [c.145]    [c.340]    [c.241]    [c.130]    [c.416]    [c.399]    [c.41]    [c.168]    [c.189]    [c.291]    [c.10]    [c.187]    [c.285]    [c.11]   
Физика твердого тела Т.2 (0) -- [ c.126 , c.127 ]

Физика твердого тела Т.1 (0) -- [ c.126 , c.127 ]



ПОИСК



Гексагональная система

Кристаллические

Кристаллические системы

Тригональная кристаллическая система связь с гексагональной системой



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте